【課題】装置構成の簡単な単一の洗浄処理チャンバーを用いて、単位時間当り可能な限り多くの枚数の被洗浄物の洗浄処理を可能とする。
【解決手段】洗浄処理チャンバーと、該洗浄処理チャンバー内に洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段と、上記洗浄処理チャンバー内の不要物を排出する流体排出手段とを備え、上記洗浄処理チャンバー内を超臨界状態に維持することによって、当該洗浄処理チャンバー内の被洗浄物の洗浄処理を行うようにしてなる超臨界流体洗浄装置であって、洗浄前の被洗浄物を洗浄処理チャンバー内に搬送搬入する搬送搬入手段および洗浄処理終了後の被洗浄物を洗浄処理チャンバーから取り出す搬出搬送手段を設け、洗浄処理チャンバー内の複数の位置に同時に複数枚の被洗浄物を収納セットして順次洗浄処理することができるようにした。 （もっと読む）

【課題】複数種類の液体を用いる基板処理方法において、液体を用いた処理の後に基板上に残留している当該液体を、次に使用される液体によって迅速かつより確実に置換することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、処理液によって基板Ｗを処理する工程と、基板上に置換液を供給し、基板上に残留する処理液を置換液で置換する工程と、を備える。置換する工程に用いられる置換液は、処理液の表面張力よりも小さい表面張力を有し、かつ、処理液の密度と同一の密度を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された金属膜の破損を効果的に抑制することができる基板洗浄方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】金属膜が形成された基板１００の表面に、非導電性液体である洗浄液５０を供給して洗浄する際に、基板１００の裏面を帯電させて基板１００の両面が略等電位となるようにする。 （もっと読む）

【課題】排液カップの内部におけるミスト発生を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、基板保持部を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板保持部の外側に、この基板保持部に保持された基板を囲繞するように設けられ、基板保持部とともに回転する壁部３２を有し、この壁部３２が、回転する基板から振り切られた処理液を斜め方向から受けるように構成されている回転カップ４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の裏面端部や側面に付着した膜（汚染物質）を除去することを可能にする汚染物質除去方法等を提供する。
【解決手段】本発明の汚染物質除去方法は、表面に薄膜が形成された被処理基板７の裏面縁部及び側面に対して、真空中において、指向性を有するビームを照射することを含む。 （もっと読む）

【課題】瞬時にベーパーを生成して基板上に供給して基板を乾燥でき、しかも腐食されることなく、クリーンな洗浄及び乾燥ができるベーパー乾燥装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを支持する洗浄装置と、複数種類の処理液を選択的に供給する処理液供給ユニット３１と、一端側が前記処理液供給ユニット３１に接続され、他端側に前記洗浄装置に接続されるベーパー供給管２６を有し、前記処理液供給ユニット３１から供給された処理液を流通する流通路を有する石英ガラス管１４と、前記石英ガラス管１４の内側に前記流通路と隔離された状態に設けられたロッドヒーター２７と、前記石英ガラス管１４の外側に設けられ、前記ロッドヒーター２７を加熱し、輻射熱によって前記流通路を流通する前記処理液を加熱あるいは気化して前記ベーパー供給管２６に導く加熱手段としてのハロゲンランプ２８を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面を好適に洗浄可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上にレジスト膜を形成し、洗浄の際に洗浄液と前記基板との界面に作用するせん断応力が、液浸露光の際に液浸液と前記基板との界面に作用するせん断応力よりも大きくなるような制御の下、前記基板の表面を洗浄し、前記レジスト膜を前記液浸露光により露光して、前記レジスト膜に潜像を形成し、前記レジスト膜を現像して、前記基板上にレジスト膜パターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板の端部を清浄に維持することが可能な基板処理装置を提供することである。
【解決手段】現像液吐出ノズル９１１が現像液を吐出しつつ基板Ｗの上方を通過する。これにより、基板Ｗ上の全面に現像液が液盛され、レジスト膜の現像処理が進行する。現像処理終了後、基板Ｗ上から現像液および溶解したレジスト膜が洗い流される。そして、基板Ｗの回転およびリンス液の吐出が維持された状態で、洗浄ブラシ９２０の溝Ｃ１が基板Ｗの端部に押し当てられる。これにより、基板Ｗの端部が洗浄され、基板Ｗの端部に付着するレジストカバー膜の残渣およびレジスト膜の残渣等の汚染物が取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の表面の周縁領域から汚染を確実に除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック３により回転されるウエハＷの表面の周縁領域４０にブラシ２１が当接されることにより、その周縁領域４０に付着する汚染を掻き取ることができる。ウエハＷの表面の周縁領域４０には、ブラシ接触位置Ｐ１に対してウエハＷの回転方向下流側に間隔Ｌ５を隔てたＤＩＷ着液位置Ｐ６に、第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷが供給される。ブラシ２１により掻き取られた汚染を、ＤＩＷにより洗い流すことができる。 （もっと読む）

【課題】ロットに含まれる基板に対して所定の処理を施す際に、装置の稼働率を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】各処理ユニット１〜４では、予め規定された３つの測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣからパーティクルカウンタ４１〜４４の測定結果に対応する清浄度レベルが測定レベルとして設定される。一方で、ロット側でも、予め規定された３つの要求清浄度レベルから基板Ｗが属するロットに要求される清浄度レベルが要求レベルとして設定される。３つの測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣと３つの要求清浄度レベルＲＡ〜ＲＣとの間の対応関係に基づいて、要求レベルに応じて処理ユニット１〜４のいずれかが選択され、選択された処理ユニットで基板Ｗが処理される。 （もっと読む）

【課題】基板の端部の必要な部分を十分に清浄にすることが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】洗浄処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック５２１を備える。スピンチャック５２１の外方には、ベベル洗浄部５３０が配置されている。ベベル洗浄部５３０は洗浄ブラシ５３１を備える。洗浄ブラシ５３１は鉛直軸に関して回転対称な形状を有し、上ベベル洗浄面５３１ａ、端面洗浄面５３１ｂおよび下ベベル洗浄面５３１ｃを有する。端面洗浄面５３１ｂは鉛直方向を軸心とする円筒面である。上ベベル洗浄面５３１ａは端面洗浄面５３１ｂの上端から外側上方に傾斜して延び、下ベベル洗浄面５３１ｃは端面洗浄面５３１ｂの下端から外側下方に傾斜して延びる。 （もっと読む）

【課題】ベベル部の汚染に起因する基板の処理不良を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。インターフェースブロック１５は、ベベル部検査ユニットＥＥを含む。ベベル部検査ユニットＥＥでは、基板Ｗのベベル部の検査が行われ、基板Ｗのベベル部が汚染されているか否かが判定される。ベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗとベベル部が汚染されていないと判定された基板Ｗとは、それぞれ異なる処理が施される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の適切な回転数による処理を最適にし、膜厚の均一化を図り、膜質の低下を抑制し、かつ、ミストの基板への再付着を防止すること。
【解決手段】ウエハＷを保持するスピンチャック４０と、スピンチャック４０を回転駆動するモータ４１と、ウエハにレジスト液を供給するレジストノズル４２と、スピンチャックを収容する上端が開口した処理容器４３と、処理容器の底部から排気する排気手段４４と、を具備する基板処理装置において、処理容器の内周側に配設され、ウエハの表面側の気流を排気手段側に流す多翼遠心ファン５０と、モータと多翼遠心ファンの駆動電源５１ａとに接続され、ウエハの回転数に対応して多翼遠心ファンの回転数を制御するコントローラと、を具備する。コントローラからの制御信号により多翼遠心ファンを回転して、ウエハの回転により生ずるウエハ表面上の周方向に流れる乱気流を、放射方向に流れる層気流に補正する。 （もっと読む）

【課題】 ウエット処理時に異種材料接触部で発生する腐食を防ぎ、また、ウエハ上の微小粒子の除去も可能にする半導体プロセスおよびウエット処理装置を提供する。
【解決手段】 ウエハを静電吸着すると共にウエハを回転駆動する下部電極１と、下部電極１に向かって移動可能であると共に注入された薬液を下部電極１に通す上部電極４とを備え、下部電極１と上部電極４との間に電圧を印加しながらウエット処理する。 （もっと読む）

【課題】 大型基板(少なくとも０.２５ｍ^２)のさらされた表面から有機含有材料を除去する方法を提供する。
【解決手段】 基板は、電子デバイスを備えていてもよい。さらされた表面は、溶媒にオゾン（Ｏ_３）を含むストリッピング溶液で処理され、ここで、溶媒は酢酸無水物を含む。ストリッピング溶液を形成するのに用いられるストリッピング溶媒は、酢酸無水物と、２-４個の炭素原子を含有するカーボネート、エチレングリコールジアセテート、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる共溶媒との混合物を含んでいてもよい。一定の場合、ストリッピング溶液は、酢酸無水物とオゾンだけを含んでいてもよいが、オゾンの濃度は、典型的には約３００ｐｐｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内を洗浄するための洗浄液による基板汚染を防止することができる基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ２内においては、閉状態におけるシャッタ１８上部の側方（水平でかつ側壁１に沿う方向）の一方側（図で示す右側）には、洗浄液を吐出するための第１洗浄液吐出ノズル３２と、洗浄液を吐出するための第２洗浄液吐出ノズル３３と、Ｎ₂ガスを吐出するためのＮ₂ガス吐出ノズル３４とが設けられている。シャッタ１８の上部に付着したＳＰＭが、洗浄液によって洗い流される。また、洗浄に用いられた洗浄液がＮ₂ガスによって除去される。 （もっと読む）

【課題】非接触式シールを用いた構成において、非回転環と回転環との非接触状態を確実に維持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】非接触式シール機構２９は、スピンベース１０に固定された回転環３４と、基部３０によって鉛直方向に移動可能に保持され、回転環３４に対向配置された非回転環３２とを備えている。非回転環３２は、基部３０に保持された複数のばね３１の付勢力によって上方に付勢されている。また、回転環３２および非回転環３４はそれぞれ互いに反発するように働く永久磁石によって構成されている。非回転環３２は、永久磁石の反発力によって前記付勢力に抗して数μｍ〜数十μｍ回転環３４から離間しており、これによって、非回転環３２と回転環３４とが互いに非接触になっている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、基板の主面に接触することなく基板を保持することができる基板保持回転機構およびそのような基板保持回転機構を備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板保持回転部材２は、円盤状のスピンベース７を備えている。スピンベース７の上面には、その周縁部に複数個の固定支持部材１０ａ〜１０ｆがほぼ等角度間隔で固定配置されている。ウエハＷは、その周端面の下方部が固定支持部材１０ａ〜１０ｆに点接触して、基板保持回転部材２に保持される。スピンベース７が回転されると、スピンベース７の上面とウエハＷの下面との間の雰囲気が、遠心力によって、スピンベース７の外方へと吐き出されて減圧され、ウエハＷの下方の空間が負圧空間となる。ウエハＷがスピンベース７側に引き寄せられ、ウエハＷの周端面の下方部が固定支持部材１０ａ〜１０ｆに押し付けられる。 （もっと読む）

【課題】省スペースで、しかも処理液により基板の被処理面を均一に処理するとともに、乾燥不良の発生を防止しながら基板を良好に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】直立状態に基板を保持し、その両面に対向部材を近接させ第１近接位置に配置する（ステップＳＴ１，ＳＴ２）。この状態で、薬液Ａ〜Ｃおよびリンス液による湿式処理を順次実行する（ステップＳＴ３〜ＳＴ６）。続いて、ＩＰＡ蒸気を供給しながら対向部材を第２近接位置へ移動させる（ステップＳＴ７，ＳＴ８）。第２近接位置における基板と対向部材との間隔は第１近接位置におけるそれよりも大きい。このため基板と対向部材との間に残留する処理液の流下が促進される。その後、窒素ガスを吹き付けて基板を乾燥させる（ステップＳＴ９）。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を洗浄する際に、所定の時間で、被処理基板の被洗浄面の全体を均一に、効率よくかつ確実に洗浄すること。
【解決手段】基板洗浄装置は、ウエハＷを回転可能に保持するスピンチャック２０と、スピンチャック２０によって保持されたウエハＷの表面に洗浄液を供給する二流体ノズル１０と、二流体ノズル１０に連結され、当該二流体ノズル１０を回転保持部２０に保持されたウエハＷの表面に沿って移動させる移動機構３０と、を備えている。移動機構３０には、移動機構３０によって二流体ノズル１０をウエハＷの中央部からウエハＷの周縁部に向かって移動させる際、ｎ段階に分けて二流体ノズル１０の移動速度ｖ_ｋを多段的に低下させるよう移動機構３０を制御する制御部５０が接続されている。制御部５０は、ウエハＷの中央部を洗浄する１段階目における二流体ノズル１０の移動速度ｖ_１を、１段階目における二流体ノズル１０の理想移動速度ｖ_d１よりも遅くする。 （もっと読む）