【課題】ＩＰＡを利用した基板乾燥装置及びその方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるＩＰＡを利用した基板乾燥方法は、回転する基板の上面に有機溶剤と前記有機溶剤の気化力の向上のための乾燥ガスを噴射すると同時に基板の温度の上昇のために基板の底面に加熱された流体を噴射するプレｐｒｅ-段階と、前記加熱された流体の噴射を中断し、基板の上面に前記有機溶剤と前記乾燥ガスを噴射する最終段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】水平に配置した状態で、湿式処理した後の基材の少なくとも１つの表面から液体を効率よく除去する。
【解決手段】基材に供給する液体と相溶性を有しており、該液体と混合した場合に、該液体の表面張力よりも低い表面張力を有する混合物を生じる気体物質を基材の表面に供給することを、回転する基材の表面の少なくとも一部に、液体を供給することと組み合わせて行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用し、基板を処理する装置に関する。
【解決手段】プラズマの特性を向上させるため磁気場を形成する磁石のユニットを提供する。ハウジングの側部の内、上部の領域には、第１磁石ユニットが、又、下部の領域には、第２磁石ユニットが提供される。各々の磁石ユニットは、複数の電磁石を有する。電磁石は、磁石ユニットが上部から見る際、正多角型の形状を有するように配置される。下部に配置される磁石ユニットは、上部に配置される磁石ユニットとの整列位置から、その中心軸を基準として一定角度回転された状態に配置される。上述した構造によって、ハウジング内のプラズマ密度の均一度が向上され、特に隣接する電磁石の間の領域でプラズマ均一度が低下することを防止できる。 （もっと読む）

プレート状物品の超音波湿式処理のための方法およびそれぞれの装置が開示され、この方法は、プレート状物品の表面に近接するトランスデューサに接続された固体要素を移送するステップであって、固体要素とプレート状物品との間に隙間が形成され、隙間は０．１ｍｍと５ｍｍとの間の距離ｄ２を有するような、ステップと、固体要素とプレート状物品との間の隙間を満たすための液体を分配するステップと、超音波を検出するおよび／または距離ｄ２を測定することによって距離ｄ２を制御するステップと、測定された距離を所望の距離ｄ０と比較し、それに応じて距離を調節するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の裏面外周部に噴出されるガスを均一にして、ウェーハのエッジ面の形状を安定化させる。
【解決手段】枚葉式エッチング装置１０は、半導体インゴットをスライスして得られた薄円板状のウェーハ１１を回転させながら、前記ウェーハ１１の上面にエッチング液１５を供給して少なくともウェーハ１１の上面をエッチングする装置である。そして、ウエーハ１１を回転させる回転機構１３と、回転機構１３の半径方向外方に設けられその回転機構により回転されるウェーハ１１の下面に対向しかつ平行にウェーハ１１の下面１１ｃとエッジ部１１ｂとの境界位置よりも外方にまで延びたステージ１７ｊと、ステージ１７ｊの上面にウェーハ１１に向かうように形成された噴射口１７ａと、噴射口１７ａに流体を供給してウェーハ１１のエッジ部を介して流下するエッチング液をウェーハの外方に吹き飛ばすブロー機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングを要する半導体装置の製造工程において、その安定性を向上させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、処理カップＷＣ内で半導体ウェハ１の被処理面Ｓに対し、所望の液体７，９を用いた処理を施す工程であって、はじめに、処理カップＷＣ内に載置した半導体ウェハ１を回転させた状態で、処理カップＷＣの開口部５から、液体供給ノズル６によって半導体ウェハ１に液体７，９を供給し、所望の処理を施す。続いて、半導体ウェハ１に回転を施すことで乾燥させるという、一連の工程からなる。そして、上記の工程中、処理カップＷＣの開口部５を塞ぐようなカバー８を設置することにより、そのカバー８を通じて、処理カップＷＣの外へ飛散しようとする液体７，９を処理容器ＷＣに備えられた液体回収部４に導くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物であって、約0.005重量％から約５重量％までのフッ化物を与える成分、約１重量％から約50重量％までのグリコール溶媒、リン含有酸、及び水を含む組成物；該組成物と基板を接触させることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】処理部中の塵埃を除去でき、装置の小型化、処理のスループットの向上及び歩留まりの向上を図れるようにすること。
【解決手段】搬送手段によって搬送されるウエハを処理部に搬送して処理を施す基板搬送処理において、ウエハＷの処理前に、搬送手段であるメインアームＡ２によって搬送される、塵埃を捕集可能な状態の捕集プレートＰＬを塗布処理ユニット３２に搬入して、塗布処理ユニット内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する。塵埃を捕集した捕集プレートを洗浄ユニット８０内に搬入し、この洗浄ユニット内において捕集した塵埃を洗浄により除去し、塵埃が除去された捕集プレートを、塵埃を捕集可能な状態例えばイオナイザ２００によって帯電して再生する。塵埃を捕集可能な状態に再生された捕集プレートを、メインアームによって処理前の処理部に搬入して、この処理部内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する。 （もっと読む）

【課題】基板端部に付着した付着物を除去する際に，その付着物を化学分解反応させる活性種が基板の処理面に回り込むことを防止して，処理面にダメージを与えないようにする。
【解決手段】ウエハＷの端部に紫外線を当てて洗浄処理を行う際に，ウエハＷの端部の裏側表面に裏側気体２３６の流れを形成するとともに，その表側表面にも裏側気体と同一方向の表側気体２４６の流れを形成し，裏側気体の流速を表側気体の流速よりも速くする。これにより，たとえウエハの端部と仕切板２２０の間に隙間Ｇが生じていても，ウエハの表側から裏側に向う下降気流２３８が形成されるので，ウエハの端部の裏側で生じた活性種のウエハの表側への回り込みを確実に防止できる。 （もっと読む）

【課題】クリーニング時に基板回転をモニタリングするシステム、方法及び装置を開示する。
【解決手段】本発明は基板の支持、クリーニングに用いられる基板クリーニング装置と、基板クリーニング装置内で光路を有する光ビームの提供に用いられる光源と、光源からの光ビームを受光するため光路に沿って配置され、基板の配向フィーチャが光路を横切る場合、配向フィーチャ検出に用いられる光センサを含むことができる。光センサは光検出器のアレイを含む。多くの追加の様態が開示されている。 （もっと読む）

【課題】 欠陥の発生が抑えられた高い信頼性を有する半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板（６）の被処理面を樹脂部材（５）に当接させて、前記半導体基板と前記樹脂部材を摺動させる工程を具備する方法である。前記摺動は、前記樹脂部材に８０℃以上１４０℃以下の温水を噴射しつつ行なわれる。 （もっと読む）

【課題】処理流体による基板処理の際に、基板表面上で顕著な変化を生じさせ、これにより、処理効率の向上を図ることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ミキシングバルブ４の混合部４０には、薬液供給源７１〜７４からの薬液原液ならびに純水供源からの常温純水および温純水を供給できる。ミキシングバルブ４０から、処理液供給路３を介して、処理液ノズル２に処理液が供給され、この処理液が基板Ｗに供給される。処理液による基板Ｗの処理中に、薬液導入バルブ４１〜４４、流量調整バルブ１０１〜１０４、純水供給源バルブ５１、温純水供給源バルブ５２、純水バルブ５などの制御によって、プロセスパラメータに揺らぎが付与される。 （もっと読む）

【課題】搬送物通過用開口部が形成された境界部を介して直列に隣接配置された複数のクリーンルーム内を連続搬送される平面状の搬送物の除塵方法及び装置において、平面状の搬送物への異物付着による欠陥を抑制して高得率で製造することができる搬送物の除塵方法及び装置を提供する。
【解決手段】搬送物通過用開口部４０が形成された境界部を介して直列に隣接配置された複数のクリーンルーム１、２内を連続搬送される平面状の搬送物１５の除塵方法において、搬送物通過用開口部４０の位置に、搬送物１５の表裏面のうち一方面をローラ５０で支持しながら、該ローラ５０に対向配置された加圧風噴出装置４８により搬送物１５の他方面に気体を吹き付けて搬送物１５に付着した異物を風圧により除去する除塵工程を設ける。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造で、ウエハ又は基板の表裏両面を容易に洗浄することができるスピン洗浄装置及びスピン洗浄方法を提供する。
【解決手段】回転テーブル１１上に立設された支持ピン１０上に基板５が載置される。基板を中心とする位置に、固定側クランプピン９と、回転テーブル１１に水平の揺動軸１３あを中心として揺動可能に設置されたリンクブロック１２ａと、リンクブロック１２ａの上部に設けられた可動側クランプピン８ａとが設置されている。そして、固定側クランプピン９及び可動側クランプピン８ａには、テーパ部１５が形成されており、可動側クランプピン８ａを固定側クランプピン９に向けて移動することにより、テーパ部１５に沿って基板５が持ち上げられ、支持ピン１０から離隔した状態で、基板５の表裏両面が洗浄される。 （もっと読む）

【課題】処理液を基板上に供給する際に、基板上に吐出される処理液を汚染することなく、処理液と基板との間の放電により生じる基板へのダメージを抑制する。
【解決手段】基板処理装置１は、導電性の処理液を基板９に向けて連続的に流れる状態で吐出する吐出部３２、および、吐出部３２に接続される供給管３１に分岐して設けられる補助管３５を備える。補助管３５には、接地部４１に接続される接液部３５２が設けられ、基板９とは異なる排出位置へと補助管３５に沿って導かれる処理液の一部に接地電位が付与される。これにより、帯電していない基板９上に処理液を供給する際に、絶縁性の供給管３１内を流れる処理液が帯電した状態で吐出されることが防止され、基板９上に吐出される処理液を汚染することなく、処理液と基板９との間の放電により生じる基板９へのダメージを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハー表面に付着した粒子状汚染物質を洗浄するためのシステム並びに方法を提供する。
【解決手段】その内部に分散結合体を懸濁させた洗浄媒体をウエハー表面上に供給する。外部エネルギーを洗浄媒体に印加して、洗浄媒体内部に周期的せん断応力を発生させる。発生した周期的せん断応力により、結合体上で運動量および／あるいは抗力が作用する。この結果、結合体と粒子状汚染物質との間に相互作用が生じて、ウエハー表面から粒子状汚染物質が除去される。 （もっと読む）

【課題】精度良く濃度調整された希釈薬液を用いて基板を処理することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１混合部１４は、ふっ酸タンク３０から供給されるふっ酸原液（濃度がたとえば４９ｗｔ％）と、ＤＩＷ供給源から供給されるＤＩＷとを混合して、希ふっ酸（濃度がたとえば２．３ｗｔ％）を生成する。第２混合部１５は、第１混合部１４で生成された希ふっ酸と、ＤＩＷ供給源から供給されるＤＩＷとを混合して希ふっ酸（たとえば０．１１ｗｔ％）を生成する。第３混合部１６は、第２混合部１５で生成された希ふっ酸と、ＤＩＷ供給源から供給されるＤＩＷとを混合して希ふっ酸（たとえば０．００５ｗｔ％）を生成する。 （もっと読む）

【課題】高い周波数の超音波を用いて大型の被洗浄物を効率よく洗浄できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽１２を三分割し、各ブロック１２Ｌ、１２Ｃ、１２Ｒの間にシート状に形成された隔壁１６Ｌ、１６Ｒを挟んで一体化することにより、洗浄槽１２の内部に隔壁１６Ｌ、１６Ｒで仕切られた超音波伝播液貯留空間２０Ｌ、２０Ｒと洗浄液貯留空間１８を形成する。これにより、隔壁１６Ｌ、１６Ｒを薄くしても、十分に強度を確保できるようになり、洗浄槽の大型化に対応することができるようになる。 （もっと読む）

【課題】基板保持手段に基板が保持されているか否かに応じて、処理液供給手段の供給動作を適切に禁止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 薬液表面側バルブ２３の開成タイミングに至ったとき（ステップＳ１でＹＥＳ）、ＣＰＵ６０は、ウエハ保持センサ９からの出力をチェックする（ステップＳ２）。スピンチャック３にウエハＷが保持されていない場合には（ステップＳ３でＮＯ）、薬液ノズル４が退避位置以外に位置していれは（ステップＳ４でＮＯ）、ＣＰＵ６０は、薬液表面側バルブ２３の開成を禁止する（ステップＳ５）、薬液ノズル４が退避位置に位置していれは（ステップＳ４でＹＥＳ）、ＣＰＵ６０は、薬液表面側バルブ２３の開成を許可する（ステップＳ７）。この場合、表面側プリディスペンス処理を実行することができる。 （もっと読む）

【課題】混触に危険を伴う組合せとなる薬液の混触を防止することができ、かつ、そのための設定作業に手間を要しない、供給禁止組合せ設定方法、コンピュータプログラムおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＣＰＵ６０により、使用薬液メモリ６８，６９，７０から、第１薬液、第２薬液および第３薬液の各薬液名が読み出され、第１薬液、第２薬液および第３薬液の薬液名とバルブ１８，１９，２０，２３，２５，３１との対応関係を表す薬液−バルブ対応テーブルが作成される。そして、薬液−バルブ対応テーブル、および混触に危険を伴う薬液の組合せに関する情報を登録した混触禁止薬液データベースに基づいて、バルブ１８，１９，２０，２１，２３，２５，３１，３７間での同時開成および相前後する開成を禁止／可能とするバルブの組合せが設定される。 （もっと読む）