【課題】基板の表裏両面の好適な洗浄を可能とする。
【解決手段】ベース部材２に設けられた保持部材６によってベース部材２と基板Ｗとが離間された状態で基板Ｗの周縁部が保持され、保持部材６に保持された基板Ｗの面のうち、ベース部材２に向く側の第１洗浄面ＷＦ１を洗浄するための第１洗浄ブラシ２１は、第１洗浄具支持アーム２２によって、基板Ｗとベース部材２との間に第１洗浄面ＷＦ１に沿って移動可能に配置支持される。回転モーター１１によってベース部材２に連結された中空状の回転軸９を介して基板保持機構１及びそれに保持された基板Ｗを回転させながら、回転モーター１６による移動動力によって、第１洗浄面ＷＦ１に沿って第１洗浄ブラシ２１を移動させ、第１洗浄ブラシ２１により基板Ｗの第１洗浄面ＷＦ１を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】乾燥不良が生じることを抑制しつつ、基板を均一に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ＤＩＷの液膜が形成されたウエハＷの表面に、処理液ノズル３からＤＩＷを供給させつつ、ガスノズル４から窒素ガスを供給させて、前記表面の周縁に、前記液膜が除去された液膜除去領域Ｔを形成させる（図４（ｂ））。その後、ガスノズル４から前記表面への窒素ガスの供給位置を、当該表面の中心部（中心Ｏおよびその近傍）に移動させることにより、液膜除去領域Ｔ内に中心Ｏを配置させる（図４（ｃ））。そして、液膜除去領域Ｔが前記中心部に配置された状態で、ウエハＷを所定の高回転速度まで加速回転させるとともに、前記窒素ガスの供給位置を前記周縁に向けて移動させることにより、液膜除去領域Ｔを拡大させつつＤＩＷを前記表面から排除していく（図４（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】過硫酸を用いた洗浄システムなどに対し、高濃度の過硫酸イオンを含む溶液を安定して供給可能な過硫酸供給システムを提供する。
【解決手段】電解反応により溶液に含まれる硫酸イオンから過硫酸イオンを生成する電解反応装置（電解反応槽５、直流電源６）と、硫酸イオンを含む溶液を貯留する貯留槽１と、該貯留槽１から前記溶液を被電解液として前記電解反応装置へ移送し、前記電解反応装置から電解された溶液を前記貯留槽１へ移送する循環ライン（送り管２ａ、戻り管２ｂ）と、前記電解反応装置で生成された過硫酸イオンを含む溶液を過硫酸使用側に供給する過硫酸供給ライン７と、電解反応装置に移送する前記被電解液を補給する補給ライン８を備える。 （もっと読む）

【課題】キャッピング層及び絶縁層のマイクロ電子デバイスからの除去に関する改良された組成物を提供する。
【解決手段】シリコン含有層を、かかる層をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去する除去組成物及び方法を開示する。除去組成物は、次のものに限定されないが、シリコン酸化物、プラズマエンハンスド・テトラエチルオルソシリケート（Ｐ−ＴＥＯＳ）、ボロホスホシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、プラズマエンハンスド酸化物（ＰＥＯＸ）、高密度プラズマ酸化物（ＨＤＰ）、ホスホシリケートガラス（ＰＳＧ）、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）、熱酸化物、アップドープされたシリケートガラス、犠牲酸化物類、シリコン含有有機ポリマー類、シリコン含有ハイブリッド有機／無機材料類、有機シリケートガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ素化シリケートガラス（ＦＳＧ）、半球状グレイン（ＨＳＱ）、炭素ドープされた酸化物（ＣＤＯ）ガラス、及びこれらの組み合わせを含む総を、下部電極、デバイス基板、及び／又はエッチストップ層の材料に対して、選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】ワークに付着している異物を粘着テープを用いて的確かつ効率よく除去する。
【解決手段】ワークである基板ｗに付着している異物を狙って局部的に粘着テープＴを貼り付け、該粘着テープＴを剥離することにより異物を粘着テープＴに移し取って基板ｗから除去する。好ましくは、粘着テープＴを非粘着面から押圧部材２６で押圧しながら基板表面に沿って押圧部材２６を相対移動させるとともに、押圧部材２６の相対移動に連動して粘着テープＴを粘着テープ供給手段から繰り出しながら基板ｗに貼り付け、かつ、粘着テープＴを剥離して回収する。 （もっと読む）

【課題】シリコン製若しくはガラス製の基板表面、または基板表面に形成された無機系被膜表面に強固に付着している無機系の異物を表面粗さの増加を抑えながら容易に除去することができ、しかも一度除去された異物が基板表面に再付着することが防止された異物除去方法の提供。
【解決手段】シリコン製若しくはガラス製の基板表面または該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法であって、前記基板材料、前記無機系被膜材料および前記無機系異物のうち少なくとも１つに対して０．０１／ｃｍ以上の光吸収係数となる波長域の光線を、酸素若しくはオゾン含有雰囲気下にて前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面に照射量１０Ｊ／ｃｍ²以上で照射した後、負の表面電位を有する前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面にｐＨ≦６の酸性溶液を曝すことを特徴とする基板表面若しくは該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法。 （もっと読む）

電子源カソード（５）およびアノード機器（７）を備えたプラズマ放電機器を用いることによって、基板のプラズマエッチ洗浄が実行される。アノード機器（７）は、一方ではアノード電極（９）を、他方では、自身から電気的に孤立されている閉じ込め部（１１）を備えている。この閉じ込め部（１１）は、洗浄されるべき基板（２１）の領域（Ｓ）に向けられた、開口部（１３）を備えている。電子源カソード（５）およびアノード電極（９）は、供給源（１９）を有する供給回路によって、電気を供給されている。この回路は、電気的に浮遊して操作される。
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【課題】処理室で平坦な壊れやすい基板（２）に処理液（１４）を供給するために、取扱いが容易で側面案内が可能である処理装置を提供する。
【解決手段】基板（２）は、搬送装置（３）によって水平通過で処理室を通して案内される。円筒状の回転可能に軸受けされる側面案内ローラ（２０）を備える側面案内装置は、送給方向（４）に配向された基板（２）の有利な送給を確実にする。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークを発生させることなく、基板の上面を良好に乾燥させる。
【解決手段】洗浄処理が終了すると、遮断板２がスピンチャック１に保持されたウエハＷの上面に近接した位置に配置される。そして、液体供給口２５２ａからウエハＷの上面に純水が供給される。ウエハＷの上面に供給された純水は、ウエハＷの上面に拡がり、その表面張力でウエハＷ上に液膜となって溜められる。この液膜形成のための液盛りが行われている間に、第１乾燥ガス供給口２５１ａおよび第２乾燥ガス供給口２６ａから窒素ガスが供給されて、ウエハＷ上の純水の液膜と遮断板２との間の空間の雰囲気が窒素ガスに置換される。その後、ＩＰＡベーパ供給工程が行われる。ＩＰＡベーパ供給工程では、第１乾燥ガス供給口２５１ａからウエハＷの上面の中央部に向けて、ＩＰＡベーパを含む窒素ガスが供給される。 （もっと読む）

本発明は、メガソニック洗浄モジュールに関するものであり、電源供給ユニットから電源の印加を受ける圧電素子を内部に有して圧電素子の振動により超音波を発生させるバイブレータと、このバイブレータの一端に結合されて被洗浄物としての半導体ウェハーの一側面に垂直に設置されてその径を徐々に縮径されることでバイブレータから発生した縦方向の超音波を集中させる増幅部を有する第１振動ロッドと、この第１振動ロッドに対して垂直に組み合わされて縦方向の超音波による半導体ウェハーへの影響を回避するように第１振動ロッドとの接合部位の径を他端よりも相対的に小さく設定するとともに他端の断面を様々な形状に形成して第１振動ロッドの縦方向の超音波を横方向に伝播させる第２振動ロッドとで構成され、半導体ウェハーの異物を横方向の超音波を利用して効果的に遊離させるメガソニック洗浄モジュールに関するものである。

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対象物の表面の少なくとも一部を処理するための流体メニスカスを利用する湿式処理装置および方法である。対象物の表面の１つが処理された後に、対象物の他の側面または表面が同様に処理されうる。いくつかの例を挙げれば、この処理はコーティング、エッチング、めっきでありうる。この装置と方法の用途は、半導体処理産業、特にウェハおよび基板の処理にある。この方法と装置は、電子構成部品の多数の表面の処理をも可能にする。 （もっと読む）

本発明は、超音波を利用した洗浄装置に関するものであり、より詳細には、オシレータを一側面側に有するハウジングと、オシレータに結合されてウェハーの上面に塗布された洗浄水に対してオシレータから発生した超音波を伝播するロッドとを備え、オシレータが近傍領域及び遠方領域を有する拡散層に圧電素子を接着することで構成され、ロッドがその径を徐々に縮径されてオシレータから発生した超音波を増幅させることにより、被洗浄物としてのウェハーの異物を効果的に除去する超音波を利用した洗浄装置に関するものである。

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【課題】洗浄によりウェハに付着した水分を完全に除去し、当該基板を水分を除去した状態で成膜装置に搬送する。
【解決手段】 洗浄装置３に隣接して水分除去装置４を設ける。水分除去装置４では、ウェハＷに高温ガスを供給してウェハＷに付着した水分を完全に除去する。水分除去装置４と成膜装置５、６との間の搬送部７は、ケーシング２１で覆う。ケーシング２１内には、乾燥気体を供給し、搬送部７内を乾燥雰囲気にする。水分除去装置４で水分の除去されたウェハＷを、乾燥雰囲気内を通して成膜装置５、６に搬送する。 （もっと読む）

【課題】基板処理メニスカスによって残される入口マークおよび／または出口マークを低減させるためのキャリア
【解決手段】上側および下側のプロキシミティヘッドによって形成されるメニスカスによって処理されている基板を支えるためのキャリアについて説明される。キャリアは、基板を受ける大きさの開口と、該開口内において基板を支えるための複数の支持ピンとを有するフレームを含む。開口は、基板と開口との間にギャップが存在するように基板よりわずかに大きくしてある。基板上の入口マークおよび／または出口マークの大きさと頻度とを低減させるための手段が提供され、該手段は、メニスカスからの液体をギャップから立ち退かせることを補助および促進する。入口マークおよび出口マークの大きさと頻度とを低減させるための方法も、提供される。 （もっと読む）

円板状物品の主表面に直角な軸線まわりで円板状物品を回転させ、回転しているときに円板状物品の上に液体を供給し、この液体は円板状物品の縁に向かって基板を横切って動かされる供給ポートから供給され、第１の気体供給ポートを通してある一領域に向かって円板状物品上に第１の気体流を供給し、この領域の中心は２０ｍｍより大きくない回転運動の中心までの距離を有し、第１の気体が供給されるこの領域は、第１の気体が供給されるとき液体層で覆われ、そしてこれにより分離した領域において液体層を開口させ、更に、回転されたときの円板状物品上に第２の気体供給ポートを通して第２の気体流を供給し、この第２の気体流は基板の縁に向かって基板を横切って動かされる第２の気体供給ポートより供給され、第２の気体供給ポートから中心までの距離は、第２の気体流及び液体が供給されている間の液体供給ポートから中心までの距離より小さい諸段階よりなる円板状物品の表面から液体を除去するための方法が明らかにされる。更に、この方法を実行するための装置が明らかにされる。 （もっと読む）

【課題】有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理方法と、当該基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法、有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理装置、および当該基板処理装置を動作させるプログラムが記載された記録媒体を提供する。
【解決手段】金属層が形成された被処理基板を第１の温度に設定し、有機化合物を含む処理ガスを前記金属層に吸着させて金属錯体を形成する第１の工程と、前記被処理基板を前記第１の温度よりも高い第２の温度となるように加熱して、前記金属錯体を昇華させる第２の工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。 （もっと読む）

【課題】基板をチャックするチャック部材を提供する。
【解決手段】チャック部材は、基板の側部をチャックし、回転中心から偏心されたチャックピンを備える。チャックピンは流線形（ｓｔｒｅａｍｌｉｎｅ ｓｈａｐｅ）からなり、基板の回転により発生する気流の流れに対して前端に位置する第１前端部と、後端に位置する第１後端部を含む。第１前端部は第１尖端部を備え、第１後端部は丸い形状を有する。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークなしに効果的に基板を乾燥処理することができ、安定的で生産効率及び歩留まりの向上を図ることができる基板乾燥装置及びこれを有する基盤処理設備並びに基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によって、チャンバーと、前記チャンバーの一部を構成し、基板に超臨界流体を供給して前記基板を乾燥させる処理室と、前記チャンバーの他の一部を構成し、前記処理室を前記超臨界流体の臨界圧力以上に加圧する高圧室と、を含むことを特徴とする基板乾燥装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】工程進行のとき、チャッキングピンによって支持されるウェハーの接触面に残留する薬液を除去できる基板処理処置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、回転可能な支持プレート１０と、支持プレートの上部面に設置され、支持プレート上にローディングされた基板が回転によって支持プレートから離脱されることを防止するために基板の側部を支持する複数の第１チャッキングピン２０及び複数の第２チャッキングピン３０と、工程進行のとき、複数の第１及び第２チャッキングピンが基板の側部と選択的に非接触するように磁力によって複数の第１及び複数の第２チャッキングピンを選択的に支持プレートの半径外側方向へ移動させる駆動ユニットとを含む。 （もっと読む）

ウエハ(W)から膜(66)を除去する間に処理液体循環システム(73,73’)へ放出される膜の残骸物(66a)の量を減少させることによってフィルタ(80)の洗浄又は交換の頻度を減らす方法が供される。当該方法は、基板処理システム(1)の処理チャンバ(46)内で、上に膜(66)が形成されたウエハ(W)を、処理液体(64)に曝露する工程を有する。前記ウエハ(W)は、回転しないか、又は第1速度(608a,908a,1208a)で回転される。前記処理液体(64)は、前記処理チャンバ(46)から処理液体循環システム(73)へ放出される。その結果、前記処理液体(64,64a,64b)への前記ウエハ(W)の曝露は中断され、前記ウエハ(W)は前記第1速度(608a,908a,1208a)よりも速い第2速度(608b,908b,1208b)で回転することで、該ウエハ(W)から前記膜(66)の残骸物(66a)が遠心状に除去される。それに続いて、前記ウエハ(W)は同一又は異なる処理液体(64,64a,64b)に曝露され、かつ前記処理液体(64,64a,64b)は、前記処理チャンバ(46)から処理液体廃液管(78)へ放出される。
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