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Fターム[5F157AB02]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 被洗浄物の支持 (5,429) | 単数の被洗浄物を支持 (1,559)

Fターム[5F157AB02]に分類される特許

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【課題】フットプリントを小さくすることができ、排気と排液との分離機構を特別に設ける必要のない液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハWを水平に保持し、ウエハWとともに回転可能なウエハ保持部1と、ウエハ保持部1に保持されたウエハWを囲繞し、ウエハWとともに回転可能な回転カップ3と、回転カップ3およびウエハ保持部1を一体的に回転させるモータ2と、ウエハWの表面に処理液を供給する表面処理液供給ノズル4と、回転カップ3の排気および排液を行う排気・排液部6とを具備し、排気・排液部6は、主にウエハWから振り切られた処理液を取り入れて排液する環状をなす排液カップ41と、排液カップ41の外側を囲繞するように設けられ、回転カップ3およびその周囲からの主に気体成分を取り入れて排気する排気カップ42とを有し、排液カップ41からの排液と排気カップ42からの排気が独立して行われる。 (もっと読む)


【課題】上面部材をウェハとともに回転させて処理し,処理流体供給ノズルをウェハの処理面に移動させて処理流体を供給できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】上面部材90を上昇させた状態で,基板Wをスピンチャック60によって保持し,上面部材90を下降させて基板Wの表面に近接させ,スピンチャック60に係合させた状態にし,上面部材90と基板Wとの間に形成された隙間に処理流体を供給し,基板W,スピンチャック60及び上面部材90を一体的に回転させて基板Wを処理し,基板W,スピンチャック60及び上面部材90の回転を停止し,上面部材90を上昇させてスピンチャック60から離脱させた状態で基板W及びスピンチャック60を一体的に回転させて基板Wを処理し,基板W及びスピンチャック60の回転を停止し,スピンチャック60の基板Wに対する保持を解除する。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】基板エッジを洗浄するための装置、システム、及び方法は、洗浄化学物質が存在する状態での摩擦接触を使用して、基板エッジに堆積したベベルポリマを洗浄する毛ブラシ部を含む。毛ブラシ部は、外側へ延びる複数の羽根により構成され、回転軸に取り付けられる。研磨材料は、摩擦接触を提供するために、毛ブラシ部の外側へ延びる羽根の全体及び内部に分布させる。毛ブラシ部は、洗浄化学物質等の流体が存在する状態で、複数の研磨粒子と基板のエッジとの摩擦接触により、ベベルポリマを基板のエッジから剥ぎ取るのを可能にすることで基板のエッジを洗浄する。 (もっと読む)


開示されているのは、プレート状物体の湿式処理用装置であり、以下のように構成されている:第一プレート、前記第一プレートと実質的に平行な単一のプレート状物体を保持するための保持手段、処理時に前記第一プレートとプレート状物体の間の第一ギャップに液体を導入するための第一分配手段、この場合、第一プレートは少なくとも99重量%のシリコンから成っているシリコン・プレート、そのプレート状の物体を処理している時に、そのシリコン・プレートが処理液と接触していること、それに関連した方法がさらに開示されている。
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【課題】平流し方式において被処理基板に気体を吹き付ける乾燥処理に際して基板表面より発生するミストの基板への再付着を効果的に防止して、処理品質を向上させる。
【解決手段】この乾燥処理室M5は隔壁194により搬送方向に沿って2つの室M5a,M5bに分割されており、隔壁194には搬送路114上の基板Gがわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部192が設けられている。搬送路114上で基板Gが隔壁194の開口部192を通り抜ける時、基板Gと開口部192との間にはわずかな隙間Kが形成され、この隙間Kを通って下流側の高圧室M5bから上流側の低圧室M5aに向って空気流Aが吹き抜けることにより、基板Gの表面に付着している液Ra,Rbは空気流Aの風圧によって基板後方へ払い落とされると同時に、一部がミストmとなって上流側の室M5a内で飛散ないし拡散する。 (もっと読む)


【課題】 基板に対する洗浄ブラシの押し込み量の設定に当って、その基準となる洗浄ブラシの基準位置を容易に確定でき、作業者の負担を軽減し、基板の洗浄処理品質の向上が達成できるような基板洗浄装置を用いた基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】 基板洗浄装置は、洗浄すべき基板2を保持するホルダ1と、洗浄ブラシ7を保持しこれを基板の主面の法線方向に移動させかつ基板の主面に平行な方向に移動させて基板に対する洗浄ブラシの相対的位置を定める位置決め機構4,21を有している。この基板洗浄装置は、さらに、基板の主面の存在する平面Pにおいて基板から離れて配置され平面における洗浄ブラシの有無を検知する検知手段16,17を備える。 (もっと読む)


本発明において誘電体膜を洗浄する装置及び方法が提供される。一実施形態では、誘電体膜を洗浄する装置は、基板を支持するように適応されたチャンバ本体と、上記チャンバ本体へ複数の反応性ラジカルを与えるように適応されたリモートプラズマ源と、上記リモートプラズマ源を上記チャンバ本体に結合する通路と、上記通路に隣接して配設された少なくとも1つの磁石とを含む。別の実施形態では、誘電体膜を洗浄する方法は、処理チャンバに配設される少なくとも部分的に露出される誘電体層を有する基板を準備し、リモートプラズマ源において複数の反応性ラジカルを生成し、少なくとも1つの磁石を隣接して配設させた通路を通して、上記処理チャンバへ上記リモートプラズマ源から上記反応性ラジカルを流し込み、上記通路を通る上記反応性ラジカルを磁気的にろ過することを含む。 (もっと読む)


本発明は基板を洗浄するための方法、装置及びシステムを提供し、本装置は制御装置と、制御装置に連結されたノズルを含む。制御装置は、ノズルを方向付けして均一な流体噴射流パターンを基板上に分注するように適合されている。制御装置は、ノズルの少なくとも1つの操作パラメータを調節することで、この均一な流体噴射流パターンを作り出し、所定の割合の液滴を所定のサイズ範囲内におさめるように適合されている。多数のその他の態様が開示される。
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イン・サイチュでの裏側ポリマー除去のプラズマエッチングプロセスは、多孔性又は非多孔性カーボンドープされた酸化ケイ素誘電体層とフォトレジストマスクを表面に有するワークピースで開始される。ワークピースは、エッチングリアクタチャンバにおいて静電チャック上にクランプされる。このプロセスには、フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを導入し、RFバイアス電力を静電チャックに、RFソース電力をオーバーヘッド電極に印加して、誘電体層の露出した部分をエッチングし、一方で、保護フルオロ−カーボンポリマーをフォトレジストマスク上に堆積することが含まれる。このプロセスには、フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを除去し、水素ベースのプロセスガスを導入し、RFソース電力をオーバーヘッド電極に印加することが更に含まれる。静電チャックのリフトピンを伸ばして、静電チャックの上にワークピースを上昇し、ワークピースの裏側をリアクタチャンバのプラズマに露出して、ポリマーが裏側から除去されるまで、裏側に以前に堆積したポリマーを還元する。
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本発明は、ウェーハ(1)が少なくとも室温より10℃高い温度にあり、該ウェーハ(1)をウェーハ表面(3)と垂直な軸の周りで回転させ、また水をウェーハ表面(3)に分配する熱間すすぎ工程を備えたウェーハ(1)の表面(3)を洗浄する方法を提供する。その後、ウェーハ(1)をウェーハ表面(3)と垂直な軸の周りで回転させ、その環境の湿度がウェーハ表面(3)を水の膜(13)で覆ったままウェーハ表面(3)の水を部分的に除去するようなものとする第一乾燥工程を実行する。第一乾燥工程に続いて第二乾燥工程を行って、水の膜(13)をウェーハ表面(3)から除去する。本発明に係る方法は、ウェーハ表面(3)上の金属イオン汚染を有利に低減する。
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ここに開示されるのは、板状物品の流体処理用の装置であって、板状物品を保持しかつこれを実質的に垂直方向の回転軸線まわりに回転させるための回転ヘッド;回転ヘッドのまわりの放射状に配列され非接触で回転ヘッドを懸架しかつ駆動するための駆動手段;回転軸線と実質的に同心であり、かつ回転ヘッドと駆動手段との間に配置されそして回転ヘッドと駆動手段との間の間隙に挿入された実質的に円筒状の側壁;回転ヘッドと壁とを互いに昇降させるための持上げ手段を備えた装置である。
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【課題】ウェーハの後面処理およびウェーハとの物理的接触の困難な問題を解決できる新規な処理機および処理方法を提供することにある。
【解決手段】半導体ワークを保持しかつ回転させるヘッドを備えた遠心ワーク処理機。ヘッドはガスシステムを備えたロータを有している。ガスは、ロータの入口からスプレーされ、回転ガス流を発生する。回転ガス流は、ワークの第一面の縁部をロータの接触面に対して保持する圧力状態を形成する。ロータおよびワークは一緒に回転する。外周部に隣接するガイドピンが、ワークとロータとを整合させる補助をする。傾斜面が、消費されかつワークから飛散した処理液体を偏向させる補助をする。ヘッドは、ボウルとの多くの異なる係合位置に移動できる。ワークが回転されて処理されるとき、ボウル内のスプレーノズルがワークの第二面上に処理液体をスプレーする。 (もっと読む)


ディスク状物品を回転させる過程と、回転時にディスク状物品に液体を付与する過程と、回転時にディスク状物品から振り払われる液体を集める過程と、回転時にディスク状物品に平行に配置されてディスク状物品に面するプレートを提供する過程と、そしてプレートに平行に、プレートを横切るようガスを導く過程と、を具備する、ディスク状物品の液体処理用の装置と方法がここに開示される。
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少なくとも1つのフッ素ベース構成要素、少なくとも1つのキレート化成分、界面活性剤成分、酸化成分又はこれらの組み合わせ、及びおよび少なくとも1つの溶媒または溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液について本明細書で説明する。。少なくとも1つの低HO含有率フッ素ベース構成要素と少なくとも1つの溶媒又は溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液およびその製造方法も本明細書で説明する。
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本発明は、物体の洗浄用の超音波アクチュエータに関し、当該超音波アクチュエータは超音波用の伝播容積3、4、13を有し、当該伝播容積に1つ又は複数の超音波振動子5が配置されている。伝播容積3、4、13は、洗浄される物体1、12に音響結合する結合面を有する音響放出窓8と、放射された超音波のための1つ又は複数の反射面6、7とによって画定されている。超音波振動子5は、放射された超音波が、反射面6、7における1回又は複数回の反射の後に初めて、放出窓8を介して伝播容積3、4、13から出るように、伝播容積3、4、13に配置されている。反射面は、放出窓8において、強度ピークを伴わずに超音波エネルギーの事前設定可能な分散が生じるように設計されている。本発明の超音波アクチュエータによって、洗浄液をわずかに利用して物体を傷めない洗浄が達成される。 (もっと読む)


ワーク処理装置Sは、2.45GHzのマイクロ波を発生するマイクロ波発生装置20と、マイクロ波を伝搬する導波管10と、導波管10のワークWとの対向面に設けられたプラズマ発生部30とを具備するプラズマ発生装置PUと、プラズマ発生部30を通過するようにワークWを搬送するワーク搬送手段Cとを備える。プラズマ発生部30は、マイクロ波を受信しそのマイクロ波のエネルギーに基づきプラズマ化したガスを生成して放出するプラズマ発生ノズル31が、複数個配列して取り付けられてなる。ワークWは、ワーク搬送手段Cで搬送されつつ、プラズマ発生部30においてプラズマ化したガスが照射される。
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【課題】 枚葉式の回転式基板処理装置において、使用した薬液の回収率を高める。装置価格を引き下げる。振動を抑える。薬液と廃液の雰囲気分離を行う。
【解決手段】 基板1を水平に支持して回転させる回転機構10の周囲に、基板1から飛散する液体を受けるカップ20を設ける。カップ20に、筒状で昇降式の上段液体ガイド30及び下段液体ガイド40を組み合わせる。上段液体ガイド30は、下方の待機位置で下段液体ガイド40に重なって、両ガイド間に形成される液体導入口を閉じ、待機位置から上方の回収位置へ移動して、基板1から飛散する第1の液体をカップ20の外へ導く。下段液体ガイド40は、待機位置から上方の回収位置へ移動して、基板1から飛散する第2の液体をカップ20内へ導く。 (もっと読む)


【課題】 回転式基板処理装置において、使用した薬液の回収率を高める。装置価格を引き下げる。振動を抑える。薬液と廃液の雰囲気分離を行う。
【解決手段】 基板1を水平に支持して回転させる回転機構10の周囲に、筒状で昇降式の上段液体ガイド30及び下段液体ガイド40を設ける。上段液体ガイド30は、下方の待機位置で下段液体ガイド40に重なって、両ガイド間に形成される液体導入口を閉じ、待機位置から上方の回収位置へ移動して、基板1から飛散する第1の液体を下方に導いて回収する。下段液体ガイド40は、待機位置から上方の回収位置へ移動して、基板1から飛散する第2の液体を下方に導いて回収する。 (もっと読む)


半導体ウエハなどの平らな物を音響エネルギを用いて処理するシステム、装置及び方法。本発明によるシステム、装置及び方法は、洗浄処理において、ウエハの両面から微粒子を効率的かつ効果的に除去することが出来る観点を有する。本発明は、平らな物を処理する装置であり、装置は、平らな物を支持する回転可能な支持体、回転可能な支持体上の平らな物の第1の表面に液体を供給する第1のディスペンサ、及び、回転可能な支持体上の平らな物の第2の表面に液体を供給する第2のディスペンサ、を有し、更に、装置は、音響エネルギを生成する第1のトランスデューサ及び該第1のトランスデューサに音響的に接続された第1のトランスミッタを有する第1のトランスデューサ装置を有し、第1のトランスデューサ装置は、前記第1のディスペンサが前記回転支持体上の平らな物の前記第1の表面に液体を供給すると、前記第1のトランスデューサの一部分と前記平らな物の第1の表面の間に液体の第1のメニスカスが形成されるように位置決めされており、更に、装置は、音響エネルギを生成する第2のトランスデューサ及び該第2のトランスデューサに音響的に接続された第2のトランスミッタを有する第2のトランスデューサ装置を有し、該第2のトランスデューサ装置は、第2のディスペンサが回転支持体上の前記平らな物の第2の表面に液体を供給すると、前記第2のトランスデューサの一部分と前記平らな物の第2の表面の間に液体の第2のメニスカスが形成されるように位置決めされている。
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【課題】二相の基板洗浄化合物を使用するための方法およびシステム
【解決手段】基板表面から汚染物質を除去するための洗浄化合物、装置、および方法が提供される。半導体基板の表面から粒子状汚染物質を除去するための代表的な洗浄化合物が提供される。洗浄化合物は、約1cPから約10,000cPまでの間の粘度を有する粘性液体を含む。洗浄化合物は、また、粘性液体の中に分散された複数の固体成分を含み、複数の固体成分は、基板表面から粒子状汚染物質を除去するために、基板表面上の粒子状汚染物質と相互作用する。 (もっと読む)


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