ウエハ(W)から膜(66)を除去する間に処理液体循環システム(73,73’)へ放出される膜の残骸物(66a)の量を減少させることによってフィルタ(80)の洗浄又は交換の頻度を減らす方法が供される。当該方法は、基板処理システム(1)の処理チャンバ(46)内で、上に膜(66)が形成されたウエハ(W)を、処理液体(64)に曝露する工程を有する。前記ウエハ(W)は、回転しないか、又は第1速度(608a,908a,1208a)で回転される。前記処理液体(64)は、前記処理チャンバ(46)から処理液体循環システム(73)へ放出される。その結果、前記処理液体(64,64a,64b)への前記ウエハ(W)の曝露は中断され、前記ウエハ(W)は前記第1速度(608a,908a,1208a)よりも速い第2速度(608b,908b,1208b)で回転することで、該ウエハ(W)から前記膜(66)の残骸物(66a)が遠心状に除去される。それに続いて、前記ウエハ(W)は同一又は異なる処理液体(64,64a,64b)に曝露され、かつ前記処理液体(64,64a,64b)は、前記処理チャンバ(46)から処理液体廃液管(78)へ放出される。
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【課題】洗浄工程での残渣により製造物に悪影響を及ぼさないようにした洗浄装置及びその洗浄方法を提供する。
【解決手段】槽体２１０と、槽体２１０の中に配置されたステージ２２０と、槽体２１０の中に設けられ、ステージ２２０を囲む少なくとも１つの第１の側壁（２３０又は２４０）と、槽体２１０の中で、ステージ２２０の上方に配置され、ステージ２２０と第１の側壁との間の第１の範囲を閉じ込める操作可能なプレート２６５と、ステージ２２０と第１の側壁との間の第１の範囲と流体連通された排気装置２７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】境界面の工学設計のための制御雰囲気システム
【解決手段】１つまたは複数の湿式基板処理モジュールに結合された実験室雰囲気制御搬送モジュールを含むクラスタアーキテクチャ。実験室雰囲気制御搬送モジュールと、１つまたは複数の湿式基板処理モジュールとは、第１の雰囲気環境を管理する。クラスタアーキテクチャは、実験室雰囲気制御搬送モジュールおよび１つまたは複数のプラズマ処理モジュールに結合された真空搬送モジュールを有する。真空搬送モジュールと、１つまたは複数のプラズマ処理モジュールとは、第２の雰囲気環境を管理する。真空搬送モジュールおよび１つまたは複数の雰囲気処理モジュールに結合された制御雰囲気搬送モジュールは、第３の雰囲気環境を管理する。クラスタアーキテクチャは、したがって、第１、第２、または第３の雰囲気環境のいずれかにおけるおよび関連の移行の最中における基板の制御式処理を可能にする。実施形態は、また、基板のトレンチを充填するための効率的な方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置１は、基板を支持する支持部１０と、基板上部のフォトレジストを除去する乾式処理部２０と、基板上部のフォトレジストを除去する湿式処理部３０を有する。基板は、支持部によって支持された状態で、基板上部のフォトレジストは、乾式処理部２０によって１次的に除去され、湿式処理部３０によって２次的に除去される。乾式処理部２０は、基板上面にプラズマを供給するプラズマ供給ユニット２００と移動ユニットを有し、移動ユニットは、プラズマ供給ユニット２００と基板の相対的な位置を変化させる。 （もっと読む）

【課題】複数の電極間の距離を容易に調節できるプラズマ生成ユニット、及びこれを具備する基板処理処置と基板処理方法を提供する。
【解決手段】電極間距離調節ユニットは第１電極２２０ａに連結された第１コネクター２６０ａと第２電極２２０ｂに連結された第２コネクター２６０ｂ、第１及び第２コネクター２６０ａ，２６０ｂを連結される第１軸ピン２６２ａを含む。第１軸ピン２６２ａを中心に第１コネクター２６０ａを反時計回りに回転させ、第２コネクター２６０ｂを時計回りに回転させれば、第１電極２２０ａと第２電極２２０ｂは接近し、第１コネクター２６０ａを時計回りに回転させ、第２コネクター２６０ｂを反時計回りに回転させれば、第１電極２２０ａと第２電極２２０ｂは離れる。 （もっと読む）

【解決手段】一実施形態において、流体を使用して基板を処理するように構成された半導体処理装置を少なくとも部分的に収容することを可能にするチャンバボディが開示される。チャンバボディは、チャンバボディを形成するベース材料からなり、チャンバボディ上方における基板の処理中に流体の溢れを捕らえることを可能にするために、少なくとも、底面と、該底面に一体的につながれた壁面とによって画定される。また、ベース材料は、金属性である。チャンバボディは、また、ベース材料の上方および上に配された下塗り材料も有する。下塗り材料は、ベース材料との一体化結合を形成するための金属成分を、非金属成分とともに有する。チャンバボディは、さらに、下塗り材料の上方および上に配された本塗り材料を含む。本塗り材料は、非金属成分によって特徴付けられ、本塗り材料の非金属成分は、下塗り材料との一体化結合を形成する。本塗り材料は、下塗りの金属成分の全部を完全に覆うように特徴付けられる。 （もっと読む）

ＳＯＩ技法において使用される界面結合エネルギーを促進するための方法が提供される。一実施形態では、界面結合エネルギーを促進するための方法は、酸化シリコン層が形成され且つ劈開面が画成されたような第１の基板及び第２の基板を準備し、上記酸化シリコン層の表面及び上記第２の基板の表面に対してドライクリーニング処理を行い、上記第１の基板の上記クリーニングされた酸化シリコン表面を上記第２の基板の上記クリーニングされた表面に対して結合することを含む。 （もっと読む）

【課題】 薬剤を効率的に基板表面に供給することでその消費量を抑制することができる洗浄処理方法および装置、ならびに基板の表面に発生する洗浄痕（ウォーターマーク）を低減することが可能な洗浄処理方法を提供すること。
【解決手段】 外側チャンバと内側チャンバからなる処理チャンバ内に保持された半導体ウエハＷの洗浄処理における薬剤を用いた乾燥処理を、半導体ウエハＷを停止または低速回転させた状態において、薬剤を吐出するノズルに薬剤を供給する薬剤供給管７７に薬剤（ＩＰＡ）を滞留させた後に薬剤供給管７７に高温のガスを供給することにより、薬剤を蒸気状として蒸気状の薬剤を基板に供給する工程と、薬剤の供給を停止した後に前記基板を前記低速回転よりも高い回転速度で高速回転させることにより前記基板に付着した薬剤を振り切る工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 １つの工程装備にインシャワー、吸入および乾燥工程を行えるようにし、基板を塗布または剥皮したり洗浄工程を行ったりする際に時間と空間的な効率性を高めることができるインシャワー、吸入および乾燥工程を行う工程装置を提供する。
【解決手段】 インシャワー、吸入および乾燥工程を行う工程装置は、インシャワーナイフ、エアナイフを含むナイフユニットおよびナイフユニットが取付けられて基板上にナイフユニットを移送することができるフレームを含む。 （もっと読む）

【課題】 ドライエッチャに洗浄工程を付加してドライエッチャの適用範囲をメタル膜エッチング工程まで拡大させるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャを提供する。
【解決手段】 エッチングガスを注入して基板上の膜をエッチングするエッチング部と、エッチング部により処理された基板を移送させる移送部と、移送部により移送された基板を洗浄する洗浄部と、を備えるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャ。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、材料表面の湿式化学処理に関する。本発明は特に、プリント回路板技術における処理を加速させる構造に関する。本発明の方法によると、処理流体のパルス型吹付け噴流が生成され、被処理材料へ誘導される。これにより、被処理構造の表面への著しい衝撃作用を発生させ、必要な処理時間が大幅に短縮される。パルスとパルスとの間の一時中止時間中は、構造の溝からの処理流体の流出が圧力を受けず、加速されるため、構造の側面または回路板の導体の湿式化学処理量は先行技術と比べて少なくなる。化学エッチングの場合、結果としてアンダーカットが少なくなる。
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【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して、基板を洗浄乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００において、基板が在置されるチャックを持つ基板支持機構１１０と、上部が開放されて、チャック周辺を囲むように配置された下部チャンバー１２０と、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で進行されるように下部チャンバー１２０の上部を開閉する上部チャンバー１３０と、上部チャンバー１３０のエッジに設置され、乾燥流体が基板に間接憤射されるように上部チャンバーの中心へ向かって、乾燥流体を憤射する間接憤射ノズル１４０と、を含むことを特徴とする基板処理装置１００。このような構成の基板洗浄装置は、基板の乾燥効率の増大及び外部汚染の遮断そして酸化膜の防止などの効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とせず、短い処理時間で銅又は銅合金による回路配線を形成でき、且つクロスコンタミネーションの原因となるエッジ・ベベル部に銅膜が残ることのない半導体基板処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸線を中心に回転する回転部材と、回転部材の前記回転軸線を中心とした同一円周方向に沿って配置され該回転部材の回転に伴って公転する保持部材とを有し、保持部材は、該保持部材の軸心を中心に回動するように構成された回転保持装置で保持した半導体基板を洗浄する洗浄ユニットを有する。 （もっと読む）

基板（１３）の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を該表面と接触させることを含む方法により、パーティクルが基板（１３）の表面から除去される。
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本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む１つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
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【解決手段】半導体ウエハの表面を洗浄するための方法が開示される。ウエハ表面上の汚染物質を除去するために、ウエハ表面に第１の洗浄溶液が適用される。第１の洗浄溶液は、ウエハ表面上の汚染物質の一部とともに除去される。次に、ウエハ表面に酸化剤溶液が適用される。酸化剤溶液は、残る汚染物質上に酸化層を形成する。酸化剤溶液は除去され、次いで、ウエハ表面に第２の洗浄溶液が適用される。第２の洗浄溶液は、ウエハ表面から除去される。この洗浄溶液は、酸化層を残る汚染物質とともに実質的に除去するように構成される。 （もっと読む）

【課題】洗浄具の洗浄部材の有無を検知する洗浄部材検出センサを設けた基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】被洗浄基板Ｗｆの洗浄面に接触する洗浄部材を有する洗浄具２１を装着する洗浄具装着機構２０を具備し、基板保持回転機構で保持され回転する被洗浄基板Ｗｆに洗浄具２１の洗浄部材を接触させて洗浄する基板洗浄装置において、洗浄具装着機構２０に装着された洗浄具２１が所定位置にある状態で、該洗浄具２１の洗浄部材の有無を検出する洗浄部材センサ（投光器２７ａ、受光器２７ｂ）を設けた。 （もっと読む）

【課題】 実質的にアルカリ金属原子を含有せず、洗浄時において微細化したパーティクルの再付着防止性に優れ、効率的な高度洗浄を可能にするエレクトロニクス材料用洗浄剤を提供することにある。
【解決手段】 有機酸（Ａ）の第４級アンモニウム塩（Ｂ）を含有してなるエレクトロニクス材料用洗浄剤であって、アルカリ金属原子およびアルカリ土類金属原子の合計含有量が洗浄剤の重量に基づいて０．０１重量％以下あり、第４級アンモニウム塩（Ｂ）が、ｐＫａが１１〜４０の第３級アミン（Ｃ）と炭酸ジメチルとの反応で得られた第４級アンモニウム炭酸塩と、有機酸（Ａ）とのアニオン交換反応によって得られた第４級アンモニウム塩であることが好ましい。また、第４級アンモニウム塩（Ｂ）の重量平均分子量は１，０００〜１，０００，０００であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子デバイス基板上のフォトレジストの再加工のために該基板上の多重層フォトレジスト層を除去する組成物。
【解決手段】該組成物は（ｉ）少なくとも三つの別個の溶媒、（ｉｉ）少なくとも一つの有機スルホン酸、及び（ｉｉｉ）少なくとも一つの腐食防止剤を含む。本発明はまた該組成物を使用する方法にも関係する。該組成物及び方法は３分未満の接触時間で且つ６５℃未満の温度でそのような多重層フォトレジストを除去することに成功し、これにより枚葉式ウェハーツールにおける高い処理能力をもたらした。 （もっと読む）

【課題】ディスク状対象物の少なくとも下面の処理を行うための装置において、ディスク状対象物の汚染が回避できるような装置を提供する。
【解決手段】本発明の装置は、上面（２ｏ）を有しかつディスク状対象物（１）を位置決めするための少なくとも２つの部材（１９）が上面から垂直に突出している回転可能保持器（２）と、ディスク状対象物（１）の下面（１ｕ）に処理媒体を供給するために固定的に設けられかつ保持器（２）を貫通するように配置された少なくとも１つの配管（２４，２６）と、保持器（２）の下面（２ｕ）の少なくとも一部から離隔して固定配置され環状間隙（１６）を形成しているカバー（４）と、を備え、前記少なくとも１つの配管（２４，２６）は、隙間のない状態でカバー（４）を貫通していることを特徴とする。 （もっと読む）