【課題】基板の裏面や周縁部に付着した異物を完全に除去することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システム１０が備える基板洗浄装置としてのプロセスモジュール１５は、ウエハＷを収容するチャンバ３８と、該チャンバ３８内の底部に配置されてウエハＷを載置するステージ３９と、チャンバ３８内の天井部に配置されてステージ３９に対向するシャワーヘッド４０とを備え、ステージ３９はウエハＷの裏面や周縁部に向けて液相及び気相の２つの相状態を呈する洗浄物質、例えば、純水と、不活性ガス、例えば、窒素ガスとが混合された洗浄剤を噴出し、シャワーヘッド４０はウエハＷの表面に向けたダウンフローを発生させる。 （もっと読む）

【課題】互いに異なる複数種類の処理液を基板に順次供給することによって基板に対して所定の湿式処理を施す際に、複数種類の処理液を良好に分離して回収することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを配置する間隙空間Ｓ１に互いに異なる複数種類の処理液が順次供給され、各処理液ごとに基板Ｗに対して湿式処理が施される。また、湿式処理の実行ごとに湿式処理後の処理液が連通部１２４から順次放出されるが、処理ユニット１と液回収ユニット２とが相対的に移動することで連通部１２４から放出される処理液の種類に対応した回収位置に液回収槽２１〜２４が選択的に配置される。ここで、液回収ユニット２が処理ユニット１と分離して処理ユニット１の下方側に配置されるとともに、処理ユニット１の連通部１２４から間隙空間Ｓ１の下方側に鉛直方向下向きに処理液が放出される。 （もっと読む）

【課題】処理カップの開口部に薬液を良好に進入させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１薬液の供給中において、ＣＰＵ６１は、回転数センサ１６から出力された検出値を監視している（ステップＳ７）。そして、回転センサ１６から出力された検出値が回転数範囲外となると（ステップＳ７でＮＯ）、ＣＰＵ６１は、第１薬液表面側バルブ２３を閉じるとともに、その後の開成を禁止し（ステップＳ９）、その第１薬液表面側バルブ２３の開成が禁止された旨の警報を出力した後（ステップＳ１０）、このインターロック処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】基板処理に用いられる複数種の薬液の組合せが混触に危険を伴うような組合せであっても、それらの薬液の混触を確実に防止して、その基板処理を１つの処理室において完遂することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】メモリには、過去直近に開成されたバルブ（最終開バルブ）を特定するための情報が記憶されている。バルブを新規に開成する場合、その開成に先立ち、メモリに記憶されている最終開バルブを特定するための情報が参照される。そして、基板に対する第１薬液の供給に引き続いて、基板に第２薬液が供給されることになる場合など、処理室２内などで第１薬液、第２薬液および第３薬液の相互間の混触を生じることになる場合には、そのバルブの新規開成が禁止される。そのため、処理室２内などにおける第１薬液、第２薬液および第３薬液間での混触を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】遮断部材と基板上面との間に形成される間隙空間に発生する気流によって中心軸部材に設けられた処理液吐出口から残留処理液が落下するのを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】中心軸部材６の下端面６ａが遮断部材５の下面５ａに対して上方位置に配置されるとともに、混合液吐出口６２ａが中心軸部材６の下端面６ａに対して上方に退避した位置に配置されている。このため、混合液吐出口６２ａの近傍に混合液が残留付着している場合であっても、残留混合液に対する間隙空間ＳＰ１に発生する気流の影響を低減することができる。このため、混合液吐出口６２ａからの混合液の吐出が停止している間に混合液吐出口６２ａから残留混合液が基板表面Ｗｆに落下するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に与えるダメージを低減可能な処理液を簡易かつ正確に選定する方法を提供する。
【解決手段】はじめに、処理液の分子密度と、処理液を基板表面に物理的に作用させることによって基板に対する処理を実行した際に前記基板に発生するダメージとの関係を示す分子密度相関グラフを準備する。続いて、分子密度相関グラフに基づいて分子密度閾値を特定する。より具体的には、分子密度相関グラフに近似する自然対数曲線Ｌを特定し、自然対数曲線Ｌにおいて、ダメージ値が所定の上限ダメージ値の１／ｅ倍（ｅは自然対数の底）となる分子密度を算出し、当該算出された分子密度の値Ｍ１を、分子密度閾値として取得する。続いて、分子密度が分子密度閾値以下の選定処理液を基板に対する処理を実行可能な処理液として選定する。 （もっと読む）

【課題】基板周辺部材の耐久性が劣化するのを抑制しながら基板表面に凍結膜を生成することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】冷却ノズル３から窒素ガスに酸素を混合させた混合流体を冷媒として吐出させながら冷却ノズル３を待機位置Ｐｓから基板Ｗの回転中心位置Ｐｃに移動させる。このとき、冷却ノズル３が基板表面Ｗｆ上に対向すると冷媒温度（吐出冷媒温度）が急激に低下する。そして、回転駆動されている基板Ｗの表面Ｗｆに向けて冷却ノズル３を基板Ｗの端縁位置Ｐｅに向けて移動させていく。これにより、基板表面Ｗｆの表面領域のうち液膜１１が凍結した領域（凍結領域）が基板表面Ｗｆの中央部から周縁部へと広げられていく。冷媒温度の低下は冷却ノズル３が基板表面Ｗｆ上をスキャンしている間維持される。 （もっと読む）

【課題】枚葉式フラットパネル洗浄システムの設計手直しを無くすため、仕様打ち合わせ時点で、主制御盤の大きさに関し、精度の高い寸法情報が得られる主制御盤設計システム、主制御盤設計方法及びそのプログラムを提供する。
【解決手段】主制御盤の大きさを設計するための計算を行う複数の計算手段の計算処理と、計算処理結果を基に主制御盤の大きさを決定する決定手段の決定処理とを行う処理手段１０と、主制御盤の大きさを設計するための条件を入力するための入力手段１４と、処理手段１０が入力条件に基づいて計算処理を行うための、ファイルデータを記憶する記憶手段１２と、処理手段１０の処理結果を基に、主制御盤の大きさを表示する出力手段１６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板に供給する処理液を十分に除電するとともに、処理液を接地するためのアース線の長寿命化が実現できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に供給される薬液の流路を形成する接地継手４２０に炭素電極ＣＥの一端部Ｅ１が挿入される。接地継手４２０から突出する炭素電極ＣＥの他端部Ｅ２には、第２のユニオンナット５２０が取り付けられ、炭素電極ＣＥの第２の溝部ｄ２にストッパリングＳＲが取り付けられる。そして、炭素電極ＣＥの他端部Ｅ２側から接続樹脂ＦＥが取り付けられる。さらに、炭素電極ＣＥの他端部Ｅ２にアース線３１０の一端が接続される。アース線３１０の他端は接地されている。この状態で、炭素電極ＣＥの他端部Ｅ２がアース線保護ブロック５００に挿入される。そして、雄ねじを形成するアース線保護ブロック５００の突出部６０１に第２のユニオンナット５２０が締め付けられる。 （もっと読む）

【課題】基板処理方法が提供される。
【解決手段】工程チャンバ内にローディングされた基板は、支持プレート上に載置される。以降、工程チャンバは外部から遮断され、工程チャンバ内部の圧力を既設定の圧力まで増加させる。既設定の圧力で基板の温度は一定の温度に安定化し、工程チャンバ内の圧力は工程圧力に減圧される。工程チャンバ内で基板に対する工程が完了すると、基板は工程チャンバの外部にアンローディングされる。工程チャンバ内部の圧力を増加させる方法には、パージガスを供給する方法と、工程ガスを供給する方法がある。 （もっと読む）

【課題】プラズマシステムにおいて、電極のスパッタリングに起因する基板（ｄ）の汚染を減少させる。
【解決手段】プラズマシステムは、１以上の基板（ｄ）を保持する基板保持電極（ｂｂ）と、基板（ｄ）が保持される側と反対側に、基板保持電極（ｂｂ）と隣接した位置に基板保持電極（ｂｂ）から離れて配置された第２の電極（ａ）と、基板（ｄ）を一様に処理するために必要なガス混合物（ｆ）を供給するために、基板（ｄ）が保持される側に基板保持電極（ｂｂ）から離れて配置されるガス混合物（ｆ）分配用のシャワーヘッド（ｅ）とを備える。プラズマ（ｃ）は、基板（ｄ）を保持する基板保持電極（ｂｂ）と第２の電極（ａ）との間で生成が開始されて形成され、基板（ｄ）を保持する基板保持電極（ｂｂ）を包み、開口部（ｅｅ）を通してガス混合物（ｆ）を活性化して分配する前記シャワーヘッド（ｅ）から離れている。 （もっと読む）

【課題】基板にウォーターマークが発生することを防止でき，かつ，低コストを図ることができる基板処理方法，記録媒体及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】薬液を用いて基板Ｗを処理する薬液処理工程を行った後，基板Ｗを乾燥させる乾燥処理工程を行う基板処理方法であって，前記薬液処理工程で使用される薬液の種類に応じて，基板Ｗの周囲の湿度を調節する。基板Ｗに供給される薬液の種類に応じて，基板の周囲の湿度を調節することにより，基板の周囲の湿度を低減させるために要するコストを低減できる。 （もっと読む）

【課題】基板とプレートとの隙間の有無を選択的に行って、角形の基板の回転処理においても、四角い形状の影響をなくすようにした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】角形の基板Ｇを水平状態に保持し、鉛直軸回りに回転するスピンチャック１０と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの各辺の外方近傍に位置すると共に、基板Ｇの表面と略同一平面の表面を有する気流調整用のプレート１１と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの表面に処理液を供給する塗布液供給ノズル１２と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル１３と、を具備する基板処理装置において、各プレート１１を基板Ｇの辺に対して選択的に接離移動するプレート移動機構２０を設ける。これにより、プレート移動機構２０を作動して、基板Ｇとプレート１１との隙間の有無を選択的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】電力を可変であるエッジ電極
【解決手段】実施形態は、ポリマ副生成物および堆積膜の蓄積を回避してプロセス歩留まりを向上させるために基板ベベルエッジの上および付近ならびにチャンバ内部のエッチング副生成物、誘電体膜、および金属膜を除去するための構造とメカニズムとを提供する。代表的実施形態では、基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理チャンバは、基板を受けるように構成されたボトム電極を含み、該ボトム電極は、高周波（ＲＦ）電源に接続される。プラズマ処理チャンバは、また、ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極を含む。トップエッジ電極は、電気的に接地される。プラズマ処理チャンバは、さらに、ボトム電極を取り囲むボトムエッジ電極を含む。ボトムエッジ電極は、トップエッジ電極と向かい合う。トップエッジ電極、ボトム電極の上に配された基板、およびボトムエッジ電極は、基板のベベルエッジをクリーニングするためにクリーニング用プラズマを生成するように構成される。ボトムエッジ電極とボトム電極とは、ボトム電極の上に配された基板とボトムエッジ電極とトップエッジ電極との間を流れるＲＦ電流の量を調整するように調節可能であるＲＦ回路を通して、互いに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】誘電体カバーを伴うエッジ電極
【解決手段】実施形態は、ポリマ副生成物および堆積膜の蓄積を回避してプロセス歩留まりを向上させるために基板ベベルエッジ付近およびチャンバ内部のエッチング副生成物、誘電体膜、および金属膜を除去するための装置と方法とを提供する。代表的実施形態では、基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理チャンバは、基板を受けるように構成された基板支持部を含む。プラズマ処理チャンバは、また、基板支持部を取り囲むボトムエッジ電極を含む。ボトムエッジ電極と基板支持部とは、ボトム誘電体リングによって互いに電気的に絶縁される。基板に面するボトムエッジ電極の表面は、ボトム誘電体膜によって覆われる。プラズマ処理チャンバは、さらに、基板支持部と向かい合うトップ絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極を含む。トップエッジ電極は、電気的に接地される。基板に面するトップエッジ電極の表面は、トップ誘電体膜によって覆われる。トップエッジ電極とボトムエッジ電極とは、互いに相対し、基板のベベルエッジをクリーニングするためにクリーニング用プラズマを生成するように構成される。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハの上面と下面とを同時に、しかも確実に洗浄することができる基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】一側面に出し入れ口２が形成された処理槽１と、この処理槽内の上記出し入れ口と対向する位置に設けられ処理槽内に搬入された半導体ウエハ１０の搬入方向と交差する径方向の両端部を保持してこの半導体ウエハを回転駆動する保持駆動手段８と、保持駆動手段に保持された半導体ウエハに処理液を供給する洗浄ノズル１２４，１２５と、処理槽内の上記保持駆動手段よりも内方に設けられ先端部に上記半導体ウエハの板面を洗浄する洗浄ブラシ７１，１２２を有するアーム６３，１２１およびこのアームを上下方向に駆動するとともに洗浄ブラシが半導体ウエハの径方向に沿って移動するよう上記アームを揺動駆動する駆動手段を有するツールユニット６１，６２とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不純物の取り込みや平坦性の悪化を抑制できる酸化物基板の清浄化方法、及び該方法によって清浄化された基板を用いた酸化物薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】真空雰囲気中に置いた酸化物基板を加熱することなしに、その表面に原子状水素および原子状重水素のうち少なくとも一方を接触させて該酸化物基板の表面を清浄化処理することを特徴とする酸化物基板の清浄化方法。この酸化物基板の清浄化方法によって酸化物基板の表面を清浄化する工程と、清浄化した酸化物基板の表面に酸化物半導体結晶を成長させて酸化物半導体薄膜を得る工程とを有することを特徴とする酸化物半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Ｗは、処理容器１０内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、Ｎ₂ とＨ₂ との混合ガスがプラズマ発生部３０に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにＮＦ₃ ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段２２により冷却され、活性化されたＮＦ₃ ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Ｗの表面に形成される。Ｎ₂ 、Ｈ₂ 及びＮＦ₃ ガスの供給が停止され、加熱手段１９で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 （もっと読む）

【課題】デバイス基板の洗浄において、配線や絶縁膜、容量膜等のデバイス材料の腐食や溶解を防止しつつ、基板上のパーティクル等の汚染を効果的に除去することができるデバイス基板用の洗浄組成物、洗浄方法、洗浄装置の提供。
【解決手段】１分子中に少なくとも１つの水酸基を有し、ＨＬＢが１２以上２０以下の非イオン界面活性剤と、ベンゾトリアゾール又はその誘導体と、を含有し、２５℃における水素電極基準の酸化還元電位が略−１２００ｍＶ以上１００ｍＶ以下または略４００ｍＶ以上１２００ｍＶ以下の塩基性水溶液を用いて基板を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板処理におけるスループットの低下が抑制されつつ、露光装置内の汚染が十分に防止されるとともに、小型化が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。これらのブロック９〜１６は上記の順で並設される。インターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。洗浄／乾燥処理ブロック１５は、洗浄／乾燥処理部８０を有する。洗浄／乾燥処理部８０には、基板の表面および端部を洗浄する表面端部洗浄／乾燥ユニットが設けられる。 （もっと読む）