【課題】基板表面に残存付着するフェノール樹脂から成るレジストを、基板自体に損傷を与えることなく、速い剥離速度で効果的に剥離する。
【解決手段】ノボラック樹脂系フォトレジストが残存付着している基板の表面に、高濃度オゾン水を注水するとともに、紫外光（例えば、エキシマーレーザ光）を照射することによって、紫外光が、高濃度オゾン水のオゾンの一部からＯＨラジカルを生成し、この生成されたＯＨラジカルが、フォトレジストをポリフェノール化し、ポリフェノール化されたフォトレジストを高濃度オゾン水の残存オゾンが反応して断片化し、基板表面から剥離する。 （もっと読む）

【課題】めっき処理した半導体基板をめっき液除去および洗浄する際の異物付着を抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】ウェーハW（半導体基板）をめっき処理槽1内のめっき液13に浸漬して金属膜を形成する工程と、金属膜が形成されたウェーハWをめっき液13の上方のめっき処理槽1内で純水の噴射および回転を付与してウェーハ表面のめっき液を除去する工程とを含んだ半導体装置の製造方法において、ウェーハ表面のめっき液を除去する工程でさらにウェーハWを振動させる。ウェーハWを振動させることでめっき液を振り落とすので、回転のみで液切りする場合に比べて外方へ飛散するめっき液量を抑え、槽の側壁へのめっき液やそれから生じる異物（結晶）の付着、その異物のウェーハWへの再付着を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリング能力を向上させることができ、かつ基板表面にエピタキシャル層を形成しても、積層欠陥が生じることを防止することのできるエピタキシャルシリコンウェハの製造方法を提供すること。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造され、窒素をドープして引き上げられたシリコン単結晶を切り出して得られる基板上に、エピタキシャル層を形成したエピタキシャルシリコンウェハの製造方法は、基板表面に基板洗浄装置１のバブリングタンク１１で気化させたフッ酸を噴射して、該基板Ｗの表面を洗浄するフッ酸洗浄工程と、洗浄された基板Ｗの表面上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のベベル部に付着した不要な堆積膜を、パターンが存在する被処理基板の内側部分にダメージを与えず、重金属汚染を引き起こさず、低コストで高効率に除去する。
【解決手段】被処理基板２の直径よりも小さい直径を有し、被処理基板を載置する回転ステージ１と、被処理基板２の上方に配置され、被処理基板上面に形成されたパターンを保護するためのガス流を形成するためのガス供給構造部３と、ガス供給構造部３に非反応性ガスを供給する第一のガス供給系１１と、不要な堆積物を除去するためのラジカルを被処理基板外周部に供給するノズルを備えた大気圧マイクロプラズマ源４と、大気圧マイクロプラズマ源４にガスを供給する第二のガス供給系１４と、大気圧マイクロプラズマ源４に電力を投入する高周波電源１３と、被処理基板２の外周部から反応生成物を吸引除去するための排気手段５を備えた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に残存したレジストを基板表面全体に均一に、損傷を与えることなく、単位体積当りのオゾン水のフォトレジストへの反応効率を上げて効果的に剥離、除去する。
【解決手段】フォトレジスト除去装置１は、回転支持台３と、洗浄ノズル７と、高濃度オゾン水供給装置４とを備え、洗浄ノズル７は、高濃度オゾン水を注水する円筒管１１と、円筒管１１の下端に取り付けられた透明円盤１３とを有し、透明円盤１３は、回転支持台３に支持された基板９に対して一定の隙間１４を介して対向するように配置されており、円筒管１１から注水される高濃度オゾン水を、基板９表面において厚さの均一な薄液膜１５として放射方向に流しながらエキシマー光照射源８からのエキシマー光を透明円盤１３を透過させて基板９表面に照射することにより、基板９表面に残存しているフォトレジストを除去する。 （もっと読む）

【課題】基板を垂直に起立させた状態で基板の両面にエッチング液を流して基板をエッチングする基板エッチング装置及び基板の処理方法を提供する。
【解決手段】基板を垂直に起立させた状態に保持する基板垂直保持部と、垂直に起立させた基板の上端にエッチング液を噴射してエッチング液が基板の表面を流れ落ちるようにするエッチング液噴射部と、を含み、エッチング液噴射部は、基板の両側にそれぞれ具備させて基板の両面に同時にエッチング液を噴射することを特徴とする基板エッチング装置。 （もっと読む）

基板洗浄チャンバは、例えば消耗セラミックライナ、基板加熱台座部及び処理キット等の様々な構成部品を備える。消耗セラミックライナは、遠隔ガスエナジャイザのガス出口チャネルを基板洗浄チャンバのガス入口チャネルに接続するために設置される。基板加熱台座部は、配列された凹部内に複数のセラミックボールが位置決めされた基板受け面を有する環状プレートを備える。処理キットは、トッププレート、トップライナ、ガス分散プレート、ボトムライナ及びフォーカスリングを備える。
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【課題】ウェーハ乾燥時にウェーハ表面にウォータマークが形成されないようにすると共に、ウェーハの乾燥効率及び品質性能を向上させる。
【解決手段】排水制御水引き乾燥装置１は、ウェーハ３上面が液体２の水面に極力近接するようにウェーハ３を保持する保持部材５と、ウェーハ３上面中央部の上方に設けられた供給ノズル７と、椀型の水槽４の底面中央部に形成された排水口１７と、排水口１７の下流側に設置された流量制御弁１９を具備する。ウェーハ３上面中央部に供給ノズル７からＩＰＡ蒸気及び／又は窒素ガスを吹き付けて表面張力を低下させた後、排水口１７から液体２を排出させることにより、水面を低下させながらウェーハ３表面を蒸発乾燥させる。又、ＩＰＡ蒸気および窒素ガスＮ２の圧力と流速、並びに、排水口１７からの排水速度は可変調整可能に構成する。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体の存在下に被処理基板に対して成膜工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の加工を容易に行うことのできる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板の製造方法は、基板が設置された反応室内に超臨界流体を充填し、該超臨界流体に溶解させた原料を基板の表面近傍で反応させることで基板の表面を加工する基板の製造方法であって、基板を、反応室内の天井部１０に基板の表面を下方に向けて設置するものである。 （もっと読む）

【課題】ウェーハが洗浄装置のスピンナーテーブルに保持された状態が長くなった場合においても、ウェーハを容易に搬出できるようにする。
【解決手段】ウェーハを吸引保持する保持面２５０ｄを有し回転可能なスピンナーテーブル２５０と、保持面２５０ｄに吸引力を伝達する吸引源２５２と、スピンナーテーブル２５０に保持されたウェーハに洗浄水を供給する洗浄水供給ノズル２５１とを少なくとも備えた洗浄装置２５において、保持面２５０ｄにおいては吸引源２５２に連通する細孔が開口し、吸引源２５２は、スピンナーテーブル２５０の回転時に作用する第一の吸引力とスピンナーテーブル２５０の停止時に作用する第二の吸引力とを選択する切り替え部を有する。 （もっと読む）

プラズマプロセスの処理均一性を改善する装置及び方法。プラズマ加工中に加工物３０の外周縁３１の周りに延在する犠牲体１０４は、プラズマによって除去可能な材料から構成される。犠牲体１０４は、円形の幾何学的形状を画定するように配置される複数のセクション１６８、１７０を含むことができる。犠牲体１０４は、加工物３０の有効外径を増大させるように働き、加工物３０の外周縁３１付近のエッチング速度を効果的に低減することによって、プラズマ加工に特有の有害なエッジ効果を緩和するように動作する。
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【課題】微粒子の除去率を高め、露光装置のスループットを維持し、被洗浄面の損傷を低減する洗浄装置及び方法、並びに洗浄装置を有する露光装置を提供する。
【解決手段】真空環境下に配置されたレチクル２のパターンを投影光学系５を介してウエハ１に露光すると共に、真空環境下でレーザー光Ｌをレチクル２に照射することによってレチクル２を洗浄する洗浄装置を有する露光装置１００において、洗浄装置は、レーザー光Ｌをレチクル２のパターン面２ａに対して１°以上４５°以下の範囲の角度で照射する照射手段を有し、前記照射手段が、レーザー光Ｌのパターン面２ａに対する入射角度を前記範囲内に維持した状態で、レーザー光Ｌをパターン面２ａの法線周りの入射方向が互いに異なる複数の入射方向から入射させることを特徴とする露光装置１００を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハＷ）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板(W)の周縁部を処理するための周縁処理装置(4)と、周縁処理装置(4)に対して相対的に回転する基板(W)を保持するための基板保持装置(3)とを有し、周縁処理装置(4)は、基板(W)の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(9)と、基板(W)に向けてガスを噴出するガス噴出部(10)とを有し、ガス噴出部(10)を処理液供給部(9)よりも基板(W)の周縁部に対して内側に隣設した。そして、基板(W)を周縁処理装置(4)に対して相対的に回転させ、処理液供給部(9)から基板(W)の周縁部に処理液を供給するとともに、処理液供給部(9)よりも基板(W)の内側に隣設したガス噴出部(10)から基板(W)に向けてガスを噴出して、基板(W)の周縁部の処理を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】少なくとも基板の熱洗浄によって表面の不純物および酸化物の除去が可能な程度に表面が清浄なＧａＡｓ半導体基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＡｓ半導体基板１０は、Ｘ線光電子分光法により、光電子取り出し角θが１０°の条件で測定されるＧａ原子およびＡｓ原子の３ｄ電子スペクトルを用いて算出される、ＧａＡｓ半導体基板１０の表面層１０ａにおける全Ａｓ原子に対する全Ｇａ原子の構成原子比Ｇａ／Ａｓが０．５以上０．９以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＡｓ原子の比（Ａｓ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＧａ原子の比（Ｇａ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下である。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦレジスト膜等の難剥離性膜を容易に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＡｒＦレジスト膜を伴ったウエハからこのＡｒＦレジスト膜を除去する処理方法である。ＡｒＦレジスト膜に紫外線照射処理を施し、次にＡｒＦレジスト膜にオゾンガスと水蒸気を供給して処理することにより、このＡｒＦレジスト膜を水溶性に変性させる。その後、水溶性に変性したＡｒＦレジスト膜に純水を供給することにより、ＡｒＦレジスト膜を基板から剥離する。チャンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、チャンバ内に収容されたウエハに結露が生じないように、チャンバへ水蒸気を一定流量で供給しながら、水蒸気に対するオゾンの供給量を減少させる。 （もっと読む）

常圧プラズマと洗浄液とを用いてウェーハを洗浄して、洗浄工程収率を増加させ、洗浄されたウェーハのボンディング時に、ボンディング特性を向上させるウェーハ洗浄方法とそれを利用したウェーハボンディング方法に関する。ウェーハ洗浄方法は、工程チャンバにウェーハの接合面が上部に向かうように、ウェーハを装入し、ウェーハの接合面に常圧プラズマと洗浄液とを供給して、ウェーハの接合面を洗浄及び表面処理し、ウェーハを工程チャンバから引き出してなされる。また、ウェーハボンディング方法は、第１工程チャンバに第１ウェーハの接合面が上部に向かうように、第１ウェーハを装入し、第１ウェーハの接合面に常圧プラズマと洗浄液とを供給して、第１ウェーハの接合面を洗浄及び表面処理し、第１ウェーハを第１工程チャンバから引き出して、第２工程チャンバに装入し、第３工程チャンバに第２ウェーハの接合面が上部に向かうように、第２ウェーハを装入し、第２ウェーハの接合面に常圧プラズマと洗浄液とを供給して、第２ウェーハの接合面を洗浄及び表面処理し、第２ウェーハを第３工程チャンバから引き出して、第２工程チャンバに第２ウェーハの接合面が第１ウェーハの接合面と互いに対向するように装入し、第１ウェーハの接合面と第２ウェーハの接合面とをボンディングする。
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【課題】遠心分離による半導体基板の洗浄乾燥時において半導体基板表面にウォータマークが形成されないようにする。
【解決手段】回転盤１１と共に回転する半導体基板１２に洗浄水Ｗを吹き付ける洗浄ノズル２０、２１を備え、回転盤１１及び洗浄ノズル２０、２１は開閉可能な上カバー４を有するチャンバ２内に設置し、上カバー４には半導体基板１２に窒素ガスＮ２を吹き付ける窒素ガス供給ノズル２２を設け、チャンバ２内に窒素ガスＮ２を充満・増圧させた状態で半導体基板１２を洗浄乾燥させる。又、窒素ガスＮ２は半導体基板１２の上面中央部に吹き付け可能とし、窒素ガスＮ２の圧力又は流速は可変調整可能にする。更に、チャンバ２の下底部には開度調整可能な開閉弁６付きのドレーン５を設ける。 （もっと読む）

【課題】早期乾燥を阻止する装置、システム、及び方法
【解決手段】製造工程間における基板の表面の早期乾燥を阻止するための装置、システム、及び方法は、洗浄のために基板を受け取ることと、１つ又は２つ以上の製造工程中に残された汚染物質及び製造ケミストリを基板の表面から除去するために基板の表面に対して湿式洗浄工程を実施することと、飽和ガスケミストリを特定することと、その特定された飽和ガスケミストリを、移行領域内において飽和ガスケミストリに曝露される基板の表面が湿気を保持して基板の表面の早期乾燥を阻止するように、移行領域内において適用することとを含む。飽和ガスケミストリは、２つの相次ぐ湿式洗浄工程間において適用される。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡを利用した基板乾燥装置及びその方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるＩＰＡを利用した基板乾燥方法は、回転する基板の上面に有機溶剤と前記有機溶剤の気化力の向上のための乾燥ガスを噴射すると同時に基板の温度の上昇のために基板の底面に加熱された流体を噴射するプレｐｒｅ-段階と、前記加熱された流体の噴射を中断し、基板の上面に前記有機溶剤と前記乾燥ガスを噴射する最終段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】水平に配置した状態で、湿式処理した後の基材の少なくとも１つの表面から液体を効率よく除去する。
【解決手段】基材に供給する液体と相溶性を有しており、該液体と混合した場合に、該液体の表面張力よりも低い表面張力を有する混合物を生じる気体物質を基材の表面に供給することを、回転する基材の表面の少なくとも一部に、液体を供給することと組み合わせて行う。 （もっと読む）