【課題】基板を略水平に保持した状態で所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法において、遮断板を用いた処理技術と同様の遮断効果を得ながらも、より装置の小型化に適した技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの略中央上方にガス吐出ヘッド２００を設ける。ガス吐出ヘッド２００の下部に基板表面Ｗfに向けて開口したガス吐出口２８３から、アルゴンガスを基板表面Ｗfに向けて吐出する。また、ガス吐出口２８３を取り囲むように設けたガス吐出口２９３からは、アルゴンガスよりも比重の小さい窒素ガスを吐出する。これにより、基板表面Ｗfに沿って流れるアルゴンガス層Ｌ1の上に窒素ガス層Ｌ2が形成され、周囲に浮遊するゴミＤやミストＭ等がアルゴンガス層Ｌ1に取り込まれ基板表面Ｗf近傍に運ばれるのを防止する。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面をＩＰＡ液などの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面にウォーターマーク等を発生させることなく、基板を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス液で濡れた基板表面Ｗｆを上方に向けた水平姿勢で基板Ｗが略水平面内にて回転されながらＩＰＡ液が基板表面Ｗｆに供給される。これによって、基板表面Ｗｆ上のリンス液がＩＰＡ液に置換されるが、置換処理中に基板表面Ｗｆから全てのリンス液が完全に排除されるタイミングで基板Ｗの側方に位置する案内部を第２案内部７２ａから第３案内部７３ａに切り替える。このため、第３案内部７３ａにリンス液が付着するのを確実に防止し、第３案内部７３ａで包囲された雰囲気を低湿度化し、当該低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面をＩＰＡなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面にウォーターマークが発生したり、基板表面上のパターンが倒壊するなどの不具合を防止する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに付着しているリンス液をＩＰＡ液に置換する間、低露点空気（ＣＤＡ）が間隙空間ＳＰに供給されて基板表面Ｗｆの周囲雰囲気が低湿度雰囲気に保たれる。これによって、ＩＰＡ液吐出口９７ａから吐出されたＩＰＡ液への水分の吸湿が抑制される。そして、ＩＰＡ液への置換後に、基板表面ＷｆからＩＰＡ液が除去されて基板表面Ｗｆが乾燥されるが、上記したようにＩＰＡ液への水分吸湿が抑制されていることから、当該乾燥処理によりＩＰＡ液中の水分が基板表面Ｗｆに残留するのが確実に抑えられてウォーターマークやパターン倒壊を効果的に抑制している。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェット洗浄処理において、基板の腐食を防止した方法および装置の提供。
【解決手段】半導体基板（１）を洗浄するための方法および装置に関し、基板の表面の上に、第１の導電性または半導体材料を含み、第２の導電性または半導体材料の層（４）により囲まれた少なくとも１つの構造（５）を含み、この層は本質的に表面の全体に渡って拡がり、第１および第２の材料は物理的に接続され、この方法は、基板を提供する工程と、基板の表面に面するように対向電極（２０）を配置する工程と、表面と電極との間の空間に電解溶液（２１）を供給する工程であって、基板表面、洗浄溶液（２１）、および対向電極（２０）により形成されたガルバニ電池中で、対向電極がアノードとして働く工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】所定の供給対象に安定した温度で処理液を供給することができる処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】薬液供給装置１２は、同種の薬液が貯留された第１および第２タンク１３，１４と、第１ヒータ１７が介装された薬液供給管１５と、薬液回収管１６とを備えている。第１タンク１３から処理ユニット２に供給された薬液は、薬液回収管１６を介して第２タンク１４に回収される。第２タンク１４は、薬液移送配管２４を介して第１タンク１３に連結されている。薬液移送配管２４には、第２ヒータ２５および第２ポンプ２６が介装されている。第２タンク１４に回収された薬液は、第２ヒータ２５による温度調節を受けた後、第２ポンプ２６によって第１タンク１３に移送される。 （もっと読む）

【課題】遮断部材を基板表面に対向して配置しながら処理液で濡れた基板表面をＩＰＡ液などの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】環状の下側気体供給路９９ｂが上側気体供給路９９ａの下端部から下方外向きに、スカート状に延びる。開口部９０ｂと先端部材９５ｂの間隔ｒ２が回転支軸９１と内挿軸９５の上端部の間隔ｒ１よりも大きくなるように両気体供給路９９ａ、９９ｂが遮断部材９に設けられる。したがって、窒素ガスが上側気体供給路９９ａに圧送されると、窒素ガスは下側気体供給路９９ｂで下方外向きに広げられながら、下側気体供給路９９ｂの下端部に開口された気体吐出口９９ｃから下方外向きに吐出されて窒素ガスが減速されて間隙空間ＳＰに供給される。 （もっと読む）

【課題】処理液の再利用を好適に図ることができ，しかも排気量を低減させることができる，基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハＷを洗浄するウェハ洗浄装置５であって，ＡＰＭ及び純水を供給する供給ノズル３４と，ウェハＷを保持するスピンチャック３１と，スピンチャック３１を収納する容器３０とを備え，容器３０は内処理室４２と外処理室４３を備え，スピンチャック３１に対して容器３０を昇降自在に構成し，内処理室４２にＡＰＭ及び室内雰囲気を排出する第１の排出回路５０を接続し，外処理室４３に純水及び室内雰囲気を排出する第２の排出回路５１を接続し，ＡＰＭを供給ノズル３４から再びウェハＷの表面に供給するように構成した。 （もっと読む）

【課題】基板表面の処理液をＩＰＡなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく確実に置換する。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される（パドル形成処理）。続いて、溶剤吐出ノズル７６５を基板中心から周縁に向けて方向Ｄnに移動させながらＩＰＡを供給することで、基板上のＤＩＷ液膜にＩＰＡを添加し表面張力を低下させる（溶剤供給処理）。溶剤吐出ノズル７６５が基板周縁に達し溶剤供給処理が終了した後に、中央に溶剤供給路９７を有する遮断部材９を基板に近接配置し、溶剤供給口９７ａからＩＰＡを供給しながら基板の回転速度を増大させて、ＩＰＡによる置換領域ＳＲを基板全体に広げる（置換処理）。 （もっと読む）

【課題】基板上における気流の乱れを抑制または防止できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷを所定の回転軸線Ｃ１まわりに回転させる基板回転手段と、基板回転手段により回転されるウエハＷの主面に向けて、かつ基板回転手段によるウエハＷの回転方向下流側に向けて、気体を吐出し、ウエハＷの主面上にウエハＷの回転方向に沿う気流を形成するための複数の気体吐出ノズルとを含む。ウエハＷ上に形成される気流の流速は、ウエハＷの回転軸線Ｃ１からの距離が異なる各位置において、ウエハＷの周速と一致されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面の処理液をＩＰＡなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく置換する。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される。そして、ＤＩＷ供給停止後、所定時間が経過してパドル状の液膜の膜厚Ｔ1がほぼ均一になるのを待ってから、基板Ｗの回転速度が４０ｒｐｍに加速される。これによって、基板上のＤＩＷ液膜の厚さが膜厚Ｔ2に減少する。こうして基板上のＤＩＷ量が減少した状態で、ＤＩＷを置換するためのＩＰＡの供給を開始することにより、置換に必要なＩＰＡの量を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の処理液をＩＰＡなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく確実に置換する。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される（パドル形成処理）。その後、所定量のＩＰＡを基板Ｗ上の液膜に供給してから（溶剤供給処理）、ＩＰＡを供給せずに基板を回転させることで液膜を攪拌する（攪拌処理）。これにより、基板上に残留していたＤＩＷがＩＰＡ内に溶け込む。さらにその後、ＩＰＡ供給を再開して基板の回転速度を高めることにより、基板Ｗ上のＤＩＷを完全にＩＰＡに置換する（置換処理）。 （もっと読む）

【課題】基板の表面からリンス液を良好に除去することができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面に純水が供給され、ウエハＷの表面に対するリンス処理（ウエハＷの表面を純水で洗い流す処理）が行われた後、純水よりも表面張力の低いＩＰＡ液がウエハＷの表面に供給される。また、ＩＰＡ液の供給と並行して、ウエハＷの表面と反対側の裏面に温水が供給される。 （もっと読む）

【課題】基板の主面上でのエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して良好なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供する。基板の主面上でのエッチング液の滞留を防止または抑制することができる基板支持部材を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板支持部材３と、ウエハＷおよび基板支持部材３を回転させるスピンチャック４とを備える。基板支持部材３の上面には、円筒状の収容凹所１３および平坦な第１円環状面１２が形成されている。第１円環状面１２は、収容凹所１３内に保持されたウエハＷの上面に、第１円環状面１２上のフッ硝酸とウエハＷの上面上のフッ硝酸とが連続した液膜を形成するように接近して配置されている。第１円環状面１２には、サンドブラスト加工（親液化処理）が施されている。 （もっと読む）

【課題】基板から排出された処理液が蒸気となることを抑制または防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、スピンチャック３、処理液ノズルおよびカップ５を備えている。スピンチャック３によりウエハＷが回転された状態で、当該ウエハＷの上面に処理液ノズルから処理液が供給される。ウエハＷに供給された処理液は、遠心力によりウエハＷから排出され、カップ５により受け止められる。このとき、処理液ノズルからの処理液の吐出と並行して、洗浄液ノズル３８から洗浄液が吐出されており、カップ５により受け止められた処理液は、速やかに洗い流されて排液口３２から排液される。 （もっと読む）

【課題】 基板上に第１洗浄液の液膜が形成された状態で、基板を良好に洗浄できる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】 回転保持部１０により回転される基板Ｗに、第１洗浄液供給部４０からの第１洗浄液が供給され、基板Ｗ上に液膜ＬＦ１が形成される。導入プレート６０ａおよび超音波付与部７０が、退避位置から洗浄処理位置に向けて揺動させられ、基板Ｗの外縁部付近に配置される。これにより、基板Ｗ上に液盛りされた第１洗浄液の一部が、表面張力により基板Ｗ上から導入プレート６０ａ上に導入され、導入プレート６０ａに外方液膜ＬＦ２が形成される。そして、超音波付与部７０による超音波振動と、第２洗浄液の供給に基づいた波立振動とが、外方液膜ＬＦ２に付与される。これにより、基板Ｗへのダメージを低減させつつ、基板Ｗに付着するパーティクルの除去率を各段に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板の帯電を抑制することができる基板洗浄方法を提供すること。
【解決手段】基板を所定の薬液で処理する工程と、基板を略水平姿勢で回転させながら、純水を基板へ供給してリンス処理する工程と、基板を前記リンス処理時よりも高速で回転させて乾燥させる工程とを有する基板洗浄方法において、リンス処理工程では、基板の単位面積あたりの処理時間が同じになるように、純水の基板への供給ポイントの移動速度を、基板の外周部よりも中心部で速くする。 （もっと読む）

【課題】小型で、しかも基板表面を迅速に、かつ良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理空間１６２への乾燥窒素ガスの供給が２系統、つまり（１）基板Ｗの表面外周部から乾燥窒素ガスを供給する系統と、（２）基板Ｗの表面中心部から乾燥窒素ガスを供給する系統で同時に行われて処理空間１６２の湿度を均一に低下させることができる。また、処理空間１６２への乾燥窒素ガスの供給とともに処理空間１６２の排気を湿式処理時の排気よりも抑えているので、処理空間１６２の湿度を迅速に低下させることができる。そして、このようにして処理空間１６２の湿度を低下させた状態で乾燥処理を実行しているので、基板表面でのウォーターマーク等の発生を抑制しつつ基板を乾燥することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理体を持ち上げる部材に洗浄液が残ることを防止することによって、被処理体の裏面に洗浄液が付着することを防止し、かつ、不活性ガス供給部内に洗浄液が流入することを防止するとともに、被処理体に不活性ガスを効率よく供給すること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Ｗを保持し中空になった保持プレート１と、保持プレート１に固定連結され中空になった回転軸２と、回転軸２を回転駆動する回転駆動部４０と、保持プレート１の中空内に配置され、本体２５と被処理体Ｗを支持するリフトピン２１とを有するリフトピンプレート２０と、を備えている。回転軸２の中空内には、洗浄液を供給する洗浄液供給部１１と不活性ガスを供給する不活性ガス供給部１０が延在している。リフトピンプレート２０は傾斜面２５ａ，２５ｂを有し、不活性ガス供給部１０の先端が、洗浄液供給部１１の先端よりも高い位置に位置している。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された絶縁膜や金属膜などの膜減りを生じることなく、その基板の表面からポリマーを良好に除去することができる、ポリマー除去方法およびポリマー除去装置を提供する。
【解決手段】基板の周囲の雰囲気が窒素ガス雰囲気に置換された後、その窒素ガス雰囲気下において、基板の表面にポリマーをエッチング作用により除去するためのふっ酸ベーパが供給される。そして、そのふっ酸ベーパの供給と並行して、基板が回転されるとともに加熱される。 （もっと読む）

【課題】基板の全面からポリマーを良好に除去することができる、ポリマー除去方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面の周縁部、周端面および裏面には、ドライエッチング処理時に生じた第１種のポリマーを除去可能な第１ポリマー除去液が供給される。また、ウエハＷの表面の中央部（周縁部よりも内側の部分）には、アッシング処理時に生じた第２のポリマーを除去可能な第２ポリマー除去液が供給される。 （もっと読む）