【課題】可燃性有機溶剤を基板に供給して所定の表面処理を施す基板処理装置および方法において、Ｘ線照射を用いた除電を効率的に行う。
【解決手段】基板処理装置が行う一連の処理のうち可燃性雰囲気が形成される処理はＩＰＡ液を用いた置換処理に限定されることから、Ｘ線照射を用いた除電処理を置換処理に限定して用いる。すなわち、Ｘ線照射の開始および停止をＩＰＡ液（可燃性有機溶剤）の供給タイミングに対応して設定している。したがって、Ｘ線照射が必要最小限に止められ、Ｘ線照射を用いた除電を効率的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ状物品の周縁領域をウェット処理するための装置及び方法
【解決手段】開示されるのは、ウエハ状物品Ｗの周縁領域をウェット処理するための装置（１）である。装置は、ウエハ状物品をその端部において保持して回転させるための保持手段（２０，５０）と、周縁領域に向けて液体を供給するための第１の液体処理ユニット（３０）と、周縁領域に向けて液体を供給するための第２の液体処理ユニット（６０）とを含む。保持手段は、ウエハ状物品をその端部において駆動するためのローラ（２３，５３）を含む。第１の液体処理ユニットは、第１の液体を提供して周縁領域の第１の区域を濡らすための第１の液体キャリアと、第１の液体キャリアに液体を供給するための第１の液体供給ノズルと、第１の液体キャリアから液体を除去するための第１の液体排出路とを含む。第２の液体処理ユニットは、第２の液体を提供して周縁領域の第２の区域を濡らすための第２の液体キャリアと、第２の液体キャリアに液体を供給するための第２の液体供給ノズルと、第２の液体キャリアから液体を除去するための第２の液体排出路と、第２のガス処理部であって、第２の液体によって処理された周縁領域に向けてガスを供給して周縁領域から第２の液体の大半を除去するためのガス供給ノズルと、ガス及び除去された液体を排出するためのガス排出路とを含む第２のガス処理部と、を含む。更に、関連の方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】スクラブ洗浄の際に被洗浄面を均一に洗浄する。
【解決手段】ロール体３は、湿潤状態で弾性を有する多孔質素材によって構成され、ロール体３の回転軸２は、ロール体３の内径部に挿通されロール体３を固定的に支持する。回転軸２を回転させるとともに、回転軸２と略平行に配置された平面状の被洗浄面１１を、回転軸２と略直交する仮想平面内に配置された仮想回転軸１２を中心に回転させることによって、回転する被洗浄面１１にロール体３の外周部分を回転接触させてスクラブ洗浄を行う。ロール体３の外周部分は、被洗浄面１１のうち仮想回転軸１２に近接する内側領域１３に接触する中央領域６と、被洗浄面１１のうち仮想回転軸１２から離間した外側領域１４に接触する外端領域７とを含む。ロール体３が１回転する間のロール体３の外周部分の被洗浄面に対する接触強さは、中央領域６の方が外端領域７よりも低く設定されている。 （もっと読む）

【課題】基板を略水平に保持した状態で所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法において、遮断板を用いた処理技術と同様の遮断効果を得ながらも、より装置の小型化に適した技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの略中央上方にガス噴射ヘッド２００を設ける。ガス導入口２９１から導入された窒素ガスを、内部のバッファ空間ＢＦを経てスリット状の噴射口２９３から噴射する。これにより基板の上方には、上下方向に噴射方向が制限される一方、水平方向には略等方的な放射状のガス流が形成される。そのため、基板周囲のゴミＤやミストＭ等は外方向へ押し流されて基板Ｗに付着することがない。ガス噴射ヘッド２００は基板Ｗの直径より小さくすることができ、しかも基板表面から退避させたり回転させる必要がないので、装置を小型に構成することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液の液密空間への気体の混入を抑制または防止して、基板の一方面の全域に、処理液を用いた処理を均一に施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】上処理空間４１および下処理空間４２にそれぞれＩＰＡ液が供給される。空間４１，４２に供給される薬液によって、空間４１，４２に元から存在する空気は、空間４１，４２外に押し出される（（ａ）参照）。空間４１，４２がＩＰＡ液により液密状態にされた後（（ｂ）参照）、空間４１，４２に薬液が供給される（（ｃ）参照）。空間４１，４２が液密状態に維持されつつ、空間４１，４２内のＩＰＡ液が薬液に置換されていく。その後、空間４１，４２が薬液により液密状態にされて、ウエハＷの上面および下面が薬液により洗浄される（（ｄ）参照）。 （もっと読む）

【課題】基板表面を乾燥させる前に該基板表面に未使用の有機溶剤を供給して基板表面を乾燥に適した表面状態に調整した後に基板表面を乾燥させる基板処理方法および装置において、有機溶剤の消費量を抑制する。
【解決手段】基板処理した際に発生する使用済みのＩＰＡを回収し、再利用ＩＰＡとして貯留タンク７１に貯留している。そして、基板Ｗに乾燥処理の実行前に２段階のＩＰＡ供給を行っている。つまり、リンス処理を受けた基板Ｗに対して再利用ＩＰＡを供給して基板表面Ｗfに付着しているリンス液（ＤＩＷ）を再利用ＩＰＡに置換した後に未使用のＩＰＡを基板表面Ｗfに供給して乾燥処理に適した表面状態を形成している。 （もっと読む）

【課題】基板を略水平に保持した状態で所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法において、基板表面へのミストの付着を確実に防止しながら基板を乾燥させる。
【解決手段】リンス後の液膜Ｌが形成された基板Ｗに対して（図ａ）、該基板を回転させながらガス噴射ヘッド２００の下部から窒素ガスを噴射させる（図ｂ）。次いでガス噴射ヘッド２００の外周部に設けた噴射口から斜め下向きに環状に窒素ガスを噴射させながら、ガス噴射ヘッド２００を上昇させてゆく（図ｃ）。基板上の液膜Ｌと乾燥領域ＤＲとの境界に窒素ガスを吹き付けながら乾燥させてゆくことにより（図ｄ〜ｅ）、基板へのミストの付着や基板表面が酸化されるのを防止する。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤の消費量を抑制しつつ、基板表面を良好に乾燥させることができる基板処理方法および装置を提供する。
【解決手段】乾燥前処理（基板表面Ｗfに高濃度ＩＰＡを供給する処理）を行うことで基板表面Ｗfに形成される液膜のＩＰＡ濃度は常に最終的に基板乾燥に適した値に調整されている。そして、その表面状態のまま基板乾燥が実行されるため、優れた乾燥性能で基板を乾燥させることができる。しかも、この実施形態では、リンス処理を受けた基板Ｗに対して乾燥前処理を直ちに行うのではなく、低濃度ＩＰＡを基板表面Ｗfに供給して基板表面Ｗfに付着しているリンス液（ＤＩＷ）をＩＰＡに置換した上で乾燥前処理を行っている。このように有機溶剤の供給を２段階で行っているため、ＩＰＡの消費量を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液の液密空間内に滞留する気体を除去し、これにより、基板の一方面および他方面の全域に処理液を用いた処理を均一に施す基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷが下プレート部４に保持された状態では、下プレート部４の基板下対向面９が、ウエハの下面と対向する。このウエハＷに対して、上プレート２を対向配置する。ウエハＷの上面と上プレート２の基板上対向面１９とで挟まれた上処理空間４１に処理液が供給されて、上処理空間４１が処理液により液密状態にされる。ウエハＷの下面と下プレート部４の基板下対向面９とで挟まれた下処理空間４２に処理液が供給されて、下処理空間４２が処理液により液密状態にされる。上プレート２および下プレート部４は、親水性である石英によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の全域に、処理液を用いた処理を均一に施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】下プレート部４に保持されたウエハＷに対して、上プレート２の基板上対向面１９を対向させる。基板上対向面１９には、ウエハＷの中心に対向する位置に頂点を有する円錐状の凹部１８が形成されている。
ウエハＷの上面と上プレート２の基板上対向面１９とで挟まれた上処理空間４１に処理液が供給されて、上処理空間４１が処理液により液密状態にされる。上処理空間４１が、ウエハＷの中心から周縁部に向かうにつれて徐々に狭くなっているので、ウエハＷの上面の全域において、処理液の速度がほぼ等しい。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の表面に付着している汚染物を簡易且つ短時間で確実に洗浄除去し得る炭化ケイ素焼結体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄液供給手段１１と、気体供給手段１３と、を備え、洗浄液供給手段１１による洗浄液と、気体供給手段１３による気体とを２流体ジェット流として噴出口１５から噴出させる２流体ジェットノズルを用いて、炭化ケイ素焼結体の表面に付着している汚染物を除去する炭化ケイ素焼結体の洗浄方法において、洗浄液に、濃度が６０［％］以下の硝酸、濃度が５０［％］以下のフッ化水素酸、或いは、硝酸、フッ化水素酸および純水または超純水の混合液を用い、また気体に窒素ガスあるいはアルゴンあるいは空気を用いる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でありながら、支持ピンを迅速に冷却して、基板を均一に処理することが可能な減圧乾燥装置を提供すること。
【解決手段】チャンバー１０における支持ピン１５と対向する位置には、冷却風吐出ノズル５２が配設されている。この冷却風吐出ノズル５２は、管路５３を介して、ボルテックス効果を利用した冷却風発生器５１と連結されている。この冷却風吐出ノズル５２は、その吐出口が、基板Ｗを支持する支持ピン１５と対向する位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】高温のＳＰＭなどの処理液を用いる場合でも、基板の処理時に生じる廃液を工場の廃液ユーティリティラインなどに排出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷへの処理液の供給時に生じる高濃度廃液は、廃液配管７２および高濃度廃液導入管７３を通して希釈タンク８に導入され、ウエハＷの水洗時に生じる低濃度廃液は、廃液配管７２および一般廃液導入管７４を通して気液分離タンク９に導入される。希釈タンク８には、高濃度廃液を希釈および冷却するための冷却水が供給されるようになっている。希釈タンク８の底面には、希釈廃液オーバフロー配管８３が挿通されている。この希釈廃液オーバフロー配管８３の一端は、希釈タンク８内の所定高さの位置で開放されており、廃液オーバフロー配管８３の他端は、たとえば、基板処理装置が設置される工場の廃液ユーティリティラインに接続されている。 （もっと読む）

【課題】基板を支持するスピンヘッドを提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、回転可能なボディと、上部に突出し、かつ回転時ボディに置かれた基板の側部を支持するチャックピンとを有する。チャックピンは、上下方向にボディに提供された垂直ロッドを有する。基板が回転する時、垂直ロッドは基板から側方向に離隔するように位置される。支持ロッドは、流線型に提供された側面を有する。支持ロッドは、上部から見る時、幅が漸進的に減少する接触部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板支持部材、これを有する基板処理装置及びこれを用いた基板処理装置洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板支持部材は、基板が載置されるスピンヘッド、回転結合部、及び流体を供給する供給配管を含む。回転結合部は供給配管から流体を供給され、回転するスピンヘッドに流体を提供する。スピンヘッドは流体を噴射する少なくとも一つの噴射孔が形成され、回転すると共に流体を側面方向に噴射する。これにより、基板支持部材は流体を処理容器の内壁に提供できるので、処理容器の洗浄効率及び生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】全てのチャックピンが基板との接触を高速回転時にも維持でき、スピンヘッド本体の熱変形によるチャックピンの設定位置のずれを防止できるスピンヘッドを提供する。
【解決手段】本体と、本体から上方に突出して設置されるチャックピンと、本体上に置かれた基板の側部を支持する支持位置及び本体の中心から支持位置より離れた待機位置の間でチャックピンを移動させ、且つチャックピンが待機位置にある場合には本体上に基板を着脱可能に置く余地を与えるように、チャックピンと固定結合される移動ロッド、回転可能で支持位置に位置したチャックピンが待機位置に移動できるように外側面に突起を有するカム、及びチャックピン各々が互いに独立して待機位置から支持位置に向かう方向へ移動できるように、移動ロッド各々に独立して復元力を印加するチャックピン復元器を有するチャックピン移動ユニットと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄方法及び装置が開示される。
【解決手段】 レーザービームを利用する基板洗浄方法及び装置において、工程チャンバー内にはレーザー誘起衝撃波が発生する空間を限定する内部チャンバーが配置される。前記レーザービームは前記内部チャンバー内に位置した焦点に集中され、これによってレーザー誘起プラズマ衝撃波が前記レーザー焦点の周囲に発生する。前記プラズマ衝撃波は内部チャンバーの内側表面によって反射され、前記内部チャンバーの下部を通じて基板上に照射される。結果的に基板上に照射されるプラズマ衝撃波の強度が増加し、これによって、基板上の汚染物質の除去効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】基板の両面を洗浄するに際して、加工時間を短くすることができるとともに、工程欠陥が少なく、有効に基板洗浄を行うことが可能な枚葉式洗浄装置を提供すること。
【解決手段】それぞれに注入口１１Ａ及び放出口１１Ｂを備えた複数の搬送通路１１が内部に形成された注入軸１０を固定台１７上に立設し、該注入軸１０の上部に前記放出口１１Ｂのそれぞれに連通する配置で下部ノズル１４を装備し、前記注入軸１０の外周側に、前記注入軸１０に対して回動自在にして、モーター２を有する中空軸３を配置し、少なくとも前記中空軸３の回転数を制御可能な制御手段７を前記中空軸３に連結し、前記中空軸３の上方に、基板を装着可能な基板チャック４を連結し、前記基板チャック４の上方に上部ノズル８を配置した、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遮断板を使用せずに薬液処理を可能とする裏面洗浄方法であり、容易な装置構成にて、ベベル部および基板裏面に付着したルテニウムのエッチングを行う。
【解決手段】上ノズル１と下ノズル２から基板３の上面および下面に次亜塩素酸ナトリウム水溶液を供給し、下面のルテニウム膜を除去すると同時に、上面のルテニウム膜６をパターンニングする工程と、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して次亜塩素酸ナトリウム水溶液を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に弗酸を供給して不純物を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して弗酸を除去する工程と、この工程の後に、スピンベース５により基板３を回転させて乾燥させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】複雑な機構を用いることなく、効率的に薬液を回収することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置において、制御部１２１は、リンス液によるリンス処理後に薬液による薬液処理を制御する。この際に、最初に、リンス処理用の回転数以上の回転数で基板Ｗを回転させながら基板上に薬液を供給して排液カップを薬液により洗浄し、その際に排液カップ５１で受けた液を廃棄ライン１１３によって廃棄する。その後、薬液処理用の回転数で基板を回転させながら基板上に薬液を供給して基板の薬液処理を行い、その際に排液カップで受けた液を回収ライン１１２によって回収する。 （もっと読む）