【課題】処理液から基板への放電の発生が抑制されるとともに、小型かつ軽量で十分な強度が確保されたノズルおよびそれを備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】ノズル装置のノズル６０ａは、水平方向に延びるアーム管部と、アーム管部の他端から下方に湾曲するように形成された下流管部とを有する。ノズル６０ａにおいては、金属管９１の内部に第１の樹脂管９２が挿通され、第２の樹脂管９３の内部に金属管９１が挿通されている。ボス９４が第２の樹脂管９３の内部の金属管９１の先端部に装着されている。ノズル６０ａの先端部においては、第１の樹脂管９２の外周面、第２の樹脂管９３の端面およびボス９４の端面が溶接用樹脂９５により溶接されている。このようにして、金属管９１は、第１の樹脂管９２、第２の樹脂管９３、ボス９４および溶接用樹脂９５により確実に被覆されている。 （もっと読む）

対象物の表面の少なくとも一部を処理するための流体メニスカスを利用する湿式処理装置および方法である。対象物の表面の１つが処理された後に、対象物の他の側面または表面が同様に処理されうる。いくつかの例を挙げれば、この処理はコーティング、エッチング、めっきでありうる。この装置と方法の用途は、半導体処理産業、特にウェハおよび基板の処理にある。この方法と装置は、電子構成部品の多数の表面の処理をも可能にする。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークを発生させることなく、基板の上面を良好に乾燥させる。
【解決手段】洗浄処理が終了すると、遮断板２がスピンチャック１に保持されたウエハＷの上面に近接した位置に配置される。そして、液体供給口２５２ａからウエハＷの上面に純水が供給される。ウエハＷの上面に供給された純水は、ウエハＷの上面に拡がり、その表面張力でウエハＷ上に液膜となって溜められる。この液膜形成のための液盛りが行われている間に、第１乾燥ガス供給口２５１ａおよび第２乾燥ガス供給口２６ａから窒素ガスが供給されて、ウエハＷ上の純水の液膜と遮断板２との間の空間の雰囲気が窒素ガスに置換される。その後、ＩＰＡベーパ供給工程が行われる。ＩＰＡベーパ供給工程では、第１乾燥ガス供給口２５１ａからウエハＷの上面の中央部に向けて、ＩＰＡベーパを含む窒素ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】洗浄によりウェハに付着した水分を完全に除去し、当該基板を水分を除去した状態で成膜装置に搬送する。
【解決手段】 洗浄装置３に隣接して水分除去装置４を設ける。水分除去装置４では、ウェハＷに高温ガスを供給してウェハＷに付着した水分を完全に除去する。水分除去装置４と成膜装置５、６との間の搬送部７は、ケーシング２１で覆う。ケーシング２１内には、乾燥気体を供給し、搬送部７内を乾燥雰囲気にする。水分除去装置４で水分の除去されたウェハＷを、乾燥雰囲気内を通して成膜装置５、６に搬送する。 （もっと読む）

円板状物品の主表面に直角な軸線まわりで円板状物品を回転させ、回転しているときに円板状物品の上に液体を供給し、この液体は円板状物品の縁に向かって基板を横切って動かされる供給ポートから供給され、第１の気体供給ポートを通してある一領域に向かって円板状物品上に第１の気体流を供給し、この領域の中心は２０ｍｍより大きくない回転運動の中心までの距離を有し、第１の気体が供給されるこの領域は、第１の気体が供給されるとき液体層で覆われ、そしてこれにより分離した領域において液体層を開口させ、更に、回転されたときの円板状物品上に第２の気体供給ポートを通して第２の気体流を供給し、この第２の気体流は基板の縁に向かって基板を横切って動かされる第２の気体供給ポートより供給され、第２の気体供給ポートから中心までの距離は、第２の気体流及び液体が供給されている間の液体供給ポートから中心までの距離より小さい諸段階よりなる円板状物品の表面から液体を除去するための方法が明らかにされる。更に、この方法を実行するための装置が明らかにされる。 （もっと読む）

【課題】基板をチャックするチャック部材を提供する。
【解決手段】チャック部材は、基板の側部をチャックし、回転中心から偏心されたチャックピンを備える。チャックピンは流線形（ｓｔｒｅａｍｌｉｎｅ ｓｈａｐｅ）からなり、基板の回転により発生する気流の流れに対して前端に位置する第１前端部と、後端に位置する第１後端部を含む。第１前端部は第１尖端部を備え、第１後端部は丸い形状を有する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物表面に金属不純物やパーティクルあるいは純水中の不純物が付着するのを抑制し、清浄な洗浄を行うことで、半導体装置の特性や歩留りを向上できる洗浄乾燥装置を得る。
【解決手段】本発明に係る洗浄乾燥装置は、洗浄液で被洗浄物表面を酸化する処理を行う第１の処理槽と、該第１の処理槽で酸化された被洗浄物表面を希釈塩酸水溶液で洗浄する処理を行う第２の処理槽と、該第２の処理槽で洗浄された被洗浄物表面を乾燥する処理を行う乾燥処理部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して基板を洗浄乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、基板が置かれるチャックを有する基板支持部材、上部が開放され、前記チャック周辺を包むように形状された下部チャンバー１２０、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で進行されるように前記下部チャンバーの上部を開放又は閉鎖する上部チャンバー１３０、及び前記上部チャンバーに設置され、前記上部チャンバーが前記下部チャンバーの上部を閉鎖した状態で基板に流体を直接噴射する直接噴射ノズル部材１８０を含む。このような構成の基板処理装置は、基板全体の乾燥効率増大、及び外部汚染遮断、又、酸化膜防止などの効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】工程進行のとき、チャッキングピンによって支持されるウェハーの接触面に残留する薬液を除去できる基板処理処置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、回転可能な支持プレート１０と、支持プレートの上部面に設置され、支持プレート上にローディングされた基板が回転によって支持プレートから離脱されることを防止するために基板の側部を支持する複数の第１チャッキングピン２０及び複数の第２チャッキングピン３０と、工程進行のとき、複数の第１及び第２チャッキングピンが基板の側部と選択的に非接触するように磁力によって複数の第１及び複数の第２チャッキングピンを選択的に支持プレートの半径外側方向へ移動させる駆動ユニットとを含む。 （もっと読む）

【課題】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置１は、基板を支持する支持部１０と、基板上部のフォトレジストを除去する乾式処理部２０と、基板上部のフォトレジストを除去する湿式処理部３０を有する。基板は、支持部によって支持された状態で、基板上部のフォトレジストは、乾式処理部２０によって１次的に除去され、湿式処理部３０によって２次的に除去される。乾式処理部２０は、基板上面にプラズマを供給するプラズマ供給ユニット２００と移動ユニットを有し、移動ユニットは、プラズマ供給ユニット２００と基板の相対的な位置を変化させる。 （もっと読む）

【課題】複数の電極間の距離を容易に調節できるプラズマ生成ユニット、及びこれを具備する基板処理処置と基板処理方法を提供する。
【解決手段】電極間距離調節ユニットは第１電極２２０ａに連結された第１コネクター２６０ａと第２電極２２０ｂに連結された第２コネクター２６０ｂ、第１及び第２コネクター２６０ａ，２６０ｂを連結される第１軸ピン２６２ａを含む。第１軸ピン２６２ａを中心に第１コネクター２６０ａを反時計回りに回転させ、第２コネクター２６０ｂを時計回りに回転させれば、第１電極２２０ａと第２電極２２０ｂは接近し、第１コネクター２６０ａを時計回りに回転させ、第２コネクター２６０ｂを反時計回りに回転させれば、第１電極２２０ａと第２電極２２０ｂは離れる。 （もっと読む）

【課題】排液カップから速やかに処理液を排出することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを水平に保持し、ウエハＷとともに回転可能な基板保持部２と、基板保持部２に保持されたウエハＷを囲繞するように環状をなし、ウエハＷとともに回転可能な環状をなす回転カップ４と、回転カップ４および基板保持部２を一体的に回転させる回転機構３と、ウエハＷの表面に処理液を供給する表面処理液供給ノズル５と、回転カップ４に対応した環状をなし、回転カップ４から排出された処理液を受け止め、処理液を排液する排液口６０を有する排液カップ５１と、排液カップ５１の内部に挿入され、回転カップ４の回転にともなって回転することにより排液カップ５１内に旋回流を形成し、その旋回流に随伴させて排液カップ５１内の処理液を排液口６０に導く旋回流形成部材３２ａとを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して、基板を洗浄乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００において、基板が在置されるチャックを持つ基板支持機構１１０と、上部が開放されて、チャック周辺を囲むように配置された下部チャンバー１２０と、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で進行されるように下部チャンバー１２０の上部を開閉する上部チャンバー１３０と、上部チャンバー１３０のエッジに設置され、乾燥流体が基板に間接憤射されるように上部チャンバーの中心へ向かって、乾燥流体を憤射する間接憤射ノズル１４０と、を含むことを特徴とする基板処理装置１００。このような構成の基板洗浄装置は、基板の乾燥効率の増大及び外部汚染の遮断そして酸化膜の防止などの効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とせず、短い処理時間で銅又は銅合金による回路配線を形成でき、且つクロスコンタミネーションの原因となるエッジ・ベベル部に銅膜が残ることのない半導体基板処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸線を中心に回転する回転部材と、回転部材の前記回転軸線を中心とした同一円周方向に沿って配置され該回転部材の回転に伴って公転する保持部材とを有し、保持部材は、該保持部材の軸心を中心に回動するように構成された回転保持装置で保持した半導体基板を洗浄する洗浄ユニットを有する。 （もっと読む）

【課題】洗浄具の洗浄部材の有無を検知する洗浄部材検出センサを設けた基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】被洗浄基板Ｗｆの洗浄面に接触する洗浄部材を有する洗浄具２１を装着する洗浄具装着機構２０を具備し、基板保持回転機構で保持され回転する被洗浄基板Ｗｆに洗浄具２１の洗浄部材を接触させて洗浄する基板洗浄装置において、洗浄具装着機構２０に装着された洗浄具２１が所定位置にある状態で、該洗浄具２１の洗浄部材の有無を検出する洗浄部材センサ（投光器２７ａ、受光器２７ｂ）を設けた。 （もっと読む）

【課題】ディスク状対象物の少なくとも下面の処理を行うための装置において、ディスク状対象物の汚染が回避できるような装置を提供する。
【解決手段】本発明の装置は、上面（２ｏ）を有しかつディスク状対象物（１）を位置決めするための少なくとも２つの部材（１９）が上面から垂直に突出している回転可能保持器（２）と、ディスク状対象物（１）の下面（１ｕ）に処理媒体を供給するために固定的に設けられかつ保持器（２）を貫通するように配置された少なくとも１つの配管（２４，２６）と、保持器（２）の下面（２ｕ）の少なくとも一部から離隔して固定配置され環状間隙（１６）を形成しているカバー（４）と、を備え、前記少なくとも１つの配管（２４，２６）は、隙間のない状態でカバー（４）を貫通していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】上面部材をウェハとともに回転させて処理し，処理流体供給ノズルをウェハの処理面に移動させて処理流体を供給できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】上面部材９０を上昇させた状態で，基板Ｗをスピンチャック６０によって保持し，上面部材９０を下降させて基板Ｗの表面に近接させ，スピンチャック６０に係合させた状態にし，上面部材９０と基板Ｗとの間に形成された隙間に処理流体を供給し，基板Ｗ，スピンチャック６０及び上面部材９０を一体的に回転させて基板Ｗを処理し，基板Ｗ，スピンチャック６０及び上面部材９０の回転を停止し，上面部材９０を上昇させてスピンチャック６０から離脱させた状態で基板Ｗ及びスピンチャック６０を一体的に回転させて基板Ｗを処理し，基板Ｗ及びスピンチャック６０の回転を停止し，スピンチャック６０の基板Ｗに対する保持を解除する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板エッジを洗浄するための装置、システム、及び方法は、洗浄化学物質が存在する状態での摩擦接触を使用して、基板エッジに堆積したベベルポリマを洗浄する毛ブラシ部を含む。毛ブラシ部は、外側へ延びる複数の羽根により構成され、回転軸に取り付けられる。研磨材料は、摩擦接触を提供するために、毛ブラシ部の外側へ延びる羽根の全体及び内部に分布させる。毛ブラシ部は、洗浄化学物質等の流体が存在する状態で、複数の研磨粒子と基板のエッジとの摩擦接触により、ベベルポリマを基板のエッジから剥ぎ取るのを可能にすることで基板のエッジを洗浄する。 （もっと読む）

開示されているのは、プレート状物体の湿式処理用装置であり、以下のように構成されている：第一プレート、前記第一プレートと実質的に平行な単一のプレート状物体を保持するための保持手段、処理時に前記第一プレートとプレート状物体の間の第一ギャップに液体を導入するための第一分配手段、この場合、第一プレートは少なくとも９９重量％のシリコンから成っているシリコン・プレート、そのプレート状の物体を処理している時に、そのシリコン・プレートが処理液と接触していること、それに関連した方法がさらに開示されている。
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【課題】 半導体装置の製造においてウエハ上のウォーターマークの発生を著しく減少させたウエハの乾燥方法及びこの方法を実施する乾燥装置を提供する。
【解決手段】 ウエハの乾燥装置及び乾燥方法に関するものであり、洗浄処理されたウエハ１が乾燥機のチャンバー内に搬入され、乾燥開始前から乾燥終了に至る間、冷却装置８によって冷却を受け続ける。冷却方法としては、チャンバー内に導入される窒素などのパージガス９を供給する個所に冷却装置を付帯させ、パージ窒素を冷却した状態でチャンバー中に導入する。チャンバーに搬入されたウエハに冷却窒素ブローが施されることによりウエハが冷却され、ウエハ上に洗浄工程から残留している水滴も同様に冷却される。そして、乾燥後に出現することのある水ガラスは、残留水滴温度が低いほど水ガラス反応速度は遅くなるため水ガラス出現が抑制されることになって歩留まり低下が防がれる。 （もっと読む）