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Fターム[5F157AB14]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 被洗浄物の支持 (5,429) | 支持手段 (1,596) | 狭むもの、複数の支持手段で挟むもの (475)

Fターム[5F157AB14]に分類される特許

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【課題】基板へのパーティクルの付着量が十分に低減された基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置100において、ドライエア発生装置60により発生されたドライエアDFは、配管61を通してドライエア供給ダクト62に送られる。それにより、昇降機構30により内槽40から引き上げられる基板WにドライエアDFが吹き付けられ、基板Wの乾燥処理が行われる。ドライエア発生装置60により発生されたドライエアDFが処理槽4の内槽40から引き上げられる基板Wに供給されるまでに通過する経路(配管61、供給ダクト62および通気ガイド62a)には、塩化ビニルよりもガス放出速度が低くかつ塩化ビニルよりも吸水率が低い材料が用いられる。 (もっと読む)


【課題】回転させた基板に処理液を供給して所定の処理を行い、しかも、基板から外方へ飛散する処理液を受け止める飛散防止部材を設けた基板処理装置および該装置の制御方法において、装置の異常を確実に検出する。
【解決手段】飛散防止部材を昇降させる一対のサーボモータ119のそれぞれにかかる負荷トルクを検出するトルク検出部5122を設ける。両サーボモータ119のいずれかにかかる負荷トルクが極端に小さいとき、および、両サーボモータ119の負荷トルク差が大きいとき、同期制御装置511は装置に異常があるものと判定してモータの駆動を停止する。 (もっと読む)


【課題】装置の大型化を抑制しつつ、複数の供給対象に対して安定した流量で液体を供給することができる液体供給装置およびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理液供給装置8は、液体がそれぞれ収容された第1タンク29および第2タンク30を備えている。第1タンク29内の液体は、第1連結配管33、第1バルブ39、送液室31を介して、複数の送液配管32から複数の供給対象に供給される。また、第2タンク30内の液体は、第2連結配管34、第2バルブ40、送液室31を介して、複数の送液配管32から複数の供給対象に供給される。第1タンク29から各送液配管32に至るまでの経路、および第2タンク30から各送液排気管32に至るまでの経路における流路断面積は、複数の送液配管32の流路断面積の総和よりも大きくされている。 (もっと読む)


【課題】露光前のウェハの裏面全面を効率よく洗浄する。
【解決手段】処理容器110の一の側面には、搬送機構101の搬送アーム120に保持されたウェハWを搬入出させる搬入出口111が形成されている。処理容器110内には、搬送アーム120に保持されたウェハWの裏面の付着物を静電気によって捕集するために帯電可能な帯電部材130と、当該ウェハWの裏面に気体を噴射できる気体噴射ノズル140が設けられている。処理容器110の底面であって、帯電部材130の周囲には、処理容器110内の雰囲気を排気する排気口150が形成されている。処理容器110内であって、搬入出口111側の内側面には、ウェハWの裏面の付着物を検査する検査機構160が設けられている。 (もっと読む)


【課題】単純な構造でブラシを回転させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ブラシ20は、ブラシホルダ47およびホルダ取付部48を介して、回転シャフト45に一体回転可能に連結されている。また、ホルダ取付部48の外周には、複数の羽根104からなる羽根車105が連結されている。ブラシ20および羽根車105は一体回転可能に連結されている。ブラシ20および羽根車105は、第1および第2ノズル115,116から吐出されたブラシ洗浄液が羽根104に当たることにより、一体的に回転させられる。 (もっと読む)


【課題】基板の主面に対向部材を極めて微小な間隔を隔てて対向配置させて基板に処理を施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】遮断板4の対向面には、中央部吐出口12と多数個の周縁部吐出口19とが形成されている。遮断板保持体17は、ボールブッシュ機構23を介してアーム10に取り付けられている。そのため、遮断板保持体17および遮断板4は、アーム10に対して上下方向に変位可能に保持される。周縁部吐出口19からの不活性ガスの吐出によって、遮断板4に、鉛直上向きの離反方向力が作用し、遮断板4はアーム10に対して鉛直上向きに相対変位する。遮断板4は、この離反方向力と遮断板4等に働く重力とが釣り合う位置に保持される。 (もっと読む)


【課題】複数の流体を精度よく基板に供給することができるとともに製造が容易でかつ小型化が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】流体供給管400は、モータ支持部材200s、スピンモータ200、回転軸210およびプレート支持部材510に挿通されている。流体供給管400の鉛直方向に延びる直管部の湾曲部近傍には、第1フランジFR1が一体形成されている。第1フランジFR1がモータ支持部材200sに固定される。これにより、流体供給管400は、モータ支持部材200sを介してスピンモータ200に固定される。流体供給管400は、ステンレス製のガイド管410の内部に樹脂製の気体供給管420および複数本の樹脂製の洗浄液供給管430が収容された構造を有する。ガイド管410の内部において、1本の気体供給管420は複数本の洗浄液供給管430により取り囲まれるように配置される。 (もっと読む)


【課題】基板保持回転機構に精密に芯合わせされた状態で基板を保持させることができる基板処理装置を提供すること。基板保持回転機構に基板を精密に芯合わせすることができる基板の芯合わせ方法を提供すること。
【解決手段】基板Wは、基板搬送ハンド60から位置決めガイド55および位置決め時用基板支持ピンに受け渡される。その後(図(a),図(b)参照)、基板搬送ハンド60は、基板搬入方向X1側に向けて移動させられる。基板搬送ハンド60の移動に伴ってコイルばね54が圧縮されて、当接部材52が基板Wを位置決めガイド55に向けて押圧する。これにより、基板Wが初期位置に位置決めされる(図(c)参照)。次に、ロッド75が進出させられる(図(f)参照)。このロッド75の進出量は、スピンチャックに搬入される前に予め計測される基板Wの径に基づいて定められる。 (もっと読む)


【課題】超音波振動が付与された処理液により所期の処理を基板に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】メモリ21には、超音波振動子18の駆動電流値と、超音波ノズル4とウエハWとの間の距離と、超音波ノズル4から供給される処理液流量と、ウエハW上における処理液中の超音波音圧値との対応関係を表す駆動電流値−距離−流量−音圧値対応テーブルが記憶されている。CPU20は、駆動電流値−距離−流量−音圧値対応テーブルを参照することにより、音圧値入力キー24により設定された超音波音圧値に対応する駆動電流値を求める。CPU20は、その算出された駆動電流値で超音波振動子18を駆動するように超音波発振器17を制御する。 (もっと読む)


【課題】上下方向に小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】隔壁部材142が円環状空間140と退避空間141の間を移動自在となっており、乾燥処理中には、隔壁部材142が円環状空間140に移動して基板Wとスプラッシュガード(カップ)136を仕切っているため、スプラッシュガード136から飛散したミスト状の処理液(薬液やリンス液)は隔壁部材142で遮られて基板Wへの処理液の再付着が防止される。その結果、基板乾燥を良好に行うことができる。また、雰囲気遮断板が不要となるため、従来装置と比べて雰囲気遮断板および該雰囲気遮断板を回転駆動する機構が不要となり、上下方向における装置サイズを小型化することができる。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置において、処理液の使用量を減らすとともに、静電気の発生を抑制する。
【解決手段】基板処理装置1の本体102は、半導体ウエハWを保持するとともに半導体ウエハWを回転させる保持回転部111と、半導体ウエハWの周辺に処理液のミストを発生させるミスト発生部120とをチャンバ104の内部に設け、半導体ウエハWに赤外光を照射する加熱用ランプ110を石英窓108の外側に設けた構造を有している。半導体ウエハWの周辺に処理液のミストを発生させた上で、半導体ウエハWへの処理液のミストの付着と、半導体ウエハWからの処理液の脱離と引き起こし、これを利用して半導体ウエハWを洗浄する。基板処理装置1は、「ドライミスト」と呼ばれる微細なミストはある温度以上の物体を濡らすことがないという現象を利用した装置である。 (もっと読む)


本発明は反応空間を提供するチャンバと、前記チャンバ内部に設けられるステージと、前記ステージに対向して前記チャンバ内部に設けられるプラズマ遮蔽部と、前記ステージと前記プラズマ遮蔽部の間に基板を支持する支持台と、前記ステージに備えられ、前記基板の一面に反応ガス又は非反応ガスを供給する第1供給口と、前記プラズマ遮蔽部に備えられ、前記基板の他面に反応ガスを供給する第2供給口及び非反応ガスを供給する第3供給口と、を含む基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
このような本発明は単一チャンバ内で基板のエッジ領域及び背面領域にプラズマ処理を個別的に行うことができる。従って、装置の設置空間が減り、生産ラインの空間活用性を高めることができる。そして、チャンバ移動による大気露出がないので基板汚染が少なく、チャンバ移動による待機時間がないので全体的な工程時間を節約できる。 (もっと読む)


【課題】
原版の上に付着した微粒子を効果的に除去する露光装置を提供する。
【解決手段】
本発明の露光装置は、真空環境下で投影光学系を介して原版のパターンを基板に露光する露光装置であって、露光装置は、原版を洗浄する洗浄装置を有し、洗浄装置は、原版のレーザー照射領域にレーザー光を照射する照射手段と、原版を移動させるステージと、レーザー光を原版に正射影したときの方向をレーザー入射方向と定義した場合、照射手段又はステージの一方を用いて、レーザー照射領域をレーザー入射方向と直交する方向に移動させる第1の走査手段と、照射手段又はステージの他方を用いて、レーザー照射領域をレーザー入射方向と同一の方向に移動させる第2の走査手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】処理液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理する。
【解決手段】基板Wを第1回転速度(例えば1000rpm)で回転させる一方、薬液吐出ノズル4から基板表面Wfにフッ酸を第1流量、例えば2(L/min)で基板表面Wfに供給する。これにより、厚みT1のフッ酸液膜27が基板表面Wf全体に形成され、基板表面Wf全体がフッ酸と馴染んだ状態となる。次に、薬液吐出ノズル4からのフッ酸の吐出流量を2(L/min)に保ったまま、基板Wの回転速度を、第1回転速度よりも低速の第2回転速度、例えば10rpmに減速する(第2工程)。このように回転速度を減速することにより、基板表面Wf上に厚さT2(>T1)の液盛り28が形成される。また、液盛り形成後の第3工程において、フッ酸をさらに継続してノズル4から吐出させて液盛り状態を継続して常にフレッシュなフッ酸が補給される。 (もっと読む)


【課題】被処理基板に対する処理を均一に行うことができるとともに処理液がウエハに再付着したりウエハの端縁付近の気流が乱されたりすることを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】支持部20により支持される被処理基板Wを、略垂直方向に延びる軸を中心として回転させる。支持部20上にある被処理基板Wの上面に向かってガスを下方に噴射するとともにこの被処理基板Wの上方領域からガスを上方に吸引することによって支持部20上にある被処理基板Wを当該支持部20に向かって押圧する。被処理基板Wを回転させ、この被処理基板Wを支持部20に向かって押圧させながら、被処理基板Wの下面に対して下方からエッチング液や洗浄液等の処理液を供給する。 (もっと読む)


【課題】オゾン水混合液供給装置及び方法、並びにこれを具備する基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明によるオゾン水混合液供給装置は、処理液供給ライン及びオゾン水供給ライン夫々から処理液及びオゾン水の供給を受けこれを混合して予め設定された濃度範囲内のオゾン水混合液を製造する混合ラインと、混合ラインから製造するオゾン水混合液を処理ユニットに分配させる分配ラインと、を有する。混合ラインには、混合バルブ及びスタティックミキサを設ける。本発明は、混合タンクのような混合容器なしにインライン混合方式で予め設定のオゾン水混合液を製造及び供給する。 (もっと読む)


【課題】基板の上方の雰囲気が周囲に拡散することを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。基板の周囲の側方の雰囲気が基板の上方の空間に流入するのを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハWをほぼ水平に保持するスピンチャック1と、スピンチャック1に保持されたウエハWに処理液(たとえばSPM)を供給するための処理液ノズル2と、スピンチャック1を取り囲み、開口33が形成された筒状の処理カップ3と、スピンチャック1の上方に配置された雰囲気遮断機構4とを備えている。雰囲気遮断機構4の雰囲気遮断部材38からは、処理カップ3の上端18dに沿うように空気が筒状に吐出される。ウエハWにSPMが供給されるとき、開口33の上方の空間は、雰囲気遮断部材38から吐出された筒状のエアーカーテンによって取り囲まれる。 (もっと読む)


【課題】変質、硬化したレジストを短時間に効率よく除去する。
【解決手段】図1に示す洗浄方法は、基板の表面に形成された硬化した不要なレジストを除去するため、一枚毎に洗浄する枚葉装置を用いた洗浄方法である。この洗浄方法は、以下の工程を有する。被洗浄物にレジスト剥離剤を供給する(ステップS1)。その後、被洗浄物にエッチング液を供給する(ステップS2)。その後、ステップS1およびステップS2を少なくとも2回繰り返したか否かを判断する(ステップS3)。少なくとも2回繰り返していない場合(ステップS3のNo)、ステップS1に移行してステップS1以降の処理を引き続き行う。一方、少なくとも2回繰り返した場合(ステップS3のYes)、次工程に移行する。または処理を終了する。 (もっと読む)


【課題】複数の処理チャンバ全体を積層方向に関して小型化できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ハウジング2の内部の収容空間に、第1処理チャンバ10、第2処理チャンバ20および第3処理チャンバ30が、下方から順に積層されている。第1処理チャンバ10の上方には、第1蓋11を介して、第2処理チャンバ20が積層されている。第1蓋11および第2処理チャンバ20が、一体的に、第1処理チャンバ10に対して相対的に昇降する。第2処理チャンバ20の上方には、第2蓋21を介して、第3処理チャンバ30が積層されている。第2蓋21および第3処理チャンバ30が、一体的に、第2処理チャンバ20に対して相対的に昇降する。 (もっと読む)


【課題】基板の外周端部の全体を洗浄することが可能な基板保持回転装置、それを備えた基板洗浄装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Wのベベル洗浄処理時には、マグネットプレート614aが下方位置に配置され、マグネットプレート614bが上方位置に配置される。この場合、マグネットプレート614aの外方領域R1においては各チャックピン615が閉状態となり、マグネットプレート614bの外方領域R2においては各チャックピン615が開状態となる。すなわち、各チャックピン615の保持部615cは、マグネットプレート614aの外方領域R1を通過する際に基板Wの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート614bの外方領域R2を通過する際に基板Wの外周端部から離間する。 (もっと読む)


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