【課題】基板洗浄装置及びその方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置は、基板を支持する支持プレートと基板の上部に具備され基板を保護する遮断部とを含む。遮断部は衝撃波を形成するために光が集結される焦点と隣接する部分が変更される。これにより、基板洗浄装置は衝撃波とともに発生するプルーム及び残留ビームが遮断部の特定領域に集中することを防止し、遮断部の損傷による基板の再汚染を防止できる。 （もっと読む）

【課題】洗浄等の半導体ウェーハの処理方法は大口径化に従って、エッジ部分のダメージ増加、洗浄品質維持、洗浄装置の巨大化、スループットの点で十分とは言えない。
【解決手段】半導体ウェーハの表面を撥水化する撥水工程と、酸化性ガスにより表面を親水化する親水工程とを含む半導体ウェーハの処理方法を提供する。該半導体ウェーハの例としてのシリコンウェーハの撥水化処理は、表面の酸化膜除去を行うことを含んでよい。上記親水化の際に若しくはその前にウェット化又は湿潤化工程を含んでもよい。酸化性ガスは、酸素を含むガス、水蒸気を含むガス、その他半導体ウェーハの表面を酸化できるものを含んでよい。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて基板へのパーティクルの付着可能性を低減することができ、清浄に基板を洗浄することのできる基板洗浄方法及び基板洗浄装置並びに基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、半導体ウエハＷの周縁部を支持する基板支持機構２を具備している。半導体ウエハＷの表面側に設けられた噴射機構４は、常温常圧で気体の洗浄体、例えば、二酸化炭素の少なくとも一部を、固体又は液体の微粒子として噴射ノズル３から半導体ウエハＷの表面に噴射する。半導体ウエハＷの裏面側の加熱機構６は、加熱された気体を気体ノズル５から半導体ウエハＷの裏面に向けて供給し、噴射ノズル３の噴射位置に対応する部位を局所的に加熱する。 （もっと読む）

【課題】アンモニア過水処理以降に、硫酸過酸化水素水のミストが基板に付着することを防止できる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部ＰＣは、４つの硫酸過水処理チャンバ１と、４つのアンモニア過水処理チャンバ２とを備えている。硫酸過水処理チャンバ１内において、ウエハＷに対して、ＳＰＭを用いた硫酸過水処理が行われる。硫酸過水処理後のウエハＷは、硫酸過水処理チャンバ１からアンモニア過水処理チャンバ２へ移送され、アンモニア過水処理チャンバ２内において、ＳＣ１を用いたアンモニア過水処理を受ける。アンモニア過水処理チャンバ２は、硫酸過水処理チャンバ１から隔離されているので、アンモニア過水処理チャンバ２内には、ＳＰＭのミストが存在しない。 （もっと読む）

【課題】収容部材内の薬液ミストを含む雰囲気が処理室内に拡散することを防止できる、基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ２内において、ウエハＷを保持するウエハ回転機構３は、カップ８内に収容された状態で設けられている。カップ８の上端部には、カーテン形成ノズル３０が設けられている。また、処理チャンバ２内には、ウエハＷの表面にＳＰＭを供給するための移動ノズル１４が設けられている。少なくともウエハＷの表面へのＳＰＭの供給中は、カップ８の上方に水カーテンＷＣが形成され、水カーテンＷＣによって、カップ８の内側の空間を含む水カーテンＷＣの内側の空間と水カーテンＷＣの外側の空間とが遮断される。 （もっと読む）

【課題】基板にリンス液を供給する工程の終了後に、基板に薬液ミストが付着することを防止できる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板に対するレジスト剥離処理においては、処理室内において、基板にＳＰＭが供給される。このとき、基板でのＳＰＭの跳ね返りやＳＰＭ中の水分の蒸発などによるＳＰＭのミストが生じ、ＳＰＭのミストが処理室内の空間に浮遊して拡散する。基板へのＳＰＭの供給の終了後、基板にＳＰＭを洗い流すための純水が供給される。この純水の供給と並行して、処理室内の空間に微細な水滴が噴射される。これにより、処理室内の空間に拡散したＳＰＭのミストに微細な水滴がかかり、ＳＰＭのミストが微細な水滴に吸収され、ＳＰＭのミストが処理室内の雰囲気中から排除される。 （もっと読む）

【課題】基板上の液膜を短時間で凍結させることができる基板処理方法および装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに液膜１１ｆ、１１ｂを形成するために基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに供給するＤＩＷを熱交換器６２３Ａにより常温より低い温度に冷却しているため、凍結膜１３ｆ、１３ｂを生成するのに要する時間を短縮することができる。また、液膜形成前において、スローリーク処理を実行することで液膜形成時の流量よりも小さな微小流量で冷却ＤＩＷを配管６２１Ａから流出させて配管６２１Ａ内に冷却ＤＩＷを流通させる。このため、配管６２１Ａ内の冷却ＤＩＷの温度上昇が防止され、液膜形成のためにノズル２７、９７からＤＩＷの吐出を開始すると、短時間で冷却ＤＩＷの液膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板の処理不良を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理部のスピンチャック２１には、スピンベース２２が回転可能に設けられている。スピンベース２２上には、基板Ｗを保持するための複数の保持部２３が設けられている。各保持部２３は、保持部材５２および支持ピン８１を有する。基板Ｗに処理液（薬液）が供給される際には、基板Ｗが支持ピン８１上に支持された状態でスピンベース２２が約３００ｒｐｍで回転される。基板Ｗにリンス液が供給される際には、基板Ｗが保持部材５２により保持された状態でスピンベース２２が約１０００ｒｐｍで回転される。 （もっと読む）

【課題】基板上でのパターン倒れを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、洗浄処理部５ａ〜５ｄを有する。洗浄処理部５ａ〜５ｄは、スピンベース２２、チャック回転駆動機構２４、チャンバ３１、真空ポンプ３３、蒸気供給管３４および液体供給ノズル４６を備える。チャンバ３１がスピンベース２２から離間した位置に設定されかつスピンベース２２が回転されている状態で、スピンベース２２上の基板Ｗに液体供給ノズル４６から薬液およびリンス液が供給される。スピンベース２２が停止されかつチャンバ３１がスピンベース２２に密着した位置に設定されている状態で、真空ポンプ３３によりチャンバ３１内が排気されるとともに蒸気供給管３４からチャンバ３１内にＩＰＡの蒸気が供給される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成された金属薄膜を腐食させることなく、基板表面を良好に洗浄することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに銅配線８１が形成された基板Ｗに対してポリマー除去成分を含む処理液による洗浄処理に続けてＤＩＷによるリンス処理が行われる。このリンス処理中においては、ヴィアホール８３ａ内に入り込んだ処理液を短時間でリンス液に置換することは難しく、ヴィアホール８３ａ内に処理液とリンス液が並存し、このことが銅配線８１のうちヴィアホール８３ａの底部に位置する部分に腐食を発生させる主要因のひとつと考えられるが、処理液の酸化還元電位とリンス液の酸化還元電位の差を２０ｍＶ以下とすることで処理液とリンス液の相互作用を抑えて腐食発生を効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】除去率が高く、ダメージが少ない洗浄処理を行うことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの表面（上面）に極性液体である純水を処理液ノズル３から供給し、ウエハＷの表面を純水で覆う。さらに、処理液ノズル３から純水を吐出させた状態で、純水よりも表面張力が低い低表面張力液体であるＨＦＥの液滴を、純水で覆われたウエハＷの表面に衝突させる。その後、ウエハＷを高速回転させて乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】１３０ｎｍ、９０ｎｍおよび６５ｎｍテクニカル・ノードのプロセス等に適用されるＣｕ-ＣＭＰ工程においては、Ｃｕ配線の腐食を防止する目的で防食剤を添加したスラリが主流となっている。ところが、防食剤を添加したスラリを用いたＣｕ-ＣＭＰ工程について、本願発明者らが検討したところによると、防食剤はＣｕと錯体を形成する場合が多く、異物としてウェハ上に多量に残留し歩留の低下や、Ｃｕ配線におけるＴＤＤＢ特性といった信頼度を劣化させる要因となることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、ポストＣＭＰ洗浄において、ウエハのデバイス面をほぼ水平上向きで、当該面に薬液又は純水等の洗浄液体を供給するとともに、ウエハを水平面内で、ほぼその中心の周りで自転させながらウエット洗浄するときに、その自転速度をデバイス面上における洗浄液体の厚さがほぼ均一になる程度に低速にするものである。 （もっと読む）

【課題】基板の表面上の水分を有機溶剤で置換させた後、基板の表面上の有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥させる方式において、雰囲気遮断板を用いることなく、ガスノズルから基板表面へ乾燥用ガスを供給しつつガスノズルを走査する方法によらずに、基板の表面上にパーティクルが付着したりウォータマークが発生したりすることを抑えることができる方法を提供する。
【解決手段】スピンチャック１０に保持された基板Ｗの表面へ液体供給ノズル６２から有機溶剤を供給し、基板の表面上の水分を有機溶剤で置換させた後、基板の表面上の有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥させる際に、カップ４４内へ気体供給ノズル６４から水蒸気より比重の大きい気体を供給する。水蒸気より比重の大きい気体でカップ内が満たされることにより、カップ内から水蒸気が排除され、カップ内方の基板の表面上の湿度が低くなる。 （もっと読む）

【課題】処理カップ内における気液分離効率を低下させることなく、処理カップからの薬液のミストの漏出を防止または抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理カップ２５の上段には、第２構成部材２２の第２案内部３８の上端部３８ｂと第３構成部材２３の上端部２３ｂとの間に、ウエハＷの端面に対向し、第１薬液を捕獲する第１薬液捕獲口としての第３開口５７が形成される。処理カップ２５内の下段には、傾斜部４１の先端部と第４構成部材２４の傾斜部４６の先端部との間に、第１雰囲気捕獲口５８が形成される。第３開口５７と第１雰囲気捕獲口５８との上下方向における中間位置（中段）に、処理カップ２５内に下降気流を発生するための羽根部材６１が配置されている。羽根部材６１は、スピンチャック３のスピンベース８に、一体回転可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】混合されることで発熱反応を呈する複数種の処理液を十分に混合し、その結果得られた高温の混合処理液を基板に供給すること。
【解決手段】処理液供給ノズル１０４は、横断面が円状の円筒状内壁面２９を有する混合室２１と、混合室２１に硫酸を導入する硫酸導入経路１２２と、混合室２１に過酸化水素水を導入する過酸化水素水導入経路１２３と、混合室２１で生成されたＳＰＭを吐出する吐出口２４とを備えている。硫酸導入経路１２２および過酸化水素水導入経路１２３は、それぞれ、円筒状内壁面２９の周方向に沿って当該円筒状内壁面２９に接続されている。混合室２１の内部に導入された硫酸および過酸化水素水は、円筒状内壁面２９に沿って流れ、円筒状内壁面２９の周方向に回転する渦流となって流下していく。 （もっと読む）

【課題】基板に対する処理の開始が通常のタイミングよりも遅れた場合に、その処理の開始までに生じた不具合を解消することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置では、プロセスレシピに従ったプロセスレシピ制御が２５回繰り返し実行されることにより、２５枚のウエハに対する処理が行われる。２５回のプロセスレシピ制御中に、タイマにより、ウエハへの薬液の供給の停止から次回のプロセスレシピ制御の開始までの時間が計測される。そして、タイマによる計測時間が予め定める基準時間以上であれば、プロセスレシピ制御に割り込んで、プリレシピに従った制御が実行され、プリディスペンス動作が行われる。プリディスペンス動作により、ノズルなどに溜まった薬液が廃棄されるので、プロセスレシピ制御の再開後に、劣化した薬液がウエハに供給されることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄をさらに効率的に実行できる二流体ノズル、およびこの二流体ノズルによって洗浄処理を実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 流路形成部材３１および蓋部材３９は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。流路形成部材４１および蓋部材４９は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。また、各流路形成部材３１、４１の背面同士が合わせられると、洗浄液供給源７１から供給される液体の導入路が形成されるとともに、Ｙ軸方向を長手方向とし、Ｘ軸方向を幅方向とする略長方形状の液体吐出口が形成される。導出部材５１は、流路形成部材３１側から供給される気体の吐出口と、流路形成部材４１側から供給される気体の吐出口と、を形成する部材である。 （もっと読む）

【課題】長期にわたって優れたシール性能を発揮することができるダイヤフラムバルブを提供する。ダイヤフラムバルブの閉状態において、処理流体配管を確実に閉塞することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】フッ素樹脂（ＰＴＦＥまたはＰＦＡ）製の弁座３０の先端部（ダイヤフラム２５に対向する端部）には環状のシール部材２０が配置されている。弁座３０の上面には、弁座３０の内面に連続する環状の段部４５が形成されており、その段部４５にシール部材２０が収容されている。シール部材２０は、フッ化ビニリデン系樹脂（ＦＫＭ）によって形成されており、比較的高い弾性および耐薬性を有している。流路の閉鎖状態で、ダイヤフラム２５と弁座３０との間にシール部材２０が密着状態で介装される。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、スピンベース６から離隔させた状態でウエハＷを水平に保持する複数個の挟持部材７を有するスピンチャック２を備えている。ウエハＷとスピンベース６との間には区画板３２が配置されている。ウエハＷとスピンベース６との間の空間は、区画板３２によって基板側の空間Ｓ１ａとベース部材側の空間Ｓ１ｂとに区画されている。下側処理液吐出口３７から処理液が吐出されることにより、基板側の空間Ｓ１ａに処理液が供給され、ウエハＷの下面が処理される。また、洗浄液吐出口３０から洗浄液が吐出されることにより、ベース部材側の空間Ｓ１ｂに洗浄液が供給され、スピンベース６の上面６ａおよび区画板３２の下面３２ｂが洗浄される。 （もっと読む）

【課題】基板を略水平に保持した状態で所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法において、遮断板を用いた処理技術と同様の遮断効果を得ながらも、より装置の小型化に適した技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの略中央上方にガス吐出ヘッド２００を設ける。ガス吐出ヘッド２００の下部に基板表面Ｗfに向けて開口したガス吐出口２８３から、アルゴンガスを基板表面Ｗfに向けて吐出する。また、ガス吐出口２８３を取り囲むように設けたガス吐出口２９３からは、アルゴンガスよりも比重の小さい窒素ガスを吐出する。これにより、基板表面Ｗfに沿って流れるアルゴンガス層Ｌ1の上に窒素ガス層Ｌ2が形成され、周囲に浮遊するゴミＤやミストＭ等がアルゴンガス層Ｌ1に取り込まれ基板表面Ｗf近傍に運ばれるのを防止する。 （もっと読む）