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Fターム[5F157AB14]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 被洗浄物の支持 (5,429) | 支持手段 (1,596) | 狭むもの、複数の支持手段で挟むもの (475)

Fターム[5F157AB14]に分類される特許

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【課題】この発明は基板に付着残留するレジストを確実に除去することができるようにしたレジスト剥離装置を提供することにある。
【解決手段】基板の表面に付着残留するレジストを除去するレジスト剥離装置であって、
硫酸を供給する第1の供給管32と、オゾンガスを供給する第2の供給管33と、第1の供給管から供給される硫酸を第2の供給管から供給されるオゾンガスによって霧化させて基板に向けて噴射する上部ノズル体31と、硫酸とオゾンガスの供給量をそれぞれ制御する第1、第2の開閉弁38,39及び制御装置14を具備する。 (もっと読む)


本発明の実施例は、洗浄溶液を半導体ウエハの一以上の表面に供する最適化されたすすぎ洗浄システム及び方法を供する。本発明の実施例は、製造サイクルにおける様々な時点でのウエハの処理に適用されて良い。前記ウエハは一層以上の金属層を有して良い。
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【課題】短時間で多連バルブ内をリンス液で確実に洗い流し、ひいては、高いスループットでウエハを処理すること。
【解決手段】液処理方法は、薬液供給バルブ11aと、リンス液供給バルブ12aと、排出バルブ11bを有する多連バルブ10と、多連バルブ10を経た薬液Cおよびリンス液Rを被処理体Wに向かって案内する洗浄液供給管5を介して、被処理体に薬液およびリンス液を供給して処理する。液処理方法は、薬液供給バルブ11aを開状態にして薬液Cを被処理体Wに供給する薬液供給工程と、当該薬液供給工程の後に行われ、リンス液供給バルブ12aと排出バルブ12bの両方を開状態にして、リンス液供給部から供給されるリンス液Rの一部を被処理体Wに供給するとともに、該リンス液Rの残部を多連バルブ10内で排出路2bに向かって流すバルブリンス工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】微小サイズの異物が排除された状況下でナノインプリント用のテンプレートを洗浄することが可能なテンプレート洗浄方法、洗浄システム、及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】ナノインプリント用のテンプレート(301)を洗浄するテンプレート洗浄装置(101)であって、前記テンプレート洗浄装置は、ウエハ(201)及び前記テンプレートを収容するためのチャンバ(111)と、前記チャンバ内に設けられ、前記ウエハ及び前記テンプレートを設置可能なステージ(131)と、前記ウエハ及び前記テンプレートを前記チャンバ内に搬送可能な搬送アーム(123)とを備える。 (もっと読む)


【課題】処理を行う基板に対して歩留りが低下するのを防止できる基板処理装置、基板処理方法、及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる基板処理装置100は、基板101に処理液を供給してスピン処理を行う基板処理装置100であって、基板101を保持して回転させる吸着ステージ102と、吸着ステージ102上に載置された基板101を支持する支持ピン103と、支持ピン103が複数設けられたリング104と、リング104を上下に移動させるベローズバルブ105と、を備えるものである。 (もっと読む)


【課題】基板の処理不良を防止できる基板保持装置を提供する。
【解決手段】基板保持装置は、基板支持部材100及び回転調節部450を具備する。基板支持部材100は、基板がローディングされ、回転できる支持プレート111と、該支持プレート111に設置され、支持プレート111にローディングされた基板の側面で基板のエッジを支持して支持プレート111の上面から離隔させ、各々自転して支持されている前記基板を回転させる多数のチャッキングピン112とを具備する。回転調節部450は、支持プレート111の下に設置され、各チャッキングピン112の自転を調節する。チャッキングピン112は、工程の時基板を回転させて基板がチャッキングピンと接点される位置を変更させるため、チャッキングピンに当たった処理液が基板上に落ちる位置が継続変更される。 (もっと読む)


【課題】第1ロール及び第2ロールが基板に接触する位置を正確に検知し、第1ロール及び第2ロールの押し付け量を適正に設置できる基板処理装置のロール間隙調整方法を提供すること。
【解決手段】基板治具50と、第1ロール治具40−1と、第2ロール治具40−2を用意し、基板治具50の外周部をコマ12の円周溝12aに挿入して支持し、基板治具50の裏面と第2ロール治具40−2の間の間隙が所定値になるように調整して位置決めし、該位置決めして第2ロール治具40−2に第1ロール治具40−1を対向させ、第2ロール治具と該第1ロール治具の間の間隙が所定値になるよう調整して位置決めし、しかる後、第1ロール治具40−1を保持する第1ロール回転機構17に第1ロールを、第2ロール治具40−2を保持する第2ロール回転機構18に第2ロールを保持させる。 (もっと読む)


【課題】基板をより安定的に支持できるスピンヘッドを提供する。
【解決手段】本発明によるスピンヘッドは、支持板と、基板の側面を支持するように前記支持板に設置される複数のチャックピンと、前記支持板の中心から外側に向かう第1方向と垂直な第2方向に沿って前記チャックピンを移動させるチャックピン移動ユニットを包含することを特徴とする。
このような特徴によると、支持板の回転による遠心力がチャックピンに及ぶ影響を最小化して基板を安定的に支持できるスピンヘッドを提供できる。 (もっと読む)


【課題】基板表面上の処理液を溶剤で置換した後に当該溶剤を基板表面から除去して当該基板表面を乾燥させる基板処理方法および基板処理装置において、基板表面に水滴が付着するのを防止して乾燥性能を高める。
【解決手段】基板表面Wfの上方位置に遮断部材64が配置されている。この遮断部材64の中央部にはIPA液供給路が設けられており、当該IPA液供給路に対してIPA液供給ユニットが接続されており、所定温度にまで加熱された高温の100%IPA液(高温IPA液)を基板表面Wfに向けて吐出可能となっている。そして、置換処理を行う際には、高温IPA液を基板表面Wfに供給することで基板表面Wf上のリンス液を置換している。このため、基板表面Wf上のリンス液が高い置換効率で高温IPA液に置換されてスピン乾燥処理前に基板表面Wf上に残存するリンス液の量を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】基板を支持して基板を回転させるスピンヘッドとこれを有する基板処理装置及び基板支持方法を提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、本体、本体上に設置されて基板を支持する支持位置と基板のローディング/アンローディングするための空間を提供する待機位置との間で移動する複数のチャックピン、及び複数のチャックピンを移動させるチャックピン移動ユニットを備える。チャックピン移動ユニットは、チャックピンが結合される回転ロッド、回転ロッドを本体に固定する軸ピン、及びチャックピンが支持位置から待機位置へ移動するように軸ピンを回転軸として回転ロッドを回転させる駆動部材を含む。回転ロッドは、本体が回転する時に逆遠心力によってチャックピンに待機位置から支持位置に向かう方向に力を加えるように提供される。複数のチャックピンは、第1ピンと第2ピンを有し、第1ピンと第2ピンは、工程進行の時に基板を交叉チャッキングする。 (もっと読む)


【課題】配管を介して供給される冷却流体によって基板を処理する基板処理装置において、低い温度に保たれた冷却流体を安定的に基板に供給する。
【解決手段】二重配管71により冷却ガスが処理チャンバ1内の冷却ガス吐出ノズル3に供給される。二重配管71は円環プレート81に保持され、さらに円環プレート81がベローズ82により処理チャンバ1に対して移動自在に連結されている。このため、二重配管71のうち処理チャンバ1内でノズル3と接続された冷却ガス供給管部71Bは、冷却ガス吐出ノズル3の走査移動に伴い大きく移動変位するが、その移動に伴いプレート81が移動して冷却ガス吐出ノズル3との距離がほぼ一定値に保たれて冷却ガス供給管部71Bはほぼ直線状態を維持したまま変位する。このように冷却ガス供給管部71Bが湾曲変形するのを抑制し、冷却ガス供給管部71Bの移動により発生する負荷が抑制される。 (もっと読む)


【課題】基板の裏面の内周部から外周部の周縁部分に至る領域に対して均一に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Wの裏面Bに対して揺動させながら液体を供給する揺動ノズル装置40と、複数の種類の液体を基板の裏面に対して供給する液体供給ノズル装置70とを備え、液体供給ノズル装置40は、基板の裏面に対面して配置される円板77を有し、円板77には、複数の種類の液体を吐出すための複数のノズル81〜86が形成されており、複数のノズル81〜86は、円板77の中心軸CLを中心とする直径の異なる複数の円周方向に配列されている。 (もっと読む)


【課題】処理の均一性を向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Wの上面に遮断板4の下面を対向させた状態で、基板Wと遮断板4との間に処理液を供給して、基板Wと遮断板4との間を処理液によって液密にする。そして、基板Wと遮断板4との間が処理液によって液密にされた状態で、基板Wと遮断板4とを鉛直軸線まわりに相対回転させる。 (もっと読む)


【課題】基板処理部に対する処理液の供給流量を調整するときの調整時間を短縮することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Wを処理液で処理するための処理ユニット6と、処理ユニット6に処理液を供給するための処理液供給配管14と、処理液供給配管14に介装され、開度を変更するためのモータ24を有するニードルバルブ15とを備えている。処理液供給配管14およびニードルバルブ15は、流体ボックス7内に収容されており、この流体ボックス7によってニードルバルブ15全体が覆われている。制御部8がモータ24を制御してニードルバルブ15の開度を変更することによって、処理ユニット6に対する処理液の供給流量が変更される。 (もっと読む)


【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。 (もっと読む)


【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる (もっと読む)


【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる際に用いられる半導体基板の表面処理剤を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理剤は、半導体基板上に形成され、少なくともそれぞれの一部にシリコンを含む膜を有し、表面が洗浄及び改質され、表面にヒドロキシル基を有する複数の凸形状パターンに対して供給されるものであって、前記ヒドロキシル基と反応する加水分解基を含み、前記シリコンを含む膜の表面に、前記シリコンを含む膜よりも水に対する濡れ性の低い撥水性保護膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。 (もっと読む)


【課題】薬液を用いてハードマスクを除去する際に、薬液を回収して再利用することができる液処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハに形成された被エッチング膜を、所定パターンに形成されたハードマスク層をエッチングマスクとして用いてエッチングした後、ハードマスク層およびエッチングの際に付着したポリマーを薬液で除去する液処理方法は、ウエハを回転させながらウエハに薬液を供給してハードマスク層を除去し、処理後の薬液を廃棄する第1工程と、第1工程によりハードマスク層の残存量が、処理後の薬液を回収して再利用することが可能となる量となった際に、廃棄していた処理後の薬液を回収して当該液処理に供するように切り替える第2工程と、第2工程の後、ウエハを回転させながら、薬液を回収して再利用しつつ、薬液によりハードマスク層の残部およびポリマー、またはポリマーを除去する第3工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Wを水平に保持するスピンチャック3と、スピンチャック3に保持された基板Wの中央部上方に配置され、気体吐出口55から基板Wに沿って窒素ガスを放射状に吐出して、基板Wを覆うための窒素ガスの流れを形成する気体吐出ノズル6とを含む。 (もっと読む)


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