【課題】凸形状部の倒壊をより確実に防止するだけではなく、被処理体の処理効率を高くすること。
【解決手段】液処理装置は、本体部９１と、本体部９１に設けられた複数の凸形状部９２とを有する被処理体９０を処理する。液処理装置は、被処理体９０の本体部９１を支持する支持部５０と、支持部５０によって支持された被処理体９０に薬液を供給する薬液供給機構１と、薬液供給機構１によって薬液が供給された後の被処理体９０に、リンス液Ｒを供給するリンス液供給機構１０と、を備えている。液処理装置は、リンス液供給機構１０によってリンス液Ｒが供給された後の被処理体９０に、疎水化ガスを噴出して供給する疎水化ガス供給機構２０も備えている。 （もっと読む）

【課題】 この発明は基板の乾燥処理を迅速かつ確実に行なうことができるようにしたスピン処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理槽１と、この処理槽内に設けられた上面に開口部を有するカップ体２と、このカップ体内に設けられ基板を保持して回転駆動される回転テーブル１６と、上記処理槽の上部に設けられこの処理槽内に清浄空気を導入するファン・フィルタユニット３２と、このファン・フィルタユニットから上記処理槽内に供給された清浄空気を上記カップ体の内部空間を通じて排出する排出管５及び排出ポンプ６と、上記カップ体の上方で少なくとも上記基板の上面よりも径方向外方に配置され上記基板に加熱用の光線を照射するランプ５１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板を水平に保持するスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板の中央部近傍に配置され、環状の上側気体吐出口４３と、上側気体吐出口４３よりもスピンチャック側に配置された環状の下側気体吐出口６６とを有し、当該基板の上面に沿って上側気体吐出口４３および下側気体吐出口６６からそれぞれ気体を放射状に吐出する気体吐出ノズル１１と、気体吐出ノズル１１に気体を供給する第１および第２気体供給管２３、２５とを含む。 （もっと読む）

【課題】リンス処理時間の低減、及び、リンス液の使用量を低減させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】第１の処理液で処理してから第２の処理液で処理する基板処理装置１００は、第１、第２の処理液を半導体ウェーハに向けて供給する上部ノズル体５１及び斜方ノズル体７１と、半導体ウェーハＷ上面の膜厚を検出可能な膜厚検出手段８１，８２と、各処理液及び処理の特性等の情報を記憶したデータベース９０と、膜厚検出手段により検出された膜厚とデータベース９０に記憶された情報とに基いて、半導体ウェーハＷ上の液膜が第１の処理液から第２の処理液へと置換されたか否かを判定する制御装置７と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】複数の基板処理部が搬送路に沿って配列されている場合でも、基板搬送時間の増加を抑制または回避することができる基板処理装置および基板搬送方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、複数の処理ユニット６と、シャトルＳＴと、メインロボットＭＲと、ＭＲ移動機構７と、シャトル移動機構とを含む。複数の処理ユニット６は、それぞれ基板Ｗを１枚ずつ処理するためのものであり、搬送路Ｃ１に沿って配列されている。また、シャトルＳＴは、基板Ｗを待機させておくためのものであり、搬送路Ｃ１に沿って移動可能に設けられている。また、メインロボットＭＲは、シャトルＳＴと各処理ユニット６との間で基板Ｗを搬送するためのものであり、搬送路Ｃ１に沿って移動可能に設けられている。シャトル移動機構は、搬送路Ｃ１に沿ってシャトルＳＴを移動させる。また、ＭＲ移動機構７は、搬送路Ｃ１に沿ってメインロボットＭＲを移動させる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理品質を向上させつつ基板の処理コストを十分に低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽４から引き上げられる基板Ｗに気体供給ダクト６２から気体が供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。気体供給ダクト６２は、主管１４１および２つの分岐配管１４２ａ，１４２ｂからなる配管１４０を介してドライエア発生装置１１０およびファンユニット１２０と接続されている。ドライエア発生装置１１０は分岐配管１４２ａを通して気体供給ダクト６２にドライエアを供給し、ファンユニット１２０は分岐配管１４２ｂを通して気体供給ダクト６２に大気を供給する。各分岐配管１４２ａ，１４２ｂには、制御バルブ１３０ａ，１３０ｂが介挿されている。制御バルブ１３０ａ，１３０ｂの開閉状態に応じてドライエアおよび大気のいずれか一方が気体供給ダクト６２に供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する処理液の膜厚を均一にすることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】半導体ウェーハＷを保持して回転駆動される回転テーブル１６と、先端部に処理液を半導体ウェーハに向けて噴射する上部ノズル体５１及び斜方ノズル体７１と、制御装置７と、を有し、上部ノズル体５１は、噴射する処理液の温度及び濃度を調整可能な第１温度調整ユニット６１及び第１濃度調整ユニット６２を具備し、斜方ノズル体７１は、噴射する処理液の温度及び濃度を調整可能な第３温度調整ユニット７６及び第２濃度調整ユニット７７を具備し、制御装置７は、上部ノズル体５１及び斜方ノズル体７１から噴射する処理液の温度及び濃度の少なくとも一方を調整することで半導体ウェーハＷ上の処理液の液膜の膜厚を調整する。 （もっと読む）

【課題】基板の下面への処理液による処理時にのみ対向部材を当該基板の下面に近接させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】下面処理液配管１０の管壁の途中部には、ベローズ部２４が設けられている。下面処理液配管１０内を処理液が流通するときは、その処理液の圧力によってベローズ部２４が伸長状態となり、下面処理液配管１０内を処理液が流通しないときよりも、下面処理液配管１０の配管長が長くなる。下面処理液配管１０の上端部に、対向棒２０が固定されている。処理液の吐出時には、対向棒２０を前記近接位置に位置し、また、処理液を吐出しないときは、対向棒２０を前記離間位置に位置する。 （もっと読む）

【課題】生産性を著しく損なうことなく、処理液の成分濃度を補正することができる処理液供給装置および処理液供給方法を提供する。
【解決手段】処理液投入管２５に介装された混合部２６には、成分液供給管３１，３２，３３からの成分液（第１薬液、第２薬液および純水）が供給される。これらの成分液混合部２６で混合された後に、処理液槽１０に投入される。処理液槽１０の処理液１４の成分濃度は、成分濃度測定器２０によって測定される。いずれかの成分濃度の不足が検出されると、処理液槽１０内の液面を補給停止液面高まで上昇させるために補給すべき処理液の総量（補給総量）が求められる。この補給総量に基づき、不足成分の濃度を補正できるように各成分液の個別補給量が求められる。この個別補給量の比に等しい流量比で、複数の成分液が混合部２６で混合されて、処理液投入管２５から処理液槽１０に供給される。 （もっと読む）

【課題】構成を簡素化し、コストを削減しながら、複数の処理部に処理液を安定して供給可能な処理液供給装置および処理液供給方法を提供する。
【解決手段】薬液キャビネット１は、基板Ｗに処理液による処理を施すための複数の基板処理部５に処理液を供給する。薬液キャビネット１は、複数の成分液供給源１１〜１５と、成分液を導く複数の成分液供給路２１〜２５と、これらの成分液供給路２１〜２５によって導かれた成分液を合流させて混合することにより処理液を生成する混合部７０と、混合部７０から複数の基板処理部５に処理液を分配する処理液分配路７１とを備えている。成分液供給路２１〜２５には、それぞれ自動流量調整弁５１〜５５が介装されている。成分液供給源１１〜１５と自動流量調整弁５１〜５５との間には、成分液レギュレータ３１〜３５が介装されており、成分液供給路２１〜２５の成分液供給圧力を等圧に制御する。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上を図ることができる、基板処理装置および基板受渡方法を提供する。
【解決手段】ハンド９の上下面に、それぞれウエハＷを保持するための４つの支持突起２３および４つの挟持部材２４が備えられている。そのため、次の４つの動作ステップ１〜４で、ハンド９によるスピンチャックに対するウエハＷの受け取りおよび受け渡しが達成される。
１．４つの支持突起２３にウエハＷが保持されている状態で、ハンド９がスピンチャックと対向する位置に進出される。
２．スピンチャックに支持されているウエハＷが４つの挟持部材２４により保持されて、スピンチャックから４つの挟持部材２４にウエハＷが受け取られる。
３．４つの挟持部材２４によるウエハＷの受け取りに前後して、４つの支持突起２３からスピンチャックにウエハＷが受け渡される。
４．ハンドがスピンチャックと対向する位置から退避される。 （もっと読む）

超音波／メガソニック装置を用いた半導体基板の洗浄方法は、以下の工程を含む。つまり、チャックを用いて半導体基板を固定する工程と、超音波／メガソニック装置を半導体基板に隣り合うように配置する工程と、半導体基板上、及び、半導体基板と超音波／メガソニック装置との間の隙間に、薬液を注入する工程と、洗浄工程中のチャックの各回転毎に半導体基板又は超音波／メガソニック装置を時計回り又は反時計回りに回転することにより、半導体基板と超音波／メガソニック装置との間の隙間を変化させる工程とを含む。
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【課題】大型化することなく、処理室内からの処理流体を含む排気を、所望の個別排気管に良好に導くことができる基板処理装置を提供すること。また、３つの個別排気管が全て閉塞することを確実に防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室からの排気が集合管４５に導入される。排気切換器５０は、集合管４５から排気が導入される排気導入室５４と、排気導入室５４の内部に回転可能に設けられた回転板５５とを備えている。排気導入室５４の側壁５９には、３つの導出接続孔６２，７２，８２が、回転軸線Ｃを中心とする円周上に等角度間隔に貫通して形成されている。各導出接続孔６２，７２，８２には、個別排気管６０，７０，８０の上流端が接続されている。回転板５５の回転軸線Ｃまわりの回転に伴って、選択孔４９が３つの導出接続孔６２，７２，８２と順に対向する。 （もっと読む）

【課題】開口を通過する基板の汚染を、より効果的に防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャッタ機構１９は、開口１７を覆うことができる第１シャッタ２０と、側壁２Ａにおける開口１７の上部分である上部領域ＡＵを覆うことができる第２シャッタ２１と、第１シャッタ２０および第２シャッタ２１を昇降させる第１移動機構３０とを備えている。第１移動機構３０は、第１シャッタ２０および第２シャッタ２１を、第１シャッタ２０が開口１７を閉塞し、第２シャッタ２１が上部領域２ＡＵの大部分を覆う閉状態と、第１シャッタ２０および第２シャッタ２１がパスラインＰＬよりも下方に退避する開状態との間で、鉛直姿勢を維持させつつ昇降させることができる。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスを行う場合であっても、処理効率の低下を抑制することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】薬液供給源１４には、第１循環配管ＣＰ１、第２循環配管ＣＰ２、第３循環配管ＣＰ３および第４循環配管ＣＰ４の両端が接続されている。第１循環配管ＣＰ１における第１処理部Ｐ１の流通方向の上流側の部分には、第１薬液バルブ２１が介装されている。第１循環配管ＣＰ１における第１薬液バルブ２１と第１処理部Ｐ１と間の部分には、第１純水配管２２の先端が分岐接続されている。第１循環配管ＣＰ１における第１処理部Ｐ１の流通方向の下流側の部分には、第１廃液配管２４が分岐接続されている。第１循環配管ＣＰ１における第１廃液配管２４の廃液分岐部分ＤＷ１には、第１の３方弁２５が介装されている。 （もっと読む）

【課題】基板面内に、洗浄ブラシの回転方向と基板の回転方向とが同じとなる部分の割合が非常に少なく、回転方向の同じ部分と反対の部分とが存在することに起因する基板面内での洗浄能力のばらつきが小さく、高い洗浄効果が得られる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板１を保持し、基板１を回転させる基板回転手段３０と、基板面と平行で基板回転軸ａと交差するブラシ回転軸の延在方向に並べて配置された２つの洗浄ブラシ７、８（１０）を備え、２つの洗浄ブラシ７、８（１０）がブラシ回転軸を中心として相反する方向に回転されるものであって、各洗浄ブラシ７、８、１０が基板１の回転方向と反対方向に回転される一対のブラシ４０（５０）と、一対のブラシを回転させるとともに、ブラシ回転軸の延在方向に一対のブラシを往復移動させるブラシ駆動手段１２とを備える基板洗浄装置２０とする。 （もっと読む）

【課題】基板の回転数を高くしかつ処理カップ内の排気を低排気量で行っても排気流の逆流を抑え、基板へのミストの再付着を低減できる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】下降気流が形成されている処理カップ３３にて回転しているウエハＷに対してレジスト液を塗布するレジスト塗布装置において、処理カップ３３のスピンチャック３１に保持されたウエハＷの外周近傍に隙間を介して当該ウエハＷを取り囲むように環状に設けられ、その内周面の縦断面形状が外側に膨らむように湾曲して下方に伸びる上側ガイド部７０と、前記ウエハＷの周縁部下方より外側下方へ傾斜した傾斜壁４１及びこの傾斜壁４１に連続し、下方へ垂直に伸びる垂直壁４２から構成された下側ガイド部４５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】近年、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、窒化シリコン膜等が有する応力に起因する歪を利用したキャリア移動度向上技術が活用されている。これに伴って、ウエハの表側における複雑なデバイス構造上の窒化シリコン膜を高選択で除去するため、熱燐酸によるバッチ方式ウエット処理が必須となっている。これによって、ウエハの裏面の窒化シリコン膜も除去され、一群の歪付与工程の後のプロセスにおいては、ウエハの裏側の表面はポリ・シリコン部材ということとなる。しかし、一般的なウエハの裏面等の洗浄に使用する方法は、裏面が窒化シリコン膜等であることを前提とするものであり、その特性の異なるポリ・シリコン主体の裏面を有するウエハでは洗浄の効果が十分といえない恐れがある。
【解決手段】リソグラフィ工程の前に、ＦＰＭ処理の後ＳＰＭ処理を実行する２工程を含むウエハ裏面に対するウエット洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面周縁部に形成された上層のみを選択的にエッチング除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面周縁部ＴＲに形成された難溶性層ＵＬに薬液を供給して難溶性層ＵＬをエッチング除去している間、難溶性層ＵＬの基板端面側にリンス液を供給してカバーリンス部ＣＬを形成し、難溶性層ＵＬのエッチング除去により露出してしまった下地層ＤＬをリンス液で覆っている。このため、下地層ＤＬに流れてくる薬液を薄めるとともに洗い流して露出した下地層ＤＬが薬液によりエッチングされるのを抑制することができる。このように難溶性層ＵＬの基板端面側にカバーリンス部ＣＬを設けて露出した下地層ＤＬを保護した状態でエッチング処理を行っているため、基板Ｗの表面周縁部ＴＲに形成された難溶性層ＵＬのみを選択的にエッチング除去することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着した液体を大気圧雰囲気で除去して基板を良好に乾燥させることができる基板乾燥装置および基板乾燥方法を提供する。
【解決手段】凍結膜１２を構成するＤＩＷの凝固点よりも低温で、かつ凍結膜１２の温度よりも低い露点を有する凍結乾燥用窒素ガスが基板表面Ｗｆに向けて継続して供給される。このため、凍結乾燥用窒素ガス中の水蒸気の分圧は凍結膜１２の蒸気圧（昇華圧）よりも低く昇華乾燥が進行する。また、昇華により発生した水蒸気成分は凍結乾燥用窒素ガスの気流に乗って基板表面Ｗｆから取り除かれるため、水蒸気成分が液相や固相に戻り基板表面Ｗｆに再付着するのを確実に防止することができる。このように大気圧雰囲気で基板表面Ｗｆに付着したリンス液を良好に除去して基板Ｗを乾燥させることができる。 （もっと読む）