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Fターム[5F157AB14]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 被洗浄物の支持 (5,429) | 支持手段 (1,596) | 狭むもの、複数の支持手段で挟むもの (475)

Fターム[5F157AB14]に分類される特許

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【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Wは、処理容器10内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、N2 とH2 との混合ガスがプラズマ発生部30に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにNF3 ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段22により冷却され、活性化されたNF3 ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Wの表面に形成される。N2 、H2 及びNF3 ガスの供給が停止され、加熱手段19で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 (もっと読む)


【課題】基板へのダメージを抑制しながら基板表面上のパーティクルを効率的に除去することができる基板洗浄装置および方法を提供する。
【解決手段】基板表面Wf上の液膜LFに対して振動付与位置で超音波振動が与えられる。また、これに同時に、その振動付与位置と異なる液滴滴下位置で洗浄液の液滴が液膜に供給されて超音波振動と異なる波立振動が液膜に与えられる。これによって、基板表面Wfに付着していたパーティクルが単に超音波振動を加えた場合に比べて格段に向上する。したがって、基板Wにダメージを与えない程度に超音波振動の出力や周波数などを設定したとしても、波立振動によりパーティクルを効果的に除去して基板表面Wfを良好に洗浄することができる。 (もっと読む)


【課題】 この発明は回転テーブルの回転数を増大させても、処理槽内の圧力が上昇するのを防止できるようにしたスピン処理装置を提供することにある。
【解決手段】 半導体ウエハ10を回転させて処理するスピン処理装置において、
処理チャンバ1と、この処理チャンバ内に設けられたカップ体2と、このカップ体内に設けられ上記半導体ウエハを保持して駆動モータ8により回転駆動される回転テーブル5と、この回転テーブルの回転速度に応じて変化する上記処理チャンバ内の圧力を制御する制御装置35とを具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板を支持する基板支持部材上の汚染物質を除去する枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法を提供する。また、高温の薬液による基板支持部材の熱変形を最小化できる枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板支持部材200に上向離隔された状態で支持された基板Wの下面に薬液を噴射して基板Wを処理し、基板支持部材200の上面に洗浄液を噴射して基板支持部材200上に残留する薬液を除去する。基板支持部材200の熱変形は、一連の反復的な基板処理工程後、常温状態の洗浄液を用いて基板支持部材200を洗浄することで最小化することができる。 (もっと読む)


【課題】円形基板を加圧された気体と処理薬液を混合し吐出させて洗浄処理において、基板面内を均一に洗浄する基板処理方法を提供する。
【解決手段】加圧された気体と薬液を混合し、ミストを形成する2流体ノズルを用いて、パターン形成された基板にミストを吐出する処理を行うことで、基板上のパーティクルを除去することができる。その基板処理において、2流体ノズル移動速度vの基板動径成分vrが、基板中心からの距離rに反比例するように設定することで、基板面内において、単位面積あたりの洗浄走査時間のばらつきを低減し、洗浄ばらつきを低減する。 (もっと読む)


【課題】基板上の不要物を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】バキュームチャック11の上方には、ほぼ円錐形状の遮断板12が配置されている。遮断板12の下面121には、それぞれエッチング液、純水および窒素ガスを吐出する開口122a,122b,122cが形成されている。エッチング液、純水および窒素ガスは、ウエハWの回転半径外方に向かうにつれてウエハWに近づくように傾斜した方向に吐出されて、それぞれウエハWの表面のエッチング液供給位置Pe、純水供給位置Pdおよび窒素ガス供給位置Pnに供給される。 (もっと読む)


【課題】被処理基板が基板保持機構によって適切に保持されているかを誤検知することなく正確に判断することができ、製造コストを低く抑えることができ、さらに、処理中に被処理基板が破損したとしても直ちにその破損を検知することができる。
【解決手段】処理装置1は、ウエハWを保持する基板保持機構20と、ウエハWに処理液を供給する処理液供給機構30と、ウエハWを周縁外方から覆うとともに、基板保持機構20と一体となって回転可能な回転カップ61と、を備えている。基板保持機構20は、一端22aでウエハWを保持しているときには他端22bが上方位置に位置し、他方、一端22aでウエハWを保持していないときには他端22bが下方位置に位置する保持部材22を有している。当該保持部材22の他端22bの下方に、保持部材22の他端22bが下方位置に位置しているときに当該保持部材22の他端22bに接触可能な接触式センサー10が配置されている。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Wの回転速度が600rpmから10rpmに減速されてDIW液膜がパドル状に形成される。そして、DIW供給停止後、所定時間(0.5秒間)が経過してパドル状の液膜の膜厚t1がほぼ均一になるのを待って、IPAが基板表面Wfの表面中央部に向けて例えば100(mL/min)の流量で吐出される。このIPA供給によって、基板Wの表面中央部ではDIWがIPAに置換されて置換領域SRが形成される。さらにIPA供給から3秒が経過すると、基板Wの回転速度が10rpmから300rpmに加速される。これによって、置換領域SRが基板Wの径方向に拡大して基板表面Wfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 (もっと読む)


【課題】所望の粒径の微粒子を所望の速度にて基板に向けて噴射する。
【解決手段】基板処理装置では、第1ノズル部41aおよび第2ノズル部41bから衝突位置P1に向けて純水の1次微粒子を噴射することにより、1次微粒子よりも粒径が小さい2次微粒子がカバー部42の内部空間421内に生成され、気体送出部43から衝突位置P1に向けて窒素ガスが送出されることにより、2次微粒子が基板9に噴射される。ノズルユニット4では、第1ノズル部41aおよび第2ノズル部41bに供給される純水および窒素ガスの流量を調整することにより、各ノズル部から所望の粒径の1次微粒子が噴射されるとともに、各ノズル部からの1次微粒子の衝突により所望の粒径の2次微粒子が生成される。そして、気体送出部43から送出される窒素ガスの流量を調整することにより、所望の粒径の2次微粒子を所望の速度にて基板9上の所望の範囲に向けて噴射することができる。 (もっと読む)


【課題】シリコンウェハに付着した不純物に対する洗浄力を向上させることができるシリコンウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】マイクロバブル生成装置50がマイクロバブルを洗浄液内に生成し、スプレーノズル12にマイクロバブルを含む洗浄液(マイクロバブル含有洗浄液)を圧送し、スプレーノズル12から洗浄タンク11内に載置された複数のシリコンウェハWに均一に噴霧状のマイクロバブル含有洗浄液を吹き付けてシリコンウェハWをスプレー洗浄する。また、洗浄液供給装置23にマイクロバブル含有洗浄液を圧送し、洗浄液供給装置23から噴霧状のマイクロバブル含有洗浄液をスクラビングブラシ22に供給し、一方順次スプレー洗浄装置10によって洗浄されたシリコンウェハWを搬送し、各スクラビングブラシ22のニップ部においてマイクロバブル含有洗浄液の存在下でブラシ25によってシリコンウェハWをブラシスクラビング洗浄する。 (もっと読む)


プレート状物体を保持、回転させるスピンチャックと、該プレート状物体の該スピンチャックに面する側に非回転流体ノズルを通して流体を導く流体供給手段と、を具備するプレート状物体のウェット処理用の装置が開示されるが、該スピンチャックは該プレート状物体を該プレート状物体のエッジで保持する手段と、該プレート状物体のスピンチャックに面する側に向かうようガスを導くガス供給手段と、を備えており、該ガス供給手段は該プレート状物体と該スピンチャックの間にガスクッションを提供するために該スピンチャックと共に回転するガスノズルを有している。 (もっと読む)


【課題】基板に付着させた液膜を凍結させる技術を用いた基板洗浄方法および基板洗浄装置において、パーティクル除去率を向上させる。
【解決手段】基板表面WfにSC1溶液(アンモニア水と過酸化水素水とを含む混合溶液)を供給して基板表面WfにSC1溶液で構成された液膜11を形成する。続いて、液膜11を凍結させて基板表面Wfに凍結膜13を形成する。その後、基板表面Wfに向けてSC1溶液を供給して基板表面Wfから凍結膜13を除去する。このように、パーティクルに対してSC1溶液による除去効果を常に発揮させながら、液膜11の凍結時の体積膨張による除去効果を重畳して作用させているので、基板Wからパーティクルを効果的に除去することができる。 (もっと読む)


【課題】基板に対して、高温の処理液を用いた処理を良好に施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】内側成部材20の案内部24の外側壁面37におけるSPM液の着液位置には、その外側壁面37に着液するSPM液を冷却するための第1冷却管38が配設されている。第1冷却管38は、回転軸線Cを中心軸線とする螺旋形状に形成されている。外構成部材30の内側壁面47におけるSPM液の着液位置には、その内側壁面47に着液するSPM液を冷却するための第2冷却管48が配設されている。第2冷却管48は、回転軸線Cを中心軸線とする螺旋形状に形成されている。
【効果】内構成部材20および外構成部材30の変形をそれぞれ防止することができる。 (もっと読む)


【課題】この発明は半導体ウエハをスポンジブラシによって所定の洗浄度合に洗浄できるようにしたブラシ洗浄装置を提供することにある。
【解決手段】回転テーブル11に保持された半導体ウエハ22を回転駆動されるスポンジブラシ38によって洗浄するブラシ洗浄装置において、上記回転テーブルを回転駆動するモータ16と、上記洗浄ブラシを回転駆動するモータ34と、上記スポンジブラシを上記被洗浄物の径方向に沿って揺動させる揺動機構32と、上記スポンジブラシを半導体ウエハの径方向中心部から外方へ揺動させたときに上記スポンジブラシの上記半導体ウエハに接触する端面と上記半導体ウエハの上記端面が接触する部分との相対速度が所定値以上になるよう上記角モータを制御する制御装置64とを具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】処理液を用いた処理を、安定的に基板に施すことができる基板処理装置を提供すること、および、このような基板処理装置に適用可能な処理液成分補充方法を提供すること。
【解決手段】薬液キャビネット制御部72は、処理ユニット4〜7の薬液バルブ33の開時間を取得し、その薬液バルブ33に関する累積開時間を算出するとともに、4つの処理ユニット4〜7の4つの薬液バルブ33の累積開時間の合計を算出する。薬液バルブ33の累積開時間の合計が予め定める時間に到達すると、成分補充ユニット3は予め定める量の第1成分、第2成分および第3成分を、それぞれ、薬液タンク40に補充する。
【効果】薬液タンクに溜められている薬液の濃度をほぼ一定に保つことができる。 (もっと読む)


【課題】別の処理ユニットからのケミカル雰囲気の進入を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部42、及び基板に処理液を供給する供給ノズル61と、この供給ノズル61を待機位置から基板保持部42の上方に旋回させるシャフト63とを有する処理液供給部41を備えた複数の基板処理部22と、基板処理部22の各々を互いに独立して収容する複数のチャンバ43と、待機位置の各々に設けられ、供給ノズル61から吐出される処理液を受ける排液ポート82と、排液ポート82の各々が接続され、複数の基板処理部22で共有される主排液配管81と、排液ポート82と主排液配管81との間の各々に設けられ、主排液配管81からの気体の進入を防ぐ進入防止弁85と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】簡単な構造でIPAを使用することなく、ウェーハ表面に残存した液体を効果的に除去すると共にウォーターマークの発生を抑制する。
【解決手段】液体Lで濡れたウェーハWを乾燥させる乾燥装置において、ウェーハWに対向する位置に吸湿性の毛細管構造体3をウェーハW表面に接触・近接できるように配設する。そして、毛細管構造体3をウェーハW上の液体Lに接触させた状態で、毛細管構造体3及びウェーハWの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記液体Lを毛細管構造体3で拭き取るようにして吸水・乾燥させる。 (もっと読む)


【課題】基板の上方におけるミスト発生を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部2と、基板保持部2を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板保持部2の外側に、この基板保持部2に保持された基板を囲繞するように設けられ、基板保持部2とともに回転し、回転する基板から振り切られた処理液を受ける壁部32を有する回転カップ4と、回転カップ4の外側に、この回転カッ4プ及び基板保持部2を囲繞するように設けられ、回転する基板から振り切られた処理液を収容する環状の液収容部56と、この環状の液収容部56よりも内側に設けられた内側環状空間99bとを備えた排気及び排液カップ201と、排気及び排液カップ201の内側環状空間99bに接続された排気機構200と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】排液カップの内部におけるミスト発生を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、基板保持部を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板保持部の外側に、この基板保持部に保持された基板を囲繞するように設けられ、基板保持部とともに回転する壁部32を有し、この壁部32が、回転する基板から振り切られた処理液を斜め方向から受けるように構成されている回転カップ4と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】
ディスク洗浄のためのブラシの洗浄をブラシクリーナ円板により洗浄することでブラシによるディスクの洗浄効率を向上させることができるディスク洗浄機構およびディスク洗浄装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、回転ブラシユニットから洗浄液を排出するための洗浄液の流路が回転ブラシユニットに形成されている。この洗浄液の流路は、回転軸の中空部に供給された洗浄液が芯ローラの外周に設けられた軸方向に沿った横溝を経てブラシクリーナ円板の開口へと流れる通路として形成される。洗浄ノズルからディスクに供給された洗浄液は、ディスクを洗浄したときの汚れを含んで前記の洗浄液の流路に引き込まれて汚れが回転ブラシユニットから排出される。 (もっと読む)


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