【課題】ベベル部の汚染に起因する基板の処理不良を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。インターフェースブロック１５は、ベベル部検査ユニットＥＥを含む。ベベル部検査ユニットＥＥでは、基板Ｗのベベル部の検査が行われ、基板Ｗのベベル部が汚染されているか否かが判定される。ベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗとベベル部が汚染されていないと判定された基板Ｗとは、それぞれ異なる処理が施される。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を精度よく処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を洗浄する基板処理装置は、固定アーム１９によって水平姿勢で保持された基板Ｗの下面を覆う下部板２１と、この下部板２１に対向配置されて基板Ｗの上面を覆う上部板３１とを備えて構成される処理部３３を、上下方向に複数積層し、さらに、固定アーム１９等を縦軸芯Ｐ周りに回転させる電動モータ１１と、下部板２１に対して上部板３１を上下方向に接離させて、下部板２１と上部板３１との間隔であるギャップＧを可変する昇降機構２３と、を備えている。この基板処理装置によれば、下部板２１に対して上部板３１を上昇または下降させることで、下部板２１と上部板３１との間隔であるギャップＧを可変する。これにより、固定アーム１９に基板Ｗを保持させる動作や、
基板の処理をそれぞれ適切に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の表面の周縁領域から汚染を確実に除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック３により回転されるウエハＷの表面の周縁領域４０にブラシ２１が当接されることにより、その周縁領域４０に付着する汚染を掻き取ることができる。ウエハＷの表面の周縁領域４０には、ブラシ接触位置Ｐ１に対してウエハＷの回転方向下流側に間隔Ｌ５を隔てたＤＩＷ着液位置Ｐ６に、第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷが供給される。ブラシ２１により掻き取られた汚染を、ＤＩＷにより洗い流すことができる。 （もっと読む）

【課題】非接触式シールを用いた構成において、非回転環と回転環との非接触状態を確実に維持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】非接触式シール機構２９は、スピンベース１０に固定された回転環３４と、基部３０によって鉛直方向に移動可能に保持され、回転環３４に対向配置された非回転環３２とを備えている。非回転環３２は、基部３０に保持された複数のばね３１の付勢力によって上方に付勢されている。また、回転環３２および非回転環３４はそれぞれ互いに反発するように働く永久磁石によって構成されている。非回転環３２は、永久磁石の反発力によって前記付勢力に抗して数μｍ〜数十μｍ回転環３４から離間しており、これによって、非回転環３２と回転環３４とが互いに非接触になっている。 （もっと読む）

【課題】省スペースで、しかも処理液により基板の被処理面を均一に処理するとともに、乾燥不良の発生を防止しながら基板を良好に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】直立状態に基板を保持し、その両面に対向部材を近接させ第１近接位置に配置する（ステップＳＴ１，ＳＴ２）。この状態で、薬液Ａ〜Ｃおよびリンス液による湿式処理を順次実行する（ステップＳＴ３〜ＳＴ６）。続いて、ＩＰＡ蒸気を供給しながら対向部材を第２近接位置へ移動させる（ステップＳＴ７，ＳＴ８）。第２近接位置における基板と対向部材との間隔は第１近接位置におけるそれよりも大きい。このため基板と対向部材との間に残留する処理液の流下が促進される。その後、窒素ガスを吹き付けて基板を乾燥させる（ステップＳＴ９）。 （もっと読む）

【課題】溶剤蒸気供給管の供給箇所における溶剤の液状化を防止して、溶剤に起因する乾燥不良を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】溶剤ノズル３３の先端部７９には、噴出孔８１と同程度の開口を有する先端孔８５が形成されているので、蒸気発生タンクから溶剤ノズル３３の基端部７７に供給されたイソプロピルアルコール蒸気は、外周面の噴出孔８１から噴出されるだけでなく、先端孔８５からも噴出される。その上、先端部７９の肉厚ｄ１が外周面の肉厚ｄ２と同程度であるので、イソプロピルアルコール蒸気の熱が極端に低下することがなく、先端部７９においてイソプロピルアルコール蒸気が凝結するのを防止できる。したがって、リフタが乾燥位置に移動され、処理槽内からチャンバ内の雰囲気に露出された基板Ｗに対して液状化したイソプロピルアルコールが噴出されるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】枚葉方式で基板の洗浄を行う場合に、基板表面からパーティクルや金属汚染物質を効果的に短時間で除去でき、基板表面のエッチング量が多くなることもない方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル８０により、塩酸を含むフッ酸からなるエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を、表面に自然酸化膜が形成された基板Ｗの表面へ噴射し、基板表面をエッチングして洗浄する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによって水素が離脱して硬化（炭化）したレジストを除去可能とする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１からプラズマ化したガスを照射することで、ウエハＷに残存したレジストを分解・燃焼させて除去するにあたって、前記ウエハＷを搬送手段Ｃによって浸漬槽Ｔに貯留された純水８０中を通過させるようにし、前記ウエハＷが純水８０に浸漬された状態でプラズマ照射を行う。これによって、水酸基ラジカルを効率良く発生させ、前記水酸基ラジカルによって、前記硬化（炭化）したレジスト表面に水素を供給して改質した上で、その表面を含めて総てのレジストを分解・燃焼させて除去することができる。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、レジストを良好に除去することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＳＰＭ液ノズルに対し、１７０℃以上に温度調節された硫酸と、常温の過酸化水素水とが、１：０．１〜０．３５の流量比で供給される。硫酸と過酸化水素水とが混合して生成されたＳＰＭ液が、ＳＰＭ液ノズル３からウエハＷの表面に供給される。
【効果】ウエハＷの表面上のほぼ全域において、レジストを良好にかつ均一に除去することができる。 （もっと読む）

ディスク状物体のウェット処理用装置が開示されており、該装置は該ディスク状物体を保持、回転するスピンチャックと、該ディスク状物体の第１面の第１周辺領域の方へ向けられた処理液を分配する内側エッジノズルと、を具備しており、該第１面は該スピンチャックに面しており、該第１周辺領域は１ｃｍより大きく、該ディスク状物体の半径（ｒａ）より小さい内側半径（ｒｉ）を有する該第１面の領域として規定され、該内側エッジノズルは、該スピンチャック上に置かれた時の該ディスク状物体と該スピンチャックとの間に静止した仕方で位置付けられ、該内側エッジノズルは、該ディスク状物体の第１面に対し処理液を供給するために、静止した仕方で配置され、該スピンチャックを中央で貫通する中央パイプを通して供給を行っている。 （もっと読む）

【課題】電力負荷を軽減することができ、キャリアガスを用いることなく圧力差で溶剤蒸気を供給させることにより溶剤濃度を高くすることができるとともに、処理液の置換・乾燥に溶剤蒸気を効率的に寄与させて乾燥効率を高めることができる。
【解決手段】制御部６７は、チャンバ２７内を減圧し、圧力計５５によって検出された圧力が、溶剤の温度に対応する溶剤の蒸気圧曲線以下となった場合に、真空時排気ポンプ１９及び排気ポンプ５２による減圧を停止させるとともに、リフタ３１を処理位置から乾燥位置に上昇させる。蒸気圧曲線以下になるまで減圧され、溶剤が気体になりやすい状態とされるので、ヒータ４１の容量が小さくても充分に溶剤蒸気を発生させることができ、電力負荷を軽減できる。また、圧力差によって溶剤蒸気をチャンバ２７内に導入させるので、キャリアガスが不要となって溶剤濃度を高くできる。 （もっと読む）

【課題】基板の洗浄に際して、洗浄ブラシへのパーティクルの蓄積による洗浄効果の低下を防止する。
【解決手段】研磨後の半導体基板４の被研磨面上に２つの円筒型の洗浄ブラシ１１，１２を並列に配置するとともに、それら２つの洗浄ブラシ１１，１２のうち、一方の洗浄ブラシ１１を半導体基板４に接触させ、かつ他方の洗浄ブラシ１２を半導体基板２から離して一方の洗浄ブラシ１１に接触させた状態で、一方のノズル１７から洗浄液１９を供給しつつ半導体基板４の洗浄を行なう。 （もっと読む）

【課題】めっき処理した半導体基板をめっき液除去および洗浄する際の異物付着を抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】ウェーハW（半導体基板）をめっき処理槽1内のめっき液13に浸漬して金属膜を形成する工程と、金属膜が形成されたウェーハWをめっき液13の上方のめっき処理槽1内で純水の噴射および回転を付与してウェーハ表面のめっき液を除去する工程とを含んだ半導体装置の製造方法において、ウェーハ表面のめっき液を除去する工程でさらにウェーハWを振動させる。ウェーハWを振動させることでめっき液を振り落とすので、回転のみで液切りする場合に比べて外方へ飛散するめっき液量を抑え、槽の側壁へのめっき液やそれから生じる異物（結晶）の付着、その異物のウェーハWへの再付着を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ乾燥時にウェーハ表面にウォータマークが形成されないようにすると共に、ウェーハの乾燥効率及び品質性能を向上させる。
【解決手段】排水制御水引き乾燥装置１は、ウェーハ３上面が液体２の水面に極力近接するようにウェーハ３を保持する保持部材５と、ウェーハ３上面中央部の上方に設けられた供給ノズル７と、椀型の水槽４の底面中央部に形成された排水口１７と、排水口１７の下流側に設置された流量制御弁１９を具備する。ウェーハ３上面中央部に供給ノズル７からＩＰＡ蒸気及び／又は窒素ガスを吹き付けて表面張力を低下させた後、排水口１７から液体２を排出させることにより、水面を低下させながらウェーハ３表面を蒸発乾燥させる。又、ＩＰＡ蒸気および窒素ガスＮ２の圧力と流速、並びに、排水口１７からの排水速度は可変調整可能に構成する。 （もっと読む）

【課題】遠心分離による半導体基板の洗浄乾燥時において半導体基板表面にウォータマークが形成されないようにする。
【解決手段】回転盤１１と共に回転する半導体基板１２に洗浄水Ｗを吹き付ける洗浄ノズル２０、２１を備え、回転盤１１及び洗浄ノズル２０、２１は開閉可能な上カバー４を有するチャンバ２内に設置し、上カバー４には半導体基板１２に窒素ガスＮ２を吹き付ける窒素ガス供給ノズル２２を設け、チャンバ２内に窒素ガスＮ２を充満・増圧させた状態で半導体基板１２を洗浄乾燥させる。又、窒素ガスＮ２は半導体基板１２の上面中央部に吹き付け可能とし、窒素ガスＮ２の圧力又は流速は可変調整可能にする。更に、チャンバ２の下底部には開度調整可能な開閉弁６付きのドレーン５を設ける。 （もっと読む）

【課題】早期乾燥を阻止する装置、システム、及び方法
【解決手段】製造工程間における基板の表面の早期乾燥を阻止するための装置、システム、及び方法は、洗浄のために基板を受け取ることと、１つ又は２つ以上の製造工程中に残された汚染物質及び製造ケミストリを基板の表面から除去するために基板の表面に対して湿式洗浄工程を実施することと、飽和ガスケミストリを特定することと、その特定された飽和ガスケミストリを、移行領域内において飽和ガスケミストリに曝露される基板の表面が湿気を保持して基板の表面の早期乾燥を阻止するように、移行領域内において適用することとを含む。飽和ガスケミストリは、２つの相次ぐ湿式洗浄工程間において適用される。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡを利用した基板乾燥装置及びその方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるＩＰＡを利用した基板乾燥方法は、回転する基板の上面に有機溶剤と前記有機溶剤の気化力の向上のための乾燥ガスを噴射すると同時に基板の温度の上昇のために基板の底面に加熱された流体を噴射するプレｐｒｅ-段階と、前記加熱された流体の噴射を中断し、基板の上面に前記有機溶剤と前記乾燥ガスを噴射する最終段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】加圧せずに基板を均一に洗浄できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ２０１を表面が上下方向と直交する状態で支持する基板支持部及び支持された半導体ウェハ２０１をノズルユニット１１に対して前方に相対移動させる相対移動機構を有する搬送用ローラ２０２と、相対移動される半導体ウェハ２０１の表面に上方から薬液を吐出するノズルユニット１１とを有する。ノズルユニット１１は、薬液を吐出するスリット１０１が左右方向に細長い線形で下面に形成されており、スリット１０１に同等な左右幅で上方から連通して薬液が流動する流路１０２が内部に形成されており、流路１０２が左右方向と直交する面内で少なくとも一回は曲折された形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造にもかかわらず洗浄能力が高いスクラブ洗浄装置及びそれに用いられるロールスポンジを提供する。
【解決手段】スクラブ洗浄装置用ロールスポンジアセンブリは、ロールスポンジを保持する支持体部及びこの支持体部の両側に回転軸が一体に形成される支持体、ロールスポンジの中空孔内にこの支持体の前記支持体部が嵌め込まれることで支持体に保持されるロールスポンジを備えている。このロールスポンジアセンブリの支持体の支持体部は、その外径が長手方向に漸次拡大するように連続的に変化するように形成され、他方支持体に保持されるロールスポンジは、その外径及びその中空孔の内径が前記支持体部の外径の変化に合わせて連続的に変化するように形成される。また、スクラブ洗浄装置は、洗浄対象物を回転している前記一対のロールスポンジアセンブリの間で長手方向に移動させることにより、洗浄対象物を洗浄する。 （もっと読む）

プレート状物品の超音波湿式処理のための方法およびそれぞれの装置が開示され、この方法は、プレート状物品の表面に近接するトランスデューサに接続された固体要素を移送するステップであって、固体要素とプレート状物品との間に隙間が形成され、隙間は０．１ｍｍと５ｍｍとの間の距離ｄ２を有するような、ステップと、固体要素とプレート状物品との間の隙間を満たすための液体を分配するステップと、超音波を検出するおよび／または距離ｄ２を測定することによって距離ｄ２を制御するステップと、測定された距離を所望の距離ｄ０と比較し、それに応じて距離を調節するステップとを含む。 （もっと読む）