【課題】第１および第２ガードの昇降状況に応じて、処理液のミストを基板の周辺から効率よく排除することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの周縁部に対向して第１回収口９２が形成される。この状態で、ウエハＷから飛散する処理液は、上位置にある中ガード３４の内壁によって受け止められる。中ガード３４が上位置にあるので、中排気口２８が開状態にあり、かつ上排気口２９が閉状態にある。排気桶３０内に、第１回収口９２から、中ガード３４と内ガード３３との間、中ガード３４とカップ３１との間および中排気口２８を通って排気室２５内に至る第２排気経路Ｐ２が形成される。一方、上排気口２９が閉状態にあるので、中ガード３４と外ガード３５との間および上排気口２９を通って排気室２５内に至る経路Ｔ３は実質上閉じている。 （もっと読む）

【課題】 基板上の所望の部位を良好に洗浄することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】 アルコール液供給部４０は、基板Ｗ上にアルコール液（例えば、イソプロピルアルコールやエタノール等）を含む処理液を供給し、基板Ｗ上には処理液の液膜ＬＦが形成される。超音波付与部７０は、基板Ｗ上に形成されている液膜ＬＦに伝達面を接液し、超音波振動を付与する。この場合において、処理液に含まれるアルコール液の比率、基板Ｗ上に液盛りされる液膜ＬＦの厚さ、超音波付与部７０から付与される超音波振動の発信周波数および発振出力等のパラメータが適切に調整されると、基板Ｗ上の超音波付与部７０の伝達面の対向部位ではパーティクルが良好に除去される。一方、対向部位以外の部位ではパーティクルの除去が抑制される。 （もっと読む）

【課題】この発明は回転テーブルを高速回転させて基板を処理するとき、基板が回転テーブルの係合ピンから外れないようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を回転させながら処理する処理装置であって、回転テーブル１１と、回転テーブルを回転駆動するモータ８と、回転テーブルの上面に設けられた基板の下面を支持する支持ピン１９及び基板の外面に係合する係合ピン２０と、回転テーブルの下面に径方向に沿って位置決め可能に設けられ回転テーブルの回転速度が増大するにつれて径方向の外方に位置決めされて係合ピンの遠心力によって生じる回転テーブルの周辺部を下方へ撓ませる力を打ち消す力を発生するバランスウエイト２４を具備する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の裏面と洗浄装置との接触によって発生する被洗浄物間の相互汚染を防止し、洗浄液、および洗浄した汚れが被洗浄物に再付着することを抑制することができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、前記被洗浄物の側面を保持するチャックピンと、前記被洗浄物の直下に配設され、液体を吐出する吐出口を有したフランジと、前記フランジの外側に配設され、前記フランジから吐出される液体の液はねを防止する液はね防止板とを具備し、前記フランジにより前記被洗浄物の裏面を非接触な状態で液体浮上させ、前記チャックピンで該被洗浄物の側面を保持して該被洗浄物を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の浮遊処理液の影響を低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】振り切り乾燥処理が終了すると、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０の回転が停止させられて、基板Ｗの回転が停止する。続いて、スピンチャック１０と雰囲気遮断板５０とが近接する状態から、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０との間の距離Ｄが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下となるよう、雰囲気遮断板５０が上昇させられる。そして、スピンチャック１０から搬送ロボットの搬送アーム８ａに基板Ｗが受け渡される。これにより、チャンバ内の浮遊薬液を完全にチャンバ外に排気することができない場合であっても、搬送時または搬送待ちの基板Ｗに浮遊薬液が付着することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】処理液のミストを基板の周辺から効率よく排除させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】有底円筒状の排気桶３０内には、排気桶３０内に固定的に収容された第１カップ３１および第２カップ３２と、互いに独立して昇降可能な第１ガード３３、第２ガード３４、第３ガード３５および第４ガード３６とが収容されている。ウエハＷの周縁部に対向して第２回収口９３が形成された状態では、排気桶３０内には、第２回収口９３から上端部６３ｂと上端部３５ｂとの間、第３ガード３５の下端部３５ａと外側回収溝６８との間および排気桶３０内を通って排気口３７に至る第３排気経路Ｐ３が形成される。 （もっと読む）

【課題】薬液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】初期薬液処理では、基板表面Ｗｆにシリコン酸化膜が形成されており、基板表面Ｗｆは親水面となっている。そこで、初期薬液処理（時刻０から時間Ｔ1が経過するまでの間）においてはフッ酸溶液の流量を５１０（ｍＬ／ｍｉｎ）に抑えてフッ酸の使用量を抑制している。一方、初期薬液処理により基板Ｗのシリコン層の少なくとも一部が露出してくるタイミングでフッ酸溶液の流量を１５３０（ｍＬ／ｍｉｎ）に増大させて連続薬液処理中を実行しているため、基板表面Ｗｆの一部にシリコン層が露出して疎水面が形成されたとしてもフッ酸溶液が基板表面Ｗｆ全体をカバレッジしてシリコン酸化膜のエッチング除去を継続させることができる。 （もっと読む）

【課題】縦向きの半導体基板を処理するモジュール式半導体基板洗浄システムを提供する。
【解決手段】このシステム１１は、メガソニックタンク式洗浄機１５および後続のスクラバ１７，１９を含むことができる複数の洗浄モジュールを特徴としている。入力モジュール１３は、横向きの基板を受け取って縦向きに回転させ、出力モジュール２３は、縦向きの基板を受け取って横向きに回転させる。各モジュール（入力、洗浄および出力）は、基板支持体２５を有し、隣接するモジュールの基板支持体が等間隔で離間するように配置されている。これらのモジュールは、複数の基板ハンドラ３３を有するオーバヘッド搬送機構３１によって連結されている。これらの基板ハンドラは、その下方にあるモジュールの基板支持体と同じ距離（Ｘ）で離間されている。 （もっと読む）

【課題】少なくとも基板端面に付着した付着物をスポンジ状ブラシにより効果的に除去することができる基板洗浄装置を提供すること。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗを回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗを回転するモーター４と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗに洗浄液を供給する洗浄液供給機構１０と、洗浄時に基板Ｗの少なくとも端面に当接される、スポンジ状樹脂からなるブラシ２１と、ブラシ２１を圧縮するブラシ圧縮機構２３ａ，２３ｂ，２４とを具備し、ブラシ２１を圧縮機構２３ａ，２３ｂ，２４により圧縮した状態として少なくとも基板Ｗの端面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】
洗浄液を効率的に処理してミストを発生させず、部品交換の必要のない低コストのウェーハ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】
洗浄槽２１と、回転テーブル２２と、洗浄ノズル１４と、回転テーブル２２外周部近傍に設けられたリング２３と、回転テーブル２２の底部外周縁に設けられた複数の板状部材２５とにより、洗浄液を飛散させず、ミストを吸引しながらウェーハの洗浄を行なう。 （もっと読む）

【課題】ウェハー裏面のパーティクルに対して、ウェハーのダメージを抑えながら十分な洗浄効果を得ることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハーｗ裏面に接触させる薬液を溜める薬液溜め１２と、この薬液溜め１２の壁面を構成するとともに、ウェハー裏面に対して摺動させるブラシ１１と、薬液溜め内に設置され、前記ウェハー裏面にキャビテーションを発生させるために前記薬液に超音波を照射する超音波照射機構１３と、薬液溜め１２内に薬液を供給する薬液供給機構１４と、薬液溜め１２の上方に設置され、ウェハーｗを保持し、回転させる機構１７、１８、１９を備える。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板を損傷させずに確実に洗浄処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板が供給される処理槽１と、処理槽の基板の被処理面に、マイナスの電荷が帯電しそのマイナスの電荷にプラスの電荷が静電結合したナノバブルを含む処理液を供給する処理液供給ノズル１６と、処理液供給ノズルから基板に供給された処理液に向かって供給され、その処理液に含まれるナノバブルのマイナスの電荷に静電結合したプラスの電荷を除去しナノバブルの静電気による平衡状態を消失させてナノバブルを破裂させる作動液を供給する作動液供給ノズル２２ａ，２２ｂを具備する。 （もっと読む）

【課題】真空室において収集したパーティクルを効果的に除去する処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置のロードロック室２６内にウエハ載置台１８に載置されたウエハ８Ａから熱泳動によってパーティクルＰを収集する集塵体４０ａを設け、集塵体４０ａからパーティクルを除去する手段として亜音速のガスを集塵体４０ａとウエハ載置台１８との間の密閉された空間Ｈ_２に流して集塵体に付着したパーティクルＰをガスと共にロードロック室２６の外部に回収する。 （もっと読む）

【課題】リンス液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに第１流量（２（Ｌ／ｍｉｎ））でリンス液を供給して初期リンス工程を実行した後に、第１流量よりも低い第２流量（１．５（Ｌ／ｍｉｎ））でリンス液を基板表面Ｗｆに供給して中間リンス工程を実行しているため、リンス液の使用量を抑えることができる。また、リンス液の流量を低下させる前に大流量のリンス液を用いて基板表面Ｗｆ全体にリンス液の液膜を形成しているため、リンス液流量を低下させている中間リンス工程においてもリンス液を基板表面Ｗｆ全体に広げて基板表面Ｗｆ全体を覆うことができるため、基板表面Ｗｆの部分的な露出を防いで基板表面Ｗｆに対してリンス処理を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で基板を把持することができる基板把持機構を提供する。
【解決手段】基板把持機構は、基台１と、基台１に支持され、該基台１に対して上下方向に相対移動可能な複数の基板支持部材２と、基板支持部材２の上端にそれぞれ設けられた基板把持部２８と、基板支持部材２を上下動させる駆動機構２０と、少なくとも１つの基板支持部材２および基台１のうちのいずれか一方に取り付けられた第１の磁石３１と、少なくとも１つの基板支持部材２および基台１のうちの他方に取り付けられた第２の磁石３２とを備える。第１の磁石３１の磁石は、基板支持部材２の上下動に伴って、第２の磁石３２と近接した位置となるように配置され、第１の磁石３１と第２の磁石３２が近接したときに、第１の磁石３１と第２の磁石３２との間に発生する磁力により基板把持部２８が基板Ｗの端部を押圧する方向に基板支持部材２を移動させる。 （もっと読む）

【課題】基板表面のパターンが破壊されるのを防止することができ、また、ウォータマークの発生を防止することができる半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板を回転させながら基板表面を洗浄する洗浄工程を有する半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程は、前記基板に対して洗浄液を供給して前記基板表面を洗浄する工程（ステップＳ１６）と、前記基板に対して純水を含むリンス水を供給して前記洗浄後の前記基板表面をリンスする工程（ステップＳ１８）と、前記リンス後の前記基板を乾燥させる工程（ステップＳ２２）と、を有し、前記基板表面をリンスする工程では、前記リンス水にＨＦを添加する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのエッジ部に形成された膜を除去することによりパーティクルの発生を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るの半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ１０の表面に熱酸化法又はＣＶＤ法により膜を成膜することにより、前記半導体ウエハのエッジ部１０ａにも前記膜が成膜される工程と、前記半導体ウエハのエッジ部に研磨材１２を吹き付けることにより、前記エッジ部に成膜された膜を研磨して除去する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、簡便な手法で半導体基板の端面と裏面側の周縁部とをクリーニングすること。
【解決手段】シリコン基板５０の縁部を保持する工程と、シリコン基板５０の裏面Aの周縁部Rにブラシ１２を摺接させることにより、シリコン基板５０の裏面Aに付着している堆積物を除去する工程とを有し、上記の堆積物を除去する工程において、ブラシ１２の一部をシリコン基板５０の裏面Aからはみ出させる半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】ブラシの寿命を長くした洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する保持機構１０と、基板Ｗを洗浄可能な洗浄ブラシ２１とを備え、保持機構１０に保持された基板Ｗに洗浄ブラシ２１を当接させながら相対回転させて基板Ｗを洗浄するように構成された洗浄装置１において、洗浄ブラシ２１を洗浄するブラシ洗浄器５０を有し、このブラシ洗浄器５０は、洗浄ブラシ２１の表面電位を変化させて、洗浄ブラシ２１の表面電位および当該洗浄ブラシ２１に付着した異物の表面電位を互いに正負が同じ表面電位にすることにより、洗浄ブラシ２１から異物を分離して除去するようになっている。 （もっと読む）

【課題】プリディスペンスに要する時間の短縮、および加熱または冷却される第１流体の消費量の低減を図ることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】硫酸過水ノズル４に接続される硫酸供給配管１４の上流端は、処理液キャビネット２内の循環配管２２に分岐接続されている。処理液キャビネット２内において、硫酸供給配管１４には、第１配管継手３０が介装されている。また、処理室１内のノズルアーム１０の先端部において、硫酸供給配管１４には、硫酸過水ノズル４に近接して配置された第２配管継手３１が介装されている。第１および第２配管継手３０，３１の間において、循環配管２２および硫酸供給配管１４は、循環配管２２内に硫酸供給配管１４が挿通されることにより二重配管構造を形成している。 （もっと読む）