【課題】パターンの倒壊を防止つつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に希釈した撥水化剤を供給する。撥水剤と希釈剤との混合から基板表面に供給される迄の時間が長くなるほど撥水能力は低下するので、撥水化剤と希釈剤を混合する混合バルブ６１は、希釈撥水化剤を吐出するノズル６４の直前に設けられ、撥水化剤の撥水化能力の低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】基板表面のパターンの倒壊を効果的に抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理方法は、表面に薄膜パターン１０が形成された基板Ｗの表面に、純水の比抵抗以上の比抵抗を有する絶縁液体２１を供給する絶縁液体供給工程と、基板Ｗに電圧を印加することにより薄膜パターン１０を帯電させる帯電工程と、帯電工程と並行して、絶縁液体２１を基板Ｗの表面から排除する乾燥工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊及びウォーターマークの発生を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板保持回転部１００に複数の凸形状パターンを形成した半導体基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させ、薬液を用いて前記半導体基板Ｗ表面を洗浄し、洗浄した前記凸形状パターン表面に撥水化剤を用いて撥水性保護膜を形成し、前記撥水性保護膜形成後に、酸性水又は希釈したアルコールを用いて、前記半導体基板Ｗをリンスし、リンスした前記半導体基板Ｗを乾燥させた後に、前記凸形状パターンを残存させて前記撥水性保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】基板に帯電した電荷が放電することによる静電破壊の発生を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板（２）に液処理を施すための基板液処理装置（１）及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体（４８）において、基板（２）の回路形成面を基板処理薬液で液処理する液処理工程を行う前に、基板（２）の回路形成面とは反対面を除電処理液で処理することによって基板（２）に帯電した電荷を放出させる除電処理工程を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上を図り、不具合が発生した場合でも、装置全体の稼働率の低下を抑えることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】キャリアＣに対してウエハの受け渡しを行う搬入出アームＢを備えた基板搬入ブロックの後段側に、第１の処理ブロック３１と第２の処理ブロック３２と第３の処理ブロック３３とを順に配置する。基板搬入ブロックに、前記搬入出アームＢから第１の処理ブロック３１にウエハを受け渡すための受け渡しステージ（２１ａ ２１ｂ）と、第２の処理ブロックにウエハを受け渡すための受け渡しステージ２２と、第３の処理ブロックにウエハを受け渡すための受け渡しステージ２３と、を設け、受け渡しステージ２２上のウエハを第１直接搬送機構Ａ１により第２の処理ブロック３２に直接搬送し、受け渡しステージ２３上のウエハを第２直接搬送機構Ａ２により第３の処理ブロック３３に直接搬送する。 （もっと読む）

【課題】排気口からの排気に大きな排気能力を必要とせずに、処理チャンバ内の雰囲気を良好に置換させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ４内には、基板を水平に保持して回転させるスピンチャック１７と、スピンチャック１７の上方に配置された円板状の遮断板１４とが収容されている。遮断板１４の下面には、スピンチャック１７に保持される基板の表面と対向する基板対向面が形成されている。処理チャンバ４の上部に設けられた給気ユニットには、処理チャンバ４内に清浄空気を供給するための給気口６５が形成されている。給気口６５は、下向きの給気口であり、平面視において遮断板１４の周囲を取り囲む円環状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 基板へのダメージを抑制しつつ、基板の表面に対して超音波による洗浄処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置１は、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック１０と、スピンチャック１０に保持された基板Ｗの上面に第１処理液（ＨＦＥ）、第２処理液（気体溶存水）をそれぞれ供給する第１処理液供給ノズル２０、第２処理液供給ノズル１７を備えている。スピンチャック１０に保持された基板Ｗの上面にＨＦＥおよび気体溶存水が供給され、基板Ｗの上面にＨＦＥの液膜が形成され、さらにその上層に気体溶存水の液膜が形成される。この状態で気体溶存水とＨＦＥの液膜に超音波振動が付与される。これにより、気体溶存水の液膜でのみ発生したキャビテーションによる衝撃エネルギーがＨＦＥの液膜で緩和されつつ、基板Ｗの洗浄処理が施される。 （もっと読む）

【課題】吐出される液滴の噴霧状態を調整することができる二流体ノズルを提供すること。二流体ノズルから吐出される液滴を用いて所期の処理を基板に施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】二流体ノズル３は、ケーシングを構成する外筒２０と、外筒２０に内嵌された内筒２１と、内筒２１を外筒２０に固定するための固定ナット２３とを含む。内筒２１の大径円筒部２４の外周には、雄ねじ３６が形成されている。外筒２０の内周の基端部には、雄ねじ３６に螺合する雌ねじ３７が形成されている。固定ナット２３は、内筒２１の雄ねじ３６と螺合する雌ねじ孔３１を有している。外筒２０と内筒２１とはねじ嵌合により連結されている。雄ねじ３６に対する外筒２０のねじ込み量を調節することによって、遮蔽部４３に対する短筒部４７の軸方向の位置を調節することができる。 （もっと読む）

【課題】乾燥ガスが光透過部材から被処理基板上に滴下することを防止することにより、製品歩留まりの低下を防止することが可能な乾燥室、洗浄・乾燥処理装置、被処理基板を乾燥する乾燥処理方法、および記録媒体を提供する。
【解決手段】乾燥室１０は、被処理基板Ｗを収容する乾燥室本体１１と、乾燥室本体１１の内壁１１ａに設けられた光透過部材１２と、乾燥室本体１１の内壁１１ａと光透過部材１２との間に設けられた加熱用光源１３とを備えている。光透過部材１２の下方には、光透過部材１２側に向けて乾燥ガスを供給するガス供給部１４が設けられている。光透過部材１２の内面１２ａは、乾燥ガスがこの光透過部材１２の内面１２ａに液膜として付着するように表面処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンの倒壊をより確実に防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】キャリアから搬出された基板には、処理ユニットまでの搬送系路途中にてオゾンガスが吹き付けられて有機物汚染の除去処理が行われる。表面から有機物汚染が除去された基板が処理ユニットに搬入されて薬液表面処理が行われるため、基板の全面に対して均一な表面処理を行うことができる。薬液処理が終了した基板には純水リンス処理が行われ、その後基板の表面に疎水化剤としてのＨＭＤＳが供給されて疎水化処理が行われる。これにより、基板表面のパターン内に残留している液滴の毛管力はゼロに近くなり、乾燥処理時のパターン倒壊を防止することができる。疎水化された基板はキャリアに戻る搬送系路途中にて再度オゾンガスが吹き付けられて疎水化状態が解除される。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを非回転状態で保持する基板保持手段と、ノズル４と、処理液供給手段と、制御手段とを含む。ノズル４は、基板保持手段に保持された基板Ｗの主面の中央部に向けて流体を吐出する中央吐出口１１、主面の中央部を取り囲む環状の中間領域Ｔ１に向けて外向きに流体を吐出する中間吐出口１２、および中間領域Ｔ１を取り囲む環状の周縁領域Ｔ２に向けて外向きに流体を吐出する周縁吐出口１３を有する。処理液供給手段は、中央吐出口１１、中間吐出口１２、および周縁吐出口１３に個別に処理液を供給する。制御手段は、処理液供給手段を制御して、中央吐出口１１、中間吐出口１２、周縁吐出口１３の順番で処理液を吐出させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板をリンスした後、半導体基板を乾燥させるときに微細なパターンに及ぶ影響を著しく低減する。
【解決手段】洗浄液で半導体基板を洗浄する洗浄工程と、この洗浄工程の後にリンス水で前記半導体基板をリンスするリンス工程と、このリンス工程の後に前記半導体基板を乾燥させる乾燥工程とを行う半導体基板の洗浄方法であって、リンス工程の際、リンス水の温度を７０℃以上に設定すると共に、リンス水を酸性に設定する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の全域に対して、処理液による処理を均一に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】この基板処理装置１は、スピンチャック４と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に向けて、高温（たとえば８０℃）のＳＣ１を供給するためのＳＣ１ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に水蒸気を供給するための蒸気ノズル６と、スピンチャック４を収容するカップ８とを備えている。ＳＣ１ノズル５から吐出された高温のＳＣ１は、ウエハＷの中央部に供給される。蒸気ノズル６から吐出された水蒸気は、ウエハＷの中間位置Ｍに供給される。 （もっと読む）

【課題】基板に疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合において、基板の周縁部においてエッチング不良が発生することなく、かつエッチング幅の精度を向上させることができる基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体を提供する。
【解決手段】まず、ポリシリコン膜が形成された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ酸を供給することにより基板Ｗの周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる。次に、ポリシリコン膜が露出された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する。このような動作は、基板液処理装置１の制御部５０が回転駆動部２０、フッ酸供給部５４およびフッ硝酸供給部５２を制御することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置を検査するためのレシピを自動生成することによって、基板処理装置の検査工程を確実かつ簡単にする。
【解決手段】基板処理装置の制御装置１５は、コンピュータ１６と記憶装置１９とを備えている。記憶装置１９には、基板処理制御プログラムおよび検査レシピ自動生成プログラムが格納されており、さらに、レシピ、構成定義データおよび動作条件データを記憶できるようになっている。コンピュータ１６は、検査レシピ自動生成プログラムを実行することにより、基板処理装置が備える複数の構成要素を動作させるための処理手順を記述した検査レシピを生成して記憶装置１９に登録する。その際、コンピュータ１６は、構成定義データおよび動作条件データに基づいて、検査レシピを構成する処理手順を生成する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の処理に用いられる液の温度変動を抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、液供給機構１５と、液供給装置に接続され温度調節された液を吐出する吐出開口３０ａを有した供給ライン３０と、供給ラインの吐出開口を支持しする処理ユニット５０と、供給ラインに供給された液を液供給機構へ戻す戻しライン３５と、処理ユニットでの被処理体の処理に用いられる液の供給および供給停止を切り替える液供給切り替え弁３８ａと、を有する。液供給切り替え弁３８ａは、供給ライン３０上に設けられ、供給ライン３０から戻しライン３５を介して液供給機構１５へ戻る液の経路上に、位置している。 （もっと読む）

【課題】 被洗浄物上から付着物を効果的に除去可能な被洗浄物の洗浄方法を提供することである。
【解決手段】 スピンナテーブルに保持された被洗浄物に洗浄液を供給しながら洗浄する被洗浄物の洗浄方法であって、被洗浄物を該スピンナテーブルで保持する保持ステップと、該スピンナテーブルで保持された該被洗浄物上に少なくとも凝集剤を含む洗浄液を供給して、該被洗浄物上に付着している付着物を凝集させて付着物凝集塊を形成する洗浄ステップと、該洗浄ステップを実施した後、該被洗浄物を保持した該スピンナテーブルを所定の回転速度で回転させつつ該被洗浄物上に純水を噴出して、該被洗浄物上の該付着物凝集塊を該被洗浄物上から除去する除去ステップと、該除去ステップを実施した後、該被洗浄物を保持した該スピンナテーブルを所定の回転速度で回転させて該被洗浄物を乾燥させる乾燥ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇（ひさし）が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。
【解決手段】
処理対象の層を変更し、基板処理液を変更するごとに基板の回転数を増加させながらエッチングすることで、外周のエッチング領域を外側に狭めていくエッチング処理が出来、周辺部の庇の発生を防止し、汚染拡散のない周辺洗浄が可能となる。 （もっと読む）

【課題】処理液が供給される基板の下面側の雰囲気から、処理液が供給されない基板の上面側への雰囲気の周り込みを防止する共に、上下両面側の雰囲気を分離するために供給されるパージガスの消費量を抑制することが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】水平に保持した基板の下面に処理液を供給する液処理装置２において、囲み部部材４は基板Ｗから飛散した処理液を受け止め、天板部５は水平に保持された基板Ｗの上面に対向するように配置され、ガス供給部５３、５３１は天板部５と基板Ｗとの間に形成される空間に加圧されたガスを供給する。そして気体取り込み口５２は天板部５と基板Ｗとの間に形成される空間内の負圧により、この空間の外部の雰囲気の気体を当該空間内に取り込む。 （もっと読む）

本発明の目的は、ウエハの損傷を低減することができ、ガスの使用量を低減することができるウエハ乾燥装置およびこれを用いたウエハ乾燥方法を提供することである。本発明は、ウエハ乾燥装置およびこれを用いたウエハ乾燥方法に関する。当該装置は、側面に第１の回転軸が固定され、上部に移動可能な第２の回転軸が形成され、下部に第１の排水口が形成されているチャンバと、上記第１の回転軸と上記第２の回転軸に固定され、ウエハを実装するカセットが端部に固定されるチルトアームと、上記カセットにＩＰＡ／窒素ガスを供給する第１のノズルと、上記第２の回転軸を第１の方向または第２の方向に移動させるスクリューと、上記スクリューを回転させる駆動モータと、を備える。 （もっと読む）