【課題】さほど製造工程数を多くすることなくパターン倒壊を防止できる半導体基板の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の洗浄方法は、レジストに覆われた第１パターンと、前記レジストに覆われていない第２パターンとを有する半導体基板にレジスト非溶解性の第１薬液を供給して前記第２パターンに対する薬液処理を行う工程と、前記第１薬液の供給後に、前記半導体基板に撥水化剤とレジスト溶解性の第２薬液との混合液を供給し、少なくとも前記第２パターンの表面に撥水性保護膜を形成すると共に、前記レジストを剥離する工程と、前記撥水性保護膜の形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスする工程と、リンスした前記半導体基板を乾燥させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の上面側からガスを供給するとともに基板の下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する液処理装置において、トッププレートの位置を精度良く位置決めすることができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの上面側からガスを供給するとともに基板Ｗの下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板Ｗの下面を処理する液処理装置２２において、上面に開口１０５を有する処理容器１００と、処理容器１００内に設けられ、基板Ｗの周縁部ＷＥを支持する支持部７０、７２と、昇降可能に設けられ、下降した状態で開口１０５を塞ぐ天板部１１０と、天板部１１０が下降する際に、処理容器１００に対する天板部１１０の相対位置を所定の位置に位置決めする位置決め機構１３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の一方面中央部を保護しつつ基板に処理を施すことができるとともに、回転軸線方向に異なる複数の位置で所定の回転処理を基板に良好に施すことが可能な基板保持回転装置および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック３は、ウエハＷの下面中央部を支持するためのセンターチャック７と、ウエハＷの下面周縁部を支持するための外周リング部材８と、ウエハＷの下面周縁部と外周リング部材８との間をシールするための第１シール部材９とを備える。吸着ベース１０は昇降モータによって、処理位置と、下面リンス位置と、取合位置との間で昇降されるようになっている。吸着ベース１０の上面１０ａには、吸引口２６と吸引溝２７とが形成されている。吸引溝２７には、吸着ベース１０の側面に開口するオリフィス３０が接続されている。 （もっと読む）

【課題】ノズルを移動しながら基板を処理することができ、かつ、密閉チャンバの内部空間の狭空間化を図ることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】密閉チャンバ２は、密閉された内部空間を区画する隔壁９を有している。密閉チャンバの内部空間でウエハＷが保持される。密閉チャンバ２には、移動ノズルとしての形態を有する処理液ノズル４が設けられている。処理液ノズル４を支持するノズルアーム１５は、隔壁９に形成された通過孔１４を介して密閉チャンバ２の内外に跨って延びている。このノズルアーム１５は、密閉チャンバ２外に配置された直線駆動機構３６によって駆動されるようになっている。隔壁９とノズルアーム１５の外表面との間は、第３シール構造によってシールされるようになっている。 （もっと読む）

【課題】基板上面の周縁部における処理幅を精密に制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷはスピンチャックにより水平姿勢で保持されている。スピンチャックに保持されたウエハＷの下面の中央部には、下ノズル６からの処理液が供給される。下下ノズル６は、ウエハＷの下面から間隔Ｇ１を隔てて対向する上面５２を有している。上面５２には、処理液吐出口６ａが形成されている。ウエハＷを回転させつつ、処理液吐出口６ａから処理液を吐出すると、その吐出された処理液によって、ウエハＷの下面と下ノズル６の上面５２との間の空間５３が液密状態にされる。ウエハＷの下面に接液する処理液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて回転半径外方側へと広がり、ウエハＷの周端面１０２から上面に回り込む。 （もっと読む）

【課題】パターンの間隙内部に入り込んだ液体を凝固させることでパターンを構造的に補強した状態で基板表面を物理洗浄する基板処理方法および装置において、パーティクル等の除去効率をさらに高める。
【解決手段】 基板保持手段１１に保持され、所定のパターンＦＰが形成され液体としてのＤＩＷが付着した基板Ｗの表面Ｗｆに対し、第一処理液供給手段２５から第一処理液としてのＨＦＥ液を供給し、パターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを残留させながら液体を基板表面から除去するとともに処理液の液膜を形成する。その後、凝固手段３１から基板裏面Ｗｂに凍結用の窒素ガスを吐出して、パターンＦＰの間隙内部に残留させたＤＩＷを凝固させ、パターンＦＰの間隙内部に凝固体を形成する。その状態で、第一処理液であるＨＦＥ液の液膜の上に第二処理液としてのＤＩＷの液膜を形成し、ＤＩＷの液膜に対し超音波洗浄手段１７により超音波振動を付与して洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理方法および基板処理装置において、高いスループットを得られ、しかもパーティクル等を効果的に除去することのできる技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの裏面Ｗｂに、凝固点近傍まで冷却したＤＩＷ（冷水）を下面ノズル２７から供給する。このとき、ＤＩＷの凝固点よりも低温の窒素ガス（冷却ガス）と、ＤＩＷの蒸気または微小な液滴を含む高湿度の窒素ガス（高湿度ガス）との混合気体をＤＩＷに吹き付ける。高湿度ガス中のＤＩＷ蒸気または液滴が凍結してなる氷の粒がＤＩＷ中に混入され、これが核となってＤＩＷ注の氷の生成が促進される。氷の粒を含むＤＩＷが基板裏面Ｗｂに沿って流れることで基板に付着したパーティクル等の除去を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】１つの処理室における処理状況によりは排気圧が大きく変動することはなく、排気圧の変動にともなうウエハへのパーティクルの付着を抑制できる。
【解決手段】ＳＣ１処理、ふっ酸処理、ＩＰＡ蒸気による置換処理の場合、個別排気管のいずれかが開放されているとき、遮蔽板１１５は開放されている個別排気管に対応する開放口６５，７５を閉塞するとともに、閉塞されている個別排気管に対応する開放口６５，７５を開放しているので、この開放口６５，７５からはエアが導入されている。これにより、１つの処理室における酸系の処理時、アルカリ系の処理時等とでは排気圧が大きく変動することはなく、この排気圧の変動にともなうウエハへのパーティクルの付着を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面や裏面を均一に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】洗浄液ＣＬを循環させるとともに洗浄液ＣＬにＤＩＷの液滴ＬＤを供給して凝固させて新たな氷粒ＩＧを生成し、洗浄液ＣＬ中に混合させている。したがって、氷粒ＩＧ同士が結合するのを抑制しながら洗浄液ＣＬ中に氷粒ＩＧを均一に分散させることができる。そして、この洗浄液ＣＬにより基板の表面や裏面を洗浄しているため、洗浄液ＣＬの氷粒ＩＧが基板に対して均一に作用して基板の表面や裏面を均一に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストの現像工程において、半導体ウエハの裏面への汚れの付着を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ（半導体ウエハ）の表面に塗布されたフォトレジストを現像した後（ステップＳ１１）、ウエハが回転している状態で、フォトレジストに第１のリンス液を吐出しながら、ウエハの裏面に第２のリンス液を吐出することにより、フォトレジストとウエハの裏面とを洗浄する（ステップＳ１２、Ｓ１３）。その後、ウエハが回転している状態で、第１のリンス液の吐出と第２のリンス液の吐出とを停止させて（ステップＳ１４、Ｓ１５）ウエハを乾燥させた後、ウエハの回転加速度を制御しながら、ウエハの回転を減速して停止させる（ステップＳ１６）。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板洗浄方法および基板洗浄装置において、高いスループットを得られ、しかもパーティクル等を効果的に除去することのできる技術を提供する。
【解決手段】基板の上面に液膜を形成し（ステップＳ１０１）、凍結ガスとして例えば低温の窒素ガスを吐出する凍結用ノズルをスキャンして液膜を凍結させた後（ステップＳ１０２，Ｓ１０３）、凍結ガスよりも冷却能力の高い流体、例えば凍結ガスよりさらに低温の窒素ガスを吐出する冷却用ノズルをスキャンして凍結した液膜をさらに低温まで冷却する（ステップＳ１０４，Ｓ１０５）。その後、リンス処理により凍結膜とともにパーティクルを除去し（ステップＳ１０７）、基板を乾燥させる（ステップＳ１０８）。 （もっと読む）

【課題】微小パーティクルを効率良く除去できる半導体基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】８０℃以上の薬液を用いて半導体基板を洗浄する第１洗浄工程と、第１洗浄工程後に、４０℃以上の純水を用いて半導体基板をリンスする第１リンス工程と、第１リンス工程後に、３０℃以下の純水を用いて半導体基板をリンスする第２リンス工程と、第２リンス工程後に、半導体基板を乾燥させる乾燥工程と、を備える。洗浄時の温度を上げることで、パーティクルが除去しやすくなると考えられる。 （もっと読む）

【課題】電子材料のレジストの剥離処理に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る電子材料洗浄システムを提供する。
【解決手段】電子材料洗浄システムは、薬液洗浄手段１とウエット洗浄手段２と枚葉式洗浄装置３とを備える。薬液洗浄手段１は、機能性薬液貯留槽６と、この機能性薬液貯留槽６に濃硫酸電解ライン７を介して接続した電解反応装置８とを有する。この機能性薬液貯留槽６は、機能性薬液供給ライン１０を介して枚葉式洗浄装置３に機能性薬液Ｗ１を供給可能となっている。ウエット洗浄手段２は、純水の供給ライン２１と窒素ガス源に連通した窒素ガス供給ライン２２と、これら純水供給ライン２１及び窒素ガス供給ライン２２がそれぞれ接続した内部混合型の二流体ノズル２３とを備える。二流体ノズル２３の先端から窒素ガスと超純水とから生成される液滴Ｗ２を噴射可能となっている。 （もっと読む）

【課題】乾燥気体を効率的に使用できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】供給配管３３と排出配管３９との間で連通接続され、かつ排出配管３９に流れたドライエアを供給配管３３側へ戻す循環配管４５を設ける。基板Ｗの乾燥処理前に、第１の露点計及び第２の露点計４１が、所定の条件を満たせば、開閉弁４３を開から閉の状態、開閉弁４７を閉から開の状態にするとともに、ドライエアの循環配管４５への循環を開始し、ファン４９により循環配管４５内に十分なドライエアが送り込まれると、開閉弁を開から閉の状態、開閉弁５１を閉から開の状態にするとともに、ファンを停止させて、ドライエアの循環配管４５への循環を完了する。 （もっと読む）

【課題】 気液分離装置から排出される気体中の溶剤濃度を低減する。
【解決手段】この基板処理装置は、チャンバ２７内に一端側が接続され、チャンバ２７内から気体を排気する排気管６９と、チャンバ２７内に一端側が接続され、チャンバ２７内から処理液を排出する排液管６３と、排気管６９の他端側が接続され、チャンバ２７から排気された気体を取り込むとともに、排液管６９の他端側が接続され、排液管６９を介して排出された処理液を取り込み、気体と液体とを分離する気液分離部６１を備えている。
気液分離部６１の内部において、ノズル８１を上下に移動させると、第１金網７７の表面全体に純水が供給され、蒸気になっているイソプロピルアルコールを純水の液滴に溶解し、液体として排出する。 （もっと読む）

処理チャンバ（２０）が、任意に過酸化水素などの酸化剤とともに硫酸などの酸の存在下で基板上に直接赤外線放射を行うことを通じて硬化フォトレジストをうまく除去する。この処理チャンバは、ウェハを保持して任意に回転させるためのウェハホルダ（２６）を含む。赤外線照射アセンブリ（１２６）が、処理チャンバ内に赤外光を放射するように配置された、処理チャンバの外側の赤外線ランプ（１４０）を有する。これらの赤外線ランプは、ホルダ上のウェハ表面の実質的に全体を照射するように配列することができる。この赤外線放射アセンブリに冷却アセンブリ（１５０）を組み合わせて、迅速な冷却を行うとともに過剰処理を回避することができる。少量の薬品溶液を使用してフォトレジストが除去される。 （もっと読む）

【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方に配置された遮断板１０とを備える。遮断板１０は、ウエハＷの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材３２を有する。環状部材３２は、ウエハＷの上面の周縁部に対向するウエハ対向面４５と、内側の空間と外側の空間とを連通させる気体流通路４９を有する。また環状部材３２の内側の空間に気体を供給する気体供給手段１８，３０を有する。中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、エッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材３２の内周縁付近から内方へ入りこむことがない。 （もっと読む）

【課題】基板表面に残留している金属不純物を適切に除去する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法における洗浄工程は、基板表面にオゾン水を供給するオゾン水処理工程と、オゾン水処理工程の後に基板表面に純水を供給する第１リンス処理工程と、第１リンス処理工程の後に基板表面に希フッ酸を供給する第１希フッ酸処理工程と、第１希フッ酸処理工程の後に基板表面に純水を供給する第２リンス処理工程と、第２リンス処理工程の後に基板表面に、洗浄液及び気体が混合されてなる混合流体を供給する第１混合流体処理工程と、第１混合流体処理工程の後に基板表面に純水を供給する第３リンス処理工程と、第３リンス処理工程の後に基板表面に希フッ酸を供給する第２希フッ酸処理工程と、第２希フッ酸処理工程の後に基板表面に純水を供給する第４リンス処理工程と、第４リンス処理工程の後に基板を乾燥させる乾燥工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】一の被処理面と、被処理面の外周に配置された他の露出面とに、それぞれ別々の処理を施すことができる処理装置および処理方法、ならびに、表面処理治具を提供する。
【解決手段】本発明にかかる処理装置１００は、第２被処理面１８ｂと、該第２被処理面１８ｂの外周に配置された第１被処理面１８ａとを含む被処理面を有する被処理体１８に対して処理を行なう処理装置であって、前記被処理体１８を載置する載置部１０と、第１被処理面１８ａと第２被処理面１８ｂとの略境界に第１処理液を供給する第１供給部２４と、第２被処理面１８ｂに第２処理液を供給する第２供給部４６と、を含む処理治具２０と、を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】マランゴニ乾燥に比べて、基板に液滴が残留することをより効果的に防止し、ウォーターマークの発生を抑えることができる基板乾燥装置及び基板乾燥方法を提供する。
【解決手段】反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる基板乾燥装置に、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石４と、磁石４を、基板に沿って該基板の縁側へ移動させる磁石搬送手段５とを備える。また、反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる際、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石４を、基板に接近させ、磁石４を前記基板に沿って該基板の縁側へ移動させる。 （もっと読む）