【課題】基板を上方から覆うための天板の下面に天板洗浄液を全面に供給することができ、天板の下面に付着したＳＰＭ液の液滴や飛沫等が天板の下面に残留することを抑制することができる液処理装置および天板洗浄方法を提供する。
【解決手段】天板３２の下面に対して下方から天板洗浄液を供給する天板洗浄液供給ノズル８２ａが一のノズル支持アーム８２ｑにより支持されており、このノズル支持アーム８２ｑは、天板３２の下方にノズル８２ａが位置するような天板洗浄位置と、天板３２の下方の領域から外方に退避した退避位置との間で移動するようになっている。 （もっと読む）

【課題】基板の膜種、表面状態、基板の検出位置等に影響されることなく、基板の保持状態を正確に検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、基板が載置される載置台３２と、載置台３２を基板とともに回転させる回転部３５と、基板の表面に光を照射する光源８８と、表面に照射された光が表面で反射した光の光量を検出する検出部８９と、回転部３５及び検出部８９の動作を制御する制御部１００とを有し、制御部１００は、検出部８９により光量を検出する検出処理を、回転部３５により基板の検出位置を変えながら複数回行い、光量を検出した検出値を積算し、積算した積算値が予め決められた所定値よりも小さいとき、基板の保持状態が正常でないと判定する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な手順によって、Ｓｉ−Ｈ終端構造の存在比率が高い表面を有する基板を得ることができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板を、ＨＦ系薬液を用いて洗浄する薬液洗浄工程と、薬液洗浄工程の後、基板を、ＨＦ濃度が２５００ppm以下のＨＦ水溶液でリンスする希薄ＤＨＦリンス工程と、を備え、前記ＨＦ系薬液は、前記希薄ＤＨＦリンス工程で用いられるＨＦ水溶液よりも高いＨＦ濃度を有するＨＦ水溶液からなるか、若しくは複数種のＨＦ系薬剤を混合してなる。 （もっと読む）

【課題】ＤＨＦ処理後に実施されるＨＰＭ処理またはＡＰＭ処理を、良好に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、槽内で、シリコン基板を含むウエハを希フッ酸処理する工程と、槽内に水を導入して、槽内から希フッ酸を排出する工程と、槽内から希フッ酸が排出された後、温水の導入時点が、Ｈ_２Ｏ_２の導入時点と同時かＨ_２Ｏ_２の導入時点よりも遅くなるように、槽内に、Ｈ_２Ｏ_２と、上記水よりも温度の高い温水とを導入する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、ウエハのパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、ウエハＷの上方に設けられ、ウエハＷに薬液を吐出する吐出口を有する処理流体ノズル６５と、処理流体ノズル６５に薬液を供給する処理流体供給機構７０と、処理流体ノズル６５によりウエハＷに薬液が吐出される際にウエハＷを上方から覆うことができるカバー機構６０と、を備えている。カバー機構６０は、カバー機構６０がウエハＷを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で、昇降駆動機構７８により上下方向に駆動される。また液処理装置１０は、カバー機構６０が上昇位置にある時にカバー機構６０とウエハＷとの間でウエハＷをカバー機構６０から遮蔽することができる遮蔽機構３０をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、ウエハのパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、ウエハＷの上方に設けられ、ウエハＷに薬液を吐出する吐出口を有する処理流体ノズル６５と、処理流体ノズル６５に薬液を供給する処理流体供給機構７０と、処理流体ノズル６５によりウエハＷに薬液が吐出される際にウエハＷを上方から覆うことができるカバー機構６０と、を備えている。カバー機構６０は、カバー機構６０がウエハＷを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で、昇降駆動機構７８により上下方向に駆動される。また液処理装置１０は、カバー機構６０が上昇位置にある時にウエハＷをカバー機構６０から上下方向において遮蔽することができ、清浄ガスのダウンフローを生成するエアフード３１をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】液処理の工程に応じて基板の上方における気流の状態を最適化可能な液処理装置、および液処理方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを液処理する液処理装置１において、基板Ｗを水平に支持し、回転可能な支持部材１０と、支持部材１０の外周部１３との間に環状間隙ＧＰを形成する間隙形成部材２０と、基板Ｗに上方から処理液を供給する液供給部材３０と、環状間隙ＧＰを取り囲み、環状間隙ＧＰを介して、回転する基板Ｗから振り切られる処理液を回収するカップ４０と、間隙形成部材２０を昇降させる昇降機構１２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理層を所望の形状に形成することが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】この現像方法（基板処理方法）は、基板１００上に配置されたレジスト層１０１を現像する現像方法であって、レジスト層１０１上に現像液を供給し、現像液の表面張力を利用してレジスト層１０１上に液層１０２を形成する液層形成工程と、液層１０２によるレジスト層１０１の現像を進行させる処理工程と、を備える。処理工程は液層１０２を攪拌する攪拌工程を含む。 （もっと読む）

【課題】処理室内の付着物を洗浄可能な液処理装置および液処理装置の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを液処理する液処理装置１において、ウエハＷを水平に支持し回転可能なウエハ支持部材１０と、ウエハ支持部材１０の上方を覆いウエハ支持部材１０と共にウエハＷを液処理するための処理室Ｓを形成するカバー２０と、カバー２０の外周部２３とウエハ支持部材１０の外周部１３との間を開放する開位置と、閉鎖する閉位置との間で、カバー２０を昇降させる昇降機構１３２と、処理室Ｓ内に配置され、回転するウエハＷに処理液を供給する液供給部材３０（４０）と、ウエハ支持部材１０によりウエハＷを支持していない状態で、カバー２０の位置を閉位置に設定し、液供給部材３０（４０）により処理室Ｓ内に所定量の洗浄液を供給した後、カバー２０の位置を開位置に変更する制御装置７０とを有する。 （もっと読む）

【課題】液処理の工程に応じて基板の上方における気流の状態を最適化可能な液処理装置、および液処理方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを液処理する液処理装置１において、基板Ｗを水平に支持し、基板Ｗと共に回転可能な支持部材１０と、支持部材１０と共に基板Ｗを液処理するための処理室Ｓを形成し、処理室Ｓ内に気体を流入させる開口部２４を備えるカバー２０と、処理室Ｓ内において基板Ｗに上方から処理液を供給する液供給部材３０と、支持部材１０の外周部１３とカバー２０の外周部２３との間に形成される環状間隙ＧＰを取り囲み、環状間隙ＧＰを介して、回転する基板Ｗから振り切られる処理液を受け取るカップ４０と、環状間隙ＧＰを調節する調節機構１２２と、処理室Ｓの開口部２４に液供給部材３０を接近または離間させる移動機構１３２とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理流体による液体の除去能力の低下を抑制しつつ、基板の表面に付着した液体を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器１では基板Ｗ表面の乾燥防止用の液体に、超臨界状態または亜臨界状態である高圧状態の処理流体を接触させて、前記乾燥防止用の液体を除去する処理を行うにあたり、昇圧ポンプ２は供給ライン５１を介して処理容器１に処理流体を供給して高圧状態の処理流体雰囲気とし、次いで、この昇圧ポンプ５１よりも吐出流量の大きな循環ポンプ３にて、処理容器１内の流体を循環ライン５３に循環させた後、処理容器１内の流体を排出ライン５２から排出する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、金属系ウェハのパターン倒れを改善する薬液を提供する。
【解決手段】金属系ウェハ１の、少なくとも凹部４表面に撥水性保護膜１０を形成する薬液であり、撥水性保護膜形成剤が、下記一般式［１］及びその塩から選ばれる少なくとも一つであり、前記薬液中に含まれる溶媒の総量に対する水の濃度が５０質量％以上である。


Ｒ^１は一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の１価の炭化水素基。Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基。ａは０乃至２の整数。 （もっと読む）

【課題】簡素な手法により２つのカップを一体に上昇させることが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１では、被処理基板の回転保持部２１を囲むように設けられた第１、第２のカップ５１、５２は、回転する被処理基板Ｗから飛散した処理液を下方側へ案内し、第１の駆動部６１０及び第２の駆動部６２０は、処理液を受け止める位置と、その下方側の位置との間で第１のカップ５１及び第２のカップ５２昇降させる。制御部７は、第１、第２のカップ５１、５２の同時上昇時、第１のカップ５１の上昇速度を第２のカップ５２の上昇速度よりも大きくし、第１のカップ５１またはその第１の昇降部材は、前記第２のカップ５２またはその第２の昇降部材に下方側から重なり合って、第１の駆動部の駆動力を伝達させることにより、これら第１のカップ５１と第２のカップ５２とを同時に上昇させる （もっと読む）

【課題】基板を効率よく撥水化することが可能な液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】撥水化剤溶液を加温する溶液加温工程と、加温された前記撥水化剤溶液を基板に対して供給する撥水化処理工程と、前記撥水化処理工程後の前記基板に対し、リンス液を供給するリンス工程と、前記基板を回転させて、前記リンス液を除去する乾燥工程と、を含む液処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にダメージを与えることなく良好に洗浄することができる基板洗浄ノズル及び基板洗浄装置並びに基板洗浄方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板洗浄ノズル（３７）に設けた液層保持手段（３８）の液層保持口（４７）で洗浄液の液層（５３）を保持するとともに、前記基板洗浄ノズル（３７）に設けた基板加熱手段（３９）で基板（２）の表面を前記洗浄液の沸点以上に加熱し、前記基板洗浄ノズル（３７）を前記基板（２）の表面に近づけて、前記基板（２）の表面の熱で前記洗浄液の液層（５３）を沸騰させて前記基板（２）の表面と前記洗浄液の液層（５３）との間に前記洗浄液の蒸気の層を形成し、前記洗浄液の蒸気で前記基板（２）の表面を洗浄することにした。 （もっと読む）

【課題】洗浄槽から引き上げた基板の下端部に液滴が残って不純物やパーティクル等が基板に残留するのを抑制することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を貯留し、該洗浄液に対して基板を浸漬することができる洗浄槽と、前記洗浄槽の上方に配置され、前記基板を収容可能な乾燥室と、複数の基板を直立に保持し、前記洗浄槽と前記乾燥室とを往復可能に設けられる基板保持搬送部と、前記乾燥室に設けられ、前記乾燥室内へ有機溶剤の蒸気を供給する第１の供給部と、前記基板保持搬送部により前記乾燥室において保持される前記基板の下端部に乾燥ガスを供給可能な第２の供給部とを備える基板処理装置により上記課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にダメージを与えることなく良好に洗浄することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法並びに基板洗浄プログラムを提供すること。
【解決手段】本発明では、洗浄液の液層（５２）を形成するノズル（４０）を備えた液層保持手段（２５）と、基板（２）の表面を洗浄液の沸点以上に加熱する基板加熱手段（２４）と、ノズル（４０）を基板（２）に近接させる昇降機構（４１ａ）とを有し、ノズル（４０）に形成した液層（５２）を基板加熱手段（２４）で加熱した基板（２）の表面の熱で沸騰させて基板（２）の表面と液層（５２）との間に蒸気層（６０）を形成するように昇降機構（４１ａ）を制御して、基板（２）の表面を洗浄することにした。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するスピンチャックと、基板Ｗの上面内の噴射領域Ｔ１に吹き付けられる処理液の液滴を生成する液滴ノズル５と、基板Ｗを保護する保護液を基板Ｗの上面に向けて吐出する保護液ノズル６とを含む。保護液ノズル６は、保護液が基板Ｗの上面に沿って噴射領域Ｔ１の方に流れるように基板Ｗの上面に対して斜めに保護液を吐出し、噴射領域Ｔ１が保護液の液膜で覆われている状態で処理液の液滴を噴射領域Ｔ１に衝突させる。 （もっと読む）

【課題】 処理液による処理中の基板への処理液の飛沫の付着を防止して清浄に保つことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 気体吐出ノズル１１は中心に開口１１ｇを有する円環状で、本体１１ａの外側の側面１１ｂには上下２列に並んだ多数の外側気体吐出穴１１ｃが、開口１１ｇの側面１１ｄには１列に並んだ多数の内側気体吐出穴１１ｅが形成される。処理中に、基板Ｗは外側気体吐出穴１１ｃ、内側気体吐出穴１１ｅからの気体により覆われて液の飛沫が付着することがない。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成されたレジスト膜を除去する基板処理方法および基板処理装置において、処理コストおよび環境負荷の低減を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの裏面Ｗｂに温水を供給して基板Ｗを温め、カロ酸の固体３０９を保持した酸化剤保持ヘッド３を基板表面Ｗｆに対し走査移動させる。基板表面Ｗｆとカロ酸固体３０９との界面にはカロ酸が融解してなる液体層３０９ａが形成され、基板表面Ｗｆに付着したレジスト膜を分解除去する。 （もっと読む）