【課題】半導体基板のリンス処理時に、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜の膜減りを抑制する。
【解決手段】半導体基板(Ｗ)上には、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜が形成されている。半導体基板（Ｗ）に対するリンス処理において、アルカリ性薬液または有機溶剤からなるリンス液が用いられる。 （もっと読む）

物体の統合されたクリーニングのための方法及び装置は、同じプロセスチャンバにおける一連の湿式クリーニング及び真空乾燥を含む。本発明の統合されたクリーニングプロセスは、部材の移動を排除することができ、システム信頼性を高める。クリーニングされた物体を脱気及び汚染除去するために、真空汚染除去を提供することができる。１つの実施の形態において、クリーナシステムは、例えばスループットを高めるために、様々な移動を、ロボットによって行われる統合された移動に組み合わせる。例えば、統合されたロボット移動は、閉鎖された容器をインプットロードポートから取り上げ、蓋及び本体を一緒に移動させ、次いで、本体及び蓋を別々に、クリーニングされるためにクリーナの適当な位置へ配置することを含む。
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【課題】大面積極薄ウェハを洗浄するのに適したスクラブ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】このスクラブ洗浄装置は、極薄ウェハ７の外周縁部が保持されてウェハを水平の状態で回転可能に支持する支持部材８と、支持部材を所定の回転数で回転させる駆動部と、ウェハ表面上に配置されかつウェハ表面に対して平行な回転軸を有するロールブラシ９と、ウェハ表面へ洗浄液10を供給する供給部を備え、ウェハ裏面側へ向け水流等の液体を噴射してウェハ表面の平面状態を維持させるウェハ平面維持手段としてのノズル11が設けられていることを特徴とする。そして、この装置によれば、ウェハ中心部に洗浄液が溜まり易いスクラブ洗浄中においても、ウェハ平面維持手段の作用によりウェハ表面の平面状態が維持されるため良好なスクラブ洗浄を安定して行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板のベベル部および基板裏面を短時間で、しかも良好に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】遮断部材５が基板Ｗの表面Ｗｆに近接して対向配置された状態で基板Ｗの上面ベベル部に第１処理液が供給されてベベル洗浄が実行される。このベベル洗浄中に裏面処理ノズル２から第２処理液が基板裏面Ｗｂに供給されて裏面洗浄が実行される。また、遮断部材５の下面周縁部に段差部ＳＴが形成されており、環状部５０ｂに付着した処理液などが基板対向面側に移動しようとしても、当該移動は段差部ＳＴにより阻止される。その結果、基板対向面５０ａと平面領域ＦＰの間に液密層が形成されるのを確実に防止する。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面に対して１回目の洗浄材料の適用がなされる。洗浄材料は、基板の表面上に存在する汚染物質を取り込むための１つ又は２つ以上の粘弾性材料を含む。基板の表面から洗浄材料をすすぐために、基板の表面に対して１回目のすすぎ流体の適用がなされる。すすぎ流体の１回目の適用は、基板の表面上にすすぎ流体の残留薄膜を残らせるようにも実施される。すすぎ流体の残留薄膜を上に有する基板の表面に対して２回目の洗浄材料の適用がなされる。次いで、基板の表面から洗浄材料をすすぐために、基板の表面に対して２回目のすすぎ流体の適用がなされる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程での乾燥処理におけるパターンの倒壊を抑制可能とする、半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン系材料を用いて構成されるシリコン系部材層を形成し、前記シリコン系部材層の上に、金属材料を用いて構成される金属部材層を形成し、前記金属部材層をパターニングし、パターニングされた前記金属部材層の表面に側壁膜を形成し、前記シリコン系部材層をパターニングすることにより、前記シリコン系部材層と、前記側壁膜で表面を覆われた前記金属部材層と、を備える構造体を形成し、薬液を用いて前記構造体の表面を洗浄し、前記構造体の表面から前記薬液を除去し、前記構造体の表面に撥水性保護膜を形成し、前記撥水性保護膜が形成された前記構造体の表面をリンスし、前記構造体の表面を乾燥させる、工程を含む。 （もっと読む）

【課題】リンス処理時間の低減、及び、リンス液の使用量を低減させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】第１の処理液で処理してから第２の処理液で処理する基板処理装置１００は、第１、第２の処理液を半導体ウェーハに向けて供給する上部ノズル体５１及び斜方ノズル体７１と、半導体ウェーハＷ上面の膜厚を検出可能な膜厚検出手段８１，８２と、各処理液及び処理の特性等の情報を記憶したデータベース９０と、膜厚検出手段により検出された膜厚とデータベース９０に記憶された情報とに基いて、半導体ウェーハＷ上の液膜が第１の処理液から第２の処理液へと置換されたか否かを判定する制御装置７と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】基板の下面への処理液による処理時にのみ対向部材を当該基板の下面に近接させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】下面処理液配管１０の管壁の途中部には、ベローズ部２４が設けられている。下面処理液配管１０内を処理液が流通するときは、その処理液の圧力によってベローズ部２４が伸長状態となり、下面処理液配管１０内を処理液が流通しないときよりも、下面処理液配管１０の配管長が長くなる。下面処理液配管１０の上端部に、対向棒２０が固定されている。処理液の吐出時には、対向棒２０を前記近接位置に位置し、また、処理液を吐出しないときは、対向棒２０を前記離間位置に位置する。 （もっと読む）

【解決手段】 実施形態は、基板表面から、なかでも特にパターン化基板（またはウエハ）の表面から粒子を除去するための装置と方法とを提供する。洗浄の装置および方法は、微細な特徴を伴うパターン化基板を基板表面上のそれらの特徴を実質的に損傷させることなく洗浄することにおいて有利である。洗浄の装置および方法は、１０，０００ｇ／モルを上回るなどの高分子量のポリマ化合物を含む粘弾性洗浄材料を使用することを伴う。粘弾性洗浄材料は、基板表面上の粒子の少なくとも一部を取り込む。十分短い期間にわたって粘弾性洗浄材料に対して力が付与されると、材料は、取り込まれた粒子を伴った粘弾性洗浄材料の除去を促進する固体様の性質を示すようになる。粘弾性洗浄材料の固体様特性にアクセスするためには、短い期間にわたって幾種かの力を付与することが可能である。あるいは、粘弾性洗浄材料は、温度を下げられたときにも固体様の性質を示す。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ２０が制御されて、吸着ベース１０が上昇される。この吸着ベース１０の上昇は、ウエハＷの上面とリング上面２８との間の間隔が一定範囲内に保たれるように行われる。ふっ硝酸処理の結果ウエハＷは薄くなるが、吸着ベース１０が上昇されるために、ウエハＷの上面に形成されるふっ硝酸の液膜の厚みをほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理品質を向上させつつ基板の処理コストを十分に低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽４から引き上げられる基板Ｗに気体供給ダクト６２から気体が供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。気体供給ダクト６２は、主管１４１および２つの分岐配管１４２ａ，１４２ｂからなる配管１４０を介してドライエア発生装置１１０およびファンユニット１２０と接続されている。ドライエア発生装置１１０は分岐配管１４２ａを通して気体供給ダクト６２にドライエアを供給し、ファンユニット１２０は分岐配管１４２ｂを通して気体供給ダクト６２に大気を供給する。各分岐配管１４２ａ，１４２ｂには、制御バルブ１３０ａ，１３０ｂが介挿されている。制御バルブ１３０ａ，１３０ｂの開閉状態に応じてドライエアおよび大気のいずれか一方が気体供給ダクト６２に供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の平面度を維持しながら洗浄を行い、被洗浄物の反り、破損及び被洗浄物の下面側に洗浄液が液侵するのを抑制しつつ、被洗浄物の支持体との接触部分の洗浄残の発生を抑制できる枚葉式洗浄装置。
【解決手段】円筒状の凹部及び該凹部の内壁面に沿って気体を吐出する吐出口を有する旋回流形成部を上面部に複数有し、被洗浄物の直下に配設される吸着浮上テーブルと、吸着浮上テーブルの周辺に配設され、吸着浮上テーブルの直上の被洗浄物の側面を支持する支持体を有し、支持体で支持した被洗浄物を中心軸で回転させるスピンテーブルとを具備し、被洗浄物を非接触な状態で吸着浮上させつつ、支持体で被洗浄物の側面を支持し、スピンテーブルによって前記被洗浄物を中心軸で回転させて上面を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】大型化することなく、処理室内からの処理流体を含む排気を、所望の個別排気管に良好に導くことができる基板処理装置を提供すること。また、３つの個別排気管が全て閉塞することを確実に防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室からの排気が集合管４５に導入される。排気切換器５０は、集合管４５から排気が導入される排気導入室５４と、排気導入室５４の内部に回転可能に設けられた回転板５５とを備えている。排気導入室５４の側壁５９には、３つの導出接続孔６２，７２，８２が、回転軸線Ｃを中心とする円周上に等角度間隔に貫通して形成されている。各導出接続孔６２，７２，８２には、個別排気管６０，７０，８０の上流端が接続されている。回転板５５の回転軸線Ｃまわりの回転に伴って、選択孔４９が３つの導出接続孔６２，７２，８２と順に対向する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の面荒れを防止しつつ、シリコン基板を薄化させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】研削工程（図（ｂ）参照）では、研削装置８０の研削砥石によってウエハＷの裏面が研削される。ウエハＷの研削の進行に伴って、研削砥石が磨耗し、研削砥石から破砕された結合剤が、ウエハＷの裏面に付着するおそれがある。その後、ＵＶ照射工程が実行される。ＵＶ照射工程（図（ｃ）参照）では、紫外線ランプ３２からの紫外線がウエハＷの裏面に照射される。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、この紫外線の照射により、有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。その後、ふっ硝酸供給工程（図（ｄ）参照）が実行され、ウエハＷの裏面がふっ硝酸を用いてエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を超音波洗浄したときに微細なパターンやホール等がダメージを受けることを極力防止する。
【解決手段】半導体基板１を薬液を用いて洗浄する構成において、薬液に含まれる水分の濃度を検出する水分濃度検出装置５を備え、薬液または半導体基板１に超音波を印加して超音波洗浄を実行する超音波振動子９を備え、水分濃度検出装置５により検出された水分濃度に基づいて超音波振動子９をオンオフする制御装置６を備えた。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面の汚染に起因するパターン不良を十分に防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に膜が形成される前に、密着強化ユニットＡＨＬにより基板Ｗの密着強化処理が行われる。密着強化ユニットＡＨＬにおいては、基板Ｗが基板載置プレート９３１上に載置される。この状態で、基板Ｗの裏面は複数の球体ＰＵおよび環状部材９３５により支持される。基板Ｗの裏面の周縁部は環状部材９３５に当接する。基板Ｗの裏面と基板載置プレート９３１の上面との間に隙間空間ＢＳが形成される。基板Ｗの表面に密着強化剤が供給される際には、第１の排気装置９９０により隙間空間ＢＳの内部の雰囲気が排気され、隙間空間ＢＳの外周部が環状部材９３５により閉塞される。密着強化処理後の基板Ｗの表面には膜が形成される。その後、基板Ｗの裏面が洗浄される。裏面が洗浄された基板Ｗは露光装置へ搬送される。 （もっと読む）

【課題】近年、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、窒化シリコン膜等が有する応力に起因する歪を利用したキャリア移動度向上技術が活用されている。これに伴って、ウエハの表側における複雑なデバイス構造上の窒化シリコン膜を高選択で除去するため、熱燐酸によるバッチ方式ウエット処理が必須となっている。これによって、ウエハの裏面の窒化シリコン膜も除去され、一群の歪付与工程の後のプロセスにおいては、ウエハの裏側の表面はポリ・シリコン部材ということとなる。しかし、一般的なウエハの裏面等の洗浄に使用する方法は、裏面が窒化シリコン膜等であることを前提とするものであり、その特性の異なるポリ・シリコン主体の裏面を有するウエハでは洗浄の効果が十分といえない恐れがある。
【解決手段】リソグラフィ工程の前に、ＦＰＭ処理の後ＳＰＭ処理を実行する２工程を含むウエハ裏面に対するウエット洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板の表面からパーティクル汚染物質を洗浄するための装置及び方法は、粘弾性材料の層を表面上に塗布することを含む。粘弾性材料は、薄い膜として塗布され、実質的な液体様特性を示す。粘弾性材料を塗布された表面の第１のエリアには、粘弾性材料を塗布された表面の第２のエリアがその加えられる力を実質的に受けないように、外力が加えられる。外力は、粘弾性材料の固体様特性にアクセスするために、粘弾性材料の固有時間よりも短い持続時間にわたって加えられる。固体様特性を示す粘弾性材料は、表面上に存在するパーティクル汚染物質の少なくとも一部と少なくとも部分的に相互作用する。粘弾性材料は、固体様特性を示している間、パーティクル汚染物質の少なくとも一部と併せて表面の第１のエリアの領域から除去される。 （もっと読む）

【課題】形成されたパターンに与えるダメージが少ない基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の表面にドライエア又は不活性ガスの気流にのせた洗浄用の微粒子を基板に衝突させて、前記基板の洗浄を行う洗浄工程と、前記洗浄用の微粒子を除去する除去工程と、を有することを特徴とする基板洗浄方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するためのシリコンウェハ用洗浄剤を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含み、該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのＳｉと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物と、含窒素化合物溶媒を含む有機溶媒とが混合されて含まれるものであり、該撥水性化合物は、該撥水性洗浄液の総量１００質量％に対して０．１〜５０質量％となるように混合されて含まれ、さらに、該含窒素化合物溶媒は、窒素に結合する元素が炭素であるものとすること。 （もっと読む）