【課題】回転する被処理基板の下面側に供給された処理液の上面側への回り込みを効果的に抑制できる液処理装置を提供する。
【解決手段】回転基体２１は、被処理基板Ｗを水平に保持した状態で回転させ、処理液供給部２４３からは回転している被処理基板Ｗの下面に処理液が供給される。囲み部材３は回転する被処理基板Ｗを囲むように設けられ、振り切られた処理液をその下面にてガイドし、当該囲み部材３の下面側に、各々内縁側から外方に向かって伸びると共に周方向に沿って配列された複数のガイド溝部３２は、被処理被処理基板Ｗの周縁部に到達した処理液を毛管作用により外方側に引き出して、その上面側への処理液の回り込みを抑える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ウエハ形状の物品、特にウエハの規定された領域に対する液体処理のための装置を提供する。
【解決手段】 マスク（２）は、毛管作用力によってマスクとウエハ形状の物品の規定された領域との間に液体が保持されるように、ウエハ形状の物品までの規定された短い距離で維持される。 （もっと読む）

【課題】形成した微細パターンの乾燥工程での倒壊を防止する。
【解決手段】 被加工物に対して、第１パターンの形成領域と、前記第１パターンの形成領域に隣接して前記第１パターンに比べて少なくともパターン幅が広いかアスペクト比が小さい第２パターンの形成領域とを設ける構成の半導体装置の製造方法であって、最表面に第１の接触角を有する第１膜を配置した前記第１パターンと、最表面に前記第１の接触角よりも小さい第２の接触角を有する第２膜を配置した前記第２パターンを形成する工程と、前記第１パターンおよび第２パターンの形成領域を薬液により洗浄し、リンス液でリンスする工程と、リンスした前記第１パターン及び第２パターンを乾燥させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】沸点付近のリン酸水溶液を含む処理液を基板に供給することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】リン酸、硫酸、および水が、第１タンク１５からスピンチャック２に保持された基板Ｗに至る処理液の流通経路Ｘ１に供給される。これにより、リン酸、硫酸、および水の混合液が生成される。また、硫酸を含む液体と水を含む液体とが流通経路Ｘ１において混合され、リン酸、硫酸、および水の混合液の温度が上昇する。スピンチャック２に保持された基板Ｗには、沸点付近のリン酸水溶液を含む混合液が供給される。 （もっと読む）

【課題】処理液消費量の低減を実現できるとともに、基板の広範囲に処理液を行き渡らせることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ノズル３の対向面２３には吐出口２６が形成されている。対向面２３を、水平姿勢のウエハＷ表面に微小間隔Ｓを隔てて対向配置させる。ウエハＷの回転開始後、ウエハＷ表面の対向領域Ａ１と対向面２３との間の空間にＤＩＷを供給し、当該空間を液密状態とするとともにＤＩＷの供給を停止して、当該空間にＤＩＷの液溜まりＤＬを形成する。液溜まりＤＬの形成後、吐出口２６からＤＩＷが吐出される。ウエハＷの表面にＤＩＷの液膜が形成された後、吐出口２６からＤＩＷに代えて薬液が吐出される。ウエハＷの表面を覆う液膜が、ＤＩＷから薬液へと置換される。 （もっと読む）

【課題】表面及び裏面にチタン含有膜が形成された基板の裏面からチタン含有膜を除去するときに、基板の裏面に残留するチタン元素を従来より短い時間で除去することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の裏面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を支持する支持部により、表面及び裏面にチタン含有膜が形成されている基板を支持し、支持部に支持されている基板を、支持部とともに回転させ、回転する基板の裏面にアンモニア過水を含む第１の処理液を供給し、供給した第１の処理液により基板の裏面を処理する第１の工程Ｓ１１を有する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理装置および基板処理方法において、高いスループットを得られ、しかも優れた処理性能でパーティクル等を除去する。
【解決手段】凍結後の液膜ＬＦ（凝固膜ＦＦ）の到達温度を低くすることによってパーティクルの除去効率を高めることができる。しかも、基板表面Ｗｆ全体に凝固膜ＦＦが形成される前後で冷却ガスの流量を変更しているので、処理に要する時間を短縮しながら優れた処理性能でパーティクル等を除去することができる。特に、液膜ＬＦを凍結させる段階での冷却ガスの流量については基板表面Ｗｆ上の液膜ＬＦを吹き飛ばさない程度に抑えることが必要であるが、凝固膜ＦＦが全面形成された後の段階ではこのような制約がなく、冷却ガスの流量を多くすることが可能であり、これにより冷却能力を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ裏面側の空間において上昇気流や乱流の発生を防止し、ウェーハの裏面の汚れを防止することが可能なウェーハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ洗浄装置１０は、回転可能に軸支されると共に中心部に開口１１ａを有するステージ１１と、ステージ１１上においてウェーハ１を支持する複数のガイドピン１４と、ステージ１１の開口１１ａ内に設けられ、ウェーハ１の裏面に処理液又はガスを供給する複数の裏面洗浄ノズル１６と、開口１１ａ内において裏面洗浄ノズル１６を保持するノズル保持部材１７とを備えている。ノズル保持部材１７の上部は、ステージ１１の開口１１ａに装入されており、ノズル保持部材１７の上面１７ａはステージ１１の上面１１ｂと実質的に面一か又は上面よりも上方に位置し、裏面洗浄ノズル１６の先端はノズル保持部材１７を貫通してノズル保持部材１７の上面１７ａに露出している。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスパターンに形成されたホール内をより高い洗浄能力で洗浄する。
【解決手段】ホールや溝が形成されたパターン面を有するウェハを一枚ずつ洗浄する本発明の半導体洗浄装置では、ウェハスピンベース７に固定されたウェハ２上のパターン面に２流体ノズル１からミスト化した薬液を吐出してから、ＤＩＷノズル５によりウェハ２のパターン面を純水で洗う。その後、該パターン面の全面にＩＰＡノズル６によりイソプロピルアルコールを塗布する。しかる後、ウェハ２を、そのパターン面が重力方向下向きになるように反転させ、ウェハ２を回転した状態において２流体ノズル８より該重力方向下向きのパターン面に向けて、ミスト化したイソプロピルアルコールを吐出する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンへのダメージを抑制しながら基板表面を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板保持手段１１に保持され、凝固対象液としてのＤＩＷが付着した基板Ｗの表面Ｗｆに対し、液滴供給手段４１の二流体ノズル４１８から、ＤＩＷの凝固点より低い温度に調整された洗浄液としてのＨＦＥの液滴を基板表面Ｗｆに供給し、パターン近傍のＤＩＷを凝固させると共に物理洗浄する。これにより、パターンを補強してダメージを防止した上で基板表面Ｗｆの洗浄を行い、別途凍結の手段を設ける場合に比べてコストを低減し、処理に要する時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板に疎水化剤が供給され、当該基板の表面が疎水化される（Ｓ１０４，Ｓ１０８）。その後、基板が乾燥される（Ｓ１１０）。処理対象の基板は、疎水化されてから乾燥するまで水が接触しない状態に保たれる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、被処理基板に略均一に乾燥流体を供給するようにして乾燥不良をなくし、薬液・洗浄処理及び乾燥処理の一連の処理を効率的に行なえる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 洗浄槽３と、その上方に設けた乾燥室６との間にシャッター部材８を設けるとともに、シャッター部材８の略中央部に乾燥流体を排出させるための排気口９_１を形成し、上記乾燥室６の上部には、両側壁の対向する面のそれぞれに乾燥流体を噴射する噴射ノズル１５ａ，１５ｂを設け、これら噴射ノズルに設けた複数の噴射口を互いに対向させ、これら噴射口から水平方向に噴射させた乾燥流体を上記乾燥室６の上方中央部で衝突させてから排気口９_１に導いて、下方に向かう乾燥流体の流れを形成する。 （もっと読む）

【課題】 レジストの水による物性変化（膨潤性等）を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル３をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Ｗが薬液処理される。次に、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Ｗの中心部にリンス液を供給しながら、基板Ｗの回転数をリンス処理工程時の基板Ｗの回転数より低い第１の回転数まで低下させる工程と、基板Ｗの回転数を第１の回転数まで低下させる工程の後、リンス液を供給するリンス液供給位置を、基板Ｗの中心部から周縁部に向けて移動させる工程と、リンス液供給位置を移動させる工程の後、基板に乾燥液を供給する工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】基板のベベル部を簡便かつ効率的に洗浄することができ、省スペース化にも有利な基板洗浄装置、これを備える塗布現像装置、および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による基板洗浄装置は、基板の裏面中心部を保持し、当該基板を回転する基板保持回転部と、第１の洗浄部、前記第１の洗浄部の周りに配置される第２の洗浄部、並びに前記第１の洗浄部および前記第２の洗浄部が取り付けられる台座を含む洗浄部材と、前記基板保持回転部に保持される前記基板の裏面に前記第１の洗浄部と前記第２の洗浄部とを接触可能に、前記基板保持回転部および前記洗浄部材を相対的に昇降する昇降部と、前記第２の洗浄部の一部を前記基板の外側に露出可能に、前記基板の裏面に沿った方向に、前記基板および前記洗浄部材を相対的に駆動する駆動部とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンへのダメージを抑制しながら基板表面を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板保持手段１１に保持され、洗浄液としてのＤＩＷの液膜が形成された基板Ｗの表面Ｗｆに対し、媒介液供給機構５５から媒介液としてのトルエンを供給し、ＤＩＷの液膜の上にトルエンの液膜を更に形成する。その後、超音波付与機構５１によりトルエンを介してＤＩＷに超音波を付与しながら、凝固手段３１から基板表面Ｗｆに凍結用の窒素ガスを吐出し、ＤＩＷを凝固させる。これにより、結晶サイズの小さいＤＩＷの凝固体を形成し、その後のリンス工程で短時間に解凍することを可能とし、リンス液中に遊離するＤＩＷの結晶を減少し、パターンへのダメージを防止する。 （もっと読む）

【課題】基板に噴霧される液体の液滴の噴霧範囲を広くすることができる二流体ノズル、基板処理装置、液体の液滴の生成方法、および基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル４０の本体部４２の下方において、ガス吐出口４６ｂから下方に吐出される旋回流の液滴生成用ガスと液体吐出口４４ｂから下方に吐出される液体とが混合されて液体の液滴が生成されるようになっている。また、ガス吐出口４６ｂから下方に吐出される液滴生成用ガスにおける旋回流の内側の圧力を調整する圧力調整部が本体部４２に設けられている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の下面にエッチング液などの薬液を供給した後、この薬液を効率的に除去することが可能な液処理装置等を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗは基板保持部３に水平に保持されて、鉛直軸周りに回転され、薬液供給部３４３からは回転している被処理基板Ｗの下面に薬液が供給される一方、リンス液供給部３４３からはこの薬液が供給された面にリンス液が供給される。そして第１のステップにて第１の回転速度で回転させながら被処理基板Ｗに薬液を供給し、第２のステップにて薬液の供給を停止し、かつ被処理基板Ｗを前記第１の回転速度より速い第２の回転速度で回転させて薬液を振り切った後、第３のステップにて被処理基板Ｗを第１の回転速度以下の第３の回転速度で回転させた状態で、当該被処理基板Ｗにリンス液を供給する。 （もっと読む）

【課題】基板のリンス処理時に、基板が熱変形したり、処理液とリンス液とが反応したりするのを防止して、リンス液の飛散を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板の表面を処理液で液処理した後に処理液よりも低温のリンス液でリンス処理する基板液処理において、液処理とリンス処理との間に基板の表面の温度を処理液の液温未満かつリンス液の液温より高い温度にする中間処理を行うことにした。中間処理は、処理液の液温未満かつリンス液の液温より高い温度の中間処理液を基板に供給することにした。また、中間処理液を基板の裏面のみに供給することにした。また、処理液及びリンス液の供給を停止した状態で基板を回転させることにした。また、液処理時に処理液として反応熱の生成を伴う化学反応を行う複数種類の薬液の混合液を基板に供給するとともに、中間処理時にいずれかの薬液の供給を停止することにした。 （もっと読む）

【課題】アルカリ性処理液及び酸性処理液を用いても、新たなパーティクルの発生を抑制し得る基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗとともに回転可能なプレート１ａと、プレート１ａの外側に備えられたカップ１ｈとを有する基板保持部１と、基板保持部１に保持された基板Ｗに対してアルカリを含む処理液を供給する第１の処理液供給部２ａと、基板保持部１に保持された基板Ｗに対して酸を含む処理液を供給する第２の処理液供給部２ｂとを備える処理液供給機構２と、基板保持部１の外側に設けられ、基板保持部１の周囲に設けられた外周壁３ａを備えるドレインカップ３と、ドレインカップ３の外側に設けられた外カップ４と、ドレインカップ３と外カップ４との間で昇降する昇降カップ８と、ドレインカップ３と外カップ４の間に設けられた昇降カップ８を洗浄する昇降カップ洗浄室４ｂとを具備し、昇降カップ８は、カップ１ｈの外側にある。 （もっと読む）