【課題】ＳＰＭ処理の際に、基板上における処理液の温度低下を抑制する。
【解決手段】基板処理装置１では、基板回転機構５により回転する基板９の上面９１に向けて処理液供給部３から液体が吐出される。処理液供給部３は、硫酸供給部３１、過酸化水素水供給部３２、混合液生成部３３およびノズル３４を備える。基板処理装置１では、硫酸供給部３１により加熱された硫酸がノズル３４から基板９に供給され、基板９に対する予備加熱処理が行われる。その後、硫酸供給部３１からの加熱された硫酸と過酸化水素水供給部３２からの過酸化水素水とが混合液生成部３３にて混合されてＳＰＭ液が生成され、ＳＰＭ液が基板９に供給されてＳＰＭ処理が行われる。予備加熱処理が行われることにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９上に供給された高温のＳＰＭ液の温度低下を抑制することができる。その結果、ＳＰＭ処理の効率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】コストの増加を抑制しながら、基板の主面全域を覆う液膜を速やかに形成でき、それによって、基板処理の品質を向上できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを保持して回転させる基板保持回転機構２，３と、基板Ｗの主面に向けて処理液を吐出する処理液ノズル１１を有する処理液供給機構４と、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成するのに十分な量の処理液を貯留する処理液溜まり５と、処理液溜まり５に貯留された処理液を一気に基板Ｗの主面に供給することにより、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成する液膜形成ユニット６と、制御ユニット７とを含む。制御ユニット７は、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成させた後に、処理液ノズル１１から基板Ｗの主面に向けて処理液を吐出させる。 （もっと読む）

【課題】基板の洗浄時間を短縮することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板洗浄装置１は、基板保持台２０と、基板回転駆動部２５と、基板保持台２０に保持された基板Ｗの上面に対して洗浄液を供給するノズル３０と、基板保持台２０に保持された基板Ｗの上面を洗浄する第１洗浄具４１および第２洗浄具４２と、第１洗浄具４１および第２洗浄具４２が取り付けられた支持部材４３と、を備えている。支持部材４３は、第１洗浄具４１を基板保持台２０に保持された基板Ｗの中心部から基板Ｗの洗浄領域Ｗ_０の周縁部に基板Ｗに沿って移動させるように、移動可能に構成されている。第１洗浄具４１および第２洗浄具４２は、第１洗浄具４１が基板Ｗの洗浄領域Ｗ_０の周縁部に配置されている場合に、第２洗浄具４２が基板Ｗの洗浄領域Ｗ_０の周縁部に配置されるように、支持部材４３に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される。そして、９秒間だけＤＩＷの供給を継続した後に停止し、所定時間（０．５秒間）が経過してパドル状の液膜の膜厚ｔ1がほぼ均一になるのを待って、ＩＰＡが基板表面Ｗfの表面中央部に向けて例えば１００（ｍＬ／ｍｉｎ）の流量で吐出される。このＩＰＡ供給によって、基板Ｗの表面中央部ではＤＩＷがＩＰＡに置換されて置換領域ＳＲが形成される。さらにＩＰＡ供給から３秒が経過すると、基板Ｗの回転速度が１０ｒｐｍから３００ｒｐｍに加速される。これによって、置換領域ＳＲが基板Ｗの径方向に拡大して基板表面Ｗfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 （もっと読む）

【課題】パターンにダメージが発生することを抑制または防止しつつ、パーティクルの除去率を向上させること。
【解決手段】噴射ノズル５から基板Ｗの上面に向けて複数の処理液の液滴を噴射させながら、基板Ｗに対して噴射ノズル５を移動させて、基板Ｗに対する液滴の衝突位置を移動させる。基板Ｗに付着しているパーティクルは、液滴の衝突によって除去される。基板Ｗの上面に向けて噴射された液滴の断面積と液滴の数との積である総液滴衝突面積は、基板Ｗの上面の面積の１４倍以上である。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時における薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、基板の温度調整を効率良く行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板（Ｗ）を水平に保持する基板保持部材（２２）と、基板保持部材を回転させる回転機構（２５）と、基板保持部材に保持された基板に加熱された薬液を供給する薬液ノズル（５６ａ）と、基板保持部材に保持された基板の上方を覆うトッププレート（５０）と、トッププレートの上方から、トッププレートを透過させて、所定の波長の光を基板保持部材に保持された基板に照射することにより薬液処理中に基板を加熱する少なくとも１つのＬＥＤランプ（６２）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の金属材料やポリシリコンのエッチングを抑制し、半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止することができる半導体基板の超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を洗浄・リンスした後に、表面が水溶性有機溶媒で濡れた半導体基板をチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバを密閉し、前記水溶性有機溶媒を超臨界状態にする工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、超臨界状態の前記水溶性有機溶媒を気体に変化させて、前記水溶性有機溶媒を前記チャンバから排出する工程と、前記チャンバ内の圧力が大気圧まで下がるに伴い、前記チャンバ内へ不活性ガスを供給する工程と、前記半導体基板を冷却する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜の除去後、シリコンゲルマニウム膜の形成までのＱタイムを長くするとともに、シリコンゲルマニウム膜の形成におけるプリベイクの温度を低くする。
【解決手段】基板処理装置１では、酸化膜除去部４にて基板９の一の主面上のシリコン酸化膜が除去された後、シリル化処理部６にてシリル化材料を付与して、当該主面に対してシリル化処理が施される。これにより、シリコン酸化膜の除去後、シリコンゲルマニウム膜の形成までのＱタイムを長くするとともに、シリコンゲルマニウム膜の形成におけるプリベイクの温度を低くすることができる。 （もっと読む）

【課題】液滴が衝突する基板の各位置での膜厚のばらつきを低減し、基板の処理品質を向上させること。
【解決手段】複数の噴射口２８からそれぞれ基板の上面内の複数の噴射位置に向けて処理液の液滴が噴射される。これと並行して、複数の吐出口３５からそれぞれ基板の上面内の複数の着液位置に向けて保護液が吐出される。複数の吐出口３５から吐出された保護液は、複数の液膜を形成する。複数の液膜は、それぞれ異なる噴射位置を覆う。処理液の液滴は、保護液の液膜に覆われている噴射位置に向けて噴射される。 （もっと読む）

【課題】基板上への処理液の落下を回避でき、かつすぐれた生産性を実現できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を加圧して送り出すポンプ５と、処理液供給路６と、処理液供給路６から分岐した第１、第２および第３分岐路１１，１２，１３とを有する。基板処理装置は、さらに、第１、第２および第３分岐路１１，１２，１３にそれぞれ接続され、第１、第２および第３処理ユニット１，２，３にそれぞれ配置された第１、第２および第３ノズルＮ１，Ｎ２，Ｎ３を有する。第１、第２および第３分岐路１１，１２，１３には、第１、第２および第３一次側バルブＰ１，Ｐ２，Ｐ３が介装されている。制御装置７は、第１一次側バルブＰ１を閉じるときに、ポンプ５を駆動状態に保持したまま、第２一次側バルブＰ２または第３一次側バルブＰ３を開く。 （もっと読む）

【課題】基板の清浄度を向上させること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗの外周より外側に配置されているカップ６とを含む。カップ６は、気体吐出口から基板Ｗ上に向けて気体を吐出することにより、基板Ｗの上面に沿って流れる気流を形成する。この気流によって基板Ｗの上面がパーティクルやミストから保護される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成の液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、ウエハ２１に対してＳＰＭ液を吐出する吐出機構５０と、吐出機構５０に硫酸を供給する第１液供給機構１２と、吐出機構５０に過酸化水素水を供給する第２液供給機構１４と、を備えている。第１液供給機構１２は、第１温度に加熱された第１の液を保持する一次温調機構３０と、一次温調機構３０に接続された二次温調機構４０と、二次温調機構４０と吐出機構５０を接続する吐出ライン５１と、を有している。二次温調機構４０は、一次温調機構３０の第１循環ライン３３から分岐し、一次温調機構３０に戻る第２循環ライン４１と、第２循環ライン４１に設けられ、第１の液を第１温度よりも高い供給温度に加熱する第２加熱器４２と、を有している。吐出ライン５１は、第２加熱器４２よりも下流側で第２循環ライン４１から切替弁４４を介して分岐している。 （もっと読む）

【課題】薬液処理中あるいは天板の洗浄中に、天板に付着した薬液または洗浄液が望ましくない態様で飛散することを防止する。
【解決手段】液処理装置は、基板（Ｗ）を水平に保持して回転させる基板保持部（２１）と、基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液ノズル（８２）と、基板保持部に保持されたときの基板の周縁の外方に位置するよう設けられた、処理液ノズルにより基板に供給された後の処理液を受けるためのカップ（４０）と、基板保持部に保持された基板を上方から覆う天板（３２）と、天板を回転させる天板回転駆動機構と、天板の周縁を囲んで天板の外方に位置するように設けられ、天板から飛散する液体を受ける環状の液受け空間（１３２）を有する液受け部材（１３０）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄された基板を乾燥させる処理を、簡易な装置構成で速やかに進行させること。
【解決手段】ウエハＷ表面に、昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように加熱された置換液を供給し、次いで、液状の昇華性物質を含む処理液を前記凝固点よりも高い温度にして共用ノズル５を介して供給する。前記置換液の供給により、リンス液の置換液による置換とウエハＷの表面の加熱を同時に行うことができ、加熱されたウエハＷに、前記凝固点よりも高い温度の処理液を供給しているので、ウエハＷ上に処理液の液膜を薄く広げることができる。加熱した置換液や処理液をウエハＷ表面に供給しているので装置構成が簡易なものとなり、また、処理液の薄い液膜を形成することができるため、昇華性物質の固化や昇華に要する時間が短縮され、基板を乾燥させるための処理が速やかに進行する。 （もっと読む）

【課題】詳細には超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、一側面に開口が形成され、工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記開口を開閉するドアと、前記ドアに設置され、基板が安着される支持部材と、を含む。 （もっと読む）

【課題】小径の処理液の液滴を均一に噴霧できる２流体ノズル及び同２流体ノズルを用いた基板液処理装置並びに基板液処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、液体吐出部（４８）から吐出した処理液と気体吐出口（５２）から吐出した気体とを混合して生成した処理液の液滴を被処理体に向けて噴霧する２流体ノズル（３４）及び同２流体ノズル（３４）を用いた基板液処理装置（１）並びに基板液処理方法において、液体吐出部（４８）は、気体吐出口（５２）の内側に円周中心部に対して外側方向へ向けて処理液を吐出する複数の液体吐出口（４７）を同一円周上に配置することにした。 （もっと読む）

【課題】処理中に処理液が付着したノズルアームによる汚染を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】１枚の基板Ｗの処理が終了してノズルアーム６２が処理位置から待機位置に帰還したときに、その待機位置にてアーム乾燥部７５の２本の乾燥ガスノズルからノズルアーム６２に乾燥用ガスが吹き付けられる。また、固定設置された乾燥ガスノズルから水平方向に噴出される乾燥用ガスの流れをノズルアーム６２の先端側が横切るように旋回駆動部６３が３本のノズルアーム６２を揺動させている。これによって、基板Ｗの処理後に処理液が付着していた３本のノズルアーム６２が乾燥され、付着していた処理液が取り除かれる。その結果、基板Ｗの処理中に処理液が付着したノズルアーム６２による汚染を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の吐出ヘッドから基板上に洗浄液が落下するのを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板に処理液を吐出する処理が終了して待機位置に帰還した処理液ノズルの吐出ヘッド６１を下降させて待機ポット７０の収容部７５に収容する。洗浄液噴出部７６から吐出ヘッド６１に向けて洗浄液を噴出し、処理中に吐出ヘッド６１に付着した処理液を洗い流す。続いて、洗浄液噴出を停止し、待機ポット７０に設けられた乾燥ガス噴出部７７から斜め下方に向けて乾燥用ガスを噴出する。そして、収容部７５から吐出ヘッド６１を徐々に引き上げる。その吐出ヘッド６１に乾燥用ガスを吹き付けることによって、吐出ヘッド６１に付着していた洗浄液を吹き飛ばして乾燥させる。洗浄後に処理位置に移動した吐出ヘッド６１から基板上に洗浄液が落下するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させて基板の上面から処理液を除去して基板を乾燥する際に、基板の上面全体にわたって処理液の除去に要する時間を均一化して基板を良好に乾燥させる。
【解決手段】赤外線照射部５から出射される赤外線が基板Ｗの下方から基板中央部分Ｗcpに照射され、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液で吸収される。この赤外線吸収によってＩＰＡ液の温度が上昇し、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液の液膜温度が基板Ｗの周縁部分に付着するＩＰＡ液の液膜温度よりも高くなる。これにより、基板中央部分Ｗcpでの蒸発乾燥が基板Ｗの周縁部分での蒸発乾燥よりも促進され、基板中央部分Ｗcpと周縁部分との乾燥時間の差が抑制される。その結果、基板Ｗの上面Ｗus全体にわたって乾燥時間が均一化される。 （もっと読む）

【課題】基板を上方から覆うための天板の下面に天板洗浄液を全面に供給することができ、天板の下面に付着したＳＰＭ液の液滴や飛沫等が天板の下面に残留することを抑制することができる液処理装置および天板洗浄方法を提供する。
【解決手段】天板３２の下面に対して下方から天板洗浄液を供給する天板洗浄液供給ノズル８２ａが一のノズル支持アーム８２ｑにより支持されており、このノズル支持アーム８２ｑは、天板３２の下方にノズル８２ａが位置するような天板洗浄位置と、天板３２の下方の領域から外方に退避した退避位置との間で移動するようになっている。 （もっと読む）