【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して基板を洗浄乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、基板が置かれるチャックを有する基板支持部材、上部が開放され、前記チャック周辺を包むように形状された下部チャンバー１２０、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で進行されるように前記下部チャンバーの上部を開放又は閉鎖する上部チャンバー１３０、及び前記上部チャンバーに設置され、前記上部チャンバーが前記下部チャンバーの上部を閉鎖した状態で基板に流体を直接噴射する直接噴射ノズル部材１８０を含む。このような構成の基板処理装置は、基板全体の乾燥効率増大、及び外部汚染遮断、又、酸化膜防止などの効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置１は、基板を支持する支持部１０と、基板上部のフォトレジストを除去する乾式処理部２０と、基板上部のフォトレジストを除去する湿式処理部３０を有する。基板は、支持部によって支持された状態で、基板上部のフォトレジストは、乾式処理部２０によって１次的に除去され、湿式処理部３０によって２次的に除去される。乾式処理部２０は、基板上面にプラズマを供給するプラズマ供給ユニット２００と移動ユニットを有し、移動ユニットは、プラズマ供給ユニット２００と基板の相対的な位置を変化させる。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して、基板を洗浄乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００において、基板が在置されるチャックを持つ基板支持機構１１０と、上部が開放されて、チャック周辺を囲むように配置された下部チャンバー１２０と、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で進行されるように下部チャンバー１２０の上部を開閉する上部チャンバー１３０と、上部チャンバー１３０のエッジに設置され、乾燥流体が基板に間接憤射されるように上部チャンバーの中心へ向かって、乾燥流体を憤射する間接憤射ノズル１４０と、を含むことを特徴とする基板処理装置１００。このような構成の基板洗浄装置は、基板の乾燥効率の増大及び外部汚染の遮断そして酸化膜の防止などの効果を得ることができる。 （もっと読む）

基板（１３）の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を該表面と接触させることを含む方法により、パーティクルが基板（１３）の表面から除去される。
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本開示は、半導体基板から残留物を除去するのに有用な非腐食性洗浄組成物を提供する。前記組成物は、水と、少なくとも１種のヒドラジノカルボン酸エステルと、少なくとも１種の水溶性カルボン酸と、任意で少なくとも１種のフッ化物含有化合物と、任意でカルボキシル基を含まない少なくとも１種の腐食抑制剤とを含有する。本開示はまた、非腐食性洗浄組成物を用いた、半導体基材から残留物を洗浄する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して、基板を洗浄・乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板が在置されるチャックを有する基板支持機構と、基板の上面に乾燥用流体を噴射する第１のノズルユニットと、上部が開放され、チャックの周辺を囲むような形状を有する下部カバーと、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で行なわれるように、下部カバーの上部を開閉する上部カバーと、を含むことを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】汚染および表面分解を最小限に抑えるための層間絶縁膜の表面改質
【解決手段】半導体システムは、誘電体層（１０４）を提供することと、誘電体層（１０４）内に、誘電体層（１０４）の上部に露出される導体（１０８）を提供することと、露出された導体（１０８）をキャッピングすることと、誘電体層（１０４）の表面を改質することであって、導体（１０８）を低ｐＨ溶液に溶解させて誘電体層（１０４）から導体（１０８）イオンを洗浄すること、導体（１０８）イオン下方の誘電体層（１０４）を溶解させること、機械的に強化された洗浄を行うこと、または誘電体層（１０４）上に疎水性層（８００）を化学吸着させることを含むことと、を含む。 （もっと読む）

【課題】フットプリントを小さくすることができ、排気と排液との分離機構を特別に設ける必要のない液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを水平に保持し、ウエハＷとともに回転可能なウエハ保持部１と、ウエハ保持部１に保持されたウエハＷを囲繞し、ウエハＷとともに回転可能な回転カップ３と、回転カップ３およびウエハ保持部１を一体的に回転させるモータ２と、ウエハＷの表面に処理液を供給する表面処理液供給ノズル４と、回転カップ３の排気および排液を行う排気・排液部６とを具備し、排気・排液部６は、主にウエハＷから振り切られた処理液を取り入れて排液する環状をなす排液カップ４１と、排液カップ４１の外側を囲繞するように設けられ、回転カップ３およびその周囲からの主に気体成分を取り入れて排気する排気カップ４２とを有し、排液カップ４１からの排液と排気カップ４２からの排気が独立して行われる。 （もっと読む）

開示されているのは、プレート状物体の湿式処理用装置であり、以下のように構成されている：第一プレート、前記第一プレートと実質的に平行な単一のプレート状物体を保持するための保持手段、処理時に前記第一プレートとプレート状物体の間の第一ギャップに液体を導入するための第一分配手段、この場合、第一プレートは少なくとも９９重量％のシリコンから成っているシリコン・プレート、そのプレート状の物体を処理している時に、そのシリコン・プレートが処理液と接触していること、それに関連した方法がさらに開示されている。
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【課題】 半導体装置の製造においてウエハ上のウォーターマークの発生を著しく減少させたウエハの乾燥方法及びこの方法を実施する乾燥装置を提供する。
【解決手段】 ウエハの乾燥装置及び乾燥方法に関するものであり、洗浄処理されたウエハ１が乾燥機のチャンバー内に搬入され、乾燥開始前から乾燥終了に至る間、冷却装置８によって冷却を受け続ける。冷却方法としては、チャンバー内に導入される窒素などのパージガス９を供給する個所に冷却装置を付帯させ、パージ窒素を冷却した状態でチャンバー中に導入する。チャンバーに搬入されたウエハに冷却窒素ブローが施されることによりウエハが冷却され、ウエハ上に洗浄工程から残留している水滴も同様に冷却される。そして、乾燥後に出現することのある水ガラスは、残留水滴温度が低いほど水ガラス反応速度は遅くなるため水ガラス出現が抑制されることになって歩留まり低下が防がれる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの後面処理およびウェーハとの物理的接触の困難な問題を解決できる新規な処理機および処理方法を提供することにある。
【解決手段】半導体ワークを保持しかつ回転させるヘッドを備えた遠心ワーク処理機。ヘッドはガスシステムを備えたロータを有している。ガスは、ロータの入口からスプレーされ、回転ガス流を発生する。回転ガス流は、ワークの第一面の縁部をロータの接触面に対して保持する圧力状態を形成する。ロータおよびワークは一緒に回転する。外周部に隣接するガイドピンが、ワークとロータとを整合させる補助をする。傾斜面が、消費されかつワークから飛散した処理液体を偏向させる補助をする。ヘッドは、ボウルとの多くの異なる係合位置に移動できる。ワークが回転されて処理されるとき、ボウル内のスプレーノズルがワークの第二面上に処理液体をスプレーする。 （もっと読む）

【課題】 回転式基板処理装置において、使用した薬液の回収率を高める。装置価格を引き下げる。振動を抑える。薬液と廃液の雰囲気分離を行う。
【解決手段】 基板１を水平に支持して回転させる回転機構１０の周囲に、筒状で昇降式の上段液体ガイド３０及び下段液体ガイド４０を設ける。上段液体ガイド３０は、下方の待機位置で下段液体ガイド４０に重なって、両ガイド間に形成される液体導入口を閉じ、待機位置から上方の回収位置へ移動して、基板１から飛散する第１の液体を下方に導いて回収する。下段液体ガイド４０は、待機位置から上方の回収位置へ移動して、基板１から飛散する第２の液体を下方に導いて回収する。 （もっと読む）

【課題】 枚葉式の回転式基板処理装置において、使用した薬液の回収率を高める。装置価格を引き下げる。振動を抑える。薬液と廃液の雰囲気分離を行う。
【解決手段】 基板１を水平に支持して回転させる回転機構１０の周囲に、基板１から飛散する液体を受けるカップ２０を設ける。カップ２０に、筒状で昇降式の上段液体ガイド３０及び下段液体ガイド４０を組み合わせる。上段液体ガイド３０は、下方の待機位置で下段液体ガイド４０に重なって、両ガイド間に形成される液体導入口を閉じ、待機位置から上方の回収位置へ移動して、基板１から飛散する第１の液体をカップ２０の外へ導く。下段液体ガイド４０は、待機位置から上方の回収位置へ移動して、基板１から飛散する第２の液体をカップ２０内へ導く。 （もっと読む）

半導体ウエハ容器を洗浄し乾かすための装置は、汚れた容器を受け入れて、デッキアセンブリにそれを供給する、固定具を備えたロードポートを含んでいる。キャリアーは、さらにハンドリングのために容器を受け入れる。第１先端部を備えたロボットは、容器のドアを外し、キャリアーの一部にそれを置く。ロボットは、キャリアーに係合し、処理室内への挿入のためキャリアー及び容器を持ち上げる第２先端部を含んでいる。処理室は、少なくとも一つのレセプタクルを備えたローターを含んでいる。スピニングローターは、高圧及び低圧領域の両方を作成する。処理液は、容器とキャリアーに供給される。すすぎ工程後、ローターが回転している間、容器及びキャリアーが乾かされる。その後、ロボットは、処理室から容器及びキャリアーの両方を取り除き、容器にドアを再び組み立てる。
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酸化に対して高安定性を有する初期状態水素終端化シリコンウェーハ表面を製造するための方法が提供される。プロセスの工程２０に従って、シリコンウェーハは陰イオン界面活性剤を伴う高純度加熱希フッ化水素酸で処理される。その後の工程３０において、水は室温で超純粋でｉｎ ｓｉｔｕですすがれて、次にその後の乾燥工程４０で乾燥される。代替的には、シリコンウェーハは工程２２で希フッ化水素酸で処理され、工程３２で水素ガス化水ですすがれて、工程４２で乾燥される。当該方法により製造されるシリコンウェーハは、３日より長い間、通常のクリーンルーム環境中で安定であり、そして８日より長い間、有意の酸化物再成長を伴わずに継続することが実証されている。 （もっと読む）

第１の表面の平面Ｗ１、第２の表面の平面Ｗ２及び縁の表面を有するウェーハ状物品の決められた縁の領域をウエット処理するための方法及び装置である。装置は、ウェーハ状物品を保持するための支持具、ウェーハ状物品の支持具に面していない前記第１の表面Ｗ１の平面上に液体を分配するための液体分配手段、及びウェーハ状物品の縁の表面のまわりの前記液体の少なくも一部を、支持具に面しているウェーハ状物品の第２の表面の平面Ｗ２に向けて案内しこれにより少なくも縁の部分を濡らすために支持具に連結された液体案内部材を備える。
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高密度パターン化マイクロエレクトロニクスデバイスから、バルクフォトレジストおよびイオン注入フォトレジストおよび／またはエッチング後の残留材料を除去するための方法および組成物を記載する。本組成物は、共溶媒と、キレート剤と、任意にイオン対試薬と、任意に界面活性剤とを含む。本組成物は、高密度流体をさらに含むことができる。本組成物は、下にあるケイ素含有層および金属相互接続材料を実質的にオーバーエッチングすることなく、マイクロエレクトロニクスデバイスからフォトレジストおよび／またはエッチング後の残留材料を効果的に除去する。
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処理すべき円板状基板に重なり得る寸法と形状とを有する第１のプレート（１０）、円板状基板（Ｗ）を０．２から５ｍｍの距離で前記第１のプレートと平行に保持するための保持手段（２２）、前記第１のプレートに対して実質的に直角な回転軸線（Ａ）まわりに円板状基板（Ｗ）を回転させるための回転手段（３７）、処理中に前記第１のプレート（１０）と円板状基板（Ｗ）との間の第１の間隙（１１）内に流体を導くために第１の間隙内に第１の分配用開口（１６）を有する第１の分配用手段（１４）、及び前記第１の分配用開口（１６）の位置を第１の位置（Ｐ１）から第２の位置（Ｐ２）に移動させるための移動手段（３４）であって、前記第１の位置（Ｐ１）の回転軸線（Ａ）までの距離が前記第２の位置（Ｐ２）の回転軸線（Ａ）までの距離より小さい前記移動手段を備えた円板状基板の湿式処理装置が開示される。
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処理室内で超小型電子基板を処理するためのシステムであって、湿式処理から乾式処理への移行（特に、洗浄から乾燥への移行工程）のための改良された技術を含む。湿式処理語に流体供給ラインに残留する液体の少なくとも一部が、基板上に直接パージされるのを避ける通路を介して取り除かれる。また、本発明は、関連した方法を含んでいる。
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