【課題】半導体パッケージの側面に付着する切断屑を、個片化した後に除去することによって、切断屑の残留を抑制する
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造装置は、互いに繋がっている半導体パッケージ１を供給する供給部１０と、互いに繋がっている半導体パッケージ１を個片化する切断部と、個片化された半導体パッケージ２の側面に付着した切断屑１００および２００を除去する除去部３００と、を有している。除去部３００は、個片化された半導体パッケージ２を搬送する第１の搬送経路３０と、第１の搬送経路３０の両側にそれぞれ設けられた第１のブラシ５０と、第１の搬送経路３０を通過した半導体パッケージ２を上から見て９０度回転させた状態で搬送する第２の搬送経路４０と、第２の搬送経路４０の両側にそれぞれ設けられた第２のブラシ６０と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】配線基板の外部端子取り付け面にストレスを与えずに一括封止後の配線基板を分割する。
【解決手段】主面に複数のデバイス領域が形成された多数個取り基板７を準備し、前記複数のデバイス領域それぞれに半導体チップを固定し、前記半導体チップ固定後、前記複数の半導体チップを一括で樹脂封止して一括封止部８を形成し、一括封止部８および多数個取り基板７をダイシングにより前記デバイス領域ごとに分割し、前記分割後、ブラシによってそれぞれの封止部の表面を擦り、その後、各半導体装置を一旦トレイのポケットに収納し、さらに、前記トレイから各半導体装置を個片搬送することにより、一括封止後の基板分割時に一括封止部８の表面を真空吸着してダイシングすることにより、多数個取り基板７の外部端子取り付け面にストレスを与えずに分割することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の内部や、半導体製造装置のガス給排気系に配設されている排気バルブあるいは半導体製造装置やガス給排気系に配設されている圧力制御バルブなど複雑な構造部分に付着している付着物を安全に取り除く汚染表面清掃技術を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１およびそれにつながるガス給排気系の内部壁面部分を、多関節型に形成したアーム１２部分の先端部に清掃具１４を装着してなる清掃ロボット２で清掃するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの端部に形成された薄膜または異物を、確実にかつ効率的に除去することができるウェハ端部処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハ端部処理装置において、複数枚のウェハを起立状態にて互いに平行にかつウェハの中心を同軸上に配列させて支持するとともに、ウェハの中心を回転中心として複数のウェハを同時に回転駆動させるウェハ支持回転ユニットと、ウェハ支持回転装置により回転される複数のウェハの端部に接触しながら洗浄液を供給して、洗浄液により端部の薄膜または異物を除去する洗浄液供給ユニットと、洗浄液供給ユニットにより複数のウェハの端部に供給された洗浄液を除去する洗浄液除去ユニットとを備えさせ、複数枚のウェハを起立状態の姿勢にて端部にて対する処理を同時的に行う。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの裏面研削時に吸着パッドに詰まったスラッジを確実に排出する。
【解決手段】被加工物を吸着する吸着パッド（５１ａ）を洗浄する吸着パッド洗浄装置（３０）が、吸着パッドの内部から吸着パッドの吸着面（５２ａ）に向かって洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段（５８）と、吸着パッドの吸着面を研削する研削砥石（３１）と、前記吸着パッドの吸着面からスラッジを前記吸着パッドの外部に吸引する吸引手段（３９）とを具備する。研削砥石の研削面には凹部が形成されており、吸引手段は該凹部を通じてスラッジを吸引するのが好ましい。あるいは、吸引手段は研削砥石の研削面に隣接して配置されており、吸引手段は研削砥石の外周部付近からスラッジを吸引するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】基板裏面，基板ベベル及び外周に付着したルテニウム膜を容易に、エッチング残りなくエッチング除去することを目的とする。
【解決手段】基板５表面にルテニウム等の成膜処理を行った後、基板５をローラー４で保持しながら回転させ、コの字型のジグ３で基板５を挟み込み、コの字型のジグ３上部からエッチング液を供給することにより、基板裏面，基板ベベル及び外周に付着したルテニウム膜を容易に、エッチング残りなくエッチング除去することができる。 （もっと読む）

【課題】テープかすなどの付着物の再付着を招くことなく、付着物を効率良く除去することができ、薄片化された半導体ウェーハの割れを確実に防止することができる付着物排出機構付きクリーナ及びそれを用いたチャックテーブルクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ウェーハを吸着するチャックテーブル１５の吸着面１６ａ上に付着している不要な付着物２０を除去する付着物排出機構付きクリーナ１であって、付着物２０を削り取る刃部７ａ及び削り取った付着物２０を捕捉する捕捉部６とを有するクリーナ本体２と、捕捉した付着物２０を吸引して排出する排出手段１０と、を備え、クリーナ本体２内には、チャックテーブル１５の吸着面１６ａ上に付着している付着物２０をクリーナ本体２内に進入させるための開口部８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの表面に貼り付けられた保護テープをウエハ外形に沿って切り抜く半導体ウエハの保護テープ切断方法において、保護テープ切断処理によって発生した塵埃を適切に除去する。
【解決手段】半導体ウエハＷの外周に沿ってカッタ刃１２を相対移動させるとともに、カッタ刃１２によるテープ切断部位に発生して保護テープＴの上面に付着した塵埃を、半導体ウエハＷに対してカッタ刃１２とともに相対移動する集塵部材５６で掃き集め、テープ切断終了後に、所定箇所に掃き集めた塵埃を吸引ノズル６１で吸引除去する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ブラシ１１に関連して、ウエハＷの表面のブラシ接触領域Ｐに向けてＮ₂ガスを供給するためのＮ₂ノズル４４が設けられている。ブラシ接触領域Ｐには、ウエハＷの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かうＮ₂ガスが吹き付けられる。ブラシ１１は、カバー体４９の内部に収容されている。カバー体４９は、ブラシ１１の側方を取り囲む側壁５１と、この側壁５１を下方から閉鎖する底壁５２とを有している。カバー体４９には側壁５１の下端に、吸引口５４が形成されている。カバー体４９の内部の処理液を含む処理液を含む雰囲気が、吸引口５４を介して吸引されて排除される。 （もっと読む）

【課題】ＢＳＰをより確実に除去することが可能なＢＳＰ除去方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板のベベル面、及び裏面に付着した無機層、及び有機層を含む多層ベベル／バックサイドポリマー（ＢＳＰ）を除去するＢＳＰ除去方法であって、多層ＢＳＰを機械的に破壊する第１工程（ステップ２）と、機械的に破壊された多層ＢＳＰの残渣を加熱する第２工程（ステップ３）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の表面の周縁領域から汚染を確実に除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック３により回転されるウエハＷの表面の周縁領域４０にブラシ２１が当接されることにより、その周縁領域４０に付着する汚染を掻き取ることができる。ウエハＷの表面の周縁領域４０には、ブラシ接触位置Ｐ１に対してウエハＷの回転方向下流側に間隔Ｌ５を隔てたＤＩＷ着液位置Ｐ６に、第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷが供給される。ブラシ２１により掻き取られた汚染を、ＤＩＷにより洗い流すことができる。 （もっと読む）

【課題】 2〜40μmの下地に強固に付着していないパーティクルを後洗浄なしで、高スループットで除去する。
【解決手段】 FIB加工で端面の凹凸が少なく先端を尖らせたピペット1をパーティクル2に接するまで近づけピペット内を真空に引きパーティクル2を吸着させて後持ち上げ試料外に移動し、ピペット1内を大気または加圧にしてパーティクル2を捨て去る。パーティクルが小さいときには内径の小さいピペットを使用し、パーティクルが大きいときには吸着力が大きくなるように内径の大きなピペットでパーティクルを真空吸引する。もしくは真空度を上げて減圧雰囲気に引き伸ばして薄くなったガラス壁が耐えられなくて破損する場合にはピペット先端にFIBデポ膜で硬い丈夫な凹凸のない滑らかな先端を作製し、これを用いて高い真空度でパーティクルを真空吸引する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板エッジを洗浄するための装置、システム、及び方法は、洗浄化学物質が存在する状態での摩擦接触を使用して、基板エッジに堆積したベベルポリマを洗浄する毛ブラシ部を含む。毛ブラシ部は、外側へ延びる複数の羽根により構成され、回転軸に取り付けられる。研磨材料は、摩擦接触を提供するために、毛ブラシ部の外側へ延びる羽根の全体及び内部に分布させる。毛ブラシ部は、洗浄化学物質等の流体が存在する状態で、複数の研磨粒子と基板のエッジとの摩擦接触により、ベベルポリマを基板のエッジから剥ぎ取るのを可能にすることで基板のエッジを洗浄する。 （もっと読む）

シリコンウェーハーの表面処理する装置は、シリコンウェーハーを移送するための移送ローラと少なくとも１つの給送装置を有しており、その給送装置は移送ローラによって定められる移送平面内でシリコンウェーハーの表面を液状の処理媒体によって湿潤するために設けられており、給送装置は、移送平面内に配置された、シリコンウェーハーの下を向いた表面上に処理媒体を塗布するように形成されている。給送装置の周囲からガス状、および／または、霧状に分配された処理媒体を吸い出すために複数の吸引パイプが設けられており、吸引パイプが移送平面の垂直方向下方に配置されている。
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