【課題】占有面積の増加を招くことなくハンド洗浄のための構成を設けることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、インデクサロボット１１と、主搬送ロボット１２と、処理ユニット６と、受渡ユニット９と、ハンド洗浄ユニット１５とを含む。インデクサロボット１１および主搬送ロボット１２は、基板を保持するインデクサハンド２０および主搬送ハンド３０をそれぞれ有している。インデクサロボット１１と主搬送ロボット１２とは、受渡ユニット９を介して基板を受渡する。ハンド洗浄ユニット１５は、受渡ユニット９の上方または下方に配置され、インデクサハンド２０および主搬送ハンド３０を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板のベベル部を簡便かつ効率的に洗浄することができ、省スペース化にも有利な基板洗浄装置、これを備える塗布現像装置、および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による基板洗浄装置は、基板の裏面中心部を保持し、当該基板を回転する基板保持回転部と、第１の洗浄部、前記第１の洗浄部の周りに配置される第２の洗浄部、並びに前記第１の洗浄部および前記第２の洗浄部が取り付けられる台座を含む洗浄部材と、前記基板保持回転部に保持される前記基板の裏面に前記第１の洗浄部と前記第２の洗浄部とを接触可能に、前記基板保持回転部および前記洗浄部材を相対的に昇降する昇降部と、前記第２の洗浄部の一部を前記基板の外側に露出可能に、前記基板の裏面に沿った方向に、前記基板および前記洗浄部材を相対的に駆動する駆動部とを備える。 （もっと読む）

【課題】洗浄対象となる基板近傍にて光触媒反応を利用してＯＨラジカルを潤沢に発生させることによって、基板上に付着した有機物等のパーティクルを効果的に除去することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象である基板Ｗ上の被処理面Ｗ１を洗浄する第１のノズル１１と、被処理面Ｗ１上に液を供給する第２のノズル１２と、を備え、第１のノズル１１は、被処理面Ｗ１に対向し液に接触する光触媒１１ａと、光触媒１１ａを保持する保持部材１１ｂと、保持部材１１ｂを透過して光触媒１１ａに光を照射する光源１１ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】異物除去の効率を向上できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄装置１は、超音波を発する振動子１１と、紫外線を通過する材料により形成され、振動子１１が発する超音波を、異物と化学反応する機能水３によって覆われた基板表面２ａに対して、基板表面２ａに対向するように配置されたホーン底部１３から伝達するホーン部１２と、ホーン部１２の内部に配置され、ＵＶ光を発光するＵＶ光源２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】低圧蒸気放電灯の消灯時に冷却ベース部の温度及び発光管部の温度を適切に制御する。
【解決手段】発光管部（１０）の端部に発光管内の水銀蒸気圧を制御するための冷却ベース部（１５）を備えた低圧水銀蒸気放電灯（１７）、冷却ベース部を冷却する第一の冷却装置（３１）、発光管部を冷却する第二の冷却装置（３２）、点灯信号及び消灯信号を受けて低圧水銀蒸気放電灯の点灯及び消灯を行なう点灯装置（２０）、並びに第一の冷却装置、第二の冷却装置及び点灯装置を制御する制御部（４０）を備えた紫外線照射装置において、制御部が、消灯信号を受けると、放電灯を点灯させたまま冷却ベース部の温度と発光管部の温度の温度勾配が小さくなるように第一の冷却装置及び第二の冷却装置の動作状態を制御した後に、点灯装置に低圧水銀蒸気放電灯を消灯させるよう構成した。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンの倒壊をより確実に防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】キャリアから搬出された基板には、処理ユニットまでの搬送系路途中にてオゾンガスが吹き付けられて有機物汚染の除去処理が行われる。表面から有機物汚染が除去された基板が処理ユニットに搬入されて薬液表面処理が行われるため、基板の全面に対して均一な表面処理を行うことができる。薬液処理が終了した基板には純水リンス処理が行われ、その後基板の表面に疎水化剤としてのＨＭＤＳが供給されて疎水化処理が行われる。これにより、基板表面のパターン内に残留している液滴の毛管力はゼロに近くなり、乾燥処理時のパターン倒壊を防止することができる。疎水化された基板はキャリアに戻る搬送系路途中にて再度オゾンガスが吹き付けられて疎水化状態が解除される。 （もっと読む）

【課題】
洗浄物の大形化や搬送の高速化に対応でき、効率を改善した、無声放電ランプおよびこれを用いた照射装置を提供する。
【解決手段】
放電管軸と直交する断面が非円形状であるエキシマ光を放射する無声放電ランプにおいて、少なくともエキシマ光を透過する１面が円弧状に膨らんだ形状とし、外圧に対する強度を増すことによって、誘電体の厚みを薄くし、ランプの効率を改善する。このランプと反射筒とを並列に配置し、ランプから横向けに放射される無駄な光の進行方向を被照射体方向に変更し、被放射体への照射効率を改善するように、照射装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】基板表面にウォーターマークが生成されるのを抑制しつつ、疎水性を示す基板表面を洗浄後にリンスし乾燥させることができるようにする。
【解決手段】少なくとも一部が疎水性である基板Ｗの表面をリンスし乾燥させる基板処理装置であって、水平に配置された基板Ｗの外周部を囲繞する位置に堰１８を配置し、基板Ｗの表面にリンス水を供給して基板Ｗの全表面に堰１８によって流れを堰き止めたリンス水の連続した液膜２６を形成し、基板Ｗを回転させ基板Ｗの表面の中心部にある液膜２６を基板Ｗの表面の外周部に移動させて基板表面の中心部を露出させ、しかる後、基板Ｗの表面の液膜２６を完全に除去して基板Ｗの表面を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンを含まない酸化剤を用いて、従来のハロゲン型酸化剤並みの高い洗浄能力を備えつつ、環境負荷の小さい洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄装置Ｍ１は、洗浄対象物１３を洗浄する洗浄装置であって、洗浄対象物１３と対向配置されたカーボンナノチューブ層１１と、カーボンナノチューブ層１１と洗浄対象物１３との間に純水１２を供給する純水供給装置と、カーボンナノチューブ層１１に紫外線Ｌ１を照射する紫外線照射装置と、を有し、前記紫外線照射装置によってカーボンナノチューブ層１１の表面に接する純水１２に紫外線Ｌ１を照射し、これにより生成したオキソニウムイオンを酸化剤として洗浄対象物１３を洗浄することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高濃度オゾン水を用いたフォトレジスト除去装置において、基板表面の洗浄領域へのフォトレジストとオゾンの反応生成物の再付着を防止する。
【解決手段】洗浄対象の基板を支持して回転する支持台と、支持台の上方に、注水口を下方に向けて配設された洗浄ノズルと、洗浄ノズルに高濃度オゾン水を供給する高濃度オゾン水供給装置とを備えたフォトレジスト除去装置において、洗浄ノズルを、基板の回転中心からそれぞれ所定の距離をおいて配置された複数の単位洗浄ノズルで構成し、各単位洗浄ノズルを、各単位洗浄ノズルから吐出された高濃度オゾン水の基板上における流れの方向の重なりが少なくなるように基板の周方向にずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】硬化層が形成されたレジストを、基層にダメージを与えないように除去する。
【解決手段】レジスト除去方法は、イオンが注入されているレジストに、当該イオンの注入によって形成されたレジストの硬化層にアルカリ可溶性を生じさせる程度の紫外光を照射する照射工程と、前記レジストをアルカリ溶液に接触させて当該レジストをシリコン基板から剥離させる除去工程と、を含む。レジストには、１×１０^１４〜５×１０^１５個／ｃｍ^２のイオンが注入されており、前記照射工程における紫外光の照射量を少なくとも１８００ｍＪ／ｃｍ^２とし、前記除去工程では、６０℃以上に加熱された前記アルカリ溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理時に外方に飛散する洗浄液によるミストの発生を抑制し、基板への再付着の防止を図れるようにした基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷを水平に保持し、鉛直軸回りに回転するスピンチャック２０と、鉛直軸回りに回転可能な洗浄部材３０と、洗浄部材を鉛直軸回りに回転するサーボモータ３９と、洗浄部材をウエハの被洗浄面に沿って移動させる移動機構６３と、を具備する基板洗浄装置において、洗浄部材は、ベース部３２にスポンジ状の洗浄基部３１を接合してなり、ベース部及び洗浄基部の中心部に、洗浄液供給源に接続する吐出口３３を設け、洗浄基部の表面に、基端が洗浄液吐出口に連通すると共に、先端が洗浄部材の外周縁部手前まで延びる複数の連通溝３５を設け、ベース部における連通溝が位置する部位に、連通溝と連通する排出孔３６を設ける。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物がたとえ複雑形状を有する場合であっても、被洗浄物表面上の汚染物質を十分に除去できる洗浄方法および洗浄装置を提供する。
【解決手段】純水にオゾンを溶解させたオゾン水に紫外線を照射して洗浄液を得るための紫外線照射処理槽６、紫外線照射処理槽６内で得られた洗浄液を供給する管路１５および洗浄液を被洗浄物に接触させるための手段７を備え、オゾン水に紫外線を照射して洗浄液を得た直後に、当該洗浄液を被洗浄物に接触させる。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハを部分的に洗浄処理することができる処理装置を提供することにある。
【解決手段】半導体ウエハを部分的に洗浄処理する処理装置であって、
半導体ウエハを保持する回転テーブル２と、回転テーブルによって保持された半導体ウエハの少なくとも洗浄処理される部分にナノバブルが混入された処理液を供給するナノバブル発生器１７と、半導体ウエハの洗浄処理される部分に電子ビームを照射して処理液に含まれるナノバブルを圧壊させる電子銃１２を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に残存付着するフェノール樹脂から成るレジストを、基板自体に損傷を与えることなく、速い剥離速度で効果的に剥離する。
【解決手段】ノボラック樹脂系フォトレジストが残存付着している基板の表面に、高濃度オゾン水を注水するとともに、紫外光（例えば、エキシマーレーザ光）を照射することによって、紫外光が、高濃度オゾン水のオゾンの一部からＯＨラジカルを生成し、この生成されたＯＨラジカルが、フォトレジストをポリフェノール化し、ポリフェノール化されたフォトレジストを高濃度オゾン水の残存オゾンが反応して断片化し、基板表面から剥離する。 （もっと読む）

【課題】 安全にかつ短時間で基板の残留有機物を除去することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】 冷却された純水またはオゾン水にオゾンガスを混合してオゾンを溶解し、高濃度となった低温高濃度のオゾン水を加熱手段３によって加熱して、その高温高濃度のオゾン水を密閉された基板処理槽２５へ供給して大気圧よりも高い高圧状態とし、加熱によってオゾン水中から出る飽和溶解度以上の無駄となるオゾンガスを減少させ、高温高濃度のオゾン水のオゾンによる反応を促進する。基板処理槽２５内では、ポンプＰ２によって高温高濃度オゾン水を流動化し、槽内のオゾン濃度を均一化する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に残存したレジストを基板表面全体に均一に、損傷を与えることなく、単位体積当りのオゾン水のフォトレジストへの反応効率を上げて効果的に剥離、除去する。
【解決手段】フォトレジスト除去装置１は、回転支持台３と、洗浄ノズル７と、高濃度オゾン水供給装置４とを備え、洗浄ノズル７は、高濃度オゾン水を注水する円筒管１１と、円筒管１１の下端に取り付けられた透明円盤１３とを有し、透明円盤１３は、回転支持台３に支持された基板９に対して一定の隙間１４を介して対向するように配置されており、円筒管１１から注水される高濃度オゾン水を、基板９表面において厚さの均一な薄液膜１５として放射方向に流しながらエキシマー光照射源８からのエキシマー光を透明円盤１３を透過させて基板９表面に照射することにより、基板９表面に残存しているフォトレジストを除去する。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦレジスト膜等の難剥離性膜を容易に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＡｒＦレジスト膜を伴ったウエハからこのＡｒＦレジスト膜を除去する処理方法である。ＡｒＦレジスト膜に紫外線照射処理を施し、次にＡｒＦレジスト膜にオゾンガスと水蒸気を供給して処理することにより、このＡｒＦレジスト膜を水溶性に変性させる。その後、水溶性に変性したＡｒＦレジスト膜に純水を供給することにより、ＡｒＦレジスト膜を基板から剥離する。チャンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、チャンバ内に収容されたウエハに結露が生じないように、チャンバへ水蒸気を一定流量で供給しながら、水蒸気に対するオゾンの供給量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】酸化膜を湿式エッチング処理する際に、レジスト変質物が残ることのない良好なエッチングが行える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に酸化膜１を形成する工程と、上記酸化膜１上にレジストパターン２を形成する工程と、上記基板を薬液に浸漬することにより上記レジストパターン２をマスクとして上記酸化膜１をエッチングする工程と、上記基板を水洗および乾燥する工程と、上記レジストパターン２を除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法において、上記レジストパターン２を除去する工程は、上記基板を水洗する工程の後、乾燥することなく直ぐに、基板を硫酸と過酸化水素水との混合液に浸漬する工程であることを特徴とする。 （もっと読む）