【課題】金属を電気科学的腐食から保護しながら、良好な洗浄結果を生じる、多金属マイクロエレクトロニックデバイスのための良好な洗浄組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄するために適切なマイクロエレクトロニックフォトレジスト洗浄組成物、および引き続いて水を使用するすすぎ工程が存在する場合に、実質的または有意なあらゆる電気化学的腐食を起こさずに、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄することに関する。本発明はまた、このような多金属マイクロエレクトロニックデバイスを、本発明の組成物を用いて洗浄するための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 洗浄時において電子材料基板の表面の平坦性を損ねることなく製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 アルカリ成分（Ａ）、下記一般式（１）で表わされるポリオキシアルキレン化合物（Ｂ）および水を必須成分とすることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
ＨＯ−（ＥＯ）ｍ−（ＰＯ）ｎ−（ＥＯ）ｍ−Ｈ （１）
［式（１）中、ＥＯはオキシエチレン基、ＰＯはオキシプロピレン基；ｍはエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜２５０の数、ｎはプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜１００の数である。式（１）中の（ＥＯ）ｍと（ＰＯ）ｎと（ＥＯ）ｍは、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドがブロック状で付加している。］ （もっと読む）

【課題】基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
以下の成分（Ａ）〜（Ｄ）を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）ポリカルボン酸またはヒドロキシカルボン酸
（Ｂ）スルホン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｃ）カルボン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｄ）水 （もっと読む）

【課題】ＳＰＭ洗浄剤に匹敵する洗浄力を発揮し、かつ、ＳＰＭ洗浄剤による半導体基板の損傷を大幅に改善し、半導体基板表面に付着した不純物、特にイオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離除去しうる半導体基板用洗浄剤、これを利用した洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】硫酸と、過酸化水素と、炭酸アルキレンとを組み合わせて用いることを特徴とする半導体基板用洗浄剤、並びに、硫酸と過酸化水素と炭酸アルキレンとを組み合わせて、半導体基板に適用して洗浄する半導体基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】表面及び裏面にチタン含有膜が形成された基板の裏面からチタン含有膜を除去するときに、基板の裏面に残留するチタン元素を従来より短い時間で除去することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の裏面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を支持する支持部により、表面及び裏面にチタン含有膜が形成されている基板を支持し、支持部に支持されている基板を、支持部とともに回転させ、回転する基板の裏面にアンモニア過水を含む第１の処理液を供給し、供給した第１の処理液により基板の裏面を処理する第１の工程Ｓ１１を有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＡＲＥ法のメリットを延ばし、ＣＡＲＥ法のデメリットを補完することで、十分な加工速度を確保しながら、被加工物の加工後における加工表面にダメージを残すことなく該加工表面の平坦度を高めた表面除去加工を行うことができるようにする。
【解決手段】緩衝剤を含む第１処理液中に被加工物を配し、ガラス系金属酸化物からなる触媒定盤を透過させて被加工物の被加工面に光を照射させながら、触媒定盤の表面を被加工物の被加工面に接触または極接近させる光照射触媒基準エッチングで初期表面除去工程を行い、ハロゲン化水素酸、過酸化水素水またはオゾン水からなる第２処理液中に被加工物を配し、少なくとも表面が、白金、金、セラミックス系固体触媒、遷移金属、及びガラス系金属酸化物の何れかのみからなる触媒定盤の該表面を被加工物の被加工面に接触または極接近させる触媒基準エッチングで最終表面除去工程を行う。 （もっと読む）

【課題】金属配線を有する半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣およびポリマー残渣を除去する除去液組成物、ならびにそれを用いた残渣の除去方法、特に含窒素有機ヒドロキシ化合物、アンモニア、フッ素化合物を含有せず、残渣除去成分として金属酸化物を主成分とする残渣の除去性に優れる融点が２５℃以上の脂肪族ポリカルボン酸を含有し、洗浄装置の液を吐出するノズルや洗浄槽およびチャンバーの周辺に溶液が付着後、水の蒸発により脂肪族ポリカルボン酸が再結晶することを抑制することが可能なフォトレジスト残渣およびポリマー残渣除去液組成物、ならびにそれを用いた残渣の除去方法を提供する。
【解決手段】融点が２５℃以上の脂肪族ポリカルボン酸を含有するフォトレジスト残渣およびポリマー残渣除去液組成物において、２０℃での蒸気圧が１７ｍｍＨｇ以下で構造内に水酸基を有する水と混和可能な有機溶剤を含有する前記除去液。 （もっと読む）

【解決課題】 熱膨張係数が大きく異なる基板同士を接合する場合でも貼り合わせ強度を高めて基板破損を回避することができる貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ３０％水溶液換算のＨ_２Ｏ_２の容量に対する２９％水溶液換算のＮＨ_４ＯＨの容量が、体積比で１を超え２００以下となる溶液によりハンドル基板を洗浄し、然る後にドナー基板と貼り合わせる工程を含む貼り合わせ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水と、洗浄剤と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、特定の含窒素芳香族環状化合物とを含有させ、実質的に中性に調整された、半導体用基板用の洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板、特に表面に金属配線を有する半導体デバイス用基板を化学的機械的研磨工程後の洗浄工程に用いられ、金属配線に対する十分な防食性を有し、残渣の発生及び基板表面への残渣の付着を抑制することができる洗浄液を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、Ｎ−アシル−Ｌ−システイン及び下記一般式（１）で表される有機第４級アンモニウム水酸化物を含有し、かつｐＨが１．５以上、６．５未満である半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ｒ¹）₄Ｎ⁺ＯＨ^- （１）
（但し、Ｒ¹は水酸基、アルコキシ基、又はハロゲンにて置換されていてもよいアルキル基を示し、４個のＲ¹は全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板、特に表面に金属配線を有する半導体デバイス用基板を化学的機械的研磨工程後の洗浄工程に用いられ、金属配線に対する十分な防食性を有し、残渣の発生及び基板表面への残渣の付着を抑制することができる洗浄液を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、下記一般式（１）で示されるベンゾトリアゾール誘導体を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
【化１】


（式中、Ｙは、脂肪族飽和多価カルボン酸残基である。） （もっと読む）

【課題】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、撥水性保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの洗浄時に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、一般式Ｒ^１_ａＳｉ（Ｈ）_ｂ（Ｘ）_{４−ａ−ｂ}で表されるケイ素化合物Ａ及び酸、または、一般式Ｒ^７_ｇＳｉ（Ｈ）_ｈ（ＣＨ_３）_ｗ（Ｚ）_{４−ｇ−ｈ−ｗ}で表されるケイ素化合物Ｃ及び水の含有量が３５質量％以下の塩基を含み、前記薬液の出発原料中の水分の総量が、該原料の総量に対し５０００質量ｐｐｍ以下である、撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの凹部表面にチタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を有するウェハ（金属系ウェハ）のパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】金属系ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、Ｇｒｉｆｆｉｎ法によるＨＬＢ値が０．００１〜１０であり炭素数が６〜１８の炭化水素基を含む疎水部を有する界面活性剤と、水を含み、薬液中の前記界面活性剤の濃度が、該薬液の総量１００質量％に対して０．００００１質量％以上、飽和濃度以下であることを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 エチレンアミンと芳香族有機酸を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 （もっと読む）

【課題】ポストエッチング後に有機および無機の残留物およびフォトレジストを半導体基材にダメージを与えることなく除去する処方の提供
【解決手段】アセタールまたはケタール溶媒、水、多価アルコール、および少なくとも７かそれより大きなｐＨを有するように調整するｐＨ調整剤を含み、さらには共溶媒としての水溶性の有機溶媒、腐食防止剤およびフッ化物を随意的に含む。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内部を低ダメージでトレンチ底部まで確実に洗浄することができる洗浄工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トレンチ３を形成した後の洗浄工程の薬液５として、キレート剤を添加した過酸化水素水とアンモニア水と水の混合液を用いる。これにより、超音波等の外力を加えること無く、トレンチ３の底部まで確実に洗浄を行うことが可能となる。そして、このような洗浄工程を行えることから、アスペクト比が５以上のトレンチ３を形成しても、確実にトレンチ３の底部まで保護膜４を含む異物の洗浄除去を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 研磨剤由来の砥粒の除去性、絶縁膜上の金属残渣と有機残渣の除去性に優れ、かつ銅配線の耐腐食性に優れる銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨の後に続く工程において使用される洗浄剤であって、アミン（Ａ）、グアニジンの塩またはグアニジン誘導体の塩（Ｂ）、および水を必須成分とし、使用時のｐＨが８．０〜１３．０であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】室温でもポリイミドを良好に除去することができ、アルミニウム及びアルミニウム合金配線の腐食防止効果にも優れるだけでなく、長期間使っても析出の問題がないポリイミド除去用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量に対し、（Ａ）０．１〜１０重量％の下記化学式１で示される第４級アンモニウム水酸化物、（Ｂ）５０〜９０重量％のグリコールエーテル系化合物、（Ｃ）７〜３０重量％のグリセリン、及び（Ｄ）残量の水を含むポリイミド除去用洗浄剤組成物を提供する。
［化学式１］
［Ｎ−（Ｒ）_４］^＋・ＯＨ⁻
前記式で、Ｒは炭素数が１〜５のアルキル基である。 （もっと読む）

【課題】優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅をほとんど腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】アルカノールアミンと芳香族有機酸を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。アルカノールアミンは、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルエタノールアミン、アミノエトキシエタノール、及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノエトキシエタノール、プロパノールアミンからなる群より選ばれる少なくとも一種である。芳香族有機酸が、芳香族スルホン酸及び芳香族カルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ単結晶ウェハに対して十分なパーティクル除去能力を得て、且つ、表面荒れを起こさないアルカリ性の薬液の種類、濃度及び洗浄条件を規定したＧａＮ単結晶ウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶ウェハの洗浄方法において、ＧａＮ単結晶ウェハの表面を有機アルカリ系洗浄液で洗浄した後、有機溶剤で洗浄する方法である。 （もっと読む）