【課題】本発明は、バルクのフォトレジスト、エッチング後の残渣、アッシング後の残渣、及び不純物を除去するための半水性の配合物及びその使用方法に関する。
【解決手段】その配合物は、アルカノールアミン、水混和性有機共溶媒、第四級アンモニウム化合物、非遊離酸官能性腐食防止剤及び残部の水を有する。そのｐＨは９超である。 （もっと読む）

【課題】レジストパターン及び乾式及び湿式エッチング残渣除去能力に優れ、アルミニウム及び／または銅を含む金属配線の腐食防止力に優れるだけでなく、基板の処理枚数が増えて経済性に優れたレジスト剥離液組成物及びこれを用いたレジストの剥離方法を提供する。
【解決手段】本発明はレジスト剥離液組成物及びこれを用いたレジストの剥離方法に関する。前記レジスト剥離液組成物はレジストパターン及び乾式及び湿式エッチング残渣除去力に優れ、特定のポリオール化合物を含むので、アルミニウム及び／または銅を含む金属配線の腐食防止力に優れる。また、特定のアミド化合物を含むので、多数の基板を処理することができ、原価節減に大きく寄与する。 （もっと読む）

【課題】基板から残留物を除去する装置および方法を提供する。
【解決手段】基板から残留物を除去する方法を開示する。この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。この幾何形状は、エッチング処理に起因する第１の粗さを有する側壁を含んでいる。二酸化炭素および一酸化炭素を含む処理ガスがプラズマ処理システムへ導入され、処理ガスからプラズマが生成される。基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第１の粗さよりも小さい第２の粗さが生成される。 （もっと読む）

【課題】平板表示装置に用いられる基板上に存在する有機物または無機物などのパーティクルを除去するとともに平板表示装置に用いられる銅を含む配線、アルミニウムを含む配線を腐食させない洗浄液組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量に対し、（ａ）アミン化合物０．０５〜５重量％；（ｂ）アゾール系化合物、アルカノールアミン塩及び還元剤よりなる群から選ばれる１種または２種以上を含む添加剤０．０１〜１０重量％；及び（ｃ）残量の水を含む。 （もっと読む）

本発明は、実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物に関する。特に、イオン注入工程の後にフォトレジストを剥離するのに有用な実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物であって、
（ａ）アミン
（ｂ）有機溶媒Ａ，及び
（ｃ）共溶媒、
を含み、組成物は実質的に水分を含まない（＜３質量％Ｈ₂Ｏ）。本発明は、同様に、本発明の組成物を用いてポストイオン注入フォトレジスト剥離のプロセスを提供する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクなどに用いられる石英基板の洗浄方法であって、傷が発生せず、洗浄効果も高い研磨した石英ガラス基板のスクラブ洗浄方法を提供する。
【解決手段】２流体ジェット洗浄によりスクラブ洗浄時にスクラブ材にからんで基板に傷をつけるような異物を除去し、その後、スクラブ材として３０％圧縮応力が２０〜１００ｋＰａ、２０ｋＰａにおける圧縮弾性率が５０〜２００ｋＰａであるスクラブ材を用いて、スクラブ洗浄することで、スクラブ洗浄による傷の発生を抑制し、なおかつ基板の主表面のみならず端面まで細かい付着物を除去する。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の実施形態は、ウエハ表面、特にパターン化ウエハ（又は基板）の表面を洗浄する改良された洗浄剤、装置及び方法を提供する。本明細書で説明する洗浄剤、装置及び方法は、微細なフィーチャを備えるパターン化基板を、フィーチャに実質的に損傷を与えることなく洗浄できるという効果がある。洗浄剤は、１つ以上の高分子化合物からなるポリマーを備える。洗浄剤は、広い粘度範囲と広いｐＨ範囲で、さまざまな種類の表面洗浄に用いることができる。洗浄剤は液相であり、デバイス・フィーチャの周囲で変形し、基板上の汚染物質を捕獲する。ポリマーは、基板表面に汚染物質が戻らないように、汚染物質を取り込む。洗浄装置は、広い範囲の粘度を有する洗浄剤を供給して、すすぐように設計される。 （もっと読む）

【課題】ゲートメタル材料の溶解抑制と良好なコンタクト抵抗取得とを両立可能な半導体装置の洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の洗浄方法は、以下の工程を備えている。シリコンを含み、かつ主表面ＭＳを有する半導体基板ＳＢが準備される。主表面ＭＳの上にメタル層ＧＭとシリコン層ＧＰとを下から順に積層した積層ゲートＧＥ２が形成される。主表面ＭＳとシリコン層ＧＰ表面との各々にシリサイド層ＳＣＬが形成される。主表面ＭＳと積層ゲートＧＥ２表面との各々のシリサイド層ＳＣＬの上に絶縁層ＩＬが形成される。半導体基板ＳＢの主表面ＭＳと積層ゲートＧＥ２の表面との各々のシリサイド層ＳＣＬが絶縁層ＩＬから露出するようにシェアードコンタクトホールＳＣ２が絶縁層ＩＬに形成される。シェアードコンタクトホールＳＣ２に硫酸洗浄、過酸化水素水洗浄およびＡＰＭ洗浄をそれぞれ別工程で行うことによりシェアードコンタクトホールＳＣ２に形成された変質層ＡＬが除去される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウエハを処理するための方法であって：ハフニウムおよび／またはジルコニウムを含む第１の酸化物材料を含む高誘電体層と；前記高誘電体層の上部に蒸着され、ランタン、ランタニド、および／または、アルミニウムを含む第２の酸化物材料を含むキャップ層と、を備えたスタックを準備する工程と；酸化剤を含む水溶液である液体Ａを前記半導体ウエハの表面に供給する工程ＳＡと；工程ＳＡの後に、６未満のｐＨ値の液体である液体Ｂを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程ＳＢと；工程ＳＢの後に、少なくとも１０ｐｐｍのフッ素濃度の酸性水溶液である液体Ｃを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程ＳＣとを備える方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】湿潤、浸透効果に優れて太陽電池用基板上に存在する汚染物質に対する洗浄効果に優れるとともに、後工程のテクスチャリングに悪影響を及ぼさず、太陽電池の製造収率を向上させる洗浄液組成物を提供する。
【解決手段】本発明は太陽電池用洗浄液組成物であって、有機アルカリ化合物、水溶性グリコールエーテル化合物、過炭酸塩、有機リン酸またはその塩、及び水を含むことを特徴とする洗浄液組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のリンス処理時に、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜の膜減りを抑制する。
【解決手段】半導体基板(Ｗ)上には、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜が形成されている。半導体基板（Ｗ）に対するリンス処理において、アルカリ性薬液または有機溶剤からなるリンス液が用いられる。 （もっと読む）

【課題】 シリコンインゴットのスライス後の洗浄において、シリコンウエハ表面の平坦性を損ねることなく、シリコンウエハ表面の汚れに対し優れた洗浄性を実現するシリコンウエハ製造工程用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 重量平均分子量６００〜２００,０００のアニオン性界面活性剤（Ａ）、高級アルコールのアルキレンオキサイド付加物（Ｂ１）およびシリコーン系界面活性剤（Ｂ２）からなる群より選ばれる１種以上の浸透剤（Ｂ）、並びにアルカリ（Ｃ）を必須成分とすることを特徴とするシリコンウエハ製造工程用洗浄剤を使用する。 （もっと読む）

【課題】 研磨工程由来の有機残渣除去性能と銅の腐食抑制効果に優れ、かつ腐食防止剤が残留しない銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 鎖状アミン(Ａ)、水酸基を２〜５個含むポリフェノール系還元剤（Ｂ）、アスコルビン酸および水を必須成分とすることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】これまで好んで用いられてきた塩基性洗浄を意図的に用いず、素子特性を劣化させることなく、ウォータマークも発生させない窒化物半導体基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長用に用いられる窒化物半導体自立基板を、エピタキシャル成長前に洗浄する窒化物半導体基板の洗浄方法において、塩基性洗浄液を用いず、非塩基性洗浄液のみを用いて洗浄する方法である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴを用いた半導体装置において、ＴＦＴ中の汚染不純物を低減し、信頼性のあるＴＦＴを得ることを課題とする。
【解決手段】ガラス基板上のＴＦＴの被膜に存在する汚染不純物を、フッ素を含有する酸性溶液を被膜表面に接触させ、酸性溶液を一定方向に流すことにより、被膜表面の汚染不純物を除去することにより、信頼性のあるＴＦＴを得ることができる。なお、酸性溶液は、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合比が体積比で１：５０のバッファードフッ酸を用いる。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面に対して１回目の洗浄材料の適用がなされる。洗浄材料は、基板の表面上に存在する汚染物質を取り込むための１つ又は２つ以上の粘弾性材料を含む。基板の表面から洗浄材料をすすぐために、基板の表面に対して１回目のすすぎ流体の適用がなされる。すすぎ流体の１回目の適用は、基板の表面上にすすぎ流体の残留薄膜を残らせるようにも実施される。すすぎ流体の残留薄膜を上に有する基板の表面に対して２回目の洗浄材料の適用がなされる。次いで、基板の表面から洗浄材料をすすぐために、基板の表面に対して２回目のすすぎ流体の適用がなされる。 （もっと読む）

（Ａ）それぞれの試験液（ＡＢ）の全質量に対する百分率で表して、０．０６〜４質量％の、溶解したテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｂ）の存在下に、遠ＵＶ吸収発色団を含む、厚さが３０ｎｍのポリマー性バリア反射防止層について、５０℃で一定の除去速度を示す溶媒から成る群から選ばれる、少なくとも１種の極性有機溶媒、
（Ｂ）少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウム、及び
（Ｃ）少なくとも１個の第１級アミノ基を含む、少なくとも１種の芳香族アミン、
を含む液体組成物、その製造方法、及びこの液体組成物をレジストストリッピング組成物として使用した、電気装置の製造方法、及びシリコンビアを通してパターン化、及び／又はメッキ及びバンピングすることによって３Ｄ Ｓｔａｃｋｅｄ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ及び３Ｄ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋｉｎｇｓを製造する中で、ネガティブトーン及びポジティブトーンフォトレジスト、及びエッチング後の残留物を除去するために、上記液体組成物を使用する方法。 （もっと読む）

【課題】改善されたイメージ品質を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハ並びにエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの適切な製造方法の提供
【解決手段】丸められたエッジを備えたシリコンウェハのグループを準備する工程、前記シリコンウェハのエッジをポリシングする工程、前記シリコンウェハを洗浄する工程、欠陥及びエッジラフネスに関してシリコンウェハのグループのエッジ領域を調査し、前記シリコンウェハのグループから、１０〜８０μｍの空間波長領域に関して１ｎｍ ＲＭＳよりも低い表面粗さを有するシリコンウェハを選択する工程、選択されたシリコンウェハを枚葉型エピタキシー反応器中で前処理し、その際、第１の工程で水素雰囲気中で１〜１００ｓｌｍの流量で処理を行い、更に第２の工程でエッチング媒体を０．５〜５ｓｌｍの流量で前記水素雰囲気に添加し、ガス分配装置を用いて反応室中で分配する工程、前記シリコンウェハをエピタキシャル被覆する工程を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの製造方法 （もっと読む）

Ｎ−アルキルピロリドン及びヒドロキシルアミン、及びヒドロキシルアミン誘導体を含まず、回転式粘度計で測定して、５０℃で、動的せん断粘度が１〜１０ｍＰａｓである液体組成物であって、該液体組成物の全質量に対して、
（Ａ）溶解したテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｂ）の存在下に、遠ＵＶ吸収発色団を含む、厚さが３０ｎｍのポリマー性バリア反射防止層について、５０℃で一定の除去速度を示す、４０〜９９．９５質量％の、少なくとも１種の極性有機溶媒、
（Ｂ）０．０５〜＜０．５質量％の、水酸化第4級アンモニウム、及び
（Ｃ）＜５質量％の水、
を含む液体組成物；その製造方法、電気装置を製造する方法、及びパターン化Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａｓによる、及び／又はメッキ及びバンピングによる３Ｄ Ｓｔａｃｋｅｄ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ及び３Ｄ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋｉｎｇｓの製造で、ネガティブトーン及びポジティブトーンフォトレジスト、及びエッチング後の残留物を除去するために、この液体組成物を使用する方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、金属配線を有する半導体基板を化学機械研磨した後に、被研磨面の汚染を除去し、金属配線の酸化による腐蝕を抑制することができる洗浄用組成物および洗浄用組成物を用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】
（Ａ）カルボキシル基を２個以上有する有機酸あるいはその塩と、（Ｂ）水溶性（共）重合体（塩）と、（Ｃ）有機重合体粒子とを含有し、前記（Ａ）成分の含有量（Ｍ_Ａ）［質量］および前記（Ｃ）成分の含有量（Ｍ_Ｃ）［質量］は、Ｍ_Ａ／Ｍ_Ｃ＝５〜２０の関係を有し、ｐＨの範囲が５〜７である、化学機械研磨後に使用するための洗浄用組成物を用いて前記課題を解決できる。 （もっと読む）