【課題】処理チャンバ内を洗浄するための洗浄液による基板汚染を防止することができる基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ２内においては、閉状態におけるシャッタ１８上部の側方（水平でかつ側壁１に沿う方向）の一方側（図で示す右側）には、洗浄液を吐出するための第１洗浄液吐出ノズル３２と、洗浄液を吐出するための第２洗浄液吐出ノズル３３と、Ｎ₂ガスを吐出するためのＮ₂ガス吐出ノズル３４とが設けられている。シャッタ１８の上部に付着したＳＰＭが、洗浄液によって洗い流される。また、洗浄に用いられた洗浄液がＮ₂ガスによって除去される。 （もっと読む）

【課題】 大型基板(少なくとも０.２５ｍ^２)のさらされた表面から有機含有材料を除去する方法を提供する。
【解決手段】 基板は、電子デバイスを備えていてもよい。さらされた表面は、溶媒にオゾン（Ｏ_３）を含むストリッピング溶液で処理され、ここで、溶媒は酢酸無水物を含む。ストリッピング溶液を形成するのに用いられるストリッピング溶媒は、酢酸無水物と、２-４個の炭素原子を含有するカーボネート、エチレングリコールジアセテート、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる共溶媒との混合物を含んでいてもよい。一定の場合、ストリッピング溶液は、酢酸無水物とオゾンだけを含んでいてもよいが、オゾンの濃度は、典型的には約３００ｐｐｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】洗浄効率が高く、被洗浄物に与えるダメージが小さい洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄装置１には、熱交換部材８と、熱交換部材８内に挿通された一次冷却ライン１１と、熱交換部材８内に挿通された二次冷却ライン１２と、二次冷却ライン１２から噴射された二次冷媒が接触する位置に被洗浄物である半導体基板Ｓを保持する保持部材９と、が設けられている。そして、一次冷却ライン１１に一次冷媒である液体窒素を流通させ、二次冷却ライン１２に二次冷媒であるヘリウムガスを流通させる。これにより、液体窒素により熱交換部材８を介してヘリウムガスを冷却し、十分に冷却され且つ液体飛沫を含まないヘリウムガスを真空雰囲気中で半導体基板Ｓに向けて噴射して、半導体基板Ｓを冷却する。 （もっと読む）

【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、特にタングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体においても、この層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離できる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】フッ酸、過酸化水素、及び水を含有し、更に、フッ酸以外の無機酸を含有する窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液が、フッ酸以外の無機酸を含むので、半導体多層積層体がタングステン又はタングステン合金を含む層を有する場合においても、窒化チタン剥離液がこの層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、レジストを良好に除去することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＳＰＭ液ノズルに対し、１７０℃以上に温度調節された硫酸と、常温の過酸化水素水とが、１：０．１〜０．３５の流量比で供給される。硫酸と過酸化水素水とが混合して生成されたＳＰＭ液が、ＳＰＭ液ノズル３からウエハＷの表面に供給される。
【効果】ウエハＷの表面上のほぼ全域において、レジストを良好にかつ均一に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】 温度調整装置など、電力が供給されることによって作動する装置を、断線検出という警報を発生させることなく、所望する任意の電力量に制限して使用する。
【解決手段】 温度調整装置１００に、流体の温度の値を目標値にするための操作量を演算する操作量演算部３０と、演算された操作量に対応する電力が供給されて流体の温度が調整される温度調整部４０とを含む電力制御装置２０が備えられている。この電力制御装置２０には、更に電力上限値設定部５０と操作量補正部６０が設けられる。電力上限値設定部５０では、温度調整部４０に供給される電力の上限値が設定される。操作量補正部６０では、設定された電力上限値を超えないように、演算された操作量が補正されて、温度調整部４０に出力される。
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【課題】 安全にかつ短時間で基板の残留有機物を除去することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】 冷却された純水またはオゾン水にオゾンガスを混合してオゾンを溶解し、高濃度となった低温高濃度のオゾン水を加熱手段３によって加熱して、その高温高濃度のオゾン水を密閉された基板処理槽２５へ供給して大気圧よりも高い高圧状態とし、加熱によってオゾン水中から出る飽和溶解度以上の無駄となるオゾンガスを減少させ、高温高濃度のオゾン水のオゾンによる反応を促進する。基板処理槽２５内では、ポンプＰ２によって高温高濃度オゾン水を流動化し、槽内のオゾン濃度を均一化する。 （もっと読む）

【課題】洗浄薬液の混合比を正確に求め、必要量の薬液補充を行うことにより薬液濃度を制御して、被エッチング膜に対するエッチング量を容易に制御する。
【解決手段】薬液交換時において、薬液槽１に供給される薬液２１，２２，２３の供給流量を、それぞれの薬液流量計３１，３２，３３により測定する。測定された流量にて演算部７において供給時間が計算され、供給流量と供給時間の積分値から各薬液の総投入量を算出する。各薬液の総投入量から混合比を求めて薬液濃度を算出する。このとき算出された濃度が設定濃度と異なる場合、所望する薬液濃度となるように各薬液の補充量を演算部７で算出し、補充量を供給時間を可変させることにより調整する。演算部７で算出された供給時間にわたり、補充する薬液のみミキシングバルブ４を開いて薬液槽１に薬液を供給し、薬液濃度を調整する。 （もっと読む）

化学機械研磨（ＣＭＰ）後残渣および汚染物質をその上に有するマイクロエレクトロニクスデバイスから前記残渣および汚染物質を洗浄するための洗浄組成物および方法。この洗浄組成物は、新規な腐食防止剤を含む。この組成物は、ｌｏｗ−ｋ誘電体材料または銅配線材料を損傷することなく、マイクロエレクトロニクスデバイス表面からＣＭＰ後残渣および汚染物質を非常に有効に洗浄する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、半導体基板に用いられる配線材料、特に銅またはタングステンを腐食することなく窒化チタンをエッチングすることができる洗浄用組成物を提供することである。
【解決手段】
過酸化水素、水酸化４級アンモニウムおよびタングステンの防食剤を含有し、ｐＨが７以上１０以下である配線基板の処理液であって、タングステンの防食剤が４級アンモニウムおよびその塩、４級ピリジニウムおよびその塩、４級ビピリジニウムおよびその塩、並びに４級イミダゾリウムおよびその塩、からなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする洗浄用組成物を用いることで銅またはタングステンを腐食することなく窒化チタンを効果的にエッチングできることを見出し、本発明に到達した。 （もっと読む）

【課題】加圧せずに基板を均一に洗浄できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ２０１を表面が上下方向と直交する状態で支持する基板支持部及び支持された半導体ウェハ２０１をノズルユニット１１に対して前方に相対移動させる相対移動機構を有する搬送用ローラ２０２と、相対移動される半導体ウェハ２０１の表面に上方から薬液を吐出するノズルユニット１１とを有する。ノズルユニット１１は、薬液を吐出するスリット１０１が左右方向に細長い線形で下面に形成されており、スリット１０１に同等な左右幅で上方から連通して薬液が流動する流路１０２が内部に形成されており、流路１０２が左右方向と直交する面内で少なくとも一回は曲折された形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】精密研磨した直後のＳｉＣ単結晶基板を用いて洗浄し、洗浄後のＳｉＣ単結晶基板表面の重金属の残留を極めて少なく出来るＳｉＣ単結晶基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】研磨剤２、および軟質な研磨パッド３を用いてＳｉＣ単結晶基板１の表面研磨を行う研磨工程（ａ）と、前記ＳｉＣ単結晶基板を複数枚集めて一つのトレイ４にセットし洗浄ロットを用意する洗浄準備工程（ｂ）と、前記洗浄ロットを薬液６へ浸漬させ、超音波洗浄する第一の超音波洗浄工程（ｃ）と、前記洗浄ロッドを酸と酸化剤と水からなる洗浄液８を用いて所定の温度にて洗浄を行う主洗浄工程（ｄ）と、ＳｉＣ単結晶基板１の表面に付着している洗浄液８をリンス液１１に置換するリンス工程（ｅ）と、前記洗浄ロットを超音波洗浄用の薬液１１へ浸漬させ超音波洗浄する第二の超音波洗浄工程（ｆ）と、前記洗浄ロットを乾燥する乾燥工程（ｇ）と、から成るＳｉＣ単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】厚さが異なる２種類以上のゲート絶縁膜を有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に形成された酸化シリコン膜６の上層に酸化シリコン膜７を形成し、次いで厚いゲート絶縁膜を形成する領域Ａを覆ったフォトレジストパターン８をマスクとして、薄いゲート絶縁膜を形成する領域Ｂの酸化シリコン膜６，７を除去した後、フォトレジストパターン８および酸化シリコン膜７を除去し、続いて熱酸化処理を半導体基板１に施すことによって、厚さの異なるゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）表面層とこのＳｉＧｅ層に接する歪みシリコン（ｓＳｉ）層とを含むウエハを処理する方法に関し、このｓＳｉ層は、ＳｉＧｅ層をエッチングすることによって露出されており、この方法は、（ａ）ＳｉＧｅ層の第１選択エッチング、場合によりその後の酸化洗浄ステップと；（ｂ）脱イオン水を使用する濯ぎステップと；（ｃ）乾燥と；（ｄ）第２選択エッチングステップとのステップを含む。本発明は、少なくとも１つの歪みシリコン（ｓＳｉ）表面層を含むウエハに関し、前記ｓＳｉ表面層の厚さは、少なくとも５ｎｍ及び最大１００μｍであり、欠陥が最大２００個／ウエハである。 （もっと読む）

【課題】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物であって、約0.005重量％から約５重量％までのフッ化物を与える成分、約１重量％から約50重量％までのグリコール溶媒、リン含有酸、及び水を含む組成物；該組成物と基板を接触させることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対する洗浄効果を向上させることができるとともに、被処理基板の表面に洗浄液の液膜が形成されやすくなり、被処理基板にウォーターマークが形成されることを抑止することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１（２、３）は、洗浄液を供給する洗浄液供給部と、液滴生成用ガスを供給する液滴生成用ガス供給部と、洗浄液供給部から供給される洗浄液と液滴生成用ガス供給部から供給される液滴生成用ガスとを混合することにより生成される洗浄液の液滴を被処理基板Ｗの一部分に噴霧する二流体ノズル２０と、被処理基板Ｗの一部分の加熱を行う加熱部４０（６０）と、を備えている。被処理基板Ｗにおける一の箇所に二流体ノズル２０が洗浄液の液滴を噴霧する直前に、この一の箇所の加熱を加熱部４０（６０）により行う。 （もっと読む）

【課題】
ＩＰＡ等の有機溶剤を使用して乾燥する場合において、残留異物を低減し、ウオータマーク（水しみ）等の染みの発生を抑制することができる蒸気乾燥装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、凝縮されたディスクを下側チャンファ部からのみ滴下するような速度で冷却エリアに引き上げることで、ウオータマークや異物の残留を下側チャンファ部に移動させて冷却乾燥に入る。さらに、下側チャンファ部を蒸気エリアに再浸漬することで下側チャンファ部に移動したウオータマークや異物の残留部部に対してドレーンにより下側チャンファ部の残留異物を流し落としかつ下側チャンファ部にできるであろうウオータマークの痕跡を除去して、再引き上げをしてディスクを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】処理流体による基板処理の際に、基板表面上で顕著な変化を生じさせ、これにより、処理効率の向上を図ることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ミキシングバルブ４の混合部４０には、薬液供給源７１〜７４からの薬液原液ならびに純水供源からの常温純水および温純水を供給できる。ミキシングバルブ４０から、処理液供給路３を介して、処理液ノズル２に処理液が供給され、この処理液が基板Ｗに供給される。処理液による基板Ｗの処理中に、薬液導入バルブ４１〜４４、流量調整バルブ１０１〜１０４、純水供給源バルブ５１、温純水供給源バルブ５２、純水バルブ５などの制御によって、プロセスパラメータに揺らぎが付与される。 （もっと読む）

【課題】処理液による基板処理の面内均一性を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】二流体ノズルからの薬液の液滴の噴流が導かれるウエハの表面上の供給位置が、ウエハの回転中心からウエハの周縁部に至る範囲を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。薬液の供給位置がウエハの回転中心から離れるにつれて、二流体ノズルからウエハに供給される薬効成分の濃度が高くされている。その一方で、回転中心から離れているほど、ウエハの表面位置は高速に移動している。その結果、単位面積あたりの薬液の薬効成分の量がウエハの全域においてほぼ等しくなる。 （もっと読む）

【課題】剥離性に優れたレジスト剥離液を提供すること。また、レジストの剥離性に優れ、回路構造を損傷しないレジスト剥離方法を提供すること。
【解決手段】一次粒子径が５〜１，０００ｎｍである粒子と、アミン化合物及びアルキレングリコール類よりなる群から選ばれた少なくとも一つの化合物を含有する剥離性に優れたレジスト剥離液及び灰化処理の工程を含まず、剥離性に優れ、回路構造を損傷しない、前記レジスト剥離液を用いたレジスト剥離方法。 （もっと読む）