【課題】温度測定手段が完全に破損する前に故障報知を行うことにより、温度測定手段の破損に起因する稼働率低下を防止することができる。
【解決手段】温度センサ４１及び温度制御部４３は、一般的に、故障の前にはある出力信号となる。しかも、故障モードによって出力信号が固有値を示すことが多い。そこで、故障モードごとに固有値を記憶部５９に予め記憶させておき、温度センサ４１及び温度制御部４３からの出力信号が一時的であっても実質的にその固有値と一致した場合には、報知部６１を介して故障報知を行う。完全に破損する前に故障報知を行うことで、完全に故障する前に修理準備を整えることができるので、温度センサ４１及び温度制御部４３の破損に起因する稼働率低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理不良を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理部のスピンチャック２１には、スピンベース２２が回転可能に設けられている。スピンベース２２上には、基板Ｗを保持するための複数の保持部２３が設けられている。各保持部２３は、保持部材５２および支持ピン８１を有する。基板Ｗに処理液（薬液）が供給される際には、基板Ｗが支持ピン８１上に支持された状態でスピンベース２２が約３００ｒｐｍで回転される。基板Ｗにリンス液が供給される際には、基板Ｗが保持部材５２により保持された状態でスピンベース２２が約１０００ｒｐｍで回転される。 （もっと読む）

【課題】 酸化セリウムが表面に付着した被洗浄物に対し、酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて洗浄除去することが可能な洗浄液及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る洗浄液は、酸化セリウムを除去する洗浄液であって、フッ化水素と、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、リン酸、ヨウ素酸及び臭化水素酸からなる群より選択される少なくとも何れか１種の酸と、水とが含み構成され、前記酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング不良のロットを精度よく発見できると同時に、後続のエッチング不良のロットの発生を抑制する。
【解決手段】本実施形態のウエハ処理１００においては、ロット毎に、燐酸１０のエッチングレートが高い状態を維持するための純水の供給および停止を繰り返すサイクル数を所定時間内で算出し、そのサイクル数が予め設定した回数の範囲外である場合に、そのことを報知するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト等の残留物を選択的に除去し、かつこの組成物にさらされる場合がある高誘電率の誘導性材料、低誘電率の誘導性材料、及び／又は範囲の金属領域の望ましくない攻撃をすることなく、基板から残留物を処理することができる組成物を提供すること。
【解決手段】製品から残留物を除去するための組成物であって、当該組成物が、グリコールエーテルを含む１種以上の水溶性有機溶媒；水；フッ化物含有化合物がアンモニウムフルオライドである場合に、追加のフッ化物含有化合物を当該組成物に添加しないことを条件とするフッ化物含有化合物；そして随意選択的な第４級アンモニウム化合物；
を含む、残留物を除去するための組成物。 （もっと読む）

【課題】処理液の再利用を好適に図ることができ，しかも排気量を低減させることができる，基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハＷを洗浄するウェハ洗浄装置５であって，ＡＰＭ及び純水を供給する供給ノズル３４と，ウェハＷを保持するスピンチャック３１と，スピンチャック３１を収納する容器３０とを備え，容器３０は内処理室４２と外処理室４３を備え，スピンチャック３１に対して容器３０を昇降自在に構成し，内処理室４２にＡＰＭ及び室内雰囲気を排出する第１の排出回路５０を接続し，外処理室４３に純水及び室内雰囲気を排出する第２の排出回路５１を接続し，ＡＰＭを供給ノズル３４から再びウェハＷの表面に供給するように構成した。 （もっと読む）

【課題】所定の供給対象に安定した温度で処理液を供給することができる処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】薬液供給装置１２は、同種の薬液が貯留された第１および第２タンク１３，１４と、第１ヒータ１７が介装された薬液供給管１５と、薬液回収管１６とを備えている。第１タンク１３から処理ユニット２に供給された薬液は、薬液回収管１６を介して第２タンク１４に回収される。第２タンク１４は、薬液移送配管２４を介して第１タンク１３に連結されている。薬液移送配管２４には、第２ヒータ２５および第２ポンプ２６が介装されている。第２タンク１４に回収された薬液は、第２ヒータ２５による温度調節を受けた後、第２ポンプ２６によって第１タンク１３に移送される。 （もっと読む）

【課題】「パターン剥がれ」が生じない条件で、高いパーティクル除去比を期待できる半導体基板等の洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄槽として、主洗浄槽１を用意し、主洗浄槽１内において、洗浄対象となるウェーハ２の表面に、導入口３からエッチング液を供給してエッチングを行い、その後、ｐＨ調整用媒体として、ｐＨが９．５〜１０．５未満に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行い、次いで、洗浄媒体として、ｐＨが１０．５〜１２．５に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】超音波洗浄における被洗浄物の洗浄ムラを抑制し、洗浄槽数を削減して装置のコストを低減することができ、パーティクル除去を効果的に行うことができる超音波洗浄装置および超音波洗浄方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、被洗浄物を浸漬して洗浄するための洗浄液を収容する洗浄槽と、該洗浄槽に超音波を伝搬するための伝搬水を収容する超音波伝搬槽と、前記超音波伝搬槽の下部に配置され振動子により超音波を前記伝搬水に重畳する振動板と、洗浄する被洗浄物を前記洗浄槽中に保持する保持治具とを具備し、前記被洗浄物が前記保持治具で保持されて前記洗浄槽内の洗浄液に浸漬され、前記洗浄槽が前記超音波伝搬槽内の伝搬水に浸され、前記振動板により重畳した超音波を伝搬水を介して洗浄槽に伝搬させて前記被洗浄物を超音波洗浄する超音波洗浄装置であって、前記超音波伝搬槽を水平面内で揺動させる伝搬槽揺動機構を具備する超音波洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】基板の全面からポリマーを良好に除去することができる、ポリマー除去方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面の周縁部、周端面および裏面には、ドライエッチング処理時に生じた第１種のポリマーを除去可能な第１ポリマー除去液が供給される。また、ウエハＷの表面の中央部（周縁部よりも内側の部分）には、アッシング処理時に生じた第２のポリマーを除去可能な第２ポリマー除去液が供給される。 （もっと読む）

【課題】高圧二酸化炭素を用いた洗浄等の処理工程後、被処理体の表面が高い清浄度に維持される簡易な処理方法、及び処理装置を目的とする。
【解決手段】被処理体を保持、収納する高圧容器１１に、フィルタ１３を有する供給ライン２０から、高圧二酸化炭素を供給する工程（１）と、前記高圧二酸化炭素により被処理体を処理する工程（２）と、高圧容器１１内の高圧二酸化炭素を排出ライン３０から排出する工程（３）とを含み、前記工程（１）及び／又は前記工程（３）のにおける高圧二酸化炭素の流量を特定の条件に調整する、高圧二酸化炭素を用いた被処理体の処理方法。また、高圧容器１１と供給ライン２０と排出ライン３０とを備え、供給ライン２０及び／又は排出ライン３０に、高圧二酸化炭素の流量を調整する流量調整手段４０、５０を有する処理装置１。 （もっと読む）

【課題】従来の銅配線半導体用洗浄剤は、銅配線に付着する研磨剤由来の有機残渣を除去する効果が不十分であるばかりか、金属配線材料（銅、タングステン等）が腐食するという問題がある。
【解決手段】有機アミン（Ａ）、下記（Ｉ）〜（ＩＶ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の多価水酸基含有化合物（Ｂ）及び水（Ｗ）を含有してなり、２５℃でのｐＨが２〜１４であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。
（Ｉ）分子量が１，０００未満の多価水酸基含有炭化水素
（ＩＩ）エーテル基、エステル基、ホルミル基、スルホ基、スルホニル基、ホスホノ基、チオール基、ニトロ基及びアミド基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する分子量が１，０００未満の多価水酸基含有炭化水素
（ＩＩＩ）上記（Ｉ）、（ＩＩ）を脱水縮合した分子構造を有する多価水酸基含有化合物
（ＩＶ）糖類
（Ｖ）変性されていてもよいポリビニルアルコール （もっと読む）

【課題】１チップ内に二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザ製品の製造過程における二回目のエピタキシャル成長前の基板洗浄における不具合を除去し、二回目のエピタキシャル成長時に発生する異常成長を防止する。
【解決手段】１チップ内に赤色と赤外の二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザの製造工程において、二回目のエピタキシャル成長前のＧａＡｓ基板１に対する洗浄の際、洗浄液を硫酸９７ｗｔ％、過酸化水素水３０ｗｔ％、水、１：１：５０〜２５０の割合で、温度２０〜２５℃にて２０〜５０秒処理する。この処理後、純水洗浄を５分以上実施し、乾燥処理した後、二回目のエピタキシャル成長膜４の形成を実施する。 （もっと読む）

【課題】カロー酸を用いたウエハ（基板）洗浄工程において、Ｈ_２Ｏ_２の使用量を低減しつつ、フォトレジスト膜（感光性マスキング層）の除去性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】基板１の洗浄（フォトレジスト膜の除去）時以外のＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度は、フォトレジスト膜の少なくとも一部を除去できる最低限の第１濃度以上で制御する。そして、基板１をＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ浸漬する直前に、ＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度がフォトレジスト膜を確実に除去できる第２濃度以上となり、また基板１をＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ浸漬した時にＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度がその第２濃度未満とならないように、過酸化水素水供給系５４からＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ所定量のＨ_２Ｏ_２を供給する。 （もっと読む）

【課題】弗酸処理によって半導体基板上に形成された酸化膜を除去する際に、ウォーターマークの発生や異物の付着を効果的に防止しうる半導体基板の処理方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を弗酸処理して酸化膜を除去する工程と、半導体基板の表面を親水化する工程とを有し、半導体基板の表面を親水化する工程は、過酸化水素水を投入した処理槽内で半導体基板を処理する工程と、処理槽内にアンモニア水を更に投入して半導体基板をアンモニア過酸化水素水で処理する工程とを有し、半導体基板の表面を親水化する工程の後に、半導体基板を塩酸過酸化水素水で処理する工程を更に有する。 （もっと読む）

ウエハのような半導体基材の表面を洗浄、調整する装置である。回転可能なチャックやチャンバー、１つ以上のドレン排出口を有して洗浄液を集める回転可能なトレイ、多数の洗浄液を集める多数の受容器、チャックを駆動する第１のモータ、トレイを駆動する第２のモータを含む。トレイのドレン排出口は、その下方に配置された所定の受容器の直上に位置させることができる。トレイに集められた洗浄液は、所定の受容器に導くことができる。最小限の相互汚染での確実で正確に制御された洗浄溶液の再利用がこの装置の１つの特徴である。
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【課題】タングステンまたはモリブデンを主成分とする物品を安全かつ低コストで洗浄処理し、効率的に再利用することができる洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】水素よりもイオン化傾向が大きいタングステン、モリブデンを一次処理として酸化剤である過酸化水素水により処理することで、表面に付着した汚染物質の堆積層を安全に除去することが可能である。また、二次処理としてアンモニア水と過酸化水素水とを含む混合液で処理することで、表面に形成された酸化皮膜が除去されタングステン、モリブデンの効率的な再利用が可能となる。 （もっと読む）

【課題】洗浄液のランニングコストを低減する洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を循環させながら基板を洗浄する洗浄槽と、洗浄槽の排気中に含まれる気化している洗浄液を液化する凝縮器と、凝縮器により液化された洗浄液を洗浄槽に還流する還流手段とを備える。前記洗浄液は炭酸エチレンを含み、凝縮器は空気を冷媒としてもよく、気化している洗浄液の液化に伴って熱気として排出する。前記洗浄装置は、さらに、前記凝縮器から排出される熱気を、洗浄液の固化防止用熱源として洗浄装置の所定箇所に供給する。 （もっと読む）

【課題】重大な金属腐食を伴わずにマイクロエレクトロニクスのデバイスを洗浄するのに有用であり、ＩＬＤに適合する洗浄製剤を提供する。
【解決手段】（ａ）アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物のアミンまたはアンモニウム化合物とのオリゴマー型またはポリマー型結合体である、少なくとも１種の「黄変」または「褐変」アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物、（ｂ）少なくとも１種の遊離アミン、および、（ｃ）少なくとも１種の有機溶媒または少なくとも１種の有機溶媒および水を含有する、フッ化物不含の有機溶媒をベースとする洗浄製剤を提供する。かかる製剤は、（ｄ）ｐＨ７以上、好ましくはｐＨ約９.５ないし約１０.８の最終生成物を産生するのに十分な量の、少なくとも１種の金属イオン不含塩基、および、（ｅ）多価アルコール、（ｆ）金属キレート化剤および（ｇ）界面活性剤を含む他の任意成分も含み得る。 （もっと読む）

【課題】液晶表示パネルに用いられるガラス基板などの基板を薬液や純水などの処理液を供給して処理する際の各処理液の温度の差が大きいことにより基板が撓んでしまうことが抑制される基板処理方法を提供すること。
【解決手段】一定方向に搬送される基板の処理面に薬液を供給して薬液処理するに際し、隔壁で仕切られる複数の薬液処理室の各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度を前記基板の搬送方向の上流側から下流側に向けて段階的に下げるようにした。 （もっと読む）