【課題】各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】ウエハＷの処理を行う処理部１０に接続された第１のライン２２に第２のライン４４の上流側端部および下流側端部がそれぞれ接続されている。第２のライン４４から複数の第３のライン（過酸化水素水供給ライン４２、アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６）が分岐している。これらの第３のラインには、第２のライン４４からの分岐箇所にそれぞれバルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されている。各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源（過酸化水素水供給源４１、アンモニア水供給源４６、塩酸供給源５０およびフッ酸供給源５４）が接続されている。 （もっと読む）

【課題】各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】ウエハＷの処理を行う処理部１０に接続された第１のライン２２から第２のライン４４が分岐している。第２のライン４４から複数の第３のライン（アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６）が分岐している。これらの第３のラインには、第２のライン４４からの分岐箇所にそれぞれバルブ４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されている。各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源（アンモニア水供給源４６、塩酸供給源５０およびフッ酸供給源５４）が接続されており、これらの薬液供給源から各第３のラインに薬液が供給されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、第１ウエハの上部に第２ウエハを結合させる段階と、第２ウエハの背面にハードマスク層を形成する段階と、ハードマスク層の上部に、ビアホール領域を露出させる感光膜パターンを形成する段階と、感光膜パターンをエッチングマスクとしてハードマスク層をエッチングすることでハードマスクパターンを形成する段階と、ハードマスクパターンをエッチングマスクとして第１及び第２ウエハを一定深さまでエッチングすることでビアホールを形成する段階と、を含む。これによると、両ウエハを非常に効果的に接合させることができ、高いアスペクト比を持つビアホールに残留する残渣をきれいに除去でき、素子特性をより向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｇｅを含有する半導体基板に効果的な洗浄方法が適用された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｇｅを含有する半導体基板を、ＨＣｌガス、ＨＢｒガスまたはＨＩガスの少なくとも一種を含むハロゲン化ガスで洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。Ｇｅを含有する半導体基板を、７５℃以上１１０℃以下のＨＣｌ溶液で洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。例えば、ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜の前処理、ソース・ドレイン電極形成の前処理、コンタクトの金属プラグ形成の前処理に適用される。 （もっと読む）

【課題】フィルタの交換頻度を抑制することが可能な洗浄システム及び洗浄液循環方法を提供する
【解決手段】硫酸及び過酸化水素水が含まれる洗浄液１０１を収容する洗浄槽１１と、洗浄液１０１が、洗浄槽１１の排出口から排出され、加熱装置２１を通過して、フィルタ２５またはバイパスライン２８を通過して、洗浄槽１１の導入口に戻される洗浄循環ライン２９と、加熱された洗浄液１０１が、洗浄槽１１の排出口から排出され、冷却装置３３を通過した後、加熱することにより硫酸濃度を所定の濃度に高める再生槽３５の導入口に導入され、再生槽３５の排出口から排出され、冷却装置４１を通過して、バッファ槽５１に貯留され、バッファ槽５１から洗浄槽１１の導入口に戻される再生循環ライン５５とを有する。 （もっと読む）

【課題】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチング、アッシング後に残存するパターン側壁やパターン上部のバリアメタル上の残渣を低温、短時間で完全に除去でき、配線上部のバリアメタル上に粒状の異物が付着するのを抑制するレジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】
半導体素子や液晶パネル素子の製造工程において、ドライエッチング、アッシング後に残存するパターン側壁やパターン上部のバリアメタル上の残渣を剥離する際、フッ素化合物と1，10−フェナントロリン一水和物、1，10−フェナントロリン無水物、2，2’−ビピリジン、1，2，3−ベンゾトリアゾール、ピリジン、3，5−ジメチルピラゾール、ニトリロ三酢酸、プロピオン酸、および酢酸から選択される１種以上の水溶性化合物を含有することを特徴とするレジスト剥離液組成物で洗浄する（接触処理する）。 （もっと読む）

【課題】電子材料の洗浄方法及び保管方法を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄方法は、ヒドロキシ酸を含む溶液中で、マイクロバブルの存在下で洗浄することを特徴とする。
【効果】本発明の洗浄方法により、シリコンウエハ表面のパーティクル成分、油分汚染等を効率的に洗浄除去し、再汚染を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】最上層配線はAl膜厚が厚いため、レジストの膜厚も下層に比べて厚く、エッチング時間も長いためAl側壁へのポリマ堆積が他製品に比べても非常に多い。Alエッチ後のポリマ剥離液として使用している標準的なフッ化アンモニウム系のポリマ剥離液の処理時間を単に延長するだけでは、強固なポリマ膜等に対しては完全に除去することができていないことが明らかとなった。
【解決手段】本願発明はフッ化アンモニウム系のポリマ剥離液（弗化物塩添加有機溶剤水溶液）が一定の水希釈領域（高Ａｌエッチ・レート領域）において、アルミニウム系の金属又は合金に対して、著しく大きなエッチング速度を呈する性質を利用してアルミニウム系の配線をドライ・エッチングする際に形成される側壁ポリマをリフトオフさせるために、ウエハのデバイス面へのポリマ剥離液および純水等の洗浄液の供給を交互に繰り返すものである。 （もっと読む）

【課題】フッ素化合物を用いて高度な洗浄効果が得られるようにした洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくともフッ素化合物を含有する洗浄液（フッ素系溶剤）３に、被洗浄物１を浸す浸漬工程を有する洗浄方法であって、浸漬工程における、洗浄液３の温度ｔが、洗浄液３に含まれるフッ素化合物の１気圧における標準沸点または１００℃のいずれか低い方の温度以上であり、かつ雰囲気圧力が温度ｔにおいてフッ素化合物が液体状態となる圧力であることを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】高度に清浄化された表面を得ることが可能な半導体デバイス用基板用の洗浄液を提供する。
【解決手段】 本発明の洗浄液は、ナトリウムイオン、カリウムイオン、鉄イオン、および下記一般式（１）で表される硫酸エステルのアンモニウム塩、および水を含有し、前記ナトリウムイオン、前記カリウムイオン、および前記鉄イオンの含有量がそれぞれ５００ｐｐｂ以下の半導体デバイス用基板用の洗浄液。
ＲＯＳＯ₃^-（Ｘ）⁺ （１）
但し、式（１）中、Ｒは、炭素数８〜２２のアルキル基、または炭素数８〜２２のアルケニル基であり、（（Ｘ）⁺は、アンモニウムイオン、第一級アンモニウムイオン、第二級アンモニウムイオン、または第三級アンモニウムイオンである。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜のアッシング条件に依存せず、かつコロージョンの発生を抑制する洗浄方法が望まれている。
【解決手段】 半導体基板上に、アルミニウムを含む導電膜(45)を形成する。導電膜の上に、レジストパターン(48)を形成する。レジストパターンをマスクとして、ハロゲンを含むガスを用いて導電膜をエッチングすることにより、配線(45a,45b)を形成する。配線の形成後、レジストパターンを除去する。レジストパターンの除去後、配線が形成されている表面を薬液(62)で処理することにより、レジストパターン除去後の残渣物を除去する。薬液による処理後、４０℃以上の温水(63)を用いて、基板表面を水洗する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたパターンを破壊することなく、短時間でレジストを剥離することのできる、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】イオン注入処理時のマスクとして基板上に形成され、イオン注入処理により表層部に硬化層が形成されたレジストに、流体を供給する工程と、前記流体を供給する工程の後に、前記レジストに、前記レジストを剥離する剥離液を供給する工程とを具備し、前記流体を供給する工程は、前記流体として、純水を流量比で１／４００以上含む流体を供給する工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】薄膜シリコンウェーハの多層構造に使用する薄膜シリコンウェーハの洗浄方法として特に効果的に使用することができ、シリコンウェーハ表面のみならずウェーハバルクの不純物も除去できるシリコンウェーハの洗浄方法及びこの洗浄方法で洗浄することによって高純度化したシリコンウェーハ、並びに本発明の洗浄方法によって洗浄された薄膜シリコンウェーハの複数枚を積層して作製される多層シリコンウェーハ構造及びその作製法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ表面に濃硫酸を滴下する工程と、前記シリコンウェーハ表面と前記滴下された濃硫酸との接触状態を維持する工程と、を含み、前記シリコンウェーハ内部に固溶している重金属不純物を前記濃硫酸中に抽出することにより前記シリコンウェーハ中の重金属不純物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】過硫酸の自己分解を抑制し、少量の薬品で高濃度の過硫酸をオンタイムで供給することができる過硫酸製造装置を提供する。
【解決手段】陽極１２と、陰極１４と、陽極１２と陰極と１４の間に設けられた隔膜１０と、陽極１２および陰極１４の隔膜１０と反対側の面に接触して設けられた集電体１６，１８とを有し、陽極１２側および陰極１４側に電解液として硫酸溶液を流し、陽極１２と陰極１４との間に電圧を印加して過硫酸を電解生成させる電解槽４を備え、１０〜９６重量％濃度の硫酸溶液を電解液として、１回の流通で０．００１ｍｏｌ／Ｌ〜０．２ｍｏｌ／Ｌの範囲の濃度の過硫酸を生成させる過硫酸製造装置１。 （もっと読む）

【課題】過硫酸の自己分解を抑制するとともに、電極で生成する気体による電解効率の低下を抑制することができる過硫酸製造装置を提供する。
【解決手段】陽極１２および陰極１４が隔膜１０側の面と集電体１６，１８側の面に通ずる少なくとも１つの流路を有し、集電体１６，１８が電極１２，１４側の面に電解液の流れる方向と略平行な少なくとも１つの溝を有することにより、あるいは、陽極１２および陰極１４が隔膜１０側の面に電解液の流れる方向と略平行な少なくとも１つの溝を有することにより、過硫酸の自己分解を抑制するとともに、電極で生成する気体による電解効率の低下を抑制することができる過硫酸製造装置１。 （もっと読む）

【課題】低起泡性で泡切れ性にも優れ、かつ優れたパーティクルの除去性及びリンス性を実現する電子材料用洗浄剤を提供する。
【解決手段】式（１）で表されるアニオン性界面活性剤を含有する電子材料用洗浄剤で、０．２重量％水溶液の２０℃におけるロス・マイルス試験による起泡力が５０ｍｍ以下で、泡の安定度が５ｍｍ以下である電子材料用洗浄剤。


［Ｒ¹及びＲ²は炭素数１〜６のアルキル基で、Ｒ¹とＲ²の炭素数の合計は２〜７；Ｒ³は炭素数１〜３のアルキレン基；Ｒ⁴は炭素数２〜４のアルキレン基；Ｘ^-は−ＣＯＯ^-、−ＯＣＨ₂ＣＯＯ^-、−ＯＳＯ₃^-、−ＳＯ₃^-又は−ＯＰＯ₂（ＯＲ⁵）^-であって、Ｒ⁵は水素原子又はＲ¹（Ｃ＝Ｏ）_a−Ｎ（Ｒ²）−Ｒ³−（ＯＲ⁴）^b−で表される基；Ｍ⁺はカチオン；ａは０又は１；ｂは平均値であって０〜１０を表す。］ （もっと読む）

【課題】 剥離及び洗浄工程で基板への損傷を最小に抑え、低コストで低ダメージ、環境に優しいプロセスを実現することができる対象物処理装置及び方法を提供すること。
【解決手段】 処理対象面を有する対象物に対して、剥離／洗浄／加工のいずれかを含む処理を行うための対象物処理装置に、大気圧または減圧雰囲気で前記対象物を載置するステージ部と、純水を所定値に加圧した加圧温水をノズル部に供給する加圧温水供給部と、処理対象面に対し、加圧温水または加圧温水と薬液との混合物を噴出するノズル部とを設ける。 （もっと読む）

【課題】基板上の液膜を短時間で凍結させることができる基板処理方法および装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに液膜１１ｆ、１１ｂを形成するために基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに供給するＤＩＷを熱交換器６２３Ａにより常温より低い温度に冷却しているため、凍結膜１３ｆ、１３ｂを生成するのに要する時間を短縮することができる。また、液膜形成前において、スローリーク処理を実行することで液膜形成時の流量よりも小さな微小流量で冷却ＤＩＷを配管６２１Ａから流出させて配管６２１Ａ内に冷却ＤＩＷを流通させる。このため、配管６２１Ａ内の冷却ＤＩＷの温度上昇が防止され、液膜形成のためにノズル２７、９７からＤＩＷの吐出を開始すると、短時間で冷却ＤＩＷの液膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】従来のガス溶解水に比べて格段に高い洗浄効果を発揮する電子材料用洗浄水を提供する。
【解決手段】溶存ガスとして酸素とアルゴンとを含むガス溶解水よりなる電子材料用洗浄水であって、溶存酸素濃度が８ｍｇ／Ｌ以上であり、溶存酸素ガス量と溶存アルゴンガス量との合計に対して２体積％以上の溶存アルゴンガスを含む電子材料用洗浄水。この電子材料用洗浄水を用いて電子材料を洗浄する方法。酸素／アルゴンガス溶解水よりなる本発明の電子材料用洗浄水は、溶存ガス量が少なく、また、使用する薬品量も少ないものであっても高い洗浄効果を得ることができることから、安全に容易かつ安価に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】機能性溶液として硫酸電解液を効率よく生成し、かつ電解によって生成された過硫酸を自己分解を抑制して効率よく使用側に供給する。
【解決手段】硫酸溶液を電解することにより機能性溶液を製造して使用側に供給する機能性溶液供給システムにおいて、該システムが硫酸溶液を貯留する貯留槽２と、硫酸溶液を電解する電解装置（電解セル３）と、硫酸溶液を加温する加温手段（加熱器５）と、硫酸溶液を冷却する冷却手段（冷却器４）と、貯留槽２から排出された硫酸溶液を、加温手段を介することなく電解装置を介して前記貯留槽２に戻す第１の循環ライン１１と、使用側（洗浄機１）から導入された硫酸溶液を、加温手段を介することなく冷却手段及び前記貯留槽２をこの順に介して使用側に戻す第２の循環ライン１２と、前記使用側から導入された硫酸溶液を、冷却手段及び前記貯留槽２を介することなく加温手段（加熱器５）を介して前記使用側に戻す第３の循環ライン１３を備える。 （もっと読む）