【課題】ポストエッチング後に有機および無機の残留物およびフォトレジストを半導体基材にダメージを与えることなく除去する処方の提供
【解決手段】アセタールまたはケタール溶媒、水、多価アルコール、および少なくとも７かそれより大きなｐＨを有するように調整するｐＨ調整剤を含み、さらには共溶媒としての水溶性の有機溶媒、腐食防止剤およびフッ化物を随意的に含む。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンの倒れを防止することに奏功するウェハの洗浄方法に関し、経済的かつ効率的にウェハを洗浄することが可能な洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に凹凸パターンを有し、該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの表面に前処理用薬液を供給することにより、凹凸パターンの表面を改質する、前処理工程、および、
改質された凹凸パターンの表面に保護膜形成用薬液を供給することにより、凹凸パターンの表面に撥水性の保護膜を形成する、保護膜形成工程
を少なくとも含むウェハの洗浄方法であって、
前記前処理工程では、酸をモル濃度で０．００１〜５ｍｏｌ／Ｌ含み、ｐＨが３以下である前処理用薬液を用いて、４０℃以上、前処理用薬液の沸点未満の温度で凹凸パターンの表面を改質することを特徴とする、ウェハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの凹部表面にチタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を有するウェハ（金属系ウェハ）のパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】金属系ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、Ｇｒｉｆｆｉｎ法によるＨＬＢ値が０．００１〜１０であり炭素数が６〜１８の炭化水素基を含む疎水部を有する界面活性剤と、水を含み、薬液中の前記界面活性剤の濃度が、該薬液の総量１００質量％に対して０．００００１質量％以上、飽和濃度以下であることを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 エチレンアミンと芳香族有機酸を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 （もっと読む）

【課題】処理モジュールに処理液を共通の塗布ノズルを用いて供給するときに、複数準備される薬液ノズルの処理液供給配管同士の擦れを防ぎ、同時に塗布ノズルを把持して移動するときにノズル搬送アームへの無用な負荷を掛けないようにすること。
【解決手段】処理液供給ノズル１０を接続し、上部に第１の把持穴４０を設けるノズルブロック部１７と、上部に第２の把持穴２５を設ける把持用ブロック部１８と、両ブロック部を直状に接続する接続管１９と、を備える。処理液供給ノズルに連通される処理液供給管２１は、接続管の中に配管され、ノズル把持アーム１２は、第１の把持穴及び第２の把持穴にそれぞれ嵌合可能な第１及び第２の把持用凸部４１，４２を備え、ウエハＷの上方に処理液供給ノズルを移動する際は、ノズルブロック部の第１の把持穴と把持用ブロック部の第２の把持穴にそれぞれ第１及び第２の把持用凸部を同時に嵌合して把持した状態で移動させる。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内部を低ダメージでトレンチ底部まで確実に洗浄することができる洗浄工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トレンチ３を形成した後の洗浄工程の薬液５として、キレート剤を添加した過酸化水素水とアンモニア水と水の混合液を用いる。これにより、超音波等の外力を加えること無く、トレンチ３の底部まで確実に洗浄を行うことが可能となる。そして、このような洗浄工程を行えることから、アスペクト比が５以上のトレンチ３を形成しても、確実にトレンチ３の底部まで保護膜４を含む異物の洗浄除去を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体インゴットをスライスする際に油性スラリーおよび水溶性スラリーのいずれを使用したかに関わらず、太陽電池のテクスチャ構造形成においてほぼ同一のアルカリエッチング条件を適用することを可能とする。
【解決手段】加工用スラリーを用いて半導体インゴットをスライス加工して半導体ウェーハを切り出し（ステップＳ１）、半導体ウェーハの表面に付着した加工用スラリーを洗浄除去して（ステップＳ２）得た太陽電池基板用半導体ウェーハの表面を、酸化作用のみを有する酸化性薬液を用いて洗浄する（ステップＳ３）。この酸化性薬液を用いた洗浄は、半導体インゴットをスライスする際に、油性スラリーおよび水溶性スラリーのいずれを使用したかに関わらず、所定の条件により行う。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理の精度を維持しつつ、フィルタの目詰まりを抑制する半導体製造装置および処理方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１００は、半導体ウエハをエッチング処理するための所定処理液を収容するエッチング処理槽２と、エッチング処理にて前記所定処理液中に生じるパーティクルを捕捉する第１および第２フィルタ５ａ，５ｂと、前記パーティクルを溶解する液体として、前記所定処理液と同じ液体の予備液を収容する予備槽７と、処理槽２内の処理液を第１フィルタ５ａに通して循環させるとともに予備槽７内の液体を第２フィルタ５ｂに通して循環させ、その後、処理槽２内の処理液を廃棄した後、該処理槽に予備槽７内の液体を供給し、かつ、該予備槽に新たな予備液を供給して、処理槽２内の液体を第２フィルタ５ｂに通して循環させるとともに予備槽７内の液体を第１フィルタ５ａに通して循環させる制御部９０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板のリンス処理時に、基板が熱変形したり、処理液とリンス液とが反応したりするのを防止して、リンス液の飛散を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板の表面を処理液で液処理した後に処理液よりも低温のリンス液でリンス処理する基板液処理において、液処理とリンス処理との間に基板の表面の温度を処理液の液温未満かつリンス液の液温より高い温度にする中間処理を行うことにした。中間処理は、処理液の液温未満かつリンス液の液温より高い温度の中間処理液を基板に供給することにした。また、中間処理液を基板の裏面のみに供給することにした。また、処理液及びリンス液の供給を停止した状態で基板を回転させることにした。また、液処理時に処理液として反応熱の生成を伴う化学反応を行う複数種類の薬液の混合液を基板に供給するとともに、中間処理時にいずれかの薬液の供給を停止することにした。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体に対する洗浄効果を発現できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、ＳｉＣ半導体の表面に酸化膜を形成する工程と、酸化膜を除去する工程とを備え、酸化膜を形成する工程では、３０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】槽内に入れる液体の量を減らしてコストの削減を図り、且つ熱交換効率のよい恒温槽を提供する。
【解決手段】液体が収納されるタンク３１を備え、タンク３１内の液体を所定温度に維持する恒温槽３０において、タンク３１の下部には、循環羽根４８が収納された収納部３６が設けられ、タンク３１の底面には、タンク３１内部と収納部３６を液体が流通可能となるように連通させる連通孔４２が形成され、タンク３１と一体に形成され、収納部３６に流入した液体をタンク３１の外側からタンク３１上部へ流通させるための流通管３８が複数設けられ、流通管３８の外壁に温度を一定に維持するためのサーモモジュール５２が設けられ、循環羽根４８の駆動によって、タンク３１内の液体が収納部３６に流入し、収納部３６から流通管３８を通ってタンク３１の上部に流入するように液体が循環する。 （もっと読む）

【課題】枚葉式のＳＰＭ洗浄方法及び装置において、高濃度のイオン注入が施されたレジストを短時間で且つ残渣の発生を抑制しながら除去する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板上に処理液を供給して洗浄を行なう基板洗浄方法において、次の各工程を備える。つまり、レジストパターン３４を有する基板３１上に第１の温度の第１処理液を供給し、基板３１の表面を覆う工程（ａ）と、第１処理液に覆われた基板３１の表面に第２処理液を供給し、第１の温度よりも高温である第２の温度の第２処理液により基板３１の表面を覆ってレジストパターン３４を除去する工程（ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた半導体基板の洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】発泡剤成分および発泡助剤成分を半導体基板に供給して、前記発泡剤成分と前記発泡助剤成分との混合液中で半導体基板を洗浄する、半導体基板の洗浄方法であって、前記発泡剤成分が炭酸塩を含有し、前記発泡助剤成分が酸性化合物を含有し、前記混合液のｐＨが７．５未満である、半導体基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハの金属汚染をより抑制し得る最適な湿式酸化処理を実現するためのオゾン水供給システム、及び当該システムから供給されるオゾン水を用いて湿式酸化処理を行い得るシリコンウエハの湿式酸化処理システムを提供する。
【解決手段】オゾン水供給システムは、オゾン水供給装置１と、オゾン水供給装置１から湿式酸化槽１０に供給されるオゾン水のオゾン濃度を測定するオゾン濃度測定装置２，３とを備える。これにより、オゾン濃度測定装置２，３における測定値に基づいて、オゾン水供給装置１から湿式酸化槽１０に供給されるオゾン水のオゾン濃度を２ｐｐｍ以下に精確に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】パターンの間隙内部に入り込んだ液体を凝固させることでパターンを構造的に補強した状態で基板表面を物理洗浄する基板処理方法および装置において、パーティクル等の除去効率をさらに高める。
【解決手段】 基板保持手段１１に保持され、所定のパターンＦＰが形成され液体としてのＤＩＷが付着した基板Ｗの表面Ｗｆに対し、第一処理液供給手段２５から第一処理液としてのＨＦＥ液を供給し、パターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを残留させながら液体を基板表面から除去するとともに処理液の液膜を形成する。その後、凝固手段３１から基板裏面Ｗｂに凍結用の窒素ガスを吐出して、パターンＦＰの間隙内部に残留させたＤＩＷを凝固させ、パターンＦＰの間隙内部に凝固体を形成する。その状態で、第一処理液であるＨＦＥ液の液膜の上に第二処理液としてのＤＩＷの液膜を形成し、ＤＩＷの液膜に対し超音波洗浄手段１７により超音波振動を付与して洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】電子材料の洗浄における例えばレジストの剥離処理等に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る低コストで省資源化の可能な洗浄方法を提供する。
【解決手段】キャリアガス制御弁１４を開成し、これとともに加圧ガス制御弁１９を開成して所定の圧力で加圧ガスを供給することにより加圧板１６を押圧して、気体貯槽１５内のキャリアガスＧを所定の圧力として、キャリアガス供給配管７に供給する。これとともに洗浄液Ｗ１を二流体ノズル８へ供給する。このようにして二流体ノズル８で混合された洗浄液Ｗ１とキャリアガスＧとから生成される液滴Ｗ２の噴流を、シリコンウエハ５に接触させて、該シリコンウエハ５の表面を洗浄する。洗浄液Ｗ１としては、硫酸を電気分解して得られる過硫酸を含有する硫酸溶液が好ましい。 （もっと読む）

【課題】電子材料のレジストの剥離処理に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る電子材料洗浄システムを提供する。
【解決手段】電子材料洗浄システムは、薬液洗浄手段１とウエット洗浄手段２と枚葉式洗浄装置３とを備える。薬液洗浄手段１は、機能性薬液貯留槽６と、この機能性薬液貯留槽６に濃硫酸電解ライン７を介して接続した電解反応装置８とを有する。この機能性薬液貯留槽６は、機能性薬液供給ライン１０を介して枚葉式洗浄装置３に機能性薬液Ｗ１を供給可能となっている。ウエット洗浄手段２は、純水の供給ライン２１と窒素ガス源に連通した窒素ガス供給ライン２２と、これら純水供給ライン２１及び窒素ガス供給ライン２２がそれぞれ接続した内部混合型の二流体ノズル２３とを備える。二流体ノズル２３の先端から窒素ガスと超純水とから生成される液滴Ｗ２を噴射可能となっている。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストを除去するための溶液を均一に混合して定量を基板に提供する。
【解決手段】薬液供給ユニットは本体、第１供給管、第２供給管、及び回転防止部材を含む。本体は薬液を受け入れる円形断面を有する内部空間及び内部空間と連結されて薬液を下方に吐き出す吐出口を有する。第１供給管は本体の側面に備わって内部空間と接線形態で連結され、第１薬液が内部空間に沿って回転するように第１薬液を内部空間に供給する。第２供給管は本体を貫通して本体の中心側と隣接する端部を有し、第１薬液と混合するように第２薬液を内部空間に供給する。回転防止部材は吐出口に配置し、第１薬液と第２薬液の混合薬液が回転しながら吐き出すことを防ぐために混合薬液の回転を減少させる。 （もっと読む）

処理チャンバ（２０）が、任意に過酸化水素などの酸化剤とともに硫酸などの酸の存在下で基板上に直接赤外線放射を行うことを通じて硬化フォトレジストをうまく除去する。この処理チャンバは、ウェハを保持して任意に回転させるためのウェハホルダ（２６）を含む。赤外線照射アセンブリ（１２６）が、処理チャンバ内に赤外光を放射するように配置された、処理チャンバの外側の赤外線ランプ（１４０）を有する。これらの赤外線ランプは、ホルダ上のウェハ表面の実質的に全体を照射するように配列することができる。この赤外線放射アセンブリに冷却アセンブリ（１５０）を組み合わせて、迅速な冷却を行うとともに過剰処理を回避することができる。少量の薬品溶液を使用してフォトレジストが除去される。 （もっと読む）

【解決手段】ウエハ上の低誘電率材料及び相互接続材料に損傷を与えることなく、ウエハ上のダマシン処理によるサイドウォールポリマーを除去するための水性洗浄溶液及び洗浄溶液を用いる方法を記載する。 （もっと読む）