【課題】酸化物の不所望量を失うことなく及び基板を過度に損傷することなく格別のパーティクル除去効率を達成する清浄方法の提供。
【解決手段】液体エーロゾル小滴をウェハー１３上へ向けるための複数のノズルを含むスプレーバー２０と回転モーター１５により駆動される回転可能なチャック１４とを備え、スプレーバー２０により水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を形成して、チャック１４上に支持されたウェハー１３の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって、該表面と接触させる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理のための、特に材料の除去、特に有機材料の除去、とりわけ例えば半導体ウエハのような基板からフォトレジスト材料を除去するための代替技術を提供する。
【解決手段】ａ）処理チャンバー内に、その表面上に材料を有する基板を配置すること；ｂ）液状処理組成物の流れを基板の表面に衝突させるように向けること；及びｃ）水蒸気の流れを基板の表面に衝突させるように及び／または液状処理組成物に衝突させるように向けること、を含む、基板の処理方法。 （もっと読む）

【課題】薬液用噴射部材からウエハの下面に噴射された薬液がリンス処理用噴射部材に付着することを防止低減する液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板Ｗを水平に保持する基板保持部２２と、基板保持部を回転させる回転駆動部と、基板保持部に保持された基板の下面に薬液を吐出する複数の第１の吐出口６１が設けられた第１の部分６０Ａと、基板保持部により保持された基板の下面にリンス処理用流体を吐出する複数の第２の吐出口６２が設けられた第２の部分６０Ｂとを有するノズル備え、ノズルの第１の部分６０Ａは、基板保持部により保持された基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間で延びており、ノズルの第２の部分６０Ｂは、基板保持部２２により保持された基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間で延びており、第１の部分と前記２の部分とはＶ字を成すように配置されている。 （もっと読む）

【課題】より低コストかつ省資源な洗浄を行うために、ガス溶解水を用いた高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄のみにより、超音波洗浄を組み合わせる必要がない程度に十分な洗浄効果をあげる洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄流体吐出ノズルから洗浄液又は洗浄液と気体との混合流体を被洗浄物に向けて吐出させて、被洗浄物を高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄する洗浄方法において、流体吐出ノズルに導入される洗浄液に溶存ガスを含ませる。溶存ガスは、所定の圧力が加えられることにより洗浄液に溶解され、溶存ガスの洗浄液への溶解量は、洗浄液の液温における飽和溶解度を第１飽和溶解度とし、洗浄液の液温を保ったまま所定の圧力を加えた状態における飽和溶解度を第２飽和溶解度とした場合に、第２飽和溶解度と第１飽和溶解度との差の１０〜７０％を第１飽和溶解度に加えたものとする。 （もっと読む）

【課題】電子材料上のレジストを短時間で確実に剥離除去する。
【解決手段】電子材料を過硫酸含有硫酸溶液で洗浄してレジストを剥離洗浄し、その後ガス溶解水でウェット洗浄する。過硫酸含有硫酸溶液によるレジスト剥離後のウェット洗浄を、ガス溶解水を用いて行うことにより、洗浄に要する時間を従来法に比べて大幅に短縮することができる。過硫酸含有硫酸溶液は、硫酸溶液を電気分解することによって製造されたものであることが好ましく、レジストの剥離洗浄装置からの過硫酸濃度が低下した硫酸溶液を電解反応装置に送給して再生し、過硫酸濃度を十分に高めた硫酸溶液を洗浄装置に循環することにより、高濃度の過硫酸によりレジストを効率的に剥離除去すると共に、硫酸溶液を繰り返し使用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来から高濃度酸素溶解水の製造は種々の方法で行われてきたが、いずれも得られる濃度が不十分であったり、コスト的に実現が難しかったりした。本発明は、高濃度酸素溶解水を簡単かつ安価で製造できる方法や装置を提供する。
【解決手段】酸素含有気泡を有する２以上の水流３４を衝突させることにより前記気泡をより微細化するとともに、気泡中の酸素を前記水流中に大量に溶解させる。両水流は両水流の流速の和に等しい速度で衝突するが、その衝撃は単独の水流が静止面に衝突する際の数倍から十数倍に達し、各水流に最大限の衝撃が与えられ、水流中の気泡が破壊されて微細化し、気泡中の酸素の水流中への溶解が促進される。 （もっと読む）

【課題】電子材料の洗浄における例えばレジストの剥離処理等に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る低コストで省資源化の可能な洗浄方法を提供する。
【解決手段】キャリアガス制御弁１４を開成し、これとともに加圧ガス制御弁１９を開成して所定の圧力で加圧ガスを供給することにより加圧板１６を押圧して、気体貯槽１５内のキャリアガスＧを所定の圧力として、キャリアガス供給配管７に供給する。これとともに洗浄液Ｗ１を二流体ノズル８へ供給する。このようにして二流体ノズル８で混合された洗浄液Ｗ１とキャリアガスＧとから生成される液滴Ｗ２の噴流を、シリコンウエハ５に接触させて、該シリコンウエハ５の表面を洗浄する。洗浄液Ｗ１としては、硫酸を電気分解して得られる過硫酸を含有する硫酸溶液が好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩ用半導体ウエハやＭＥＭＳ用基板のような微細構造を有する被洗浄物を、洗浄によるダメージを与えることなく、ガス溶解水により効果的に洗浄してこれらの被洗浄物を高度に清浄化する。
【解決手段】洗浄容器内１０で、被洗浄物を、当該洗浄液の液温における飽和溶解度以上の溶存ガスを含む洗浄液（過飽和ガス溶解液）と接触させて洗浄する。洗浄容器に、過飽和ガス溶解液を導入するか、或いは、洗浄容器内に洗浄液を導入した後加圧ガスを導入して洗浄容器内で過飽和ガス溶解液を調製した後、洗浄容器内で被洗浄物を過飽和ガス溶解液に接触させた状態で洗浄容器内を減圧し、過飽和ガス溶解液から発生した過飽和の溶存ガスの気泡で被洗浄物を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】電子材料のレジストの剥離処理に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る電子材料洗浄システムを提供する。
【解決手段】電子材料洗浄システムは、薬液洗浄手段１とウエット洗浄手段２と枚葉式洗浄装置３とを備える。薬液洗浄手段１は、機能性薬液貯留槽６と、この機能性薬液貯留槽６に濃硫酸電解ライン７を介して接続した電解反応装置８とを有する。この機能性薬液貯留槽６は、機能性薬液供給ライン１０を介して枚葉式洗浄装置３に機能性薬液Ｗ１を供給可能となっている。ウエット洗浄手段２は、純水の供給ライン２１と窒素ガス源に連通した窒素ガス供給ライン２２と、これら純水供給ライン２１及び窒素ガス供給ライン２２がそれぞれ接続した内部混合型の二流体ノズル２３とを備える。二流体ノズル２３の先端から窒素ガスと超純水とから生成される液滴Ｗ２を噴射可能となっている。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れの発生や、処理用の液体を構成する物質の基板内への取り込みを抑えた超臨界処理装置及び超臨界処理方法を提供する。
【解決手段】処理容器は超臨界流体により処理が行われる基板を収容し、液体供給部は処理容器内にフッ素化合物を含む処理用の液体を供給する。流体排出部は処理容器から超臨界流体を排出し、熱分解成分排除部は前記処理容器内または前記液体供給部から供給される液体内から、当該液体の熱分解を促進する成分を排除する一方、加熱部は、ハイドロフルオロエーテルまたはハイドロフルオロカーボンであるフッ素化合物を含む前記処理用の液体を加熱する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に残留している金属不純物を適切に除去する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法における洗浄工程は、基板表面にオゾン水を供給するオゾン水処理工程と、オゾン水処理工程の後に基板表面に純水を供給する第１リンス処理工程と、第１リンス処理工程の後に基板表面に希フッ酸を供給する第１希フッ酸処理工程と、第１希フッ酸処理工程の後に基板表面に純水を供給する第２リンス処理工程と、第２リンス処理工程の後に基板表面に、洗浄液及び気体が混合されてなる混合流体を供給する第１混合流体処理工程と、第１混合流体処理工程の後に基板表面に純水を供給する第３リンス処理工程と、第３リンス処理工程の後に基板表面に希フッ酸を供給する第２希フッ酸処理工程と、第２希フッ酸処理工程の後に基板表面に純水を供給する第４リンス処理工程と、第４リンス処理工程の後に基板を乾燥させる乾燥工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】超音波洗浄時における基板のパターンへのダメージを抑制することができる。
【解決手段】（１／２）ｆの出力が、処理液を脱気水としたときの出力値以下になる最適洗浄条件を決定した上で、制御部５７が最適洗浄条件となるように各部を操作して、製品の基板Ｗに対する洗浄処理を行わせる。したがって、（１／２）ｆのサブハーモニクスによる悪影響を抑制することができ、超音波洗浄時における基板Ｗのパターンへのダメージを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 物品の表面に付着した脂・汚れ等を超音波を用いて強力に洗浄し且つ強く殺菌させることができる超音波洗浄方法を提供する。更に連続的に洗浄殺菌できる設備の費用とそのランニングコストを廉価にできるようにする。
【解決手段】 酸素と窒素を高濃度に溶存させた洗浄水Ｗを貯えた洗浄槽２の水面下に発振面が対向するように上下一対の超音波振動子４を配置し、同超音波振動子の発振面間の狭間領域７に酸素と窒素を高濃度に溶存させた洗浄水の一部を邪魔板８で水量・流速を抑えて略５０ｃｍ／分の流速で流入させる。洗浄槽２の側面を開口し、同開口を介して被洗浄物Ａを通過させる搬送コンベヤ３を配置し、同開口から洗浄水を排出させ、同開口の内側に洗浄槽２へ供給する洗浄水を噴出して水カーテンＷａを形成して開口からの大量の排水を抑え、又開口から落下した洗浄水を下方で受水槽１で受けてポンプで洗浄槽２へ圧送して洗浄水を循環的に使用する。 （もっと読む）

【課題】ノズルから吐出した液滴のミストをノズルの周囲の部位に付着するのを防いで、清浄度を保つことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板に対して液滴のミストを供給して前記基板を洗浄処理する基板処理装置１は、液滴のミストを吐出する二流体ノズル２１，２２と、二流体ノズル２１，２２を囲って二流体ノズルから吐出する液滴のミストの飛散を防止するカバー３０を有しており、カバー３０の先端外周部７０は、二流体ノズル２１，２２から吐出する液滴のミストを基板Ｗに供給するための開口部９０を有し、先端外周部７０と基板Ｗとの間には隙間Ｇが形成される。 （もっと読む）

【課題】新たな手法を用いて基板の表面から膜を除去する液処理装置等を提供する。
【解決手段】第１の膜の上層に第２の膜が形成された基板から、第１の膜及び第２の膜を除去する液処理装置３において、第１の薬液供給部５１は基板Ｗに第１の膜を溶解させるための前記第１の薬液を供給し、第２の薬液供給部５１は前記第２の膜の強度を低下させるための第２の薬液を供給し、衝撃供給部としての機能を兼ねる流体供給部５２は第２の膜に物理的衝撃を与えて当該第２の膜を破壊すると共に破壊された第２の膜の破片を流し去るための流体を供給する。制御部７は第２の薬液を供給し、次いで前記流体供給部５２から流体を供給した後、第１の薬液を供給するように各部を制御する。 （もっと読む）

【課題】研磨工具等を囲む筺体内の洗浄を容易に行えるようにする。
【解決手段】洗浄機構２０は、筐体内に配設され、水源３１等に連通する第１の連通路２２ａを有する第１の回転支持部２２と、第１の回転支持部２２によって回転可能に支持され、第１の連通路２２ａに連通する第２の連通路２３ａを有する第１のノズル体２３と、第１のノズル体２３において第１の回転支持部２２を中心として描かれる円の接線方向に開口し、第２の連通路２３ａに連通する第１の噴射口２４と、第１のノズル体２３に配設され、第２の連通路２３ａに連通する第３の連通路を有する第２の回転支持部２５と、第２の回転支持部２５によって回転可能に支持され、第３の連通路に連通する第４の連通路を有する第２のノズル体２６と、第２のノズル体２６において第２の回転支持部２５を中心として描かれる円の接線方向に開口し、第４の連通路に連通する第２の噴射口２７とを有する。 （もっと読む）

【課題】溶存ガス濃度が低濃度（低飽和度）であるガス溶解水を安定して供給することが可能なガス溶解水供給装置及びガス溶解水の製造方法を提供する。
【解決手段】ガス供給配管３１から気相室１３内に酸素ガスを供給すると共に、真空ポンプ３５を作動し、気相室１３内を真空排気する。また、原水配管２１から液相室１２内に原水を供給する。気相室１３内の酸素の一部は、気体透過膜１１を透過して液相室１２内の原水に溶存し、ガス溶解水が製造される。気相室１３内の酸素の残部は、凝縮水と共に真空ポンプ３５で吸引されて排気配管３３から排出される。ガス溶解水の溶存酸素濃度が溶存ガス濃度計２３で測定され、この測定濃度が目標値となるように、ガス流量制御弁３２の開度が調節される。 （もっと読む）

【課題】形成されたパターンに与えるダメージが少ない基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の表面にドライエア又は不活性ガスの気流にのせた洗浄用の微粒子を基板に衝突させて、前記基板の洗浄を行う洗浄工程と、前記洗浄用の微粒子を除去する除去工程と、を有することを特徴とする基板洗浄方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】液体中のナノバブルとマイクロバブルを短時間で分離して、ナノバブルを多く含む液体を基板に対して供給して使用することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、液体と気体を混合させて微小気泡を含む液体Ｌを生成する微小気泡生成器３２と、マイクロバブルＭＢとナノバブルＮＢを有する微小気泡を含む液体Ｌを溜める貯蔵部３３と、貯蔵部３３内の微小気泡を含む液体Ｌを加圧した状態で通す液体案内部５０と、液体案内部５０内を通る微小気泡を含む液体に対して電場を付与してマイクロバブルとナノバブルとを分離する電場付与部５１とを有して、分離されたナノバブルＮＢを含む液体Ｌを基板Ｗに供給する微小気泡分離器４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのような基板の全面においる液被覆性が向上して処理中の乾燥を防いでウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を回転させながら基板の表面を処理する基板処理装置１０は、基板Ｗの表面Ｓを処理する物理ツール４０を有する物理ツールユニット２３と、基板Ｗの表面Ｓに液体を供給する液供給ノズル４５と、基板Ｗの表面Ｓにガスを供給するガス供給ノズル４６とを有するノズルユニット２１と、物理ツールユニット２３を基板Ｗの表面Ｓに沿って移動させる物理ツールユニット移動機構部２３と、ノズルユニット２１を基板Ｗの表面Ｓに沿って移動させるノズルユニット移動機構部２４とを備える。 （もっと読む）