【課題】微細なパターンが形成された基板に対しても適切に洗浄することができる基板処理装置、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、単一の基板Ｗを水平姿勢で保持する保持部１１と、微細気泡を含んだ気泡含有洗浄液を基板に供給する洗浄液ノズル１５と、洗浄液ノズル１５によって基板Ｗに気泡含有洗浄液を供給させて基板を洗浄する制御部１９と、を備える。気泡含有洗浄液によれば、基板面に与える衝撃を抑制しつつ、微細気泡の表面張力によって基板Ｗ上のゴミ、塵埃、その他の異物を除去することができる。したがって、基板Ｗに形成されたパターンを破壊することなく、基板を好適に洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の帯電防止のために、超純水よりも導電性の高い液体で基板を洗浄するに当たり、この洗浄用液体による帯電抑制効果を簡便かつ的確に確認する。
【解決手段】洗浄用液体の一部を分取し、被洗浄基板と同材質のモデル片と接触させ、該モデル片の静電電位を測定することにより、基板の帯電状況を監視する基板洗浄方法。洗浄用液体を被洗浄基板と同材質のモデル片と接触させる液体接触手段と、該液体接触手段で洗浄用液体と接触しているモデル片の静電電位を測定する静電電位測定手段とを備えてなる帯電抑制効果監視モニター。 （もっと読む）

【課題】基板を品質よく処理することができる基板処理装置、ガス溶解液供給方法、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル２１と、二酸化炭素が溶解された炭酸ガス溶解水を二流体ノズルに供給する溶解液供給管２２と、炭酸ガス溶解水の溶存ガスと同じ二酸化炭素をキャリアガスとして二流体ノズル２１に供給するキャリアガス供給管２３と、を備えている。二流体ノズル２１は、炭酸ガス溶解水の液滴をキャリアガス（二酸化炭素）とともに基板Ｗに噴射する。噴射された炭酸ガス溶解水は溶解濃度が比較的に高い状態で基板Ｗに着液する。よって、基板を品質よく処理することができる。 （もっと読む）

【課題】除去率が高く、ダメージが少ない洗浄処理を行うことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの表面（上面）に極性液体である純水を処理液ノズル３から供給し、ウエハＷの表面を純水で覆う。さらに、処理液ノズル３から純水を吐出させた状態で、純水よりも表面張力が低い低表面張力液体であるＨＦＥの液滴を、純水で覆われたウエハＷの表面に衝突させる。その後、ウエハＷを高速回転させて乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】高濃度のガス溶解水を効率よく製造し、ユースポイントに循環供給することができるガス溶解水供給システムを提供する。
【解決手段】貯留槽１に、ガス（酸素）を溶解させた水で被洗浄物を洗浄した後の排水（洗浄排水）が配管１５を経由して貯留され、また、補給水配管１ａを経由して補給水が供給される。貯留槽１の水は圧送ポンプ２及び水温を一定に保つための熱交換器３を経由して、純化装置４に送られる。純化装置４で異物が除去された水は、流量計５を経て、脱気装置６へ送られる。その後、ガス溶解装置７でガスが溶解され、薬品が添加され、ユースポイントに供給される。 （もっと読む）

【課題】気体溶解膜モジュールを用いてガス溶解水を製造する方法及び装置において、溶存ガス濃度を変動させることなく、凝縮水を排出することができるガス溶解水製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】原水を水室５に通水し、気体室６内に気体室６にガス供給源１０からガスを供給し、ガス溶解水を製造する。運転を継続すると、気体透過膜４を透過した水が凝縮して気体室６に徐々に凝縮水が溜まってくる。気体室６内の水量が増加してくるとそれに伴って徐々に気体室６内の圧力が増大してくる。この気体室６内の圧力がチャッキ弁１４のクラッキング圧力以上になるとチャッキ弁１４が開弁し、気体室６内の水が配管１５を通って排出される。 （もっと読む）

ウエハのような半導体基材の表面を洗浄、調整する装置である。回転可能なチャックやチャンバー、１つ以上のドレン排出口を有して洗浄液を集める回転可能なトレイ、多数の洗浄液を集める多数の受容器、チャックを駆動する第１のモータ、トレイを駆動する第２のモータを含む。トレイのドレン排出口は、その下方に配置された所定の受容器の直上に位置させることができる。トレイに集められた洗浄液は、所定の受容器に導くことができる。最小限の相互汚染での確実で正確に制御された洗浄溶液の再利用がこの装置の１つの特徴である。
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【課題】液状被膜中へのガス成分の改善された拡散で半導体ウェーハを湿式化学的処理するのに特に効果的な方法を提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェーハを回転させ；ｂ）１００μｍまたはそれ以下の直径を有する気泡を有する清浄化液体を、回転する半導体ウェーハに適用し、こうして液状被膜を半導体ウェーハ上に形成させ；ｃ）回転する半導体ウェーハを、反応性ガスを有するガス雰囲気に晒し；ｄ）液状被膜を除去する。
【効果】改善された粒子の清浄化がマイクロバブルとシリコン表面を腐蝕する清浄化化学薬品との組合せによって達成され、清浄化液体中への反応性ガスの改善されたガス輸送（拡散）は、有機汚染物質および金属含有汚染物質の酸化および除去を簡易化し、ウェーハの中心での液状被膜の隆起は、マイクロバブルの使用によって減少される。 （もっと読む）

【課題】液体を密閉することなく液体からの気体の気散を抑制することが可能な被処理物の処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】第２図のように被処理物９を貯留部１内の液体８に浸漬した後、弁３ａ、弁５ａを開とし、弁６ａ、弁４ａを閉とする。これにより、液体供給配管３から貯留部１に供給された液体７は、貯留部１の開放部１ａから溢出して副貯留部２内に貯留され、第３図のように液面が配管５の接続高さまで上昇する。その後、第４図の通り、弁３ａ、弁６ａ、弁４ａを開とする。これにより、副貯留部２内の液体７は、液体排出配管６から排出され、該副貯留部２内の液位が徐々に下降し、該開放部１ａの上方に存在していたボール７は、やがて該貯留部１内に挿入される。この過程において、貯留部１及び副貯留部２の液面にボール７が密に浮くことになり、液面からガスが大気中に気散することが抑制される。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を備えた処理部の該溝内に、被処理基板を挿入して相対的に移動させながら該被処理基板の周縁部を処理する基板処理方法において、前記処理部は、前記溝内に流速３０〜１０００ｍ／ｓｅｃの処理液を含む気体の高速気流を発生させて、該高速気流を相対的に移動する前記被処理基板の周縁部に接触させて処理する。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハＷを回転させながら保持する基板保持機構とウェーハＷの周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッド７とを備えており、処理ヘッド７は、一対の第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂの一端を連結する連結部８Ｃとからなり、第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと連結部８Ｃとで囲まれた部分が溝（Ｓ）を形成し、第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂの他端間がウェーハＷの周縁部の一部が挿入される開口９Ａを形成し、さらに、供給口１０Ａ及び吸引口１１Ａを設けて、溝内にウェーハＷの周縁部を挿入して処理する基板処理装置１において、処理ヘッド７は、処理液供給装置１５Ａに連結した供給口１０ＡをウェーハＷの周縁部が侵入する侵入側に設け、吸引装置１５Ｂに連結した吸引口１１ＡをウェーハＷの周縁部が脱出する脱出側に設けた。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板を回転させながら保持する基板保持機構と、基板保持機構に保持された被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッドと、を備え、溝内に被処理基板の周縁部を挿入して処理する基板処理装置において、処理ヘッドは、所定の隙間をあけて対向する一対の第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと該第１、第２鍔辺部の一端を連結する奥壁部８Ｃと処理液を供給する処理液供給手段に連結された第１、第２供給口１３Ａ、１４Ａと減圧吸引手段に連結された吸引口１１Ａとを備え、第１供給口及び吸引口は溝内に設けられ、第２供給口は第１、第２鍔辺部の少なくとも一方の鍔辺の開口９Ａ近傍に設けられている。 （もっと読む）

【課題】金属膜に悪影響を与えることを回避しつつ、希釈薬液を用いた処理を基板に適切に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】フッ酸表面側バルブ２３および第３炭酸水バルブ２４が開かれると、フッ酸供給源からのフッ酸（フッ酸原液）および炭酸水供給源からの炭酸水が第２混合部３２に流入する。第２混合部３２では、フッ酸と炭酸水とが混合される。これにより、フッ酸が炭酸水によって希釈されて、所定の濃度（たとえば、０．０１６〜０．０５ｗｔ％）の希フッ酸が調製される。希フッ酸は、希フッ酸表面側供給管２０を通して希フッ酸ノズル４に供給された希フッ酸は、希フッ酸ノズル４から回転中の基板Ｗの表面に供給される。希フッ酸ノズル４からの希フッ酸は、その比抵抗が比較的低い。 （もっと読む）

【課題】活性層の表面の酸化を防止できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】ソース領域およびドレイン領域の露出した表面上の自然酸化膜を、フッ酸を含有する洗浄液Ａで洗浄除去する。二酸化炭素を超純水Ｐ中に溶解させた洗浄水Ｗでソース領域およびドレイン領域の表面を洗浄する。洗浄水Ｗ中の二酸化炭素が洗浄水Ｗの比抵抗を低下させる。洗浄水Ｗが供給配管48内を通過する際に生じる摩擦帯電を防止できる。洗浄水Ｗが帯電しなくなる。ソース領域およびドレイン領域の表面の帯電を防止できる。ソース領域およびドレイン領域の露出した表面の酸化が防止できる。 （もっと読む）

【課題】高濃度の炭酸水を簡易かつ迅速に製造することができる炭酸水の製造装置及び製造方法と、この製造装置で製造された炭酸水で電子材料部材を洗浄する方法を提供する。
【解決手段】原水を、原水配管１１を経由して脱気膜モジュール１の液相室１ｂに供給する。真空ポンプ３を作動させて気相室１ｃ内を減圧する。原水に溶解している溶存ガスが、気体透過膜１ａを透過し、気相室及び排気配管１３を経由して系外に排出される。脱気水は、脱気水配管１２を経由して炭酸ガス溶解膜モジュール２の液相室２ｂ内に流入する。また、炭酸ガス供給器４から、炭酸ガス配管１５を経由して気相室１ｃに炭酸ガスを供給する。所定量の炭酸ガスが、気体透過膜２ａを透過し、液相室２ｂ内の脱気水に溶解する。この炭酸ガスを溶解させた脱気水は、炭酸水配管１４から流出する。 （もっと読む）

【課題】被処理物を液から抜き出すときに、処理装置の外側の雰囲気に気体が気散することを抑制することが可能な被処理物の浸漬型処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】送風機５から送風されたエアは、第１，第２のガス吹出ノズル４ａ，５ａに送風される。第１のガス吹出ノズル４ａから開放部１ａに吹き出したエアは、第１のガス吸込ノズル４ｂから吸入され、第２のガス吹出ノズル５ａから吹き出したエアは、第２のガス吸込ノズル５ｂで吸入され、開放部１ａに２組のエアカーテンが形成される。被処理物３２を開放部１ａから槽体１外に抜き出すときに、第２のガス吹出ノズル５ａ及び第１のガス吹出ノズル４ａから吹き下ろされるエアによって、被処理物３２の表面の全面に残留する液３１が十分に吹き飛ばされる。 （もっと読む）

【課題】基板上の微細パターンを損傷させることなく、効率の高い基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】単数枚または複数枚の基板を１バッチとし、１バッチの基板をウェットエッチング液に浸漬する工程と、超音波洗浄する工程と、乾燥する工程とを備えるバッチ式ディップ処理方式による基板の洗浄方法であって、超音波洗浄工程は、大気圧下における溶存ガスの飽和度が６０％〜１００％である洗浄水を用い、超音波の周波数が５００ｋＨｚ以上、超音波の出力が０．０２Ｗ／ｃｍ²〜０．５Ｗ／ｃｍ²である。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程のいわゆる前工程で好適に使用されるものであり、簡便な制御機構によって炭酸ガスの流量を制御可能で、設置スペースが小さく、その製造コストが低廉である比抵抗制御装置を提供する。
【解決手段】薬液流体を供給する薬液流体供給手段１０と、超純水を供給する稀釈流体供給手段２０と、薬液流体及び超純水を混合させて処理水として排出する処理水調合手段３０とを備え、薬液流体供給手段１０が、分岐した第一の分岐路４２及び第二の分岐路４３からなる送液路４０と、第一の分岐路４２及び第二の分岐路４３に配置され、処理水調合手段３０に流入する薬液流体の流量を制限するフィルタ５１と、処理水調合手段３０から排出される処理水の比抵抗値に対応して、第一の分岐路４２、または第一の分岐路４２及び第二の分岐路４３を開閉する一つの開閉弁５２とを備える比抵抗制御装置１００。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハのウェット処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハをウェット処理する方法において、マイクロバブルの存在下で行うことを特徴とする。
【効果】ウェハ表面の有機物成分、パーティクル成分等を効率的に洗浄除去することが可能となる。さらに洗浄におけるエッチング速度を自在に制御することが可能となる。 （もっと読む）

半導体デバイスを湿式清浄化するときに採用される装置、システム及び方法が提供される。特に、所望のＣＯ２濃度の脱イオン水を供給することのできるシステム、及び半導体デバイスを湿式清浄化するときに使用するため、所望のＣＯ２濃度の脱イオン水を生成する方法が提供される。
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