【課題】レジスト膜の表面特性の変化を抑えながらレジスト膜上の付着物を除去することが可能な洗浄除去液を提供する。
【解決手段】本発明に係る洗浄除去液は、非極性ポリマーを含有する保護膜形成用材料を用いてレジスト膜上に形成された保護膜など、レジスト膜上の付着物を除去するために用いられるものであり、炭化水素系非極性溶剤と極性溶剤とを含有する。極性溶剤の含有量は、炭化水素系非極性溶剤と極性溶剤との合計量に対して１〜５０質量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】溶剤を含有する溶剤含有ガスから溶剤を効率よく回収する。
【解決手段】溶剤含有ガスを、冷却器５に冷媒が供給されていない側の第一熱交換器１に供給した後、冷却器６に−１０〜−２０℃に調整した冷媒が供給されている側の第二熱交換器２に供給することを交互に繰返すようにして、第二熱交換器２内では、ガス中に含まれる溶剤を凝縮させて回収する一方、第一熱交換器１内では、前回凍結した水分を供給される溶剤含有ガスで昇温させて解凍し、取り込んでいる溶剤と共に回収すると共に、該供給された溶剤含有ガスを予備冷却されることになる。 （もっと読む）

【課題】フロンの代替となる程度に洗浄能力の高く、簡便に取り扱うことができる洗浄組成物と、その使用方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ジメチルエーテルと脂肪族炭化水素とを含有する洗浄組成物とし、さらに水を含有する構成とする。液体状態で存在する条件下で、洗浄浴として、あるいは、噴出口より前記洗浄組成物を前記洗浄対象物に向けて噴出させて用いる。 （もっと読む）

【課題】 低起泡性で泡切れ性にも優れ、かつ優れたパーティクルの除去性及びリンス性を実現する電子材料用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 特定の構造を有するアニオン成分と、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、炭素数０〜２５のアンモニウムカチオン、特定のアミン又はアミジン化合物にプロトンが付加したカチオンからなる群から選ばれる１種以上のカチオン成分からなるアニオン性界面活性剤（Ａ）を含有する電子材料用洗浄剤であって、（Ａ）の０．２重量％水溶液の２０℃におけるロス・マイルス試験により測定される起泡力が５０ｍｍ以下であり、泡の安定度が５ｍｍ以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】従来の銅配線半導体用洗浄剤は、銅配線に付着する研磨剤由来の有機残渣を除去する効果が不十分であるばかりか、金属配線材料（銅、タングステン等）が腐食するという問題がある。
【解決手段】有機アミン（Ａ）、下記（Ｉ）〜（ＩＶ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の多価水酸基含有化合物（Ｂ）及び水（Ｗ）を含有してなり、２５℃でのｐＨが２〜１４であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。
（Ｉ）分子量が１，０００未満の多価水酸基含有炭化水素
（ＩＩ）エーテル基、エステル基、ホルミル基、スルホ基、スルホニル基、ホスホノ基、チオール基、ニトロ基及びアミド基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する分子量が１，０００未満の多価水酸基含有炭化水素
（ＩＩＩ）上記（Ｉ）、（ＩＩ）を脱水縮合した分子構造を有する多価水酸基含有化合物
（ＩＶ）糖類
（Ｖ）変性されていてもよいポリビニルアルコール （もっと読む）

【課題】本発明は、微細構造体の表面に形成された突起間に残留する液体の表面張力の影響で突起が変形、破壊されるのを抑制することができる微細構造体の処理方法、微細構造体の処理システムおよび電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】表面に突起を有する微細構造体の前記表面に水よりも表面張力が小さくかつ水と実質的に相溶性のない液体を供給し、前記微細構造体の表面の処理を行うこと、を特徴とする微細構造体の処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】洗浄液のランニングコストを低減する洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を循環させながら基板を洗浄する洗浄槽と、洗浄槽の排気中に含まれる気化している洗浄液を液化する凝縮器と、凝縮器により液化された洗浄液を洗浄槽に還流する還流手段とを備える。前記洗浄液は炭酸エチレンを含み、凝縮器は空気を冷媒としてもよく、気化している洗浄液の液化に伴って熱気として排出する。前記洗浄装置は、さらに、前記凝縮器から排出される熱気を、洗浄液の固化防止用熱源として洗浄装置の所定箇所に供給する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄するための方法を提供する。パターニング済み基板を洗浄するための方法は、記載の洗浄剤を用いて、フィーチャに対して実質的に損傷を与えることなく、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄できる利点を有する。洗浄剤は、液相または液／気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい１または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目（すなわちポリマ網目）を形成しうる。長いポリマ鎖および／またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄剤で洗浄するための装置を提供する。この洗浄剤を用いる装置は、フィーチャを実質的に損傷することなく微細なフィーチャを備えたパターニング済みウエハを洗浄するのに有効である。洗浄剤は、液相または液／気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい１または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目（すなわちポリマ網目）を形成しうる。長いポリマ鎖および／またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 （もっと読む）

半導体ウェーハのような電子基板の表面および／または斜面からサブミクロンの微粒子を除去するための洗浄溶液および方法。前記洗浄溶液は、ポリカルボキシレートポリマーまたはエトキシル化ポリアミンを含んでなる。前記方法は、基板の表面をポリカルボキシレートポリマーまたはエトキシル化ポリアミンで構成される洗浄溶液と接触させる工程を具備する。前記方法における付加的な任意の工程は、前記洗浄溶液に音響エネルギーを適用すること、および／またはすすぎ溶液に音響エネルギーを適用して、もしくは適用せずに、すすぎ溶液で表面をすすぐことを含む。 （もっと読む）

例えばハードディスク媒体基板などの電子基板、当該ハードディスク媒体の製造に用いられるインプリント型（imprint mold）、または読取り／書込みヘッド組立部品（read/write head assembly part）の表面および／または斜面からサブミクロン粒子を除去するための洗浄溶液ならびに方法。当該洗浄溶液は、ポリカルボキシレートポリマーまたはエトキシル化ポリアミンを含む。当該方法は、ポリカルボキシレートポリマーまたはエトキシル化ポリアミンを含む洗浄溶液と当該基板の表面を接触させる工程を含む。当該方法における任意の付加的な工程は、音波エネルギーを当該洗浄溶液に適用することおよび／または当該表面をすすぎ溶液に音波エネルギーを適用するか、あるいは適用することなく、当該すすぎ溶液により当該表面をすすぐことを含む。 （もっと読む）

【課題】実質的な剥離性能の減少や金属パターンの損傷無しに再使用できて、写真エッチング工程の費用を減少させることができるフォトレジスト剥離組成物を提供する。
【解決手段】本発明によるフォトレジスト剥離組成物は、スルホン系化合物８０〜９８．５質量％、ラクトン系化合物１〜１０質量％、及びアルキルスルホン酸０．１〜５質量％を含む。 （もっと読む）

【課題】塗布膜に対する洗浄液の浸透を抑制し、それにより有効領域における塗布膜の隆起や傾斜を抑制することができる洗浄液供給装置、端縁洗浄装置、端縁洗浄液、および端縁洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の端縁からレジスト膜を除去するための洗浄液として、有機溶剤と純水との混合液を使用する。これにより、有機溶剤を単独で使用した場合と比べてレジスト膜に対する洗浄液の浸透が抑制される。したがって、基板の端縁に向けて吐出された洗浄液が有効領域のレジスト膜中に浸透することが抑制され、その結果、有効領域におけるレジスト膜の隆起や傾斜が抑制される。洗浄液中の純水の比率は、１．０重量％以上かつ５．０重量％未満とすればよく、３．０重量％以上かつ４．０重量％未満とすればより望ましい。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクルや有機物の汚染、金属汚染及び有機物と金属による複合汚染の除去性と再付着防止性に優れ、基板表面を腐食することなく、高度に清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。特に、疎水性のため薬液をはじき易く、パーティクル除去性が悪い低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）材料の洗浄性に優れた洗浄液を提供する。
【解決手段】（Ａ）有機酸、（Ｂ）スルホコハク酸、アルキル硫酸、アルキルエーテル硫酸及びこれらの塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上、並びに水を調合してなることを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。 （もっと読む）

【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、特にタングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体においても、この層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離できる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】フッ酸、過酸化水素、及び水を含有し、更に、フッ酸以外の無機酸を含有する窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液が、フッ酸以外の無機酸を含むので、半導体多層積層体がタングステン又はタングステン合金を含む層を有する場合においても、窒化チタン剥離液がこの層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離することができる。 （もっと読む）

化学機械研磨（ＣＭＰ）後残渣および汚染物質をその上に有するマイクロエレクトロニクスデバイスから前記残渣および汚染物質を洗浄するための洗浄組成物および方法。この洗浄組成物は、新規な腐食防止剤を含む。この組成物は、ｌｏｗ−ｋ誘電体材料または銅配線材料を損傷することなく、マイクロエレクトロニクスデバイス表面からＣＭＰ後残渣および汚染物質を非常に有効に洗浄する。 （もっと読む）

【課題】油性汚染物質と無機汚染物質とを簡便に効率よく洗浄でき、火気安全性と環境保全性とに優れた簡易な組成のウェーハ用洗浄剤を提供する。
【解決手段】ウェーハ用洗浄剤は、引火点を９０〜１５０℃とする飽和又は不飽和の炭化水素の５〜２５重量％と、
Ｒ^１-Ｏ-（-Ｃ_ｐＨ_２ｐ-Ｏ-）_ｑ-Ｈ（式中、Ｒ^１-は炭素数６〜１０のアルキル基、ｐは２〜３の数、ｑは１〜２の数を示す。）で表わされるグリコールのモノエーテルの５〜６５重量％と、
Ｒ^２-Ｏ-（-Ｒ^３-Ｏ-）_ｒ-Ｈ（式中、Ｒ^２-は炭素数８〜１８のアルキル基、又は炭素数８〜１８のアルケニル基、-Ｒ^３-は炭素数２〜３のアルキレン基、ｒは４〜２０の数を示す。）で表わされるポリオキシアルキレンのモノエーテルの５〜３０重量％と、
水の５〜２５重量％とからなり、４０℃における動粘度が１０ｍｍ^２／Ｓ以下のものである。 （もっと読む）

残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子デバイス基板上のフォトレジストの再加工のために該基板上の多重層フォトレジスト層を除去する組成物。
【解決手段】該組成物は（ｉ）少なくとも三つの別個の溶媒、（ｉｉ）少なくとも一つの有機スルホン酸、及び（ｉｉｉ）少なくとも一つの腐食防止剤を含む。本発明はまた該組成物を使用する方法にも関係する。該組成物及び方法は３分未満の接触時間で且つ６５℃未満の温度でそのような多重層フォトレジストを除去することに成功し、これにより枚葉式ウェハーツールにおける高い処理能力をもたらした。 （もっと読む）

【課題】回路機構間の微細寸法で汚染された物品と水および酸化材料を含む反応性クリーニング流体を接触させて汚染材料を除去する方法を提供する。
【解決手段】反応性クリーニング流体の臨界温度または臨界温度超の温度で、且つ反応性クリーニング流体の臨界圧力または臨界圧力超の圧力で、汚染された物品と水１９および酸化材料５１を含む反応性クリーニング流体とを接触させる工程を含む汚染された物品からの汚染材料の除去、汚染材料の少なくとも一部分を酸化して、クリーニングされた物品並びに未反応の反応性クリーニング流体および除去された汚染材料を含む生成混合物を生成する酸化、およびクリーニングされた物品と生成混合物との分離を含む汚染された物品から汚染材料を除去するための方法。 （もっと読む）