【解決手段】基板の表面に対して１回目の洗浄材料の適用がなされる。洗浄材料は、基板の表面上に存在する汚染物質を取り込むための１つ又は２つ以上の粘弾性材料を含む。基板の表面から洗浄材料をすすぐために、基板の表面に対して１回目のすすぎ流体の適用がなされる。すすぎ流体の１回目の適用は、基板の表面上にすすぎ流体の残留薄膜を残らせるようにも実施される。すすぎ流体の残留薄膜を上に有する基板の表面に対して２回目の洗浄材料の適用がなされる。次いで、基板の表面から洗浄材料をすすぐために、基板の表面に対して２回目のすすぎ流体の適用がなされる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板の表面からパーティクル汚染物質を洗浄するための装置及び方法は、粘弾性材料の層を表面上に塗布することを含む。粘弾性材料は、薄い膜として塗布され、実質的な液体様特性を示す。粘弾性材料を塗布された表面の第１のエリアには、粘弾性材料を塗布された表面の第２のエリアがその加えられる力を実質的に受けないように、外力が加えられる。外力は、粘弾性材料の固体様特性にアクセスするために、粘弾性材料の固有時間よりも短い持続時間にわたって加えられる。固体様特性を示す粘弾性材料は、表面上に存在するパーティクル汚染物質の少なくとも一部と少なくとも部分的に相互作用する。粘弾性材料は、固体様特性を示している間、パーティクル汚染物質の少なくとも一部と併せて表面の第１のエリアの領域から除去される。 （もっと読む）

【課題】完全に乾燥させる前の少なくとも一部に液体が付着している基板表面の性状を、基板全体を乾燥させることなく疎水性から親水性に改質することで、乾燥後にウォーターマークが発生することを極力抑制するとともに、ＩＰＡなどの有機溶剤の使用を削減できるようにする。
【解決手段】液体が付着した基板表面の一部の領域に液排除ガスを吹き付けて液体を該ガスで基板表面から排除した露出領域を形成するか、または基板表面の液体の一部を吸引して基板表面の一部の領域に液体を排除した露出領域を形成し、露出領域にプラズマ含有ガスを吹き付けて該露出領域に位置する基板表面の性状を疎水性から親水性に改質する。 （もっと読む）

【課題】主領域が撥液面でその外周の周縁領域が親液面である基板の表面に付着した液体を液切りして除去する場合に、基板表面にウォータマークが発生することを確実に防止することができる装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの搬送方向に対して交差するように、基板表面へその幅方向全体にわたって気体を吐出するエアナイフ３２を配設し、エアナイフより基板搬送方向における後方側に、基板の周縁領域２へ基板搬送方向における後方かつ基板外方に向けて気体を吐出する補助気体ノズル３６を配設し、基板の周縁領域に滞留した液体を除去しもしくは周縁領域に液体が滞留するのを防止するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のバーンイン試験を行うソケットを複数備えたバーンインボードにおいて、各ソケットをバーンインボードから取り外すことなく、一括して洗浄する。
【解決手段】バーンインボード１０が備える複数のソケット７は、それぞれ半導体装置を収容する窪みが形成された収容部８が配置される上面、収容部８内に配置され、バーンイン試験の際に半導体装置の外部端子と接触して通電するコンタクトピンを、それぞれ有している。ここで、ソケット７の洗浄工程では、洗浄液１８ａが充填された洗浄槽１８に複数のソケット７の上面側が洗浄液１８ａに浸るように、バーンインボード（配線基板）１０を洗浄槽１８に配置して、複数のソケット７の上面にそれぞれ形成された収容部８内の気体を排気ノズル１８ｃを用いて収容部８の外に排出する。 （もっと読む）

【解決手段】実施形態は、基板表面から汚染物質を除去してデバイス歩留まりを向上させるための基板洗浄技術を提供する。基板洗浄技術は、固体成分と高分子量のポリマとを洗浄液中に分散させることによって形成された流体である洗浄材料を用いる。固体成分は、基板表面上の汚染物質に接触することによって、それらの汚染物質を除去する。高分子量のポリマは、洗浄材料中の固体を捕えて閉じ込めるポリマ鎖及びポリマ網目を形成し、これは、微粒子汚染物質、不純物、及び洗浄材料中の固体成分などの固体が基板表面上に沈下することを阻止する。また、ポリマは、基板表面上の汚染物質に接触することによって、それらの汚染物質を基板表面から除去することを助けることもできる。一実施形態では、洗浄材料は、基板表面上の突出特徴に強い衝撃を与えてそれらを損傷させることなくそれらの突出特徴の周囲を滑走する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理中に異常が生じた場合に当該基板に損傷が加わることを抑制または防止できる枚葉型の基板処理装置および異常処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、１枚の基板を保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板に薬液を供給する薬液ノズルと、スピンチャックに保持された基板にリンス液を供給するリンス液ノズルと、基板処理装置の異常を検知する異常検知手段と、異常処理手段としてのメイン制御部とを備えている。基板の薬液処理中に基板処理装置に異常が生じると、異常検知手段により異常が検知され（ステップＳ４１）、メイン制御部によりリンス液ノズルが制御されて、異常処理の一工程としてのリンス処理が基板に行われる。これにより、基板表面から薬液が排除される。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板処理を対象とした基板処理装置において、処理液を用いて、均一かつ効率的な処理を可能とする。
【解決手段】搬送台に載せた基板に対して搬送しながら処理を行う基板処理装置である。かかる基板処理装置は、基板の搬送方向の上流側から順に、処理液を吸引するための吸引ユニットと、前記処理液を塞き止めるための塞き止めユニットと、を配置している。さらに、基板の表面をブラシがけするためのブラシを備えた洗浄ユニットを上流に配置することができる。洗浄ユニットは、それぞれ独立して位置調節が可能な複数のブラシユニットで構成することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を洗浄する場合に、被処理基板の一方の面と他方の面とで除去する対象物が異なる場合であっても各対象物を確実に除去することができ、また、当該被処理基板を浸食することなく、被処理基板に付着したポリマーを確実に除去すること。
【解決手段】洗浄装置は、被処理基板Ｗの周縁部を洗浄する。洗浄装置は、被処理基板Ｗの表面Ｗａの周縁部に当接し、当該被処理基板Ｗの面内方向で回転駆動される第一洗浄部１１と、被処理基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁部に当接し、当該被処理基板Ｗの面内方向で回転駆動される第二洗浄部１２と、を備えている。第二洗浄部１２から被処理基板Ｗの裏面Ｗｂに加わる摩擦力は、第一洗浄部１１から被処理基板Ｗの表面Ｗａに加わる摩擦力よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄するための方法を提供する。パターニング済み基板を洗浄するための方法は、記載の洗浄剤を用いて、フィーチャに対して実質的に損傷を与えることなく、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄できる利点を有する。洗浄剤は、液相または液／気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい１または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目（すなわちポリマ網目）を形成しうる。長いポリマ鎖および／またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 （もっと読む）

【課題】投影光学系と基板との間に液体を満たして露光処理する際、露光後に基板に付着した液体に起因するデバイスの劣化を抑えることができる装置、その装置を組み込んだ露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、パターンの像を液体を介して基板上に転写して基板を露光する。露光装置は、パターンの像を基板に投影する投影光学系と、露光された基板を処理する処理装置へ基板が搬出される前に、露光された基板を洗浄する洗浄装置とを備えている。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を備えた処理部の該溝内に、被処理基板を挿入して相対的に移動させながら該被処理基板の周縁部を処理する基板処理方法において、前記処理部は、前記溝内に流速３０〜１０００ｍ／ｓｅｃの処理液を含む気体の高速気流を発生させて、該高速気流を相対的に移動する前記被処理基板の周縁部に接触させて処理する。 （もっと読む）

【課題】被処理面以外の面に対する処理液の飛散を防止し、被処理面のみに処理液を用いた処理を施すことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面処理治具１は、半導体ウエハ５０の被処理面５０ａと対向する対向面１ａに形成された環状の溝１０と、溝１０に連通するように形成された、処理液を回収する貫通孔１１とを有する処理液回収部１３を備えている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造でＩＰＡを使用することなく、ウェーハ表面に残存した液体を効果的に除去すると共にウォーターマークの発生を抑制する。
【解決手段】液体Ｌで濡れたウェーハＷを乾燥させる乾燥装置において、ウェーハＷに対向する位置に吸湿性の毛細管構造体３をウェーハＷ表面に接触・近接できるように配設する。そして、毛細管構造体３をウェーハＷ上の液体Ｌに接触させた状態で、毛細管構造体３及びウェーハＷの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記液体Ｌを毛細管構造体３で拭き取るようにして吸水・乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】減圧下での測定を可能にすることにより、正確な溶剤濃度を測定することができるとともに、余分な排気を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部７１が真空ポンプ４９でチャンバ２７内を減圧させた状態で、溶剤ノズル３３から溶剤蒸気を供給させるとともに、サンプリングポンプ６９で測定配管６１にチャンバ２７内の気体を吸引させながら真空対応型濃度計６７により溶剤濃度を測定させる。濃度測定は真空対応型であるので、減圧環境下で溶剤蒸気の濃度測定ができ、乾燥環境下における溶剤蒸気の濃度測定が可能である。したがって、溶剤濃度を正確に制御することができ、基板の乾燥処理の均一性を向上させることができる。また、溶剤蒸気を希釈する必要がないので、余分な排気を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】純水洗浄の省略が許容される被洗浄物を洗浄する装置において、洗浄時間が長くなるのを防止しつつ洗浄液の長寿命化を図る。
【解決手段】外側容器１４と、外側容器１４内に配設され、洗浄液が貯溜されるとともに被洗浄物Ｗを出し入れ可能な開口部が設けられた内側容器３８と、被洗浄物Ｗに付着した洗浄液が蒸発する程度に外側容器１４の内部を減圧させるための減圧手段２０と、洗浄液を浄化するためのフィルタ５８と、内側容器３８の開口部を気密状に塞ぐための蓋５２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板を均一かつ効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエア排出ダクト６３は、吸気装置６５０に接続されている。吸気装置６５０は、ドライエア排出ダクト６３を通して処理槽４上の雰囲気を吸引し、吸引した雰囲気を外部へ排出する。ドライエア排出ダクト６３は、複数の排出ダクト６３ａ〜６３ｅからなる。基板の処理前には、複数の排出ダクト６３ａ〜６３ｅに対応する処理槽４上の複数の測定点Ｐ１〜Ｐ５でドライエアＤＦの流速が測定される。基板の乾燥処理時には、処理槽４に貯留された処理液から基板が引き上げられる。そして、引き上げられる基板にドライエアＤＦが供給される。このとき、予め得られた流速分布の測定結果に基づいて、排出ダクト６３ａ〜６３ｅの内部に取り付けられた弁ｖａ〜ｖｅの開度が個別に調整される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】近接ヘッドは、ヘッド面を備える。ヘッド面は、第１の平面領域と複数の第１の導管とを備える。複数の第１の導管の各々は、複数の第１の離散孔の内の対応する離散孔によって規定される。複数の第１の離散孔は、ヘッド面に存在し、第１の平面領域にわたって配置されている。ヘッド面は、さらに、第２の平面領域と複数の第２の導管とを備える。複数の第２の導管は、ヘッド面に存在し第２の平面領域にわたって配置された対応する複数の第２の離散孔によって規定される。近接ヘッドは、さらに、第１の平面領域および第２の平面領域の間に隣接して配置された第３の平面領域と、複数の第３の導管とを備える。複数の第３の導管は、ヘッド面に存在し第３の平面領域にわたって配置された対応する複数の第３の離散孔によって規定される。第３の導管は、第３の平面領域と第１の角度をなすよう形成される。第１の角度は、３０°から６０°の間である。近接ヘッドを用いて基板を処理するためのシステムおよび方法も記載されている。 （もっと読む）

対象物の表面の少なくとも一部を処理するための流体メニスカスを利用する湿式処理装置および方法である。対象物の表面の１つが処理された後に、対象物の他の側面または表面が同様に処理されうる。いくつかの例を挙げれば、この処理はコーティング、エッチング、めっきでありうる。この装置と方法の用途は、半導体処理産業、特にウェハおよび基板の処理にある。この方法と装置は、電子構成部品の多数の表面の処理をも可能にする。 （もっと読む）

【課題】 １つの工程装備にインシャワー、吸入および乾燥工程を行えるようにし、基板を塗布または剥皮したり洗浄工程を行ったりする際に時間と空間的な効率性を高めることができるインシャワー、吸入および乾燥工程を行う工程装置を提供する。
【解決手段】 インシャワー、吸入および乾燥工程を行う工程装置は、インシャワーナイフ、エアナイフを含むナイフユニットおよびナイフユニットが取付けられて基板上にナイフユニットを移送することができるフレームを含む。 （もっと読む）