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Fターム[5F157CC02]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 基板以外の洗浄 (700) | 清浄手段の清浄、再生 (392) | 清浄化流体の回収、濾過 (323)

Fターム[5F157CC02]に分類される特許

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【課題】低エネルギーで不純物から二酸化炭素を分離させることが可能であって、簡単に二酸化炭素の分離速度を高めることが可能な二酸化炭素の分離方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置1の分離装置200に用いられる二酸化炭素の分離方法は、不純物が含まれる超臨界または加圧された液体状態の二酸化炭素に遠心力を与えることによって不純物から二酸化炭素を分離することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】過硫酸の自己分解を抑制するとともに、電極で生成する気体による電解効率の低下を抑制することができる過硫酸製造装置を提供する。
【解決手段】陽極12および陰極14が隔膜10側の面と集電体16,18側の面に通ずる少なくとも1つの流路を有し、集電体16,18が電極12,14側の面に電解液の流れる方向と略平行な少なくとも1つの溝を有することにより、あるいは、陽極12および陰極14が隔膜10側の面に電解液の流れる方向と略平行な少なくとも1つの溝を有することにより、過硫酸の自己分解を抑制するとともに、電極で生成する気体による電解効率の低下を抑制することができる過硫酸製造装置1。 (もっと読む)


【課題】レジスト被膜の除去性を低下させないで、長期間に渡る剥離液の繰返し再使用が可能であるばかりか、導電性高分子の表面抵抗や導電性高分子と基材との密着性も悪化さず、さらに、経済性や安全性にも優れており、廃棄物が少なくできるため環境にも悪影響を及ぼさない導電性高分子膜上のレジスト被膜の除去方法を提供。
【解決手段】レジスト被膜を除去後の剥離液を、細孔径2〜5nmであって、分画分子量が1000〜4000のセラミックフィルターを用いて膜濾過することにより、レジスト被膜を該剥離液から取り除き、導電性高分子膜上のレジスト被膜の除去に再使用する。 (もっと読む)


【課題】従来のガス溶解水に比べて格段に高い洗浄効果を発揮する電子材料用洗浄水を提供する。
【解決手段】溶存ガスとして酸素とアルゴンとを含むガス溶解水よりなる電子材料用洗浄水であって、溶存酸素濃度が8mg/L以上であり、溶存酸素ガス量と溶存アルゴンガス量との合計に対して2体積%以上の溶存アルゴンガスを含む電子材料用洗浄水。この電子材料用洗浄水を用いて電子材料を洗浄する方法。酸素/アルゴンガス溶解水よりなる本発明の電子材料用洗浄水は、溶存ガス量が少なく、また、使用する薬品量も少ないものであっても高い洗浄効果を得ることができることから、安全に容易かつ安価に製造することができる。 (もっと読む)


【課題】乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記録媒体を提供する。
【解決手段】まず乾燥ユニット23においてチャンバー壁39を加熱する。そして、チャンバー壁39の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却ガスを乾燥ユニット23のチャンバー23a内に供給することによりチャンバー23a内にある加熱されたN2ガスを冷却ガスに置換する。その後、ウエハWを洗浄槽22内から乾燥ユニット23のチャンバー23a内まで移動させる。そして、ウエハWを洗浄槽22内から乾燥ユニット23のチャンバー23a内まで移動させる間に、またはウエハWを洗浄槽22内から乾燥ユニット23のチャンバー23a内まで移動させた後に、チャンバー23a内に乾燥ガスを供給する。 (もっと読む)


【課題】 処理室等の圧力調節が為される被調圧部の圧力を、簡易に調節制御することが可能な圧力制御機構を提供すること。
【解決手段】 排気用力に接続可能な排気側空間325、及びこの排気側空間325に開孔322を介して連通され、圧力が調節される被調圧部22に接続可能な被調圧側空間324を有し、排気側空間325と被調圧側空間324との双方に開孔322を介して液体326を共通に収容する液体収容部321と、被調圧部22に要求される圧力に応じて、液体収容部321に収容された液体326の水位を調節する水位調節部360と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】200μm以下の薄いウエハの一方の主面にAl系合金電極膜を形成する工程を有する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において、ウエハに反りが生じても他方の主面側に影響を及ぼさずに一方の主面側の電極膜のパターニング後の残渣除去ができる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ウエハ20の一方の主面側に所要の半導体領域21、22の形成後、該半導体領域21、22に対応させて、厚さ200μm以下のウエハ20にAlを主成分とし少なくともSiを含むAl系合金電極膜25を形成する際に、該電極膜25のパターニング後に、Siを含む残渣除去を少なくともフッ硝酸と希フッ酸をこの順に2段階による枚葉式スピンエッチン方式で除去する半導体装置の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】この発明は基板を洗浄処理する処理液に含まれるナノバブルを繰り返して使用できる処理装置を提供することにある。
【解決手段】内部に基板が供給される処理槽1と、処理槽の基板にこの基板を洗浄処理するためのナノバブルを含む処理液を供給するナノバブル発生器11と、ナノバブル発生器によって処理槽の内部の基板に供給されナノバブルのもつ電位によって基板から除去されたナノバブルと逆の電位をもつ微粒子を含む処理液を回収する貯液槽7と、基板を洗浄した処理液に含まれる微粒子とこの微粒子の表面に付着したナノバブルを分離して微粒子を除去し、ナノバブルだけを含む処理液を処理槽に供給するフィルタ装置18を具備する。 (もっと読む)


【課題】乾燥時間を短縮することができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部91は、純水などの液滴が付着し、処理槽9に載置された基板Wに対して供給ノズル17から乾燥媒体を供給させる。基板Wに付着している純水などの液摘は、乾燥媒体の液滴の物理力によって除去される。このとき基板Wは乾燥媒体によって完全に覆われた状態である。次に、乾燥媒体の供給を停止させるとともに、処理槽9内に滞留している乾燥媒体を排出・回収させた後、ガス供給管77から乾燥気体を供給ノズル17に供給して、基板Wに付着している乾燥媒体を乾燥させる。したがって、チャンバ1内の気体の置換や減圧に要する時間が不要であるので、基板Wの乾燥時間を短縮することができる。また、基板Wを処理槽9から引き上げた位置にて乾燥処理を行わないので、装置の高さ方向の寸法を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】処理液案内部材の内方に処理液雰囲気を保持することができ、処理液案内部材外への処理液雰囲気の流出を抑制または防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】内構成部材19は、スピンチャック1の周囲を取り囲むように設けられ、第1案内部25、廃棄溝26、内側回収溝27および外側回収溝52を一体的に有している。中構成部材20は、内構成部材19の外側においてスピンチャック1の周囲を取り囲むように設けられ、第2案内部48を有している。外構成部材21は、中構成部材20の第2案内部48の外側においてスピンチャック1の周囲を取り囲むように設けられている。外構成部材21には、スカート部80が備えられている。スカート部80の垂下部81の下端部は、液体貯留部70に貯留された液体中に浸漬されていて、液封構造を形成している。 (もっと読む)


【課題】暖気を行うラインを別途設けることにより、プロセスの再現性が良好な基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部91は、純水などの液滴が付着した基板Wを処理槽9に載置した後、シャワーノズル17から乾燥媒体を供給させる。基板Wに付着している純水などの液摘は、乾燥媒体の液滴の物理力によって除去される。このとき基板Wは乾燥媒体によって完全に覆われた状態である。次に、空気をインラインヒータ59で加熱しつつシャワーノズル17に供給して基板Wを乾燥させる前に、インラインヒータ59を作動させた状態で気体をガス排気管77に排出させる。したがって、加熱された空気はチャンバ1内に供給されずガス排気管77を介して排出されるので、チャンバ1の温度が自然に上昇することがなく、プロセスの再現性を良好にすることができる。 (もっと読む)


【課題】基板に対する処理の開始が通常のタイミングよりも遅れた場合に、その処理の開始までに生じた不具合を解消することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置では、プロセスレシピに従ったプロセスレシピ制御が25回繰り返し実行されることにより、25枚のウエハに対する処理が行われる。25回のプロセスレシピ制御中に、タイマにより、ウエハへの薬液の供給の停止から次回のプロセスレシピ制御の開始までの時間が計測される。そして、タイマによる計測時間が予め定める基準時間以上であれば、プロセスレシピ制御に割り込んで、プリレシピに従った制御が実行され、プリディスペンス動作が行われる。プリディスペンス動作により、ノズルなどに溜まった薬液が廃棄されるので、プロセスレシピ制御の再開後に、劣化した薬液がウエハに供給されることを防止できる。 (もっと読む)


【課題】処理カップ内における気液分離効率を低下させることなく、処理カップからの薬液のミストの漏出を防止または抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理カップ25の上段には、第2構成部材22の第2案内部38の上端部38bと第3構成部材23の上端部23bとの間に、ウエハWの端面に対向し、第1薬液を捕獲する第1薬液捕獲口としての第3開口57が形成される。処理カップ25内の下段には、傾斜部41の先端部と第4構成部材24の傾斜部46の先端部との間に、第1雰囲気捕獲口58が形成される。第3開口57と第1雰囲気捕獲口58との上下方向における中間位置(中段)に、処理カップ25内に下降気流を発生するための羽根部材61が配置されている。羽根部材61は、スピンチャック3のスピンベース8に、一体回転可能に設けられている。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面をIPA液などの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面にウォーターマーク等を発生させることなく、基板を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス液で濡れた基板表面Wfを上方に向けた水平姿勢で基板Wが略水平面内にて回転されながらIPA液が基板表面Wfに供給される。これによって、基板表面Wf上のリンス液がIPA液に置換されるが、置換処理中に基板表面Wfから全てのリンス液が完全に排除されるタイミングで基板Wの側方に位置する案内部を第2案内部72aから第3案内部73aに切り替える。このため、第3案内部73aにリンス液が付着するのを確実に防止し、第3案内部73aで包囲された雰囲気を低湿度化し、当該低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。 (もっと読む)


【課題】高濃度のガス溶解水を効率よく製造し、ユースポイントに循環供給することができるガス溶解水供給システムを提供する。
【解決手段】貯留槽1に、ガス(酸素)を溶解させた水で被洗浄物を洗浄した後の排水(洗浄排水)が配管15を経由して貯留され、また、補給水配管1aを経由して補給水が供給される。貯留槽1の水は圧送ポンプ2及び水温を一定に保つための熱交換器3を経由して、純化装置4に送られる。純化装置4で異物が除去された水は、流量計5を経て、脱気装置6へ送られる。その後、ガス溶解装置7でガスが溶解され、薬品が添加され、ユースポイントに供給される。 (もっと読む)


【課題】処理液の再利用を好適に図ることができ,しかも排気量を低減させることができる,基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハWを洗浄するウェハ洗浄装置5であって,APM及び純水を供給する供給ノズル34と,ウェハWを保持するスピンチャック31と,スピンチャック31を収納する容器30とを備え,容器30は内処理室42と外処理室43を備え,スピンチャック31に対して容器30を昇降自在に構成し,内処理室42にAPM及び室内雰囲気を排出する第1の排出回路50を接続し,外処理室43に純水及び室内雰囲気を排出する第2の排出回路51を接続し,APMを供給ノズル34から再びウェハWの表面に供給するように構成した。 (もっと読む)


【課題】基板表面の処理液をIPAなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく確実に置換する。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Wの回転速度が600rpmから10rpmに減速されてDIW液膜がパドル状に形成される(パドル形成処理)。続いて、溶剤吐出ノズル765を基板中心から周縁に向けて方向Dnに移動させながらIPAを供給することで、基板上のDIW液膜にIPAを添加し表面張力を低下させる(溶剤供給処理)。溶剤吐出ノズル765が基板周縁に達し溶剤供給処理が終了した後に、中央に溶剤供給路97を有する遮断部材9を基板に近接配置し、溶剤供給口97aからIPAを供給しながら基板の回転速度を増大させて、IPAによる置換領域SRを基板全体に広げる(置換処理)。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面をIPAなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面にウォーターマークが発生したり、基板表面上のパターンが倒壊するなどの不具合を防止する。
【解決手段】基板表面Wfに付着しているリンス液をIPA液に置換する間、低露点空気(CDA)が間隙空間SPに供給されて基板表面Wfの周囲雰囲気が低湿度雰囲気に保たれる。これによって、IPA液吐出口97aから吐出されたIPA液への水分の吸湿が抑制される。そして、IPA液への置換後に、基板表面WfからIPA液が除去されて基板表面Wfが乾燥されるが、上記したようにIPA液への水分吸湿が抑制されていることから、当該乾燥処理によりIPA液中の水分が基板表面Wfに残留するのが確実に抑えられてウォーターマークやパターン倒壊を効果的に抑制している。 (もっと読む)


【課題】被洗浄物(ウエハ)を洗浄した際に生じた異物が被洗浄物(ウエハ)の表面に再付着し難い洗浄装置、洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】内槽11と外槽4とが上下2層に配置され、内槽11に被洗浄物(ウエハ1)を浸漬させ、内槽11の底面11a側から上方に洗浄液3を噴出させつつ洗浄を行う洗浄装置10であって、内槽11の底面11aを中央が窪んだすり鉢状に形成するとともに、洗浄液を噴出する洗浄液供給口12を内槽11の底面11aの周辺側に設ける。被洗浄物から脱落した沈殿性の異物8は底面11aの中央の窪んだ部分に集まり、洗浄液3を噴出しても巻き上がり難くなり、被洗浄物への異物の再付着を防止できる。 (もっと読む)


【課題】所定の供給対象に安定した温度で処理液を供給することができる処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】薬液供給装置12は、同種の薬液が貯留された第1および第2タンク13,14と、第1ヒータ17が介装された薬液供給管15と、薬液回収管16とを備えている。第1タンク13から処理ユニット2に供給された薬液は、薬液回収管16を介して第2タンク14に回収される。第2タンク14は、薬液移送配管24を介して第1タンク13に連結されている。薬液移送配管24には、第2ヒータ25および第2ポンプ26が介装されている。第2タンク14に回収された薬液は、第2ヒータ25による温度調節を受けた後、第2ポンプ26によって第1タンク13に移送される。 (もっと読む)


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