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Fターム[5F157CC02]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 基板以外の洗浄 (700) | 清浄手段の清浄、再生 (392) | 清浄化流体の回収、濾過 (323)

Fターム[5F157CC02]に分類される特許

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【課題】高温で不安定な過酸化水素水を使用しながら、硫酸を用いて基板表面のレジスト残渣を効率よく除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】硫酸を含む第1の処理液及び過酸化水素水を含む第2の処理液を用いて処理容器5中で基板を処理する基板処理装置であって、第1の処理液を常温より高温の状態で貯留する処理槽10と、処理槽10と処理容器5との間で基板を昇降させる基板昇降機構31と、基板昇降機構31によって基板を処理槽10から引上げるか又は処理槽10に浸漬させる際に、基板の第1の処理液の液面近傍に、第2の処理液のミストを供給するミスト供給手段40とを有することを特徴とする基板処理装置。 (もっと読む)


【課題】基板に対する処理液の再付着を抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wを水平に保持するための支持リング9を有するスピンチャック3と、スピンチャック3に保持された基板Wに処理液を供給する洗浄液ノズル4およびリンス液ノズル5と、基板Wの外方に向かって飛散する処理液の液滴を受け止めるためのスプラッシュガード6とを備えている。支持リング9は、基板Wの上面から外方へと処理液が流れていくように、基板Wの全周を取り囲んで基板Wの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面61を有している。また、スプラッシュガード6は、スピンチャック3に保持された基板Wの外方において、拡張面61の全周縁部を上方から覆う環状の上壁部45を有している。 (もっと読む)


【課題】この発明は基板に所定温度に加熱された処理液を確実に供給することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理液が貯えられる貯液タンク32と、貯液タンクに貯えられた処理液を基板に噴射するための上部ノズル体31に給液管路33を通じて供給する供給ポンプ34と、給液管路に設けられ上部ノズル体に供給する処理液を所定温度に加熱する第1の加熱ヒータ37と、上部ノズル体が基板の上面から外れた待機位置にあるときに供給ポンプによって上部ノズル体から噴射される処理液の温度を測定する温度センサ43と、温度センサが測定した処理液の温度が所定温度であることを検出したときにその検出に基いて上部ノズル体を基板の上方に移動させて上記処理液を噴射させる制御装置を具備する。 (もっと読む)


【課題】表面処理用の処理槽に設けた、被処理物の出し入れ用の開口でのガスの流れを安定させる。
【解決手段】被処理物9を搬送方向に沿って搬入開口13から処理槽10の内部に搬入し、処理空間19に配置する。供給系30から処理ガスを処理空間19に供給し、被処理物9を表面処理する。その後、被処理物9を搬出開口14から搬出する。排気系40で処理槽10の内部からガスを排出する。開口13,14を、互いに上記搬送方向と直交する対向方向に対向距離Dを隔てて対向する一対の整流面17,18によって画成する。開口13,14の上記搬送方向に沿う奥行きLを、対向距離Dの2倍以上とし、好ましくは6倍以上とする。 (もっと読む)


【課題】加熱槽内の状態に応じてポンプの運転状態を切り換えることにより、溶剤濃度を高く維持して基板の乾燥処理を好適に行うことができるとともに、ポンプの負担を軽減することができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部は、処理液に基板を浸漬させて処理液による処理を行った後、基板の乾燥を行う際に、チャンバ内を減圧するとともに、温度検出器37による測定温度と、圧力検出器39による測定圧力と、飽和蒸気曲線データとに基づきベローズポンプ87の動作速度を切り換える。したがって、加熱槽77内における有機溶剤の状態に応じてベローズポンプ87を動作させることができるので、有機溶剤の状態に係わらず、有機溶剤を蒸発皿81に対して十分に供給きる。その結果、基板の乾燥不良を防止できる。また、ベローズポンプ87の空運転を防止できるので、ベローズポンプ87の負担を軽減できる。 (もっと読む)


【課題】被洗浄物の洗浄面の大径化に容易に対応できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る超音波洗浄装置は、洗浄液39に超音波エネルギーを与える超音波振動子と、前記超音波振動子によって超音波エネルギーが与えられた洗浄液を流す超音波伝搬管37と、前記超音波伝搬管の下方に配置された、被洗浄物21を保持する保持機構と、前記超音波伝搬管の側壁に設けられ、前記保持機構によって保持された被洗浄物21の洗浄面に前記洗浄液39を吐出するためのスリット又は複数の穴38と、を具備することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ウエハを薬液により洗浄する際、配管ラインの一部が帯電している状態でウエハ処理を開始した場合に、薬液がウエハに吐出され、配管内の帯電部分とウエハ間の電位差によって薬液が導線となって電流が流れ、ウエハにダメージが生じることにより歩留まりが発生するのを防ぐ。
【解決手段】薬液を半導体ウエハ1に吐出して洗浄する際、半導体ウエハ1に薬液を吐出する前にノズル11を半導体ウエハ1外に移動し、半導体ウエハ1外で数秒薬液を吐出してから、半導体ウエハ1上にノズル11を移動し薬液を吐出することで、帯電による半導体ウエハ1上のパターンの損傷を防ぎ、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】表面処理装置の通常運転時には排出ガスから処理ガス成分を回収する負荷を軽減し、異常発生時には安全性を確保する。
【解決手段】被処理物9を搬入開口13から処理槽10の内部に搬入し、処理空間19に配置する。供給系30から処理ガスを処理空間19に供給し、被処理物9を表面処理する。その後、被処理物9を搬出開口14から搬出する。第1排気系40で処理槽10の内部からガスを排出する。再利用部50によって、排出ガスから処理ガス成分を回収し、供給系30に送る。異常時には、第2排気系60によって処理槽10内のガスを第1排気系40より大きな流量で排出する。 (もっと読む)


【課題】ウェハベベル部に残置している不要物を均一にエッチング除去する。
【解決手段】ウェハベベル処理部2には、スプレーヘッド部11、バルブ13、バルブ15、バルブ17、バルブ19、バルブ25乃至28、薬液回収部20、薬液供給ポンプ21、薬液供給ポンプ22、及び薬液タンク23が設けられる。スプレーヘッド部11には、不活性ガス吐出ノズル12、不活性ガス吐出ノズル16、薬液・リンス液吐出ノズル14、薬液・リンス液吐出ノズル18、及び排出口29が設けられる。薬液・リンス液吐出ノズル14は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の表面側に薬液或いはリンス液を吐出する。薬液・リンス液吐出ノズル18は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の裏面側に薬液或いはリンス液を吐出する。 (もっと読む)


【課題】液体中に配置した部材に対して微細気泡を安定して、且つ均一に供給すること。
【解決手段】貯留槽内に貯留された第1の液体中に配置された部材に対して微細気泡を供給する微細気泡供給装置であって、前記第1の液体中に噴出する気体を供給する気体供給部と、前記第1の液体中に噴出する第2の液体を供給する液体供給部と、前記気体供給部から供給される前記気体を微細気泡にするとともに前記液体供給部から供給される前記第2の液体に混合して混合流体を生成し、送出する気泡微細化部と、前記混合流体を前記第1の液体中に噴出するための噴出穴を有し、前記気泡微細化部からの前記混合流体を前記部材の下方から前記噴出穴を介して前記第1の液体中に噴出する噴流管と、を備え、前記噴流管は、前記混合流体をせき止めて前記噴流穴を介して前記第1の液体中に噴出させるせき止め部を有する。 (もっと読む)


【課題】正常に処理された時の補充履歴を用いることにより、比較的簡単に故障判断の基準の設定を行うことができ、故障検知の精度を高くすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Wに対して正常な処理ができた際の実績のある処理液への液体の補充量に対する履歴を、処理液が生成されてからの供給流量の積算により基準補充履歴とし、この基準補充履歴を履歴メモリ61に予め記憶し、基準補充履歴を演算部63が近似化して近似化基準補充履歴とし、この近似化基準補充履歴を近似化メモリ65に予め記憶しておく。設定部67を介して近似化基準補充履歴に対して上下限の範囲を設定するが、近似化基準補充履歴はバラツキが小さくなるので、上下限を容易に、かつ比較的狭い範囲で設定することができる。制御部55は、補充量の積算値と、設定された上下限とに基づいて液体供給の良否を判断する。 (もっと読む)


【課題】複数の処理ユニットにより基板に対して処理を実行する場合において、各基板の処理状況および各処理ユニットにおける処理状況を容易に把握でき基板処理装置を提供する。
【解決手段】ガントチャート85cは、各処理ユニットにおいてロット単位の基板に実行される処理のスケジュールを、時間軸ta方向に延びる複数の帯グラフ90として表示したものである。各帯グラフ90は、対応する処理ユニット毎に、時間軸ta方向に沿って配置される。また、各帯グラフ90は、上段帯グラフ91と下段帯グラフ92を有している。上段帯グラフ91上には、処理対象となるロットの識別情報が表示される。下段帯グラフ92は、基板処理を構成する工程のスケジュールを各工程毎に示す。これにより、使用者は、各ロットに対して実行される基板処理の流れと、各処理ユニットで実行される工程のスケジュールと、を表示部85aの表示から容易に把握できる。 (もっと読む)


【課題】SPM洗浄法を用いた半導体洗浄装置に組み込める簡易なシステムであって、過酸化水素に由来する洗浄液の硫酸濃度の低下を抑制することにより硫酸溶液寿命を延長し、これにより環境負荷低減を図ることができる洗浄システムを実現すること。
【解決手段】本発明の洗浄システムは、硫酸溶液と過酸化水素の混合液を洗浄液として半導体基板を洗浄する洗浄手段と、前記洗浄手段から洗浄液を排出して前記洗浄手段に還流させる循環ラインと、内部が分子ふるい型水分子選択性透過膜で隔てられた濃縮側と透過側の領域を有し、前記濃縮側の領域を前記循環ラインに介設した脱水モジュールを有する脱水手段と、前記脱水手段の透過側を減圧する真空ポンプと、を備えている。 (もっと読む)


【課題】高濃度の処理ガスを用いる場合であっても、濃度計を用いることなく処理ガスの濃度を求めることができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部69は、記憶部71に予め記憶してある、有機溶剤の飽和蒸気圧曲線に基づく圧力ごとの温度対濃度の露点情報と、圧力計56からの測定圧力と、温度計57からの測定温度とに基づき、処理ガス中における有機溶剤の濃度を算出濃度として算出する。この算出濃度は、表示部73に表示される。したがって、濃度計を用いることなく処理ガス中におけるイソプロピルアルコールの濃度を求めることができ、装置のオペレータに知らせることができる。また、強い減圧力のポンプ及び処理ガスの採取部を必要としないので、構成を簡単化することができて装置コストを低減することができる。 (もっと読む)


【解決手段】基板の表面上に形成された金属ゲート構造の周囲からポストエッチング洗浄工程中にポリマ残渣を除去するためのシステム及び方法は、金属ゲート構造に及び除去されるべきポリマ残渣に関連する複数のプロセスパラメータを決定することを含む。1又は複数の製造層が、金属ゲート構造を画定し、プロセスパラメータは、これらの製造層の及びポリマ残渣の特性を定める。第1及び第2の洗浄化学剤が特定され、プロセスパラメータに基づいて、第1及び第2の洗浄化学剤に関連する複数の適用パラメータが定められる。ゲート構造の構造的完全性を維持しつつポリマ残渣を実質的に除去するために、第1及び第2の適用化学剤は、適用パラメータを使用して制御方式で順次適用される。 (もっと読む)


【課題】各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】ウエハWの処理を行う処理部10に接続された第1のライン22から第2のライン44が分岐している。第2のライン44から複数の第3のライン(アンモニア水供給ライン48、塩酸供給ライン52およびフッ酸供給ライン56)が分岐している。これらの第3のラインには、第2のライン44からの分岐箇所にそれぞれバルブ48a、52a、56aが介設されている。各第3のラインにはそれぞれ薬液供給源(アンモニア水供給源46、塩酸供給源50およびフッ酸供給源54)が接続されており、これらの薬液供給源から各第3のラインに薬液が供給されるようになっている。 (もっと読む)


【課題】被処理物に付着する油分を確実に洗浄除去することができ、被処理物の洗浄処理に使用される溶剤を再生処理して洗浄力の回復及び維持を図ることができる被処理物洗浄方法及び被処理物洗浄装置の提供を目的とする。
【解決手段】被処理物Aに付着する油分Dを炭化水素系溶剤Bに溶解させて分離した後、被処理物Aに残着する炭化水素系溶剤Bをフッ素系溶剤Cに溶解させて分離する。油分Dが溶解した炭化水素系溶剤Bと再生処理済みのフッ素系溶剤Cとの混合溶剤BCをフッ素系溶剤Cの沸点より低い温度で該沸点に近い温度に加温する。炭化水素系溶剤Bに対してフッ素系溶剤Cを溶解させ、フッ素系溶剤Cに対して溶解性がない油分Dを分離する。油分Dが分離された混合溶剤BCを沸点より低い温度に冷却して、炭化水素系溶剤Bとフッ素系溶剤Cとに分離及び再生するとともに、被処理物Aの洗浄処理に繰り返し使用する。 (もっと読む)


【課題】被洗浄物の洗浄面の大径化に容易に対応できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る超音波洗浄装置は、伝搬液15に超音波エネルギーを与える超音波振動子13と、前記超音波振動子によって超音波エネルギーが与えられた伝搬液を流す超音波伝搬管12と、前記超音波伝搬管の下方に配置された、被洗浄物21を保持する保持機構と、前記保持機構によって保持された被洗浄物の洗浄面に洗浄液を供給する洗浄液供給機構と、を具備し、前記超音波伝搬管12は、その側面が、前記洗浄液供給機構によって前記洗浄面に洗浄液を供給することで該洗浄面に形成される該洗浄液の液膜19に接触するように配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ウェハの洗浄処理に用いる液体の不必要な使用を抑える。
【解決手段】洗浄装置1は、貯留槽10に貯留されている薬液を処理槽20に送液してウェハWの洗浄処理を行い、使用した薬液を回収ライン90で貯留槽10に回収し、その回収で不足する分を供給ライン30から補充する。この供給ライン30から補充される薬液流量を検出部41で検出し、演算部42によって単位時間当たりの積算流量を求め、それを判定部43によって閾値と比較して、供給ライン30からの薬液補充量を監視する。これにより、貯留槽10への薬液の回収不足、薬液から析出した結晶物による回収溝24aの閉塞を早期に発見し、不必要な薬液補充を抑えることが可能になる。 (もっと読む)


【課題】基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体または気体が送入される槽TKと、槽TK内に液体または気体を送り出す機構と、を備え、槽TK内に被処理体1を配置して処理を行う基板処理装置であって、機構は、槽TK内に液体または気体を送出する第1送出手段TBaおよび第2送出手段Tbと、第1送出手段TBaからの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第1送入手段Aと、第2送出手段TBbからの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第2送入手段Bと、を備えた基板処理装置。 (もっと読む)


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