【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 希少金属層が設けられている基板から希少金属を剥離処理して、当該希少金属を高い効率で回収できる金属回収機構を有する基板処理装置の提供。
【解決手段】 基板を載置するステージ部Ｆと、
水蒸気及び水を含む混相流体を前記基板に噴射して前記基板上の希少金属を剥離する、混相流体噴射部Ｅと、
槽壁１７１、前記混相廃物を排出する排出管１７２、を有するチャンバ部Ｉと、
前記排出管から送られる混相廃物を液相と気相とに分離する気液分離機構１８１、該気液分離機構により分離された液相から希少金属を回収する固液分離手段１８２を有する、混相廃物中の液相に存在する希少金属を回収する第一処理部Ｇと、
前記第一処理部の気液分離機構から送られる気相に含まれる希少金属を回収するサイクロン式分離機構１９１を有する、混相廃物中の気相に存在する希少金属を回収する第二処理部Ｈと、
を具備する基板処理装置１００。 （もっと読む）

【課題】リセス等の形成に伴う処理で生じる残渣を適切に除去することができる化合物半導体装置の製造方法及び洗浄剤を提供する。
【解決手段】化合物半導体積層構造１を形成し、化合物半導体積層構造１の一部を除去して凹部４を形成し、洗浄剤を用いて凹部４内の洗浄を行う。洗浄剤は、凹部４内に存在する残渣と相溶する基材樹脂と溶媒とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板を洗浄する回転ブラシに、汚染粒子が静電吸着されることを防止することができる基板洗浄装置、基板洗浄方法、表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板９を搬送する搬送機構２と、基板９との摩擦によりマイナスに帯電する材料で形成され、基板９に接触して回転することにより基板９に付着している汚染粒子を除去する回転ブラシ３と、マイナスに帯電している微小気泡を含む洗浄液を回転ブラシ３に向けて供給する第１洗浄液供給部６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】配線パターンへのダメージを抑えつつ、硬化層が形成されたレジスト膜を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】硬化層を有するレジスト膜からなるマスクがその表面に形成された基板Ｗを処理する基板処理装置２において、基板保持部２３は基板Ｗを裏面側から保持し、押圧部３１には、この基板保持部２３に保持された基板Ｗの硬化層を突き刺して損傷させるための多数の突起が設けられており、移動機構３４、３４１は、基板Ｗの表面に対して前記突起を押し付けて硬化層に突き刺す押圧位置と、基板Ｗから退避させた退避位置との間で前記押圧部３１を移動させる。 （もっと読む）

【課題】 凝固体を形成するための冷却ガスを使用せず、基板を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｗに凝固対象液としての過冷却状態のＤＩＷを供給し、基板Ｗへ着液する衝撃でＤＩＷの凝固体を形成する。これにより、凝固体形成に必要な気体の冷媒を使用する必要がなくなり、気体の冷媒を生成する設備を不要とし、処理時間を短縮し、更にランニングコスト等を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】円形の基板の周縁部の上面及び下面に各々吐出された洗浄液が飛散して基板に再付着することを防ぐことができる技術を提供すること。
【解決手段】円形の基板を鉛直軸回りに回転させる基板保持部と、基板の中心側から外側に向かう方向に第１の液流を形成するように基板の上面の周縁部に向けて洗浄液を吐出するための第１の洗浄液吐出口と、基板の中心側から外側に向かう方向に第２の液流を形成するように基板の下面の周縁部に向けて洗浄液を吐出するための第２の洗浄液吐出口と、を備え、前記基板の上面の周縁部における前記第１の液流の到達点と、前記基板の下面の周縁部における前記第２の液流の到達点と、が基板の回転方向に離れるように液処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】高い効率でレジストを除去することのできるレジスト除去装置およびレジスト除去方法を提供すること。
【解決手段】レジスト除去装置は、レジスト層が形成された基板を載置するための回転駆動される載置台と、当該載置台に載置される基板上に水を含有する光反応性処理液を供給するための処理液供給手段と、当該処理液供給手段によって基板上に供給された光反応性処理液よりなる液膜を介して当該基板におけるレジスト層に紫外光を照射するための紫外線ランプとを備えており、前記載置台に載置された基板におけるレジスト層上の各部分が、当該載置台の回転に伴って、前記紫外線ランプによって形成される照射領域および非照射領域を交互に通過することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】めっき膜からデフェクトを容易に除去することが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を回転保持する基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に対してめっき液３５を供給するめっき液供給機構３０と、を備えている。また、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に対して物理力を印加することにより基板２を洗浄する物理洗浄機構７０が設けられている。物理洗浄機構７０は、基板２が乾燥されるよりも前に基板２に対して物理力を印加することにより、基板２上のめっき膜からデフェクトを除去する。 （もっと読む）

【課題】被加工物に洗浄液を噴射することによって切削屑が混入したミストが飛散しても、この飛散したミストに混入されている切削屑が再び被加工物の表面に付着することがないスピンナー洗浄装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持し回転可能なスピンナーテーブルと、スピンナーテーブルに保持された被加工物に洗浄液を噴射する噴射口を有する洗浄液噴射ノズルを備えた洗浄液噴射機構とを具備するスピンナー洗浄装置であって、洗浄液噴射ノズルの噴射口の背部を覆って配設された集塵傘と、集塵傘に設けられた吸引口に一端が連通して配設された吸引チューブと、吸引チューブの他端が接続された吸引源とを具備するミスト吸引手段を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の下面を効率良く洗浄することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置（１０）は、基板保持機構に保持された基板（Ｗ）の下面の下方に位置して基板の下面に処理液を吐出するノズル（６０）を備える。ノズルは基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間に配列された複数の第１の吐出口（６１）を有している。第１吐出口は、基板の下面に向けて吐出される処理液の吐出方向が基板の回転方向の成分を持つように形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子材料上のレジストを短時間で確実に剥離除去する。
【解決手段】電子材料を過硫酸含有硫酸溶液で洗浄してレジストを剥離洗浄し、その後ガス溶解水でウェット洗浄する。過硫酸含有硫酸溶液によるレジスト剥離後のウェット洗浄を、ガス溶解水を用いて行うことにより、洗浄に要する時間を従来法に比べて大幅に短縮することができる。過硫酸含有硫酸溶液は、硫酸溶液を電気分解することによって製造されたものであることが好ましく、レジストの剥離洗浄装置からの過硫酸濃度が低下した硫酸溶液を電解反応装置に送給して再生し、過硫酸濃度を十分に高めた硫酸溶液を洗浄装置に循環することにより、高濃度の過硫酸によりレジストを効率的に剥離除去すると共に、硫酸溶液を繰り返し使用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】凍結洗浄技術を用いて基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板処理技術を、簡易な設備で、しかも低ランニングコストで提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に常温よりも高い凝固点を有する凝固対象液を供給して液膜を形成し、その液膜を凝固させて基板表面に凝固対象液の凝固体を形成した後、その凝固体を融解除去している。したがって、従来技術において凝固のために必須となっていた極低温ガスを使用する必要がなくなる。このため、ランニングコストを抑制することができる。また、供給ラインの断熱が不要となるため、装置や周辺設備の大規模化を防止することができ、プットプリントの低減を図ることができるとともに、装置や周辺設備のコストも抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、特に、IC、ウェーハ基板上のWLP回路、及びPCBから、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための組成物と方法を提供することによって、上記限界及び欠点を克服する。
【解決手段】配線、ウェーハレベルパッケージング、及びプリント回路基板からフォトレジスト、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための改良された組成物と方法を開示する。一方法は、有効量の有機アンモニウム化合物と、約２〜約２０質量％のオキソアンモニウム化合物と、任意的な有機溶媒と、水とを含有する混合物と前記基板を接触させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨のプロセス後、シリコンからなる半導体ウェハから研磨された表面および裏面の研磨プロセスの残渣を取除く。
【解決手段】シリコンからなる半導体ウェハを半導体ウェハの化学機械研磨のプロセス直後に洗浄するための方法であって、ａ）半導体ウェハを研磨板から第１の洗浄モジュールに搬送し、搬送中、半導体ウェハの両側面に、少なくとも１回、１０００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｂ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｃ）半導体ウェハの側面に、７００００Ｐａ以下の圧力でフッ化水素および界面活性剤を含有する水溶液を吹付ける工程と、ｄ）半導体ウェハの側面に、２００００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｅ）半導体ウェハをアルカリ性洗浄水溶液に浸漬する工程と、ｆ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｇ）半導体ウェハに水を吹付ける工程と、ｈ）半導体ウェハを乾燥する工程とを、示す順に含む方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、超音波による洗浄装置および洗浄方法に関するものである。
【解決手段】 本発明の洗浄装置は、超音波を発生する超音波振動子と、超音波振動子に固定されて超音波を洗浄液に照射する超音波照射面が扁平な振動体とを具備する振動体ユニットと、振動体ユニットを回転して超音波照射面に交わる方向を軸として超音波照射面の角度を変える照射面角度制御部と、洗浄対象の基板を保持し基板を回転させる基板回転部と、振動体の超音波照射面を洗浄面に向けて一定間隔を保持しながら振動体ユニットを移動させる振動体移動機構と、超音波照射面と洗浄面との間に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、を備えるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜や基板などの損傷を抑制ないし防止し、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性に優れた多剤型半導体基板用洗浄剤、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に少なくとも第１剤と第２剤とを混合して使用する多剤型洗浄剤であって、前記第１剤がアミン化合物を含有し、前記第２剤が酸化剤を含有し、さらに炭酸アルキレンを組み合わせて用いる半導体基板用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、以下の成分（Ａ）〜（Ｄ）を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）有機酸
（Ｂ）スルホン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｃ）ポリビニルピロリドン及びポリエチレンオキシド−ポリプロピレンオキシドブロック共重合体から選ばれる少なくとも１種の高分子凝集剤
（Ｄ）水 （もっと読む）

【課題】 少ないアンモニアの使用量で半導体ウエハを効果的に洗浄する方法を提供すること。
【解決手段】 電気伝導度が１μＳ／ｃｍ以下である純水にアンモニアを添加してその濃度を０．００５〜０．５％としたアンモニア水中において生成させた、粒径が５０μｍ以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において１０〜１５μｍに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における個数が１０００個／ｍＬ以上である、空気および／または不活性気体を含有する微小気泡を含むアンモニア水を、半導体ウエハの表面に接触させて行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板に付着したパーティクルなどの異物汚染を効率的に除去することができ、半導体装置などの製品歩留りを向上させることができる基板のウェット洗浄方法を提供する。
【解決手段】 例えば洗浄薬液に超音波を与えてウエハを洗浄する場合、洗浄前のウエハ上に付着したパーティクル数の基板内分布と超音波洗浄槽内の音圧分布に基づいて、洗浄効率が最大となるような洗浄液中のウエハ配置方向を求め、求めたウエハ配置方向を洗浄すべきウエハに設定し、その配置方向を洗浄液中で維持しながら洗浄処理を行う。 （もっと読む）