【課題】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチング、アッシング後に残存するパターン側壁やパターン上部のバリアメタル上の残渣を低温、短時間で完全に除去でき、配線上部のバリアメタル上に粒状の異物が付着するのを抑制するレジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】
半導体素子や液晶パネル素子の製造工程において、ドライエッチング、アッシング後に残存するパターン側壁やパターン上部のバリアメタル上の残渣を剥離する際、フッ素化合物と1，10−フェナントロリン一水和物、1，10−フェナントロリン無水物、2，2’−ビピリジン、1，2，3−ベンゾトリアゾール、ピリジン、3，5−ジメチルピラゾール、ニトリロ三酢酸、プロピオン酸、および酢酸から選択される１種以上の水溶性化合物を含有することを特徴とするレジスト剥離液組成物で洗浄する（接触処理する）。 （もっと読む）

【課題】 基板上の所望の部位を良好に洗浄することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】 アルコール液供給部４０は、基板Ｗ上にアルコール液（例えば、イソプロピルアルコールやエタノール等）を含む処理液を供給し、基板Ｗ上には処理液の液膜ＬＦが形成される。超音波付与部７０は、基板Ｗ上に形成されている液膜ＬＦに伝達面を接液し、超音波振動を付与する。この場合において、処理液に含まれるアルコール液の比率、基板Ｗ上に液盛りされる液膜ＬＦの厚さ、超音波付与部７０から付与される超音波振動の発信周波数および発振出力等のパラメータが適切に調整されると、基板Ｗ上の超音波付与部７０の伝達面の対向部位ではパーティクルが良好に除去される。一方、対向部位以外の部位ではパーティクルの除去が抑制される。 （もっと読む）

【課題】基板の端面を含む周縁部に付着した付着物をブラシにより効果的に除去することができる基板洗浄装置を提供すること。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗを回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗを回転するモーター４と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗに洗浄液を供給する洗浄液供給機構１０と、洗浄時に基板Ｗの周縁部に接触する周縁部洗浄部２１ｃを有するブラシ２１、ブラシ２１を回転させる回転機構３３，３４、およびブラシ２１をウエハＷに押しつける押しつけ機構２７を有する洗浄機構２０とを具備する。周縁部洗浄部２１ｃは、径方向で洗浄力分布が形成されるように径方向に沿って状態が変化している状態変化部分５２を有する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板上に薄膜を供給するためのヘッドを開示する。ヘッドは、少なくとも基板の幅である第一および第二の端部間に延びる本体組立体を含む。本体は、第一および第二の端部間に画成された主ボアを含み、主ボアは、リザーバの上側に、主ボアとリザーバとの間の画成された複数の供給部を介して接続される。本体は、さらに、リザーバの下側に接続され、出口スロットへ延びる複数の出口を含む。複数の供給部は、複数の出口より大きな断面積を有し、複数の供給部は、複数の出口より数が少ない。 （もっと読む）

【課題】目的の微小気泡濃度を有する微小気泡を含む液体を確実に生成して供給することができる微小気泡生成装置および微小気泡生成方法を提供する。
【解決手段】微小気泡生成装置１０は、微小気泡を含む液体を生成する微小気泡発生部１１と、微小気泡を含まない液体を供給する液体供給部１２と、微小気泡発生部１１から微小気泡を含む液体を入れ液体供給部１２から微小気泡を含まない液体を入れることで微小気泡の濃度を調節するための微小気泡濃度調節槽１３と、微小気泡濃度調節槽１３内の微小気泡を含む液体中における微小気泡の濃度を測定する微小気泡濃度測定部１４と、濃度の測定結果により微小気泡濃度調節槽１３に入れる微小気泡を含む液体の量と、微小気泡濃度調節槽に入れる微小気泡を含まない液体の量を調節して、微小気泡を含む液体３０中の微小気泡の濃度を目的の濃度に調節させるための制御部８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、良好に除去できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、含フッ素化合物を含有する洗浄液に浸す浸漬工程を有する洗浄方法であって、前記含フッ素化合物が、炭素数５以上の直鎖または分岐構造のパーフルオロアルキル基を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜シリコンウェーハの多層構造に使用する薄膜シリコンウェーハの洗浄方法として特に効果的に使用することができ、シリコンウェーハ表面のみならずウェーハバルクの不純物も除去できるシリコンウェーハの洗浄方法及びこの洗浄方法で洗浄することによって高純度化したシリコンウェーハ、並びに本発明の洗浄方法によって洗浄された薄膜シリコンウェーハの複数枚を積層して作製される多層シリコンウェーハ構造及びその作製法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ表面に濃硫酸を滴下する工程と、前記シリコンウェーハ表面と前記滴下された濃硫酸との接触状態を維持する工程と、を含み、前記シリコンウェーハ内部に固溶している重金属不純物を前記濃硫酸中に抽出することにより前記シリコンウェーハ中の重金属不純物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、半導体回路素子の製造工程において、銅配線を腐食することなく基板表面の金属不純物を除去することが可能な、半導体基板の洗浄液組成物を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、半導体基板を洗浄する洗浄液であって、脂肪族ポリカルボン酸類を１種または２種以上と、塩基性アミノ酸類を１種または２種以上を含む洗浄液組成物とすることにより、銅配線を有する半導体基板の洗浄工程、とくに化学的機械研磨（ＣＭＰ）後の銅配線が露出した半導体基板の洗浄工程において、銅配線を腐食することなく金属不純物を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄装置及びその方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置は、基板を支持する支持プレートと基板の上部に具備され基板を保護する遮断部とを含む。遮断部は衝撃波を形成するために光が集結される焦点と隣接する部分が変更される。これにより、基板洗浄装置は衝撃波とともに発生するプルーム及び残留ビームが遮断部の特定領域に集中することを防止し、遮断部の損傷による基板の再汚染を防止できる。 （もっと読む）

【課題】低起泡性で泡切れ性にも優れ、かつ優れたパーティクルの除去性及びリンス性を実現する電子材料用洗浄剤を提供する。
【解決手段】式（１）で表されるアニオン性界面活性剤を含有する電子材料用洗浄剤で、０．２重量％水溶液の２０℃におけるロス・マイルス試験による起泡力が５０ｍｍ以下で、泡の安定度が５ｍｍ以下である電子材料用洗浄剤。


［Ｒ¹及びＲ²は炭素数１〜６のアルキル基で、Ｒ¹とＲ²の炭素数の合計は２〜７；Ｒ³は炭素数１〜３のアルキレン基；Ｒ⁴は炭素数２〜４のアルキレン基；Ｘ^-は−ＣＯＯ^-、−ＯＣＨ₂ＣＯＯ^-、−ＯＳＯ₃^-、−ＳＯ₃^-又は−ＯＰＯ₂（ＯＲ⁵）^-であって、Ｒ⁵は水素原子又はＲ¹（Ｃ＝Ｏ）_a−Ｎ（Ｒ²）−Ｒ³−（ＯＲ⁴）^b−で表される基；Ｍ⁺はカチオン；ａは０又は１；ｂは平均値であって０〜１０を表す。］ （もっと読む）

【課題】除去率が高く、ダメージが少ない洗浄処理を行うことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの表面（上面）に極性液体である純水を処理液ノズル３から供給し、ウエハＷの表面を純水で覆う。さらに、処理液ノズル３から純水を吐出させた状態で、純水よりも表面張力が低い低表面張力液体であるＨＦＥの液滴を、純水で覆われたウエハＷの表面に衝突させる。その後、ウエハＷを高速回転させて乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】薬液又は純水によってポリマー又は異物を確実に除去できるウェハ洗浄装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るウェハ洗浄装置は、半導体ウェハ３を保持するウェハ保持機構１と、前記ウェハ保持機構１を回転させる回転機構と、前記ウェハ保持機構１の上方に設けられ、薬液又は純水を前記半導体ウェハ３の表面に吐出する薬液ノズル５又は純水ノズル４と、前記ウェハ保持機構１の外側であって前記半導体ウェハ３のベベル部を覆うように配置され、前記ベベル部に前記薬液又は前記純水を一時的に保持する薬液保持治具６と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁層や窒化チタン層を有する半導体多層積層体においても、これらの層を浸食することなく、形成されているチタン被膜を除去することが可能なチタン除去液、及びそのチタン除去液を用いたチタン被膜の除去方法を提供する。
【解決手段】本発明のチタン除去液は、フッ酸、及び水溶性有機溶剤を含有し、水溶性有機溶剤が多価アルコールを含む。このチタン除去液は、全量に対して１．０質量％以下の過酸化水素を含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】タングステン又はタングステン合金を含む層や窒化チタン層を有する半導体多層積層体においても、これらの層を浸食することなく、形成されているチタン被膜を除去することが可能なチタン除去液、及びそのチタン除去液を用いたチタン被膜の除去方法を提供する。
【解決手段】本発明のチタン除去液は、フッ酸、防食剤、及び水溶性有機溶剤を含有する。防食剤としては、環内に窒素原子を２個有する含窒素５員環化合物が用いられる。 （もっと読む）

【課題】超音波洗浄における被洗浄物の洗浄ムラを抑制し、洗浄槽数を削減して装置のコストを低減することができ、パーティクル除去を効果的に行うことができる超音波洗浄装置および超音波洗浄方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、被洗浄物を浸漬して洗浄するための洗浄液を収容する洗浄槽と、該洗浄槽に超音波を伝搬するための伝搬水を収容する超音波伝搬槽と、前記超音波伝搬槽の下部に配置され振動子により超音波を前記伝搬水に重畳する振動板と、洗浄する被洗浄物を前記洗浄槽中に保持する保持治具とを具備し、前記被洗浄物が前記保持治具で保持されて前記洗浄槽内の洗浄液に浸漬され、前記洗浄槽が前記超音波伝搬槽内の伝搬水に浸され、前記振動板により重畳した超音波を伝搬水を介して洗浄槽に伝搬させて前記被洗浄物を超音波洗浄する超音波洗浄装置であって、前記超音波伝搬槽を水平面内で揺動させる伝搬槽揺動機構を具備する超音波洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】バンドソーやワイヤーソーなどでシリコンインゴットやシリコンブックなどを切断するなどの機械加工によってシリコン部材の表面に付着した金属成分及び汚れ成分を効果的に除去できるシリコン部材の表面処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明のシリコン部材の表面処理方法は、シリコンインゴット又はシリコンブロックを接着剤によって台座に固定した後、研磨材スラリーを供給しながら切断装置を用いて切断し、この切断されたシリコン部材の表面に付着した汚れ成分を除去するシリコン部材の表面処理方法において、（１）金属成分溶解用処理液で処理した後にシリコン部材の表面溌水性化剤で処理、又は、前記シリコン部材の表面溌水性化剤で処理した後に前記金属成分溶解用処理液で処理する工程、（２）前記シリコン部材をシリコン部材の表面親水性化剤で処理する工程を順に行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の全面からポリマーを良好に除去することができる、ポリマー除去方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面の周縁部、周端面および裏面には、ドライエッチング処理時に生じた第１種のポリマーを除去可能な第１ポリマー除去液が供給される。また、ウエハＷの表面の中央部（周縁部よりも内側の部分）には、アッシング処理時に生じた第２のポリマーを除去可能な第２ポリマー除去液が供給される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された絶縁膜や金属膜などの膜減りを生じることなく、その基板の表面からポリマーを良好に除去することができる、ポリマー除去方法およびポリマー除去装置を提供する。
【解決手段】基板の周囲の雰囲気が窒素ガス雰囲気に置換された後、その窒素ガス雰囲気下において、基板の表面にポリマーをエッチング作用により除去するためのふっ酸ベーパが供給される。そして、そのふっ酸ベーパの供給と並行して、基板が回転されるとともに加熱される。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理で生じた残渣物の除去が極めて容易に行え、全体の処理時間を短縮できるドライエッチング処理装置と処理方法を提供する。
【解決手段】処理ヘッド１０からＨＦを含むガスを吹出し、ＳｉＮｘを含む被処理物２の表面に上記ＨＦを含むガスを大気圧近傍下で接触させてエッチング処理する。処理ヘッド１０に隣接させて洗浄部２０を配置する。搬送手段６によって、被処理物２を処理ヘッド１０と対向させた直後に洗浄部２０と対向させる。洗浄部２０から水等の溶媒を吹出し、エッチング処理により生じたケイフッ化アンモニウム又はフッ化アンモニウムを溶媒に溶解して除去する。 （もっと読む）

【課題】被処理物の処理スピードを高め、しかもランプハウスへの白粉の付着によって処理ムラ等が発生することを防止できる紫外光洗浄装置を提供する。
【解決手段】ランプハウス３０には、紫外線ランプ３２群全体を四周から囲んで下面側を開放させた開放ハウジング３３が設けられている。開放ハウジング３３の天井部には、例えばステンレス板に１〜３ｍｍの孔を多数形成した多孔のガス拡散板３５を配置してあり、ここから清浄な窒素ガス（不活性ガス）を供給して、紫外線ランプ３２の周囲からワークＷの紫外線照射空間Ｘにかけて全体が窒素で満たされ、酸素がほとんど存在しない不活性ガス雰囲気に維持される。 （もっと読む）