【課題】
【解決手段】非ニュートン流体に変換される前駆物質流体を液相で保持するのに充分な圧力を、半導体ウエハが存在する容積内で維持する。前駆物質流体を液相で保持しつつ、半導体ウエハから除去するべき物質の近傍に前駆物質流体を供給する。半導体ウエハが存在する所定の容積内を減圧することにより、ウエハ上に位置する前駆物質流体が非ニュートン流体に変換される。非ニュートン流体への変換の際における前駆物質流体の膨張の作用と、ウエハに対する前駆物質流体の相対的な移動の作用とにより、変換後の非ニュートン流体が半導体ウエハから物質を除去する。 （もっと読む）

硬化フォトレジスト、エッチング後フォトレジスト、および／または下層反射防止コーティングをマイクロエレクトロニクス素子から除去するための方法および組成物が記載される。組成物は、濃厚流体、例えば、超臨界流体と、補助溶媒と、任意にフッ化物供給源と、任意に酸を含有する濃厚流体濃縮物とを含有することができる。濃厚流体組成物は、後続の加工前に汚染残渣および／または層を前記マイクロエレクトロニクス素子から実質的に除去し、したがって前記マイクロエレクトロニクス素子のモルフォロジー、性能、信頼性および収量を改善する。
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基板表面から極性流体を超臨界流体を使って除去する方法について述べる。洗浄できる基板としては、マイクロ電子工学装置（集積回路、マイクロ電子機械装置、および光学電子装置など）が含まれる。こういった装置の表面には、誘電体材料として使用されるような発泡ポリマーを含めることができる。極性流体を除去する上で有用な超臨界流体としては、一般に、超臨界状態にある酸素含有有機化合物、が含まれる。超臨界流体を用いた極性流体の除去をする際に、超臨界流体を用いた他の洗浄方法を補って、基板表面から微粒子を除去するようにしてもよい。 （もっと読む）

本発明のフォトレジスト剥離剤および洗浄組成物は、電子デバイスの表面の異なるタイプの金属の重層構造に使用したときに電気化学的腐食に耐性である、非水性かつ非腐食性の洗浄組成物により提供される。そのような非水性フォトレジスト剥離剤および洗浄組成物は、（ａ）少なくとも１種の極性有機溶媒、（ｂ）少なくとも１個の第一級アミン基および１個またはそれ以上の第二級および／または第三級アミン基の両方を有し、下式［式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４およびＲ_５は、Ｈ、ＯＨ、ヒドロキシアルキルおよびアミノアルキル基から独立して選択されてよく；Ｒ_６およびＲ_７は、各々独立してＨまたはアルキル基であり、ｍおよびｎは、各々独立して１またはそれ以上の整数であり、但し、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４およびＲ_５は、少なくとも１個の第一級アミン基および少なくとも１個の第二級または第三級アミン基が化合物中に存在するように選択される］を有する少なくとも１種のジまたはポリアミン、および、（ｃ）８−ヒドロキシキノリンおよびその異性体、ベンゾトリアゾール、カテコール、単糖、並びに、マンニトール、ソルビトール、アラビトール、キシリトール、エリスリトール、アルカンジオールおよびシクロアルカンジオールから選択される多価アルコールから選択される少なくとも１種の腐食阻害剤を含む。
【化１】

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【課題】
本願明細書では、裏面汚染物粒子を減少させる技術が開示されている。
【解決手段】
ある1つの特定の例示的実施形態において、この技術は、裏面汚染物粒子を減少させる装置として実現することが可能である。すなわち、上記裏面汚染物粒子（Backside Particles(BSP’s)）を減少させる装置は、加工室に収納された平面板へ洗浄物質を供給する洗浄物質送出メカニズムを有している。更にこの裏面汚染物粒子を減少させる装置は、制御装置とで構成され、この制御装置は、前記加工室を第1の圧力レベルに調整し；前記平面板の表面に前記洗浄物質を供給し；そして前記加工室を第2の圧力レベルに調整すると共に、これにより前記洗浄物質と共に汚染物粒子を前記平面板の表面から除去するように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

可動プラテンに搭載された基板（５）を清浄化する装置である。例示的な実施形態では、装置は、プラテンが基板を搬送するときに基板表面（５）を溶剤（７）で湿潤化する溶剤吐出ノズル（２５）を有する第１のチャンバ（２０）を備える。プラテンは、基板をプロセスチャンバの中へ搬送するときに、所定の方向へ所定の走査速度で移動する。プロセスチャンバは基板表面（５）から所定の高さ（ｈ）に高温ソース（３０）を有し、高温ソースは基板表面へ向けられた熱エネルギーを供給し、熱エネルギーが基板表面に吐出された溶剤（７）を蒸発させ、プラテンが基板を第１のチャンバ（２０）からプロセスチャンバの中へ搬送するときに、溶剤蒸発が基板表面から微粒子（３５）を除去する。清浄化された基板は、精密フォトマスク、又は、ウェハを含む。
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本発明は、一般に材料を処理するための方法に関する。より詳細には、本発明は反応性流体、および被覆材料、金属、非金属、層状材料、有機物、ポリマーおよび半導体材料を非限定的に含む付着材料を除去するための反応性流体の使用に関する。本発明は、半導体チップ生産のような商用プロセスに適用することが可能である。

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本発明は、エッチング残渣を除去するための改善された特性を有する新規溶液及び半導体製造におけるその使用に関する。本発明は、特に、半導体の製造プロセスの間にエッチング残渣及びパーティクルを除去しなければならないメタライジング部に対して及び表面に対して低いエッチング速度を有する水溶液に関する。 （もっと読む）

本発明は、別のウェハと接合するためにウェハの酸化表面を調製する方法であって、酸化表面には原子種が注入され、ＮＨ₄ＯＨとＨ₂Ｏ₂を使用して酸化表面を洗浄する第１ステップと、塩化水素種（ＨＣｌ）を使用して洗浄する第２ステップとを含み、第１ステップは、約１０Å〜約１２０Åでエッチングするように実行され、第２ステップは、約１０分間またはそれ以内の間、約５０℃以下の選択された温度で実行される。
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本開示は、半導体装置の製造中における化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）後の半導体ウエハの洗浄を検討する。金属特に銅の相互接続を含有するウエハのＣＭＰ後洗浄のための酸性化学剤が開示されている。残存スラリー粒子、特に銅または他の金属粒子は、金属を有意にエッチングすることなく、表面に付着物を残すことなく、または有意の有機（炭素のような）汚染質を表面に与えることなく、しかも金属を酸化および腐食から保護しながら、表面から除去される。さらに、溶液中の金属イオンを錯化し、誘電体からの金属の除去を促進し、ウエハ上への再付着を防止するために、少なくとも１種の強力なキレート化剤が存在する。酸性化学剤を用いると、ＣＭＰ後に使用される洗浄溶液のｐＨをウエハ表面で使用された最後のスラリーのそれとマッチさせることができる。 （もっと読む）