【課題】エッチング処理で生じた残渣物の除去が極めて容易に行え、全体の処理時間を短縮できるドライエッチング処理装置と処理方法を提供する。
【解決手段】処理ヘッド１０からＨＦを含むガスを吹出し、ＳｉＮｘを含む被処理物２の表面に上記ＨＦを含むガスを大気圧近傍下で接触させてエッチング処理する。処理ヘッド１０に隣接させて洗浄部２０を配置する。搬送手段６によって、被処理物２を処理ヘッド１０と対向させた直後に洗浄部２０と対向させる。洗浄部２０から水等の溶媒を吹出し、エッチング処理により生じたケイフッ化アンモニウム又はフッ化アンモニウムを溶媒に溶解して除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染、パーティクル汚染を、銅配線の腐蝕を引き起こすことなく、短時間で除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、（Ａ）有機酸と、（Ｂ）スルホン基またはフォスホン基を置換基として有するポリアミノカルボン酸とを含有する洗浄剤である。 （もっと読む）

【課題】弗酸処理によって半導体基板上に形成された酸化膜を除去する際に、ウォーターマークの発生や異物の付着を効果的に防止しうる半導体基板の処理方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を弗酸処理して酸化膜を除去する工程と、半導体基板の表面を親水化する工程とを有し、半導体基板の表面を親水化する工程は、過酸化水素水を投入した処理槽内で半導体基板を処理する工程と、処理槽内にアンモニア水を更に投入して半導体基板をアンモニア過酸化水素水で処理する工程とを有し、半導体基板の表面を親水化する工程の後に、半導体基板を塩酸過酸化水素水で処理する工程を更に有する。 （もっと読む）

本発明は反応空間を提供するチャンバと、前記チャンバ内部に設けられるステージと、前記ステージに対向して前記チャンバ内部に設けられるプラズマ遮蔽部と、前記ステージと前記プラズマ遮蔽部の間に基板を支持する支持台と、前記ステージに備えられ、前記基板の一面に反応ガス又は非反応ガスを供給する第１供給口と、前記プラズマ遮蔽部に備えられ、前記基板の他面に反応ガスを供給する第２供給口及び非反応ガスを供給する第３供給口と、を含む基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
このような本発明は単一チャンバ内で基板のエッジ領域及び背面領域にプラズマ処理を個別的に行うことができる。従って、装置の設置空間が減り、生産ラインの空間活用性を高めることができる。そして、チャンバ移動による大気露出がないので基板汚染が少なく、チャンバ移動による待機時間がないので全体的な工程時間を節約できる。 （もっと読む）

【課題】被処理物表面に対する親水化の処理効率を向上させる。
【解決手段】第１プラズマ生成部１１の第１電極１２，１２間に略大気圧の第１の放電空間１５を形成し、そこに第１処理ガスの窒素（Ｎ_２）を通してプラズマ化し、紫外領域の発光性を付与する。一方、第２空間形成部２１の第２空間２５で第２処理ガスの酸素（Ｏ_２）をオゾン化又はラジカル化して酸化能を付与又は強化する。第１放電空間１５を通過後の第１処理ガスを噴出部３０の第１噴出路３３から処理位置Ｐへ噴き付けるとともに、第２空間２５からの第２処理ガスを処理位置Ｐの近傍で前記第１処理ガスと合流させながら処理位置Ｐへ噴き付ける。第１放電空間１５を、第２空間２５より処理位置Ｐの近くに配置する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ブロック体２１は、ブラシ１１の上端面１１ａに接するように配置されている。ブロック体２１の上面には、円環状の貯留溝２４が形成されている。ブロック体２１には、ブロック体２１を貫通して、貯留溝２４の底面とブラシ１１の上端面とを接続する接続路２５が、複数形成されている。吐出口３７から貯留溝２４に向けて吐出された処理液は、貯留溝２４に溜められるとともに、接続路２５をブラシ１１の上端面１１ａに向けて流れる。ブラシ１１の上端面１１ａに達した処理液はブラシ１１の内部に浸透し、ブラシ１１の内部を通って第１接触面３２および第２接触面３３に供給される。 （もっと読む）

【課題】塗布膜に対する洗浄液の浸透を抑制し、それにより有効領域における塗布膜の隆起や傾斜を抑制することができる洗浄液供給装置、端縁洗浄装置、端縁洗浄液、および端縁洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の端縁からレジスト膜を除去するための洗浄液として、有機溶剤と純水との混合液を使用する。これにより、有機溶剤を単独で使用した場合と比べてレジスト膜に対する洗浄液の浸透が抑制される。したがって、基板の端縁に向けて吐出された洗浄液が有効領域のレジスト膜中に浸透することが抑制され、その結果、有効領域におけるレジスト膜の隆起や傾斜が抑制される。洗浄液中の純水の比率は、１．０重量％以上かつ５．０重量％未満とすればよく、３．０重量％以上かつ４．０重量％未満とすればより望ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する不純物を、銅配線の腐蝕や酸化を引き起こすことなく、有効に除去するできる半導体デバイス用洗浄剤を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有することを特徴とする。さらに、ポリカルボン酸を含有することが好ましい。下記一般式（Ｉ）中、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、少なくとも一つの窒素原子を含有するヘテロ環から水素原子１つを除いて形成される一価の置換基を表し、Ｌは二価の連結基を表す。
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【課題】 アルミニウムを腐食させることなく、レジスト除去ができる洗浄液を提供する。
【解決手段】 苛性ソーダ等の塩基性物質、塩化カルシウム等のアルカリ土類金属塩、ポリアクリル酸類及び水を含んでなる成分の組合せによる洗浄液ではアルミニウムを腐食させることなく、さらにアルミニウムの腐食を防止するアルカリ土類金属塩の水酸化物が沈殿として析出することなく用いることができる。さらに必要に応じてアルコール系、エーテル系、アミド系、含硫黄系、イミダゾリジノン系、ラクトン系の水溶性有機溶媒を用いることができる。洗浄液全体に対して、塩基性物質が０．０１〜２０重量％の範囲、アルカリ土類金属塩が０．００１〜５重量％の範囲、ポリアクリル酸類が０．００１〜５重量％の範囲、水が５０〜９９．９９重量％の範囲、水溶性有機溶媒が５０重量％以下の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】複数の吐出口から処理液を吐出させて基板に対して所定の表面処理を行う際に、基板を支持部材に均一に押圧させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】２つのノズル３Ａ，３Ｂが単一のノズルアーム３１に装着される。このノズルアーム３１が移動されてノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの各々にノズル３Ａ，３Ｂが同時に挿入される。各ノズル３Ａ，３Ｂには単一の吐出口３０１ａが開口しているのみであり、ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの開口部５２１を小さくすることができる。これにより、間隙空間ＳＰに発生する気流の乱れが低減される。しかも、各ノズル３Ａ，３Ｂは互いに同一形状に形成されるとともに各ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂが互いに同一形状に形成されているので、間隙空間ＳＰに発生する気流に与える影響を均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】異物の除去効率の低下を防止することができる洗浄用ローラおよびこの洗浄用ローラを備えた洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄用ローラ１は、円柱状のロール体１１と、このロール体１１の外周面に設けられた複数の突起部１２とを有する。各突起部１２は、平面楕円形状である。複数の突起部１２は、前記楕円の長軸が、ロール体１１の中央部を通り、円柱状のロール体１１の中心軸Ｂと直交する軸線Ａに対し一方向に傾斜するとともに、千鳥状に配置された第一の突起部群１３と、軸線Ａに対し、前記一方向とは異なる他の一方向に沿って前記楕円の長軸が傾斜するとともに、千鳥状に配置された第二の突起部群１４とで構成されている。第一の突起部群１３の傾斜方向と、および第二の突起部群１４の傾斜方向とは、軸線Ａを挟んで対称である。 （もっと読む）

【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Ｗは、処理容器１０内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、Ｎ₂ とＨ₂ との混合ガスがプラズマ発生部３０に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにＮＦ₃ ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段２２により冷却され、活性化されたＮＦ₃ ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Ｗの表面に形成される。Ｎ₂ 、Ｈ₂ 及びＮＦ₃ ガスの供給が停止され、加熱手段１９で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板の洗浄効率が向上した基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板洗浄装置は、基板がロードされるステージと、前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、前記基板に一端で接触して、音波を伝達しつつ前記基板を洗浄する振動子と、前記振動子の他端部に備わって前記音波を発生する圧電ユニットであって、互いに離隔された少なくとも二つ以上の圧電体を有する圧電ユニットと、を含み、好ましくは、前記音波は、前記圧電体から各々発生され、前記各発生された音波は前記基板に隣接する前記振動子の一端の表面で互いに補強干渉する（同位相で重畳する）、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板の表面からレジスト膜を効果的に剥離する。
【解決手段】基板処理装置１は、硫酸１０３を貯留する硫酸槽１０２と、過酸化水素水１４３を貯留する過酸化水素水槽１４２とを備える。基板処理装置１では、過酸化水素水１４３に半導体ウエハＷを浸漬することにより半導体ウエハＷの表面に過酸化水素水の液膜を形成し、表面に過酸化水素水の液膜が形成された半導体ウエハＷを高温の硫酸１０３に浸漬することにより、混合直後の高温ＳＰＭを半導体ウエハＷに接触させる。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスからバルクフォトレジスト材料および／または硬化フォトレジスト材料を除去するための方法および鉱酸含有組成物を開発した。鉱酸含有組成物は、少なくとも１種の鉱酸と少なくとも１種の硫黄含有酸化剤と任意選択的に少なくとも１種の金属イオン含有触媒とを含む。鉱酸含有組成物は、下に位置するシリコン含有層に損傷を与えることなく硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。
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【課題】ダングリングボンド密度が１４．０ｎｍ^-2よりも大きくて平坦な面を有するIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板を構成するダングリングボンド密度が１４．０ｎｍ^-2より大きい面を、アンモニウム塩を含む洗浄剤で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された構造物を損傷することを回避しつつ、基板に付着したパーティクルを効果的に除去する。
【解決手段】基板処理装置１は、冷却した処理液に不活性ガスを溶解させたものに半導体ウエハＷを浸漬し、当該処理液に超音波振動を付与することにより、半導体ウエハＷに付着したパーティクルを微小気泡で除去する。基板処理装置１では、溶解部１２８において、チラー１２６により冷却された処理液に不活性ガスが溶解させられ、溶解部１２８により不活性ガスが溶解させられた処理液１０４が処理槽１０２に貯留される。超音波振動子１５６は、伝搬槽１５２の底部、伝搬水１５４及び処理槽１０２の底部を介して、処理液１０４に超音波振動を付与する。 （もっと読む）

【課題】ロットに含まれる基板に対して所定の処理を施す際に、装置の稼働率を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】各処理ユニット１〜４では、予め規定された３つの測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣからパーティクルカウンタ４１〜４４の測定結果に対応する清浄度レベルが測定レベルとして設定される。一方で、ロット側でも、予め規定された３つの要求清浄度レベルから基板Ｗが属するロットに要求される清浄度レベルが要求レベルとして設定される。３つの測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣと３つの要求清浄度レベルＲＡ〜ＲＣとの間の対応関係に基づいて、要求レベルに応じて処理ユニット１〜４のいずれかが選択され、選択された処理ユニットで基板Ｗが処理される。 （もっと読む）

半導体集積回路用の半導体デバイス上に回路を製作及び／又は電極を形成するのに有用な、低減された金属エッチレート、特に低減された銅エッチレートを有するレジスト剥離剤を、それらの使用法とともに提供する。好適な剥離剤は、低濃度の銅塩又はコバルト塩を、銅塩又はコバルト塩の溶解度を改良するためのアミンと共に又はアミンなしで含有する。さらに、これらの方法に従って製造された集積回路デバイス及び電子相互接続構造も提供する。 （もっと読む）

【課題】ベベル部の汚染に起因する基板の処理不良を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。インターフェースブロック１５は、ベベル部検査ユニットＥＥを含む。ベベル部検査ユニットＥＥでは、基板Ｗのベベル部の検査が行われ、基板Ｗのベベル部が汚染されているか否かが判定される。ベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗとベベル部が汚染されていないと判定された基板Ｗとは、それぞれ異なる処理が施される。 （もっと読む）