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Fターム[5F157DB18]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 最適処理を目的とするもの (4,470) | 洗浄効果の向上 (574) | 特定除去異物に対するもの (230)

Fターム[5F157DB18]に分類される特許

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【課題】 被洗浄物上から付着物を効果的に除去可能な被洗浄物の洗浄方法を提供することである。
【解決手段】 スピンナテーブルに保持された被洗浄物に洗浄液を供給しながら洗浄する被洗浄物の洗浄方法であって、被洗浄物を該スピンナテーブルで保持する保持ステップと、該スピンナテーブルで保持された該被洗浄物上に少なくとも凝集剤を含む洗浄液を供給して、該被洗浄物上に付着している付着物を凝集させて付着物凝集塊を形成する洗浄ステップと、該洗浄ステップを実施した後、該被洗浄物を保持した該スピンナテーブルを所定の回転速度で回転させつつ該被洗浄物上に純水を噴出して、該被洗浄物上の該付着物凝集塊を該被洗浄物上から除去する除去ステップと、該除去ステップを実施した後、該被洗浄物を保持した該スピンナテーブルを所定の回転速度で回転させて該被洗浄物を乾燥させる乾燥ステップと、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】レジストパターン及び乾式及び湿式エッチング残渣除去能力に優れ、アルミニウム及び/または銅を含む金属配線の腐食防止力に優れるだけでなく、基板の処理枚数が増えて経済性に優れたレジスト剥離液組成物及びこれを用いたレジストの剥離方法を提供する。
【解決手段】本発明はレジスト剥離液組成物及びこれを用いたレジストの剥離方法に関する。前記レジスト剥離液組成物はレジストパターン及び乾式及び湿式エッチング残渣除去力に優れ、特定のポリオール化合物を含むので、アルミニウム及び/または銅を含む金属配線の腐食防止力に優れる。また、特定のアミド化合物を含むので、多数の基板を処理することができ、原価節減に大きく寄与する。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れを生じさせることなく基板に付着した異物を除去する基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法では、基板が載置台に載置され(ステップS1)、載置台に載置された基板に所定の金属に対して化学結合性を有する有機物質、例えばフタロシアニンが蒸気の状態で供給され(ステップS2)、基板に付着した金属を含む異物と有機物質との結合物質の生成を促進するエネルギが基板に供給され(ステップS3)、載置台に載置された基板が所定温度に加熱されることにより基板から結合物質が揮発させられる(ステップS4)。 (もっと読む)


【課題】フォトマスクなどに用いられる石英基板の洗浄方法であって、傷が発生せず、洗浄効果も高い研磨した石英ガラス基板のスクラブ洗浄方法を提供する。
【解決手段】2流体ジェット洗浄によりスクラブ洗浄時にスクラブ材にからんで基板に傷をつけるような異物を除去し、その後、スクラブ材として30%圧縮応力が20〜100kPa、20kPaにおける圧縮弾性率が50〜200kPaであるスクラブ材を用いて、スクラブ洗浄することで、スクラブ洗浄による傷の発生を抑制し、なおかつ基板の主表面のみならず端面まで細かい付着物を除去する。 (もっと読む)


【課題】異種基板と貼り合わせた窒化物系化合物半導体基板の一部を異種基板から除去することにより窒化物系化合物半導体層を異種基板上に製造する方法において、窒化物系化合物半導体層におけるリーク電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板等の支持基板20上に窒化ガリウム層30を有する基板生産物1を製造する方法であって、窒化ガリウム基板10の表面10aにイオン注入を行う工程と、表面10aを洗浄する工程と、表面10aと支持基板20の表面20aとを互いに接合させる工程と、窒化ガリウム基板10のうち表面10aを含む部分を層状に残して他の部分を除去することにより、窒化ガリウム層30を支持基板20上に形成する工程とを含む。表面10aを洗浄する工程の際、洗浄後の表面10aにおけるFe,Cr,Ni,及びSiの密度を合計で1×1018[cm−3]以下とする。 (もっと読む)


【課題】デバイス後工程におけるシリコンウェーハの重金属汚染を防止する。
【解決手段】シリコン基板の裏面を研削することにより厚みを100μm以下とする裏面研削工程S31と、研削されたシリコン基板の裏面を研磨する裏面研磨工程S32と、シリコン基板の少なくとも裏面を酸水溶液に浸す重金属除去工程S33とを備える。本発明によれば、裏面研削工程などで導入される重金属が酸水溶液によって抽出され、これによりシリコンウェーハから重金属が除去されることから、デバイス後工程におけるシリコンウェーハの重金属汚染が防止される。 (もっと読む)


洗浄方法は、液体を介して基板を露光する際に用いられかつ前記液体と接する部材を洗浄する。前記部材をアルカリ溶液で洗浄し、次いで、前記部材を過酸化水素を含む溶液で洗浄する。
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【課題】TFTを用いた半導体装置において、TFT中の汚染不純物を低減し、信頼性のあるTFTを得ることを課題とする。
【解決手段】ガラス基板上のTFTの被膜に存在する汚染不純物を、フッ素を含有する酸性溶液を被膜表面に接触させ、酸性溶液を一定方向に流すことにより、被膜表面の汚染不純物を除去することにより、信頼性のあるTFTを得ることができる。なお、酸性溶液は、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合比が体積比で1:50のバッファードフッ酸を用いる。 (もっと読む)


【課題】 ウエハ等の被処理体の端部に付着した物質を迅速且つ確実に除去することができ、しかもチャンバ内の各部品のプラズマによる損傷を防止することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理方法は、上部電極5に第1の高周波電力を印加してプラズマを発生させると共に第1の高周波電力より周波数の低い第2の高周波電力をウエハWの下部電極4に印加するプラズマ処理装置1を用いて、下部電極4上に載置されたウエハWの端部に付着した堆積物Dを酸素ガスのプラズマによって除去する際に、酸素ガスの圧力を400〜800mTorrに設定し、下部電極4からウエハWを離した状態で上部電極5によって酸素ガスをプラズマ化することを特徴とする (もっと読む)


【課題】噴射ノズルおよび噴射ノズルを揺動する支持アームの汚染を防止することができるウエーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に水溶性の保護膜が被覆されたウエーハをスピンナーテーブルに表面を上側にして保持し、スピンナーテーブルを回転するとともに洗浄水噴射ノズルから洗浄水をウエーハの表面に向けて噴射しつつ洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心を通る領域から外周まで移動することにより、ウエーハの表面に被覆された保護膜を洗浄し除去するウエーハの洗浄方法であって、洗浄水噴射ノズルを支持し洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心を通る領域から外周まで揺動する支持アームが、揺動範囲において洗浄水噴射ノズルよりスピンナーテーブルの回転方向上流側に位置するように設定されている。 (もっと読む)


【課題】キャピラリ内でのパーティクルの発生を防止できるドライアイススノー洗浄装置を提供する。
【解決手段】供給源から供給された液化炭酸ガスを膨張させ冷却させるオリフィス3と、上記オリフィス3から噴射ノズル1に至るキャピラリ2と、上記キャピラリ2が接続されてドライアイススノーを噴射する噴射ノズル1と、上記噴射ノズル1に対してドライアイススノーの噴射ガスを供給する噴射ガス供給管4とを備え、上記キャピラリ2における噴射ガス供給管4の合流部よりも上流側の部分に、キャピラリ2を外側から加温する加温手段を設けたことにより、キャピラリ2内面をドライアイスの温度よりも高い温度に保ってキャピラリ2内面に薄いガス層を形成し、固体のドライアイスがキャピラリ2内面に衝突することを防止してパーティクルの発生を防止する。 (もっと読む)


【課題】有機溶剤を含んだ二酸化炭素を超臨界状態の洗浄剤として、この洗浄剤を洗浄チャンバー内に配された被洗浄物に接触させることにより、前記被洗浄物の洗浄を行う洗浄方法及び洗浄装置において、洗浄時間の短縮化を図ること。
【解決手段】界面活性剤と有機溶剤と超臨界状態の二酸化炭素を混合し、混合流体を被洗浄物に接触させて洗浄する洗浄方法において、前記混合を管内混合手段で行い、該管内混合手段の直後に被洗浄物を配置するとともに、前記混合流体においての重量割合は、二酸化炭素に占める有機溶剤の重量割合を20%以下とし、かつ界面活性剤の重量比率を有機溶剤と略同重量としたことを特徴とする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】Cu表面の酸化銅の除去および層間絶縁膜に付着したCu含有物残渣の除去を効率良く確実に行うことができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上のCu配線構造におけるCu表面の酸化銅膜および層間絶縁膜に付着したCu含有物残渣を有機酸含有ガスを用いて除去するにあたり、基板温度が相対的に低温の第1の温度になるように基板を加熱しつつ基板に有機酸ガスを含む処理ガスを供給してCu含有物残渣のエッチング除去を行う第1工程と、基板温度が前記第1の温度よりも高温の第2の温度になるように基板を加熱しつつ基板に有機酸ガスを含む処理ガスを供給して前記Cu表面の酸化銅膜を還元を主体とする反応により除去する第2工程とを行う。 (もっと読む)


超音波/メガソニック装置を用いた半導体基板の洗浄方法は、以下の工程を含む。つまり、チャックを用いて半導体基板を固定する工程と、超音波/メガソニック装置を半導体基板に隣り合うように配置する工程と、半導体基板上、及び、半導体基板と超音波/メガソニック装置との間の隙間に、薬液を注入する工程と、洗浄工程中のチャックの各回転毎に半導体基板又は超音波/メガソニック装置を時計回り又は反時計回りに回転することにより、半導体基板と超音波/メガソニック装置との間の隙間を変化させる工程とを含む。
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【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハWの洗浄処理を、ウエハWの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハWの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハWを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハWの表面に供給し、ウエハWの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】基板の表面からパーティクル汚染物質を洗浄するための装置及び方法は、粘弾性材料の層を表面上に塗布することを含む。粘弾性材料は、薄い膜として塗布され、実質的な液体様特性を示す。粘弾性材料を塗布された表面の第1のエリアには、粘弾性材料を塗布された表面の第2のエリアがその加えられる力を実質的に受けないように、外力が加えられる。外力は、粘弾性材料の固体様特性にアクセスするために、粘弾性材料の固有時間よりも短い持続時間にわたって加えられる。固体様特性を示す粘弾性材料は、表面上に存在するパーティクル汚染物質の少なくとも一部と少なくとも部分的に相互作用する。粘弾性材料は、固体様特性を示している間、パーティクル汚染物質の少なくとも一部と併せて表面の第1のエリアの領域から除去される。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】基板を洗浄するための方法が開示されており、その方法は、液体媒質が、洗浄される基板の一部を実質的に覆うように、基板の表面に液体媒質を供給する工程を備える。音響エネルギを生成するために、1または複数の変換器が用いられる。生成された音響エネルギは、液体媒質に印加された音響エネルギが液体媒質内でのキャビテーションを防止するように、基板および液体媒質メニスカスに印加される。基板に印加された音響エネルギは、液体媒質内に導入される音波に最大の音波変位を提供する。基板および液体媒質に導入された音響エネルギは、基板表面からの粒子汚染物質の除去を可能にする。除去された粒子汚染物質は、液体媒質内に取り込まれ、液体媒質によって基板表面から運び去られる。 (もっと読む)


【課題】樹脂容器の表面およびその内部に含まれる不純物を洗浄する樹脂容器の洗浄方法およびその方法により洗浄された樹脂容器を提供する。
【解決手段】本発明は、樹脂の表面張力の値よりも10mN/m以上低い表面張力の値を有する溶剤を用いて、樹脂または樹脂からなる樹脂容器を浸漬洗浄することを特徴とする樹脂容器の洗浄方法である。 (もっと読む)


【課題】 流体量や流体圧の増加を必要とせずに、短時間で効率的に被洗浄物の全面を洗浄可能なスピンナ洗浄装置を提供することである。
【解決手段】 被洗浄物を保持する保持面を有し回転可能なスピンナテーブルと、該スピンナテーブルに保持された被洗浄物に洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段とを備えたスピンナ洗浄装置であって、前記洗浄流体供給手段は、洗浄流体供給源に接続されたアームと、前記アームの先端に配設されて洗浄流体を前記保持面に向かって噴射する洗浄流体噴射ノズルと、前記スピンナテーブルに保持されて所定速度で回転される被洗浄物に対して、該アームの先端が該スピンナテーブルの回転中心を通るように該アームを揺動させる揺動手段とを含み、該洗浄流体噴射ノズルは、該アームの先端にロータリージョイントを介して配設され、該保持面と平行な面において該ロータリージョイントを中心に回転可能であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 被処理物を回転させながら処理液を供給する枚葉式ウエット処理において、被処理物表面に形成された導電性部材のガルバニックコロージョンを抑制可能であり、更には、ナノレベルのパーティクルをも除去することが可能なウエット処理装置及びウエット処理方法を提案する。
【解決手段】被処理物Wの被処理面Waの少なくとも一部を被覆する被覆手段13を備え、保持手段11に保持された被処理物Wの被処理面Waと被覆手段13との間に間隙gを形成した状態にて、処理液供給手段14により脱酸素状態の処理液を供給する。更に、被処理物Wの被処理面Waと対向する位置に配される対向電極31aと、被処理物Wに接続可能な被処理物用電極32との間に、電圧を印加する。 (もっと読む)


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