【課題】製造コストを増大させることなくウエハの上面に固着した異物を除去可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、収縮層形成工程と、亀裂形成工程と、除去工程とを含む。収縮層形成工程では、半導体装置の構成材料が積層されたウエハの上面に、前記構成材料よりも収縮率が高い収縮層を形成する。亀裂形成工程では、前記収縮層を収縮させて該収縮層に亀裂を形成する。除去工程では、前記亀裂が形成された前記収縮層を前記ウエハの上面から除去する。 （もっと読む）

【課題】クリーンかつダメージのない表面を半導体基板上に形成するための装置および方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層を形成する前にプラズマ洗浄プロセスに基板の表面を暴露するように適合された洗浄チャンバを含有するシステム。洗浄プロセスを基板に実施する前に、該洗浄チャンバの内部表面にゲッタリング材料を堆積することによって、該洗浄チャンバで処理された基板の汚染物を減少するための方法が用いられる。酸化およびエッチングステップが洗浄チャンバにおいて基板に繰り返し実施されて、エピタキシャルを配置可能な基板にクリーンな表面を暴露および生成する。一実施形態において、低エネルギプラズマが該洗浄ステップ時に使用される。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路及び／又は液晶のための半導体デバイス上に回路を作製し、及び／又は電極を形成するために有用な、金属及び合金エッチレート（特に銅エッチレート及びＴｉＷエッチレート）の低下したレジスト剥離剤及び、その使用方法の提供。
【解決手段】銅塩を添加するか、又は銅塩無しで、及び銅塩の可溶性を改善するためのアミンを添加するか、又はアミン無しで、低い濃度のレゾルシノール又はレゾルシノール誘導体を含有し、更に、これらの方法によって製造された集積回路デバイス及び電気的相互接続構造。 （もっと読む）

【課題】基板の主面への処理液の飛散を抑制しつつ基板の端面を局所的に処理できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、硬脆性基板の一種であるガラス基板（基板９０）の側端面９１Ｓをエッチングする。基板処理装置１００は、その外周面が基板９０の側端面９１に当接される当接面を形成するスポンジ体２１３（当接部材）と、スポンジ体２１３を回転させるスポンジ体回転駆動部２４０（回転駆動部）と、スポンジ体２１３に処理液を供給する処理液供給管２５１（処理液供給部）とを備える。搬送ローラー３１により＋ｙ方向に搬送される基板９０の側端面９１Ｓに対して、ｚ軸回りに回転するスポンジ体２１３の外周面が押し当てられることにより、基板９０の側端面９１Ｓのエッチングが行われる。 （もっと読む）

【課題】エッチング等における基板に付着するパーティクルを減らす。
【解決手段】基板を、前記基板を洗浄するための薬液に浸漬させ、前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、パーティクルを前記薬液内から除去し、前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出すことを特徴とする基板処理方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 モノメチルアミン・ギ酸塩を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料用シリコンについて、アルミニウムおよび鉄の洗浄効果に優れた洗浄方法とその多結晶シリコン塊、洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体材料用シリコンを用意する工程と、逆浸透精製処理と、イオン交換精製処理とを行った純水を用意する工程と、前記純水を用いて半導体材料用シリコンを洗浄する工程と、前記洗浄によって、純水洗浄後のシリコン表面に残留するアルミニウムおよび鉄が低減された半導体材料用シリコンを得る工程と、を含む洗浄方法および洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】超臨界乾燥処理時に、半導体基板上の金属材料がエッチングされることを防止する。
【解決手段】半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を洗浄して純水リンスする工程と、前記半導体基板の表面を純水からアルコールに置換する工程と、前記アルコールで濡れた前記半導体基板をチャンバに導入する工程と、前記チャンバ内から酸素を排出する工程と、前記アルコールを超臨界状態にする工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、超臨界状態の前記アルコールを気体に変化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。前記チャンバは、ＳＵＳによって形成され、内壁面に電解研磨処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの分割溝に滞留している粉塵を除去可能な粉塵除去方法を提供することである。
【解決手段】 外周部が環状フレームに貼着された粘着テープ上に貼着され、複数の分割溝により個々のデバイスに分割されたウエーハの該分割溝から粉塵を除去する粉塵除去方法であって、ウエーハが貼着された粘着テープ側を下方に露出するように環状フレームを支持するフレーム支持工程と、該粘着テープに配設されたウエーハを挟むように該粘着テープ側及びウエーハ側に一対の帯電板を位置付けるとともに該帯電板に直流高電圧を印加して該分割溝に滞留した粉塵を強制的に排出する電圧印加工程と、ウエーハの表面を洗浄して排出した粉塵をウエーハの表面から除去する洗浄工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の不要部位を、基板の有効領域への悪影響を抑えた状態で良好に洗浄することができる技術を提供すること。
【解決手段】エッチング工程にて曝されて表面側ベベル部に針状突起群Ｔが生成され、また裏面側のベベル部に複合化合物Ｐが付着したウエハＷを真空室内の回転ステージに載置する。真空室内には、ウエハＷの上方側及び下方側にガスクラスターノズルが設けられ、これらノズルから洗浄処理に対応した洗浄ガスのクラスターＣをウエハＷの表面側及び裏面側のベベル部に照射し、ガスクラスターＣの衝突による物理的作用とガスと除去対象部位との化学的作用とにより、針状突起群Ｔ及び複合化合物Ｐを除去する。さらに、パージガスをガスクラスターＣの照射箇所に吐出することで、洗浄により生じた飛散物のウエハＷへの再付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するスピンチャックと、基板Ｗの上面内の噴射領域Ｔ１に吹き付けられる処理液の液滴を生成する液滴ノズル５と、基板Ｗを保護する保護液を基板Ｗの上面に向けて吐出する保護液ノズル６とを含む。保護液ノズル６は、保護液が基板Ｗの上面に沿って噴射領域Ｔ１の方に流れるように基板Ｗの上面に対して斜めに保護液を吐出し、噴射領域Ｔ１が保護液の液膜で覆われている状態で処理液の液滴を噴射領域Ｔ１に衝突させる。 （もっと読む）

【課題】 処理液による処理中の基板への処理液の飛沫の付着を防止して清浄に保つことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 気体吐出ノズル１１は中心に開口１１ｇを有する円環状で、本体１１ａの外側の側面１１ｂには上下２列に並んだ多数の外側気体吐出穴１１ｃが、開口１１ｇの側面１１ｄには１列に並んだ多数の内側気体吐出穴１１ｅが形成される。処理中に、基板Ｗは外側気体吐出穴１１ｃ、内側気体吐出穴１１ｅからの気体により覆われて液の飛沫が付着することがない。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の接触角が小さい場合であっても、パーティクルの除去率を増大させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗは、表面Ｗｆを上方に向けた略水平姿勢の状態でスピンチャック２に保持される。その後、疎水化剤吐出ノズル５から基板Ｗの表面Ｗｆに疎水化剤が供給されて、基板Ｗの表面Ｗｆが疎水化される。その後、処理液吐出ノズル９７から基板Ｗの表面Ｗｆに処理液が供給されることにより処理液の液膜が形成される。その後、冷却ガス吐出ノズル３から基板Ｗの表面Ｗｆに冷却ガスが吐出されて、液膜が凍結される。その後、融解液吐出ノズル６から基板Ｗの表面Ｗｆに融解液が吐出されて、凍結膜が融解、除去される。 （もっと読む）

【課題】複数の処理液供給部を基板の裏面側に配置することが可能な液処理装置、及びこの液処理装置における液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の裏面周縁を支持し、前記基板を回転する基板支持部材と、前記基板支持部材により支持される前記基板の一方の面に対して処理を行う少なくとも２つの処理部と、前記基板支持部により支持される基板の中心に対応する位置に配置され、第１の回転軸の周りを回転する第１の回転部と、前記第１の回転部から第１の方向に離間して配置され、前記第１の回転軸と平行な第２の回転軸の周りを回転する第２の回転部とを備える液処理装置が提供される。少なくとも前記第１の回転部の回転により、前記少なくとも２つの処理部が前記第１の方向に沿って互いに平行に、且つ前記第１の方向と直交する第２の方向に移動できるように前記第１の回転部及び前記第２の回転部に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】イオン注入されたレジストを除去する際に、レジスト生じた好ましくない化学的変化の影響を小さくできる方法、装置および化学物質を提供すること。
【解決手段】実施形態の方法は、炭化材料および有機材料の少なくとも一方を半導体構造から除去する方法であり、超酸種を具備する超酸組成に前記半導体構造を接触させることを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置において処理液の飛散を抑制する。
【解決手段】基板処理装置では、回転する基板９の上面に向けてノズル３４から処理液を吐出することにより、基板９に対する洗浄処理が行われる。基板処理装置では、ノズル３４から吐出された処理液が基板９に接触する位置における処理液の接触方向の水平成分が、接触位置における基板９の回転の接線方向を向く、または、当該接線方向から径方向外側に傾斜する。これにより、基板９上の処理液の基板９の回転に伴う移動が、ノズル３４からの吐出される処理液により阻害されることが抑制される。その結果、基板９上を移動する処理液とノズル３４から吐出される処理液との衝突の勢いが低減され、基板９から上方へと処理液が飛散することをより抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御することにより、基板へのパーティクル等の付着を防止し、基板の処理環境を一様にできる
【解決手段】ステップＳ４の基板搬出動作において、チャンバー１１内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかが判断される（ステップＳ４２）。チャンバー１１内を陽圧にすべきと判断された場合、ドライエア供給装置３１に内蔵された発生器内インバータを調整して、ドライエアの供給量を増加させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開口が絞られる（ステップＳ４３）。チャンバー１１内を負圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵された発生器内インバータを調整して、ドライエアの供給量を減少させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３を開放している（ステップＳ４４）。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を一括して容易に乾燥することができる乾燥ユニットおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】乾燥部７０は、複数の基板Ｗを一括して乾燥させる乾燥ユニットである。乾燥部７０は、主として、乾燥チャンバ７１と、貯留槽７２と、排出管７１ａ、７２ａと、バルブ７１ｂ、７２ｂと、吐出ノズル８７（８７ａ、８７ｂ）と、を備えている。ＩＰＡによる純水の置換処理において、貯留槽７２に複数の基板Ｗが浸漬されると、吐出ノズル８７から乾燥チャンバ７１内にＩＰＡの蒸気が供給され、純水８０ａの液面８０ｂにＩＰＡの液膜８０ｃが形成される。続いて、貯留槽７２から純水８０ａが排出され、ＩＰＡの液膜８０ｃが、下降させられる。そして、各基板Ｗの基板面とＩＰＡの液膜８０ｃとが接触することによって、各基板Ｗに付着した純水が、ＩＰＡに置換される。 （もっと読む）

【課題】誘電率値に不利に影響せずに基板を効果的に洗浄することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置は、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を有する活性ガスを形成するために水素含有ガスを遠隔励起するリモートソースを有する。本装置は、基板支持体と、遠隔励起ガスをろ過して、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種の第二比率を有し、第二比率が第一比率と異なる、ろ過された励起ガスを形成するイオンフィルタと、チャンバにろ過された励起ガスを導入するガス分配器とを備えたプロセスチャンバを有する。 （もっと読む）

【課題】被照射物に付着した有機物等の汚染物と大気中に含まれる汚染物質との反応生成物が被照射物に付着することを防止または抑制することができ、従って、所要の光洗浄処理を確実に達成することができる光照射装置を提供する。
【解決手段】エキシマランプと、このエキシマランプを取り囲むよう設けられた、当該エキシマランプからの光を外部に出射する開口および内部のガスを排出するガス排出口を有するランプハウスと、このランプハウスの開口から当該ランプハウスの内部に大気を導入し、当該ランプハウスのガス排出口から排出するガス排出機構とを備えてなり、前記エキシマランプには、その放射光が前記ランプハウス内におけるガス流通路を形成する壁面に照射されないよう当該放射光を遮蔽する光遮蔽手段が設けられている。 （もっと読む）