【課題】生成される有機溶剤の蒸気の濃度を高くすることができるとともに、有機溶剤の加熱を効率的に行うことができる蒸気発生器、蒸気発生方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】蒸気発生器１０は、流路管１４、１６、１８と、流路管１４の一端に有機溶剤の液体を供給する液体有機溶剤供給部３０と、流路管１４、１６、１８を加熱する加熱部２０、２２、２４と、を備えている。流路管１４、１６、１８は、一端から他端に向かうに従ってその断面積が大きくなるよう構成されている。流路管１４の一端に供給された有機溶剤の液体が加熱されて流路管１８の他端から有機溶剤の蒸気が流出されるようになっている。基板処理装置６０は、上述の蒸気発生器１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】微細な凹部に付着した異物の除去が可能な異物除去方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ１３の先端を、異物５が存在する凹部１１に向けて下降させ凹部（溝）１１の底面１１ａにカーボンナノチューブ１３の先端を接触させた後、さらにカーボンナノチューブ１３を下降させてカーボンナノチューブ１３をたわませてカーボンナノチューブ１３の側面１３ａを凹部１１の底面１１ａに押し付け、その側面１３ａを凹部１１の底面１１ａに押し付けた状態のままカーボンナノチューブ１３を凹部１１の底面１１ａ上で移動させることで、異物５に対して力を加える。 （もっと読む）

【課題】基板処理効率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１において、被処理面を有する基板Ｗを保持して回転させる回転機構５と、回転機構５により回転する基板Ｗの被処理面に対して処理液を供給する供給ノズル６と、供給ノズル６を基板Ｗの周縁に向かって並ぶ複数の供給位置に順次移動させる移動機構７と、供給ノズル６により処理液が供給されている箇所の被処理面の表面状態変化を検出する検出部８と、検出部８により検出された表面状態変化が許容値以下になった場合、供給ノズル６が次の供給位置に移動するように移動機構７を制御する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ノズルの入れ替えに要する時間を短縮可能な技術を提供する。
【解決手段】ＤＩＷ供給部１３が移動するエリア内に、現像ノズル２１と純水ノズル１３０との干渉エリアＡｉを特定する。基板Ｗに対する純水の吐出処理（プリウェット処理）を終えた純水ノズル１３０が、干渉エリアＡｉの外に移動したことが確認されると、現像ノズル２１が所定の待機位置Ｔ２１から基板Ｗの上方の吐出開始位置へと移動開始する（ＡＲ１３）。 （もっと読む）

【課題】ノズル同士の衝突を避けつつ、ノズルの稼働率を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】制御部は、現像ノズル２１を、第１の高さにある水平面（移動走行面Ｈ１）上で移動させることによって、現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させる（ＡＲ２，ＡＲ６）。ただし、移動走行面Ｈ１は、純水ノズル１３０の移動エリア（純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０と待避位置Ｔ１３０との間で移動させる際に純水ノズル１３０が移動するエリア）の上方に形成される。したがって、純水ノズル１３０との干渉を考慮せずに自由に現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させることが可能となり、これにより、現像ノズル２１と純水ノズル１３０との稼働率が向上する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の基板処理部に所定流量・所定濃度の処理液を精度良く供給すること。
【解決手段】本発明では、処理液供給部(24)から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部(11〜22)で基板(２)を処理する基板処理装置(１)において、基板処理部(11〜22)で同時に使用する処理液の流量が処理液供給部(24)で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部(24)で制御可能な流量以上になるように処理液供給部(24)から処理液を供給し、基板処理部(11〜22)で同時に使用する処理液の流量が処理液供給部(24)で制御可能な流量の場合には、基板処理部(11〜22)で同時に使用する流量の処理液を処理液供給部(24)から供給するように制御することにした。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を処理する基板処理装置及び該基板の搬送方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は受け取り部材、搬送部材及び制御部を備える。搬送部材は受け取り部材に基板を載置又はピックアップする複数の搬送アームを備える。制御部は搬送アームの速度を調整して同時に駆動される搬送アームが目標地点に同時に到達するように制御する。これによって、搬送部材は複数の基板を受け取り部材に一度に載置又は取り出すことができるので、基板処理装置は搬送時間を短縮させ、生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面を、銅配線の腐食を引き起こすことなく、有機物汚染、パーティクル汚染を、短時間で除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、シクロヘキシル基を有する化合物を含有する半導体表面用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】装置を複雑化、大型化させることなく、ウエハのエッジに付着した異物をていねいに洗い落とす。
【解決手段】洗浄ブラシ７と９の駆動機構は、プッシュピン５、プッシュリング６、回転アーム８などから構成され、共通化されている。プッシュリング６が下降して、最下点に位置しているときには、バランスウエイト１０は、ケーシング２の傾斜面１６に当接しているため、回転アーム８の回転が抑止されている。プッシュリング６が上昇すると、バランスウェイト１０はケーシング２の傾斜面１６から離れるようになる。すると、バランスウエイト１０に加えられる重力により、回転アーム８が紙面時計回りに回転する。この結果、洗浄ブラシ７がウエハＷの下面の周縁部に接触するとともに、洗浄ブラシ９がウエハＷの端面部に接触するようになる。 （もっと読む）

【課題】アッシング及びクリーニング時における処理均一性と処理スピードを改善向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】二周波電力同時供給バッチ式プラズマ処理装置は減圧反応容器１１を備える。被処理物を置くテーブル部を兼ねた第一電極１２が設置され周波数１３．５６ＭＨｚの発振器１３からインピーダンス整合器１４を介して高周波電力が供給される。更に第二電極１５には整合トランス１６を介して４０ＫＨｚの発振器１７から低周波電力が同時に供給される。反応ガスは第二電極１５へシャワー状に中空孔加工されたガス噴出口２２から導入され、高周波電力と低周波電力の結合により発生した高密度で高エネルギーなプラズマ中の荷電粒子が被処理物を囲む第二電極間１５で左右交互に加速且つ揺り動かされる。 （もっと読む）

【課題】電解硫酸の生成のための電流効率を向上させるとともに、同時に、レジスト等の洗浄剥離効率を高めることのできる電解硫酸による洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】硫酸電解槽１に外部より第１の硫酸溶液を供給して電解を行い、前記硫酸電解槽１内に酸化性物質を含有する第１の電解硫酸を生成する工程と、前記硫酸電解槽１に、外部より、先に供給した第１の硫酸溶液より濃度の高い第２の硫酸溶液を供給して、前記硫酸電解槽１内において、前記第２の硫酸と前記第１の電解硫酸とを混合するとともに、更に、電解を行い、前記硫酸電解槽１内に硫酸と酸化性物質を含有する第２の電解硫酸よりなる洗浄液を生成する工程と、前記洗浄液を用いて洗浄対象物２３の洗浄処理を行う洗浄処理工程とを備えたことを特徴とする電解硫酸による洗浄方法及び当該洗浄装置を用いた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】洗浄・乾燥時間の短縮が図れると共に、乾燥縞の欠陥除去を図れるようにした現像処理方法及び現像処理装置を提供する。
【解決手段】露光された半導体ウエハＷの表面に現像液を供給して現像を行った後に、ウエハの表面に純水を供給して洗浄を行う現像処理方法において、ウエハを水平に保持したスピンチャックを鉛直軸回りに回転させながらウエハの中心部上方からリンスノズル５８より純水を供給すると同時に、リンスノズルに隣接するディフューザ５３によりウエハの回転により生じる気流Ａを純水の液膜Ｆに誘導拡散し、リンスノズルとディフューザとを平行状態にしてウエハの中心部からウエハの外周縁に向かって径方向に同時に移動させて、ウエハの洗浄及び乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】ウェーハを固定することなく洗浄して、ウェーハを把持し直す作業を省略してウェーハの洗浄時間を十分に短縮する。
【解決手段】ウェーハの洗浄方法は、ウェーハ１１径よりも小さな外径を有する水平に設置される円盤状のベース１２からベース全面にわたって純水を均一な高さに噴出させて噴出した純水によりベース上方にベースと同心に置かれる円板状のウェーハを水平に浮上させ、ベースから噴出する純水によりウェーハの下面を洗浄する。洗浄装置１０は、ウェーハ径よりも小さな外径を有し全面に複数の同一径の噴出孔１３ｄが形成されベース内部に噴出孔に連通する中空部１２ａが形成された水平に設置される円盤状のベース１２と、中空部を介して複数の噴出孔から純水をベース全面にわたって均一な高さに噴出させる純水供給手段２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】この発明は、洗浄液を、第２処理槽内に滞留させることなく効率よく排出及び濾過することができる被処理物洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物Ａの浸漬洗浄処理が完了した際に、第２処理槽２Ｂに貯留されたフッ素系溶剤Ｃを、そのフッ素系溶剤Ｃの自重を利用して第２処理槽２Ｂの底部に接続された排出路２ｆから下方へ排出して貯液槽７へ供給する。第２処理槽２Ｂと貯液槽７との間に重力に沿ったフッ素系溶剤Ｃの流れを作ることができるので、フッ素系溶剤Ｃの全体を、第２処理槽２Ｂ内の角隅部等に滞留させることなく貯液槽７へ供給することができる。これにより、フッ素系溶剤Ｃの全体を排出及び濾過する際に要する時間が短縮され、作業の能率アップ及びレベルの高い濾過が行える。 （もっと読む）

【課題】表面に酸化銅が形成された銅膜を有する基板に対し、有機酸にてドライクリーニングを施して酸化銅を除去する際に、その終点を簡便にかつ高精度で、迅速に検出することができる終点検出方法を提供すること。
【解決手段】処理室内に有機酸ガスを導入してドライ洗浄処理を行っている際の処理室内のガスまたは処理室から排出されたガスの分析を行って、酸化銅が形成されている際と酸化銅が除去された際との所定のガス成分の濃度変化に基づいて終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】この発明は回転テーブルを高速回転させて基板を処理するとき、基板が回転テーブルの係合ピンから外れないようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を回転させながら処理する処理装置であって、回転テーブル１１と、回転テーブルを回転駆動するモータ８と、回転テーブルの上面に設けられた基板の下面を支持する支持ピン１９及び基板の外面に係合する係合ピン２０と、回転テーブルの下面に径方向に沿って位置決め可能に設けられ回転テーブルの回転速度が増大するにつれて径方向の外方に位置決めされて係合ピンの遠心力によって生じる回転テーブルの周辺部を下方へ撓ませる力を打ち消す力を発生するバランスウエイト２４を具備する。 （もっと読む）

【課題】超音波を用いた枚葉式の洗浄装置において、洗浄速度に優れ、かつ、被洗浄物（ウエハ）の全面を均一に洗浄できる洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置１０に、超音波振動子２１から伝搬する超音波を照射する照射面２０ａを両側に備え、かつ、それら２つの照射面２０ａ内に洗浄液を噴出する噴出口２０ｂをそれぞれ備えた振動体２０と、照射面２０ａのそれぞれと対向するウエハ５０を平行に並べて保持するガイドローラ１１ｃとを設ける。照射面２０ａ内に配置された噴出孔２０ｂから洗浄液を噴出させつつ、超音波を照射面２０ａからウエハ５０に照射して洗浄を行うことで２つの被洗浄面を同時に洗浄できる。 （もっと読む）

【課題】第二洗浄機構を被処理体の周縁部の裏面に容易かつ迅速に当接させることと、保持部によって保持された被処理体の周りを囲むカップが設けられている場合には、当該カップの大きさを小さくすること。
【解決手段】処理装置は、被処理体を保持する保持部１と、保持部１によって保持された被処理体Ｗを回転させる回転駆動部６０と、被処理体Ｗの周縁部の一方の面に当接して洗浄する第一洗浄機構３０と、第一洗浄機構３０に連結され、被処理体Ｗの周縁部の他方の面に当接して洗浄する第二洗浄機構４０と、を備えている。第二洗浄機構４０は、揺動軸４５ａを中心に揺動可能となり、第一洗浄機構３０側に揺動されたときに被処理体Ｗの周縁部の他方の面に当接する。 （もっと読む）

【課題】真空室において収集したパーティクルを効果的に除去する処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置のロードロック室２６内にウエハ載置台１８に載置されたウエハ８Ａから熱泳動によってパーティクルＰを収集する集塵体４０ａを設け、集塵体４０ａからパーティクルを除去する手段として亜音速のガスを集塵体４０ａとウエハ載置台１８との間の密閉された空間Ｈ_２に流して集塵体に付着したパーティクルＰをガスと共にロードロック室２６の外部に回収する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜のシリコン残渣が除去できて、製造工程の簡素化、製造コストが低減される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法はシリコン基板１上にシリコンを含有するＡｌ合金膜３を形成する工程と、Ａｌ合金膜３上にレジストパターン４を設ける工程と、レジストパターン４をマスクとしてＡｌ合金膜３をエッチングする工程と、エッチ後洗浄する工程と、２流体ノズル６によってシリコン残渣５を除去する工程とを備える。 （もっと読む）