【課題】スループットを低下させることなく、ろ過効果を高めることが可能な薬液供給システムを提供する。
【解決手段】開示される薬液供給システムは、薬液を貯留する第１の容器および第２の容器と、第１の容器と第２の容器とを繋ぐ第１の配管に設けられ、第１の容器に貯留される薬液を第２の容器へ流す第１のポンプと、第１の配管に設けられ、第１の容器から第２の容器へ向かって第１の配管内を流れる薬液をろ過する第１のフィルタと、第１の容器と第２の容器とを繋ぐ第２の配管と、第２の配管に設けられ、第２の容器に貯留される薬液を第１の容器へ流す第２のポンプとを備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板洗浄方法および基板洗浄装置において、高いスループットを得られ、しかもパーティクル等を効果的に除去することのできる技術を提供する。
【解決手段】基板の上面に液膜を形成し（ステップＳ１０１）、凍結ガスとして例えば低温の窒素ガスを吐出する凍結用ノズルをスキャンして液膜を凍結させた後（ステップＳ１０２，Ｓ１０３）、凍結ガスよりも冷却能力の高い流体、例えば凍結ガスよりさらに低温の窒素ガスを吐出する冷却用ノズルをスキャンして凍結した液膜をさらに低温まで冷却する（ステップＳ１０４，Ｓ１０５）。その後、リンス処理により凍結膜とともにパーティクルを除去し（ステップＳ１０７）、基板を乾燥させる（ステップＳ１０８）。 （もっと読む）

【課題】必要な洗浄能力が得られる温度にまで加熱可能であり、固体表面の付着物に対する洗浄能力が十分高く、かつ洗浄後の排気に大型の設備を必要とせず、また短時間で洗浄処理を完了することができる洗浄用ノズルを提供する。
【解決手段】加熱及び加圧された水を常圧下にて沸騰させることにより得られる自己生成２流体Ｆを生成する洗浄用ノズル１であって、加熱及び加圧された水の流量を制御する流路を備えたオリフィス部２と、オリフィス部２の下流側に形成され、オリフィス部２の流路の断面積を拡大し、自己生成２流体Ｆを生成する拡径部３と、拡径部３の下流側に形成されると共にオリフィス部２の流路よりも広い断面積を有する流路を備え、自己生成２流体Ｆを下流側に案内する整流部４とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】電子材料のレジストの剥離処理に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る電子材料洗浄システムを提供する。
【解決手段】電子材料洗浄システムは、薬液洗浄手段１とウエット洗浄手段２と枚葉式洗浄装置３とを備える。薬液洗浄手段１は、機能性薬液貯留槽６と、この機能性薬液貯留槽６に濃硫酸電解ライン７を介して接続した電解反応装置８とを有する。この機能性薬液貯留槽６は、機能性薬液供給ライン１０を介して枚葉式洗浄装置３に機能性薬液Ｗ１を供給可能となっている。ウエット洗浄手段２は、純水の供給ライン２１と窒素ガス源に連通した窒素ガス供給ライン２２と、これら純水供給ライン２１及び窒素ガス供給ライン２２がそれぞれ接続した内部混合型の二流体ノズル２３とを備える。二流体ノズル２３の先端から窒素ガスと超純水とから生成される液滴Ｗ２を噴射可能となっている。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの表面を短時間で確実に洗浄することができるウエーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】スピンナーテーブルに保持されたウエーハの表面に洗浄水噴射ノズルから洗浄水を噴射してウエーハの表面を洗浄するウエーハの洗浄方法であって、スピンナーテーブルに保持されたウエーハの回転中心に洗浄水噴射ノズルを位置付ける噴射ノズル位置付け工程と、スピンナーテーブルを回転させ洗浄水噴射ノズルから洗浄水を噴射しつつ洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心から外周に向けて移動せしめる洗浄工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の基板を効率よく乾燥させることができる基板乾燥装置を提供すること。
【解決手段】基板乾燥装置１は、基板Ｗを回転させる回転機構１０と、基板Ｗにリンス液流Ｒｆを供給するリンス液ノズル２０と、リンス液Ｒの表面張力を低下させる物質を含有する乾燥気体流Ｇｆを供給する乾燥気体ノズル３０と、リンス液ノズル２０及び乾燥気体ノズル３０を移動させる移動機構４０とを備える。乾燥気体流Ｇｆは、表面ＷＡを投影面とする投影面上において乾燥気体ノズル３０から吐出された位置よりも基板Ｗに衝突した位置の方がノズル移動方向Ｄｎの下流側に位置しつつ、三次元空間において乾燥気体流Ｇｆの軸線Ｇａと基板Ｗの垂線Ｗｐとのなす角αが接触角の半分の角度である半分接触角以上かつ９０°から半分接触角を差し引いた角度以下の範囲で傾斜するように、乾燥気体ノズル３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハー洗浄プロセスにおける、完全ケミカルフリー・純水フリータイプのドライ型アッシングレス洗浄システム並びに洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面にレジストを有している基体を加温又は加熱せしめ、該加温又は加熱された半導体ウエハー表面上のレジストに対して、極低温マイクロソリッド微粒化ノズルから極低温マイクロ・ナノソリッド噴霧流体のジェット流を衝突させる。 （もっと読む）

【課題】従来の、ウエハなどを対象とする、純水などの洗浄液を用いた超音波振動体方式の枚葉式超音波スピン洗浄装置は、洗浄によってウエハ表面に与えるダメージが小さいといった利点を持つが、汚染物質などの異物を除去するための洗浄時間が長いといった課題を有しており、これを短時間化する必要がある。
【解決手段】超音波振動を伝播させる振動体の超音波照射面と、ウエハ表面の間隔における洗浄液を積極的に攪拌するように、振動体自体を超音波照射面内の垂直軸中心に回転させる構造とする。このことで、超音波振動によりウエハ表面から遊離して洗浄液中に浮遊する異物を再度ウエハ表面に付着する確率が大きく低下し、汚染洗浄液を洗浄作用領域である間隔部分から速やかに流出させることにより、洗浄時間の大幅短縮が可能となった。 （もっと読む）

【課題】基板に対して最終薬液処理の後に洗浄処理を行う場合に、薬液処理室の寸法上の設計の共通化を達成しつつ薬液除去効果を高めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】搬送される基板Ｗに対して最終薬液処理を行う薬液処理室３６と、薬液処理室３６の基板搬送方向下流側に設置され基板Ｗに対して置換水洗処理を行う置換水洗室４０とを備えた基板処理装置３００において、薬液処理室３６内に設けられ薬液処理を終えた基板Ｗに対して高圧の気体を噴出することにより基板に付着した薬液の除去を行う上下エアーナイフ３７、３７と、基板搬送方向下流側において薬液処理室３６と隣接する薬液除去領域７３内に設けられさらに基板に付着した薬液の除去を行う上下エアーナイフ７１、７１とを備え、薬液処理室３６において薬液処理が行われた後、二対の上下エアーナイフ３７、３７、７１、７１により薬液除去が行われた基板に対して置換水洗処理を行う。 （もっと読む）

マスキング材料、例えば、フォトレジストを除去するための方法、およびマスキング材料を除去することによって形成される電子デバイスが示される。例えば、マスキング材料を除去するための方法は、マスキング材料を、セリウムおよび少なくとも１つの追加的な酸化剤を含む溶液と接触させる工程を含む。セリウムは塩に含まれてもよい。塩は硝酸セリウムアンモニウムであってもよい。少なくとも１つの追加的な酸化剤は、マンガン、ルテニウムおよび／またはオスミウム含有化合物であってもよい。
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【課題】簡易かつ低コストでウエハ表面に形成されたレジスト膜を除去する方法及び装置を提供する。
【解決手段】表面上にレジスト膜が形成された複数のウエハを所定の間隔で平行配置するとともに、前記洗浄槽内にオゾン水を供給する。次いで、前記洗浄槽内で、前記ウエハの前記表面に沿うようにして前記オゾン水の上下流を形成し、前記レジスト膜を除去して洗浄する。次いで、洗浄後の前記オゾン水を排出する。 （もっと読む）

【課題】制御動作および／または装置動作の妥当性（レシピに適合するか否か）に関する検査を確実にかつ短時間に実施できるようにする。
【解決手段】この基板処理装置は、基板の処理手順を記述したレシピを記憶するレシピ記憶手段(193)と、レシピに対応した検査基準を記述した検査基準ファイルを生成する検査基準生成手段(16,191,192)と、検査基準ファイルを記憶する検査基準記憶手段(196)と、レシピに従う制御動作を実行する制御手段(16,190)と、制御動作を記録する制御動作記録手段(16,191)と、記録された制御動作と検査基準とを照合することにより制御動作の適否を判定する制御動作判定手段(16,191)とを含む。基板処理装置は、さらに、基板処理装置が実行した装置動作を記録する装置動作記録手段(16,192)と、記録された装置動作と検査基準とを照合することにより装置動作の適否を判定する装置動作判定手段(16,192)とをさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】使用済みスチームを拡散させることなく効率よく回収することができる半導体製造装置の洗浄装置を提供する。
【解決手段】純水スチーム生成容器１２と、スチーム供給管１７及びスチーム回収管１８からなる洗浄ノズル１６を有する半導体製造装置の洗浄装置１０のスチーム供給管１７の先端部に、スチーム供給口１９から噴射され、洗浄対象物３０に衝突した使用済み純水スチームが、スチーム供給管１７の先端部の外形表面に沿った流れを形成するような凸状の湾曲面１７ａが形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、洗浄特性に優れた洗浄液、洗浄方法、洗浄システム及び微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化性物質と、フッ酸と、を含み、酸性を呈すること、を特徴とする洗浄液が提供される。また、硫酸溶液を電気分解する方法、フッ酸が添加された硫酸溶液を電気分解する方法、若しくは、硫酸溶液と過酸化水素水とを混合する方法のいずれかの方法により、酸化性物質を含む酸化性溶液を生成し、前記酸化性溶液と、フッ酸と、を洗浄対象物の表面に供給すること、を特徴とする洗浄方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを非回転状態で保持する基板保持手段と、ノズル４と、処理液供給手段と、制御手段とを含む。ノズル４は、基板保持手段に保持された基板Ｗの主面の中央部に向けて流体を吐出する中央吐出口１１、主面の中央部を取り囲む環状の中間領域Ｔ１に向けて外向きに流体を吐出する中間吐出口１２、および中間領域Ｔ１を取り囲む環状の周縁領域Ｔ２に向けて外向きに流体を吐出する周縁吐出口１３を有する。処理液供給手段は、中央吐出口１１、中間吐出口１２、および周縁吐出口１３に個別に処理液を供給する。制御手段は、処理液供給手段を制御して、中央吐出口１１、中間吐出口１２、周縁吐出口１３の順番で処理液を吐出させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理時間の短縮を図ることができる洗浄方法、洗浄システム、及び微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】希釈硫酸溶液を電気分解して酸化性物質を含む酸化性溶液を生成し、高濃度の無機酸溶液と、前記酸化性溶液と、を洗浄対象物の表面に、個別に、順次または略同時に供給すること、を特徴とする洗浄方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板表面上の液膜を蒸発乾燥させることなく当該液膜を薄膜化する。
【解決手段】リンス工程においてＤＩＷ供給部から低温ＤＩＷを基板表面に供給して基板および液膜の温度が雰囲気の露点以下に調整し、基板表面上に形成された液膜を薄膜化する間（薄膜形成工程）、液膜および基板の温度が雰囲気の露点以下となっているため、基板表面上の液膜が蒸発乾燥することなく当該液膜を所望の厚さに薄膜化することができる。凍結工程を実行する際に冷却高湿度窒素ガスを凍結用冷媒として用いているが、単にＤＩＷの凝固点よりも低い温度まで冷やされた冷却ガスを用いるのではなく、水蒸気を飽和した高湿度状態のものを用いることで冷却高湿度窒素ガスの露点を凍結膜の温度とほぼ同一温度に調整している。したがって、液膜の薄膜化から凍結膜の形成に切り替わる際、凍結前の液膜が蒸発乾燥するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】キャリアの取り外しを必須とすることのない両面研磨装置用の洗浄装置を提供する。
【解決手段】ワークＷを嵌め込むホール２を有するキャリア３と、対向する上下一対の回転定盤４、５とを具え、回転定盤４、５の対向面に、研磨布６を夫々有する両面研磨装置１において、研磨布６に対し流体を吹き付けて、研磨布６を洗浄するにあたり、離間させた上下の回転定盤４、５間に、二股の先端部分９に流体を研磨布６に対し吹付けるノズル１０を有するアーム１１を挿入し、キャリア３を、上の回転定盤５側へと移動させて、ノズル１０をキャリア３のホール内に配置し、上下の回転定盤４、５を回転させ、ノズル１０をホール２内にてホール径方向に往復移動させつつ、ノズル１０から研磨布６に向かって流体を吹き付けて、両研磨布６を洗浄する方法である。 （もっと読む）

【課題】 基板表面に形成されたパターンの倒壊を防止するとともに濡れた基板を短時間で乾燥することができる基板乾燥方法及び基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】 基板表面Ｗｆ上の液体膜１１に対し、液体と互いに混合し難く、かつ液体の凝固点よりも凝固点が低い置換液を供給する。この置換液は液体の凝固点より高い温度を有しており、液体の流動性を損なわないままパターン上層に存在する液体のみ排除する。基板表面が置換液膜１２で覆われた後、基板を冷却して残留した液体を凝固させる。その後、基板表面Ｗｆ上の置換液を除去し、更に液体の凝固体を除去することで基板を乾燥する。これにより、パターン倒壊を防止するとともに、おおむねパターン深さに相当する薄さの液体の凝固体１５を形成することができ、乾燥に要する時間を短縮することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ランプハウス内に断面扁平４角形状のエキシマランプと、その上方に不活性ガス供給管が配置され、前記エキシマランプの上方壁には高圧側電極が、化法壁には低圧側（接地）電極が設けられたエキシマ光照射装置において、ランプとガス供給管の間に不所望の異常放電が発生することのない構造を提供することにある。
【解決手段】不活性ガス供給管の前記高圧側電極に対向する角部に電解集中回避手段を施したことを特徴とし、具体的には、角部を切り落とした平坦面とし、弧状面とし、あるいは、絶縁性被膜を被覆したことを特徴とする。 （もっと読む）