【課題】基板を洗浄処理した後、ＩＰＡ等の乾燥用溶剤を用いて乾燥した場合に、スループットを低下させることなく薬液を回収することができる洗浄装置および洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを回転させながら、ウエハＷに薬液洗浄を施し、リンス処理を施し、その後ＩＰＡによる乾燥処理を施す洗浄機構１は、排液カップ６および排液配管３１を洗浄するための洗浄液を、ウエハＷに供給されない状態で、排液カップ６に供給する洗浄液供給機構３９を有し、さらに洗浄機構１の各構成部を制御する制御部４０を有し、この制御部４０は、ウエハＷの洗浄処理、その後のリンス処理を実施させた後、ＩＰＡによる乾燥処理を行わせている際に、乾燥処理が実施されているタイミングで洗浄液を排液カップ６に供給させるように制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のバーンイン試験を行うソケットを複数備えたバーンインボードにおいて、各ソケットをバーンインボードから取り外すことなく、一括して洗浄する。
【解決手段】バーンインボード１０が備える複数のソケット７は、それぞれ半導体装置を収容する窪みが形成された収容部８が配置される上面、収容部８内に配置され、バーンイン試験の際に半導体装置の外部端子と接触して通電するコンタクトピンを、それぞれ有している。ここで、ソケット７の洗浄工程では、洗浄液１８ａが充填された洗浄槽１８に複数のソケット７の上面側が洗浄液１８ａに浸るように、バーンインボード（配線基板）１０を洗浄槽１８に配置して、複数のソケット７の上面にそれぞれ形成された収容部８内の気体を排気ノズル１８ｃを用いて収容部８の外に排出する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて効率良く洗浄作業を行うことができ、かつ、高い洗浄効果を得ることのできる半導体製造装置の洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の洗浄装置１００は、純水スチームを生成する純水スチーム生成容器２と、純水スチームを被洗浄部位へ供給する供給口１０と、純水スチーム生成容器２と供給口１０とを接続する純水スチーム供給ライン９と、純水を貯留する純水タンク５と、純水タンク５と純水スチーム生成容器２とを接続する純水供給ライン４と、純水供給ライン４に介挿された純水供給ポンプ６と、純水スチーム生成容器２内の純水の量を検知する重量センサ３と、重量センサ３からの信号に応じて純水供給ポンプ６を駆動し、純水スチーム生成容器２内に純水タンク５内の純水を供給する制御部２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えるプラズマを発生させずに気相でエッチングを行う。
【解決手段】シリコン酸化物１０１の除去に供される基板１０を格納したチャンバ２には大気圧よりも低圧のもと室温でテトラフルオロエチレンガスとオゾンガスが供される。オゾンガスはオゾン発生装置４から供される。オゾン発生装置４はオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化させて超高濃度オゾンガスを得る。チャンバ２は混合室と処理室を有するようにしてもよい。混合室、処理室はチャンバ２を上下二つの室に区画する仕切りによって成る。混合室にはテトラフルオロエチレンガスとオゾンガスが供される。混合室内のテトラフルオロエチレンとオゾンの混合ガスは基板１０を格納した処理室に移行する。仕切りは混合室内のガスを処理室内に移行させるシャワーヘッドを備える。シャワーヘッドは仕切りに複数の孔を形成して成る。 （もっと読む）

【課題】立ち上げ期間の短縮の可能な温超純水製造装置のユースポイント配管の立上洗浄方法を提供する。
【解決手段】温超純水製造装置のユースポイント配管の立上洗浄方法は、サブシシテム３に供給された一次純水Ｗ１をサブシステム３の超純水加熱装置７で加熱する。このとき、通常は、運転時の温超純水Ｗ２と同じ温度の洗浄水により、立上洗浄を行うが、本実施形態においては、超純水加熱装置７では運転時にラインＬ３に供給される温超純水Ｗ２の温度よりも高い温度、温超純水Ｗ２の温度よりも５℃以上高い温度の洗浄水を供給する。 （もっと読む）

【課題】急速排水弁における液溜まりを洗浄除去することにより、急速排水弁の構造に起因する処理槽への液漏れを防止して、基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】制御部６１は、処理液に基板Ｗを浸漬させて基板Ｗを処理した後、噴出管７から純水を内槽３に供給して基板Ｗをリンス処理させる。その際に、内槽３から薬液を含む処理液を排出しているので、シール部材１７を含む周辺部には薬液が付着した状態である。制御部６１は、リンス処理を行っている間、エアシリンダ３３を操作して、弁体２３を排出口１３から微小距離だけ離間させて純水を少量だけ排出させるので、その際に、シール部材１７を含む周辺部に付着している薬液が洗い流される。リンス処理において純水の比抵抗が短時間で回復するので、基板Ｗの洗浄処理を短時間で行うことができ、スループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】電極を保護する部材を用いることなく、クリーニング時の電極のエッチングを抑制すると共にクリーニング作業時間を大幅に短縮でき、電極保護による経済性の向上と、クリーニング作業時間の短縮化とを両立させて、クリーニング作業の高品位化を図ったプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】カソード電極３の上面部及び側面部にはガス噴出穴１３が複数開口されており、カソード電極３の下面部にはガス噴出穴１３と連通するガス供給口１４が形成されている。ガス供給口１４にはＨｅ又はＯ_２などのエッチング抑制ガス１５が供給されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の基板を水洗処理する場合に、純水の使用量を節減し、排液量を少なくし、処理時間を短縮することができる装置を提供する。
【解決手段】基板搬送方向における長さが基板Ｗの寸法より短くされた置換水洗室１０、置換水洗室内において基板を一方向へ連続して搬送する搬送ローラ、置換水洗室内の入口付近に配設された入口ノズル１６、入口ノズルより基板搬送方向における前方側に配設された高圧ノズル１８、および、置換水洗室内の出口側に配設されたエアーノズル２２を備えて置換水洗部２を構成した。置換水洗室１０内へ基板Ｗが搬入される前に入口ノズル１６および高圧ノズル１８からの洗浄水の吐出を開始し、置換水洗室内から基板が搬出された後に入口ノズルおよび高圧ノズルからの洗浄水の吐出を停止するように制御する。 （もっと読む）

【課題】基板上に発生した潮解性を有する汚染物質を簡便かつ確実に除去することができる洗浄方法、並びに装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る洗浄装置は、マスク基板１１上に汚染物質として発生した潮解性の汚染物質１５を除去する洗浄装置であって、汚染物質１５の周辺の相対湿度を、汚染物質の臨界湿度以上１００％未満に制御し、汚染物質を水滴化する冷却手段２３と、水滴化した汚染物質１５にレーザ光を照射する光源２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】 タンク内の材料液が減少した場合や濃度測定部の応答速度が遅い場合などにおいて、設定濃度を変更したとしても、短時間で測定濃度を設定濃度に安定させることができる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】
濃度制御部ＣＣが、前記温度測定部Ｔで測定された測定温度に基づいて、材料ガスが前記設定濃度となるためのタンク内圧力を算出する全圧算出部２４４と、前記設定濃度が変更された後の一定期間においては、設定圧力を前記全圧算出部２４４で算出されたタンク内圧力とする一方、その他の期間においては、設定圧力を前記測定濃度と設定濃度との偏差が小さくなる向きに変更する設定圧力設定部２４３と、前記圧力測定部２２で測定された測定圧力が前記設定圧力となるように第１バルブ２３の開度を制御する第１バルブ制御部２４２とを具備した。 （もっと読む）

【課題】 材料ガスの分圧が変動したとしても、混合ガスにおける材料ガスの濃度を一定に保つことができ、応答性が良く、バブリングシステムに容易に取り付けて濃度制御を行うことができる材料ガス濃度制御装置を提供する
【解決手段】 材料Ｌを収容するタンク１３と、収容された材料を気化させるキャリアガスを前記タンクに導入する導入管１１と、材料が気化した材料ガス及び前記キャリアガスの混合ガスを前記タンク１３から導出する導出管１２とを具備した材料気化システム１に用いられるものであって、前記導出管１２に接続され、前記混合ガスを流すための内部流路Ｂ１を有した基体Ｂと、前記内部流路Ｂ１を流れる混合ガスにおける材料ガスの濃度を測定する濃度測定部ＣＳと、前記内部流路Ｂ１において前記濃度測定部ＣＳよりも下流に設けられ、前記濃度測定部ＣＳによって測定された測定濃度を調節する第１バルブ２３とを具備しており、前記濃度測定部ＣＳと前記第１バルブ２３は前記基体Ｂに取り付けた。 （もっと読む）

【課題】
半導体基板やガラス基板の洗浄液やエッチング液として、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ナトリウムなどの水溶液が用いられるが、アルカリ成分中の金属不純物が処理中に基板表面に吸着してしまうため、次工程として吸着した金属不純物を除去する工程が必要となる。また洗浄液の場合には、微粒子の除去には効果があるが、金属不純物は洗浄出来ないために酸洗浄を行う必要があり、工程が複雑となる。本発明では、アルカリ性水溶液で金属不純物の吸着がない、さらには洗浄能力を持つ基板処理用水溶液組成物を提供する。
【解決手段】
アルカリ成分と、特定のキレート剤とを組み合わせた基板処理用アルカリ性水溶液により、金属不純物の基板への吸着を防止し、さらには基板に付着した金属を洗浄除去する。必要に応じて、金属防食剤および界面活性剤を加えて、金属材料の腐食を抑え、あるいは基板への親和性および微粒子除去能力を高めることも可能である。 （もっと読む）

【課題】装置価格の上昇を抑えつつ処理時間を短縮することのできるプラズマ洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマ洗浄装置１は、基板５０を搬送する搬送機構１５を備えた前チャンバ２と、主チャンバ入口１４に繋がっており、基板５０をプラズマ洗浄する高周波電極２５等を備えると共に、搬送機構１８を備えた主チャンバ３と、主チャンバ出口１７に繋がって、搬送機構２１を備えた後チャンバ４と、主チャンバ３に接続される主真空ポンプ７と、前チャンバ２および後チャンバ４に共通して接続される副真空ポンプ６とを備え、主真空ポンプ７によって真空引きされた主チャンバ３に前チャンバ２から基板５０を搬送するとき、および主チャンバ３から後チャンバ４に基板５０を搬送するときには、前チャンバ２、後チャンバ４を副真空ポンプ６で予め真空引きしておくものである。 （もっと読む）

【課題】基板処理動作の停止を要することなく必要な装置情報を複製でき、かつ、必要な装置情報のバックアップに要する時間を短縮できるようにする。
【解決手段】基板処理装置の動作に関する履歴情報を含む装置情報を記憶する第１記憶手段４１と、前記装置情報の複製情報を記憶するための第２記憶手段４２とが設けられている。第１記憶手段４１に記憶された装置情報の複製情報の格納先であるミラーリングフォルダ５０が第２記憶手段４２の記憶領域内に設定される。操作者がデバッグログ保存ボタン４５を操作すると、ミラーリングフォルダ５０Ａが新規作成され、従前のミラーリングフォルダ５０はリネームされてデバッグログフォルダ５４となる。第１記憶手段４１に記憶されている最新の装置情報の複製情報は、ミラーリングフォルダ５０，５０Ａに格納され、かつ、定期的に更新される。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面を、銅配線の腐食を引き起こすことなく、有機物汚染、パーティクル汚染を、短時間で除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、特定のトリアゾール化合物またはテトラゾール化合物を腐食防止剤化合物として含有する半導体基板表面用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】最外周誘導壁によって容器の開口部を開閉することにより、占有面積の小型化、及び処理の短時間化を実現する。
【解決手段】回転式処理装置１に、容器１Ａ、回転保持機構７、処理液吐出アーム３０、誘導壁１６，１７、及びエアシリンダ２２，２３を設けた。回転保持機構７は、容器１Ａの開口部３７から搬入された被処理基板３を水平に保持して回転させる。誘導壁１６，１７は、回転保持機構７の外周側に同心状に配置され、処理液吐出アーム３０から吐出された処理液の廃液を分別して排液する。エアシリンダ２２，２３は、誘導壁１６，１７のそれぞれを上端部が回転保持機構に保持された被処理基板３よりも上方に位置する回収位置と下方に位置する退避位置との間で昇降させる。誘導壁１６，１７のうち最外周誘導壁１７は、回収位置で開口部３７を閉鎖し、退避位置で開口部３７を開放する。 （もっと読む）

【課題】液処理後の液残りを少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができ、かつウエハ等の転倒を防止でき、スループットの向上を図れるようにする。
【解決手段】半導体ウエハＷを垂直に保持した状態で搬送する搬送手段を具備する基板処理装置において、搬送手段であるウエハボート５は、ウエハの下端部を支持する下側保持体２０と、ウエハの転倒時に該ウエハの下部側端部を保持する左右一対の上側保持体３０とを具備し、下側保持体は、ウエハの下端部を直接支持する保持溝２１を有する保持溝部２２と、該保持溝部に隣接して設けられ、保持溝によるウエハの支持が解かれた際にウエハを保持する転倒防止溝２３を有する転倒防止溝部２４と、を一体に形成してなる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物にダメージを与えるのを抑制して超音波洗浄し、被洗浄物から異物を除去することができる超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 超音波洗浄装置であって、少なくとも、被洗浄物を載置して保持するテーブルと、該テーブルによって保持された前記被洗浄物にガス雰囲気下で圧電振動子の振動を超音波伝搬体によって前記雰囲気ガスを介して伝搬させて超音波洗浄する洗浄手段と、前記洗浄手段の圧電振動子に高周波電圧を印加する超音波発振器とを具備し、前記超音波伝搬体の前記被洗浄物に超音波振動を伝搬する側の端面が、該端面の逆側の前記圧電振動子が配置される端面より先細の形状に形成され、前記洗浄手段で前記被洗浄物の表面に超音波振動を伝搬させて無接触でドライ洗浄するものであることを特徴とする超音波洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理装置であって、薬液に対する耐性を有し、前記基板を前記薬液により洗浄するための第１のチャンバと、前記第１のチャンバの上方または下方に配置され、前記第１のチャンバよりも高い耐圧性を有し、前記基板を超臨界乾燥するための第２のチャンバと、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間に設けられ、開閉可能なゲート部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】生成される有機溶剤の蒸気の濃度を高くすることができるとともに、有機溶剤の加熱を効率的に行うことができる蒸気発生器、蒸気発生方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】蒸気発生器１０は、流路管１４、１６、１８と、流路管１４の一端に有機溶剤の液体を供給する液体有機溶剤供給部３０と、流路管１４、１６、１８を加熱する加熱部２０、２２、２４と、を備えている。流路管１４、１６、１８は、一端から他端に向かうに従ってその断面積が大きくなるよう構成されている。流路管１４の一端に供給された有機溶剤の液体が加熱されて流路管１８の他端から有機溶剤の蒸気が流出されるようになっている。基板処理装置６０は、上述の蒸気発生器１０を備えている。 （もっと読む）