【課題】洗浄後の反応炉部品上の残留反応生成物（不可視膜）の有無を、簡単な方法で検知できる反応生成物の検知方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を気相成長させた後の反応炉部品１１上に付着した反応生成物を洗浄した後、反応炉部品１１に特定の波長の光、例えば、ブラックライト１６を照射して反応炉部品１１上に残留する反応生成物の発光状態を検出することにより、反応炉部品１１上の反応生成物の残留状態を検知する。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハ端面に接触する回転ブラシを用いることなく、ウェーハ端面の付着異物などを除去し得る洗浄技術を提供する。
【解決手段】 超音波洗浄液供給ユニット２０は、ウェーハ１の端部を包み込む溝状の壁面２２ｃを有する。超音波洗浄液供給ユニット２０をその壁面２２ｃがウェーハ端面に近接するように配置し、ウェーハ１の回転中に、壁面２２ｃに連通する吐出口２５からウェーハ端面に向けて、超音波振動が与えられた洗浄液を吐出する。超音波洗浄液供給ユニット２０の壁面２２ｃとウェーハ１の端面との間に、超音波振動する洗浄液の膜２６が形成される。 （もっと読む）

【課題】短い洗浄時間にて基板の全面を洗浄することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄ヘッド６０の底面には２０個の吐出孔を所定の配列間隔で一列に並べた孔列ＮＲを４列設けている。また、洗浄ヘッド６０の外壁面には圧電素子が貼設されている。洗浄ヘッド６０の内部に洗浄液を供給しつつ、圧電素子により洗浄液に振動を付与することによって、合計８０個の吐出孔６４から直径が一定である洗浄液の液滴を生成して一定速度にて連続して吐出する。洗浄ヘッド６０から液滴を吐出する際には、カバーリンスノズル８０から基板Ｗの上面にカバーリンス液を吐出して液膜を形成しつつ洗浄ヘッド６０を基板Ｗの中心部と端縁部との間でスキャンさせる。８０個の吐出孔６４から液滴を吐出することによって、短い洗浄時間にて基板Ｗの全面を洗浄することができる。 （もっと読む）

本発明は、実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物に関する。特に、イオン注入工程の後にフォトレジストを剥離するのに有用な実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物であって、
（ａ）アミン
（ｂ）有機溶媒Ａ，及び
（ｃ）共溶媒、
を含み、組成物は実質的に水分を含まない（＜３質量％Ｈ₂Ｏ）。本発明は、同様に、本発明の組成物を用いてポストイオン注入フォトレジスト剥離のプロセスを提供する。 （もっと読む）

【課題】 水洗および有機溶剤による洗浄の後の乾燥において、半導体ウエハを短時間で良好に処理可能な優れた半導体ウエハ処理方法および半導体ウエハ乾燥装置を提供すること。
【解決手段】 半導体ウエハの洗浄工程後に、半導体ウエハの複数の面へガスを吹き付ける乾燥工程を行う半導体ウエハ処理方法であって、乾燥工程は、半導体ウエハへガスを吹き付ける際に、複数方向からのガスが半導体ウエハの主面上において交わらないように、ガスの吹き付けを制御することとする。また、半導体ウエハの複数の面へガスを吹き付ける半導体ウエハ乾燥装置であって、半導体ウエハの一側面側からガスを噴射させる第１噴射パイプと、半導体ウエハの他の側面側からガスを噴射させる第２噴射パイプとを備え、第１噴射パイプおよび第２噴射パイプのうち少なくとも１つが移動しながら噴射可能であることとする。 （もっと読む）

【課題】付加的な洗浄工程を追加することなくバリア膜の洗浄を行なうことができ、生産コストの上昇が抑えられる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｌｏｗ−ｋ膜の開口部に、バリア膜を介在させて銅めっき膜が形成される。次に、バリア膜のルテニウムを除去するための所定の洗浄処理が施される。このとき、半導体基板の裏面に、塩酸と過酸化水素水とをそれぞれ所定時間吐出させる。次に、所定の時間待機することにより、塩酸と過酸化水素水とを反応させる。次に、反応した薬液を、半導体基板を回転させることによってその裏面に均一に広げる。この一連のステップを１サイクルとして、これを少なくとも１回、必要に応じて２回以上繰り返す。塩酸と過酸化水素水とが反応してより濃度の高い塩素イオンが発生することにより、ルテニウムが溶解して除去される。 （もっと読む）

【課題】基板の検出時間を短縮することができ、このことにより基板の処理のスループットを向上させることができる基板処理システム、基板検出装置および基板検出方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１は、処理前の状態のウエハＷの検出を行う第１の検出部４０と、処理後の状態のウエハＷの検出を行う第２の検出部５０とを備えている。第１の検出部４０は、収納容器８０の各収納部分８２にそれぞれ処理前の状態のウエハＷが収納されているか否かを検出するとともに各収納部分８２に収納された処理前の状態の各ウエハＷの収納状態を検出するようになっている。第２の検出部５０は、収納容器８０の各収納部分８２にそれぞれ処理後の状態のウエハＷが収納されているか否かを一括して検出するようになっている。 （もっと読む）

【課題】基板のベベル部および基板裏面を短時間で、しかも良好に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】遮断部材５が基板Ｗの表面Ｗｆに近接して対向配置された状態で基板Ｗの上面ベベル部に第１処理液が供給されてベベル洗浄が実行される。このベベル洗浄中に裏面処理ノズル２から第２処理液が基板裏面Ｗｂに供給されて裏面洗浄が実行される。また、遮断部材５の下面周縁部に段差部ＳＴが形成されており、環状部５０ｂに付着した処理液などが基板対向面側に移動しようとしても、当該移動は段差部ＳＴにより阻止される。その結果、基板対向面５０ａと平面領域ＦＰの間に液密層が形成されるのを確実に防止する。 （もっと読む）

組成物、方法、およびシステムは、反応器の金属部（チタンおよび／またはチタン合金など）における金属酸化物を選択的にエッチングできる。エッチング組成物はアルカリ金属水酸化物および没食子酸を含む。この方法は酸化アルミニウムなどの金属酸化膜の堆積に用いられる反応チャンバの洗浄に有用である。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ２０が制御されて、吸着ベース１０が上昇される。この吸着ベース１０の上昇は、ウエハＷの上面とリング上面２８との間の間隔が一定範囲内に保たれるように行われる。ふっ硝酸処理の結果ウエハＷは薄くなるが、吸着ベース１０が上昇されるために、ウエハＷの上面に形成されるふっ硝酸の液膜の厚みをほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】複数の基板処理部が搬送路に沿って配列されている場合でも、基板搬送時間の増加を抑制または回避することができる基板処理装置および基板搬送方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、複数の処理ユニット６と、シャトルＳＴと、メインロボットＭＲと、ＭＲ移動機構７と、シャトル移動機構とを含む。複数の処理ユニット６は、それぞれ基板Ｗを１枚ずつ処理するためのものであり、搬送路Ｃ１に沿って配列されている。また、シャトルＳＴは、基板Ｗを待機させておくためのものであり、搬送路Ｃ１に沿って移動可能に設けられている。また、メインロボットＭＲは、シャトルＳＴと各処理ユニット６との間で基板Ｗを搬送するためのものであり、搬送路Ｃ１に沿って移動可能に設けられている。シャトル移動機構は、搬送路Ｃ１に沿ってシャトルＳＴを移動させる。また、ＭＲ移動機構７は、搬送路Ｃ１に沿ってメインロボットＭＲを移動させる。 （もっと読む）

【課題】障害の発生から解消に至るまでの時間を短縮することができる、基板処理装置および基板処理装置用の障害要因解明プログラムを提供する。
【解決手段】基板処理装置１で障害が発生した場合には、障害要因解析ツール（障害要因解明プログラム）を起動させれば、解析パターンファイル記憶領域２３（解析パターンファイルデータベース）からすべての解析パターンファイルが取得され、動作ログファイル記憶領域２２（動作ログファイルデータベース）が開かれて、すべての解析パターンファイルで定義されているキーワードの出現パターンと動作ログファイルとが照合され、ヒット率を含む解析結果が操作パネル３に表示される。 （もっと読む）

【課題】スケジュールに基づいて処理が実行中であっても、最優先で処理を行う必要があるロットを他のロットよりも優先的に処理できるようにスケジュールを再作成できる。
【解決手段】スケジュールに基づいて処理が実行されている時に、最優先で処理を行う必要があるロットの処理命令が入った場合、制御部は、処理命令が入った時刻において、処理中のロットについては安全に待機可能なリソース以降のスケジュールを一旦削除し、処理が開始されていないロットについてはスケジュールをすべて一旦削除し、削除によりできた空きスケジュールに優先で処理すべきロットのスケジュールをハードリンクで追加し、一旦削除したロットのスケジュールを加えて再スケジューリングを行う。これにより、処理中のロットの基板処理に影響を与えることなく、最優先で処理を行う必要があるロットを優先的に処理できるようにスケジュールを再作成できる。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスを行う場合であっても、処理効率の低下を抑制することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】薬液供給源１４には、第１循環配管ＣＰ１、第２循環配管ＣＰ２、第３循環配管ＣＰ３および第４循環配管ＣＰ４の両端が接続されている。第１循環配管ＣＰ１における第１処理部Ｐ１の流通方向の上流側の部分には、第１薬液バルブ２１が介装されている。第１循環配管ＣＰ１における第１薬液バルブ２１と第１処理部Ｐ１と間の部分には、第１純水配管２２の先端が分岐接続されている。第１循環配管ＣＰ１における第１処理部Ｐ１の流通方向の下流側の部分には、第１廃液配管２４が分岐接続されている。第１循環配管ＣＰ１における第１廃液配管２４の廃液分岐部分ＤＷ１には、第１の３方弁２５が介装されている。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理をウェーハの被処理面に対して均一に、且つ、処理の長時間化を抑制しながら行うことができる。
【解決手段】内部に処理液３を貯留し、処理液３によりウェーハ４の被処理面４ａに対する処理が行われる処理槽２を備える。処理槽２内の処理液３に被処理面４ａが浸漬されるように、被処理面４ａを下向きにしてウェーハ４を保持する保持部５を備える。処理液３を処理槽２内へ供給する供給手段（例えば、循環ポンプ６及び供給配管７）と、回転することによって処理槽２内の処理液３を撹拌する回転部材（例えば、スターラ２１）を備える。供給手段は、ウェーハ４の被処理面４ａに向かう上向きの噴流２０が処理槽２内に形成され、且つ、処理槽２の上端２ａから処理液３がオーバーフローするように、処理液３を処理槽２内へ供給する。回転部材は、噴流２０の経路を避けて配置されている。 （もっと読む）

【課題】 流体量や流体圧の増加を必要とせずに、短時間で効率的に被洗浄物の全面を洗浄可能なスピンナ洗浄装置を提供することである。
【解決手段】 被洗浄物を保持する保持面を有し回転可能なスピンナテーブルと、該スピンナテーブルに保持された被洗浄物に洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段とを備えたスピンナ洗浄装置であって、前記洗浄流体供給手段は、アームと、該アームの先端に移動可能に配設されて洗浄流体を前記保持面に向かって噴射する洗浄流体噴射ノズルと、該洗浄流体噴射ノズルに洗浄流体を供給する配管と、前記スピンナテーブルに保持されて所定速度で回転される被洗浄物に対して、該アームの先端が該スピンナテーブルの回転中心を通るように該アームを揺動させる揺動手段と、該洗浄流体噴射ノズルを該保持面と平行な面において第１の方向へと移動させる第１移動手段と、該洗浄流体噴射ノズルを該保持面と平行な面において該第１の方向と直交する第２の方向へと移動させる第２移動手段と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液体中のナノバブルとマイクロバブルを短時間で分離して、ナノバブルを多く含む液体を基板に対して供給して使用することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、液体と気体を混合させて微小気泡を含む液体Ｌを生成する微小気泡生成器３２と、マイクロバブルＭＢとナノバブルＮＢを有する微小気泡を含む液体Ｌを溜める貯蔵部３３と、貯蔵部３３内の微小気泡を含む液体Ｌを加圧した状態で通す液体案内部５０と、液体案内部５０内を通る微小気泡を含む液体に対して電場を付与してマイクロバブルとナノバブルとを分離する電場付与部５１とを有して、分離されたナノバブルＮＢを含む液体Ｌを基板Ｗに供給する微小気泡分離器４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を収容した搬送容器が載置されるロードポートと、搬送容器を保管する容器保管部と、を備えた基板処理装置において、ロードポートにおける搬送容器の受け渡し回数の増大を図ることができ、これにより基板を高いスループットで処理することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】横方向の位置が互いに異なる第１の搬送路１０２Ａ及び第２の搬送路１０２Ｂの各々に沿って、複数枚の基板を収容した搬送容器１０を搬送する第１の搬送装置１０４Ａ及び第２の搬送装置１０４Ｂを利用し、第１の搬送装置１０４Ａにより搬送容器１０の受け渡しが行われる第１のロードポート２１と、この第１のロードポート２１に対して階段状に設けられ、前記第２の搬送装置１０４Ｂにより搬送容器１０の受け渡しが行われる第２のロードポート２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】加工形状を安定して保持できるエッチングの量産処理方法を提供する。
【解決手段】真空処理室と、ガス供給装置と、プラズマを生成するプラズマ生成手段と、プラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する装置を備え、前記真空処理容器内に搬入したウエハにプラズマ処理を施し、ウエハの量産処理を一時中断する装置未稼働時間（アイドリングＳＳ）が発生するエッチングの量産処理方法において、アイドリングＳＳ前後のクリーニングＳ２、Ｓ２’において、リアクタ最表面の反応生成堆積状態と温度の情報を含む前記プラズマ中の発光強度ＳｉＦ（１）、ＳｉＦ（２）をモニタし、これらの発光スペクトルを基にデーターベースＳ４を参照して、アイドリングＳＳ後のプラズマヒーティング工程Ｓ３の時間を調整してリアクタを加熱し、プラズマ加熱Ｓ３後に次の試料をエッチングＳ２する。 （もっと読む）

【課題】洗浄時において微細化したパーティクルや有機物の洗浄力に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供する
【解決手段】 炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）を含有してなり、前記（Ａ）の２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］が、０．５以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。 （もっと読む）