【課題】ブラシによる基板周縁部の洗浄を短時間で行うことができ、しかも、処理幅が小さい場合でも充分な洗浄力を確保できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷを洗浄するためのスポンジブラシ１８を備えている。スポンジブラシ１８は、非圧縮状態において断面横向きＶ字形の溝を形成する一対のテーパー面をなす第１洗浄面２９および第２洗浄面３０を有している。スポンジブラシ１８は、中心軸線Ｌ１に沿って圧縮された状態で一対の支持板７１，７２の間に保持されている。この圧縮状態では、第１および第２洗浄面２９，３０は互いに当接している。第１および第２洗浄面２９，３０の間にウエハＷの周縁部が導入され、その状態でウエハＷが回転される。これにより、ウエハＷ表裏面の周縁領域１３，１４および周端面がスクラブ洗浄される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、速やかにエキシマランプの周囲に不活性ガスを満たすことのできる紫外線照射ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の紫外線照射ユニットは、放電容器内に形成された密閉空間に放電ガスが封入されると共に、当該密閉空間を挟んで一対の電極が前記放電容器の外表面に形成された複数のエキシマランプと、当該複数のエキシマランプを取り囲み鉛直方向における一方向が開口したランプハウスと、当該ランプハウスの内部に不活性ガスを供給するためのガス供給機構とを備える紫外線照射ユニットであって、前記ランプハウス内には、前記エキシマランプによって占有されている空間以外の空間に空間閉塞体が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】この発明は、ＣＦ_４以外の最適なフッ素系ガスを使用すると共にプラズマ処理能力を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】この発明は、処理ワークが配される処理空間と、該処理空間内にガスを導入するガス導入手段と、前記処理空間内に放電プラズマを形成するプラズマ生成手段とによって少なくとも構成されるプラズマ処理装置において、前記処理空間に導入されるガスは、フッ化カルボニル（ＣＯＦ_２）又はトリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）を含むガスであり、このガス圧力は、０．００１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの範囲内であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、開口部内の残渣を検出すると同時に除去することにより、高いスループットで半導体装置の歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、複数の開口部が形成されたウェーハｗが搬入され、検査、処理されるチャンバ１１と、ウェーハｗの所定位置に電子ビーム１４を照射する機構１５、１６と、電子ビーム１４の照射により、複数の開口部より残渣を有する開口部を検出する機構１７と、活性化されることにより残渣の除去が可能なプロセスガスを、チャンバ１１内に供給するガス供給機構１８と、チャンバ１１内の圧力を制御して排気するガス排出機構１９を備える。 （もっと読む）

【課題】 ガラス又はシリコン基板表面の平坦性を損ねることなく、優れたパーティクルの除去性を実現し、低起泡性かつ経時安定性に優れた電子材料用洗浄剤及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】アニオン成分が一般式（１）で示されるアニオン性界面活性剤（Ａ）と、炭素数６〜１８のアルケン及び一般式（２）で示される有機溶剤からなる群から選ばれる１種以上の有機溶剤（Ｂ）と、アルカリ成分（Ｃ）とを含有してなり、前記（Ｂ）のＳＰ値が６〜１３であり、有効成分濃度０．１〜１５％における２５℃でのｐＨが１０〜１４であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
Ｒ¹［−（ＯＡ¹）_a−Ｑ^- ］_b （１）
Ｒ³［−（ＯＡ²）_c−ＯＨ］_d （２） （もっと読む）

【課題】本発明は、最小の時間で、良好に洗浄処理を行うことができ、作業工数を削減することが可能な基板処理方法及び基板処理装置を提供しようとするものである。
【解決手段】フォトマスク基板処理装置はフォトマスク基板１１が収容されるチャンバ１０と、チャンバ１０内のフォトマスク基板１１に硫酸を供給する処理液供給部１４と、チャンバ１０内のフォトマスク基板１１に純水を供給する洗浄液供給部１５と、チャンバ１０から排出される排液に含有される不純物量を所定時間毎に測定する測定器１６と、測定器１６により測定された不純物量および時間との関係から不純物量の変化量を演算し、変化量に基づき、洗浄液供給部１５による純水の供給を停止させる制御部１７と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成された厚膜等の被乾燥物を乾燥むらなく短時間で乾燥させることができる基板の乾燥方法及び乾燥炉を提供する。
【解決手段】溶剤を含む被乾燥物が表面に形成された基板を、その被乾燥物形成面側を上方にして乾燥炉内に略水平に設置し、ガス供給手段から出力される溶剤ガスを加熱し、その加熱溶剤ガスを基板下部から供給して基板上の被乾燥物を乾燥させ、被乾燥物の上方近傍の溶剤ガスの溶剤濃度を測定し、溶剤濃度が所定の濃度となるように溶剤ガス供給手段の出力溶剤濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】薬液の劣化を抑え、気化効率が高くキャリアガスの流量を少なくすることができる気化装置、及びこの気化装置を備えることにより気化された処理ガスの漏洩のリスクを低減させた基板処理装置、基板処理方法を提供すること。
【解決手段】気化プレート３１の表面に多数の溝部３６を形成し、毛細管現象により薬液であるＨＭＤＳ液をこれら溝部３６を介して気化面の上に広げ、この状態でキャリアガスを気化面に供給してＨＭＤＳ液を気化させ処理ガスを得ている。従って気化を行わないときには、貯留されたＨＭＤＳ液がキャリアガスに接触するといったことがないので、ＨＭＤＳ液の劣化が抑えられる。また小型化を図ることができる上、気化効率が高いのでキャリアガスが少なくて済む。また気化装置３を小型化できることから、処理容器２２の側に置くことができ、処理ガスの配管を短くする、若しくは無くすことができるので、処理ガスの漏れが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面及びベベル部並びに裏面の洗浄を行うことができる洗浄装置を提供すること。
【解決手段】洗浄装置１００は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。また基板がスピンチャック３により保持され、回転されるときに、基板の裏面の洗浄と合わせて、基板表面及びベベル部に夫々洗浄液を供給して、当該表面とベベル部の洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】搬送時間を軽減することによって、基板処理のスループットを向上させることを目的とする。
【解決手段】（＋Ｘ）方向に直線状に伸びる第１の基板処理セクション１０１および第３の基板処理セクション１０３の両側に搬送ユニット１３ａ，１３ｂ、搬送ユニット１９ａ，１９ｂをそれぞれ配置する。また、搬送ユニット１３ａ，１３ｂの走行路である搬送用路１３１ａ，１３１ｂの端部に、一対の塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂが設けられる。そして搬送ユニット１３ａ，１３ｂは、基板９０を塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂにそれぞれ搬入する。当該搬入された基板９０は、搬送ユニット１５によって搬出される。また、搬送ユニット１３ｂは、搬送ユニット１３ａに対して、所定の動作数分遅れて、相同の搬送動作を行う。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ、Ｔｉ、Ｔａ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎの成膜工程で使用した成膜装置部品の表面に付着・堆積した堆積物を、基材をできる限り傷めることなく、しかも短時間で除去する洗浄方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム、ステンレス又はアルミナセラミックス等から構成される成膜装置部品の表面を算術平均粗さＲａとして５ミクロン以上に粗面化することで、Ｔａ、Ｔｉ、Ｔａ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ堆積膜の形状を粒状に制御し、次いで硫酸とフッ化水素酸からなる洗浄液で洗浄することにより、堆積膜を除去する方法であり、粗面化した部品表面としては、部品表面にアルミニウム又はチタンの溶射膜を設けて粗面化したものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】脆弱かつ微細なパターンが形成されたウエハ表面に付着した異物をパターン破壊をすることなく効率良く洗浄を行うことが可能な洗浄装置を提供する。
【解決手段】円柱状の超音波振動体の円周側面と円筒状外囲体とで作るギャップを通して、洗浄液を継続的にウエハ表面に供給し、ウエハ表面と振動体との間隙の超音波照射領域に流入する流れ成分と、外囲体外部に流出する流れ成分とに分流させ、そして、超音波洗浄で異物が混入した振動体―ウエハの間隙への流入洗浄液成分を振動体円柱の中心軸に沿って形成された通路から吸引して洗浄系外に排出するような構成を有する超音波振動体方式の枚葉式超音波スピン洗浄装置とする。これで、超音波で分離された異物がウエハ表面に再付着するのを防げ、洗浄効率が高く短時間で所望のクリーン度を実現する超音波洗浄装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】基板面内により均一に処理を施すと共にスループットの向上を図る。
【解決手段】基板処理装置１は、基板２を水平搬送しながらその上面に現像液の液層Ｘを形成するための液ノズル１６と、基板２上に形成された液層Ｘを除去するための除去手段とを備える。この除去手段は、基板２を横断するように設けられて該基板２の上面に向かってエアを吐出するエアナイフ１８と、該エアナイフ１８によるエア吐出位置よりも基板２の後端側に隣接する位置に配置され、前記エアの吐出時に生じる液層Ｘの波打ちを抑える波消し部材２０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染、パーティクル汚染を、銅配線の腐蝕を引き起こすことなく、短時間で除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、（Ａ）有機酸と、（Ｂ）スルホン基またはフォスホン基を置換基として有するポリアミノカルボン酸とを含有する洗浄剤である。 （もっと読む）

【課題】混合槽で生成される処理液の混合比率を一定に保つ。
【解決手段】まず排出弁２３，２４，２５を開弁し、供給弁２６〜３１を閉弁して、原料液体Ａ，Ｂ，Ｃを排出弁２３，２４，２５から外部に排出する。その後、ＬＦＣ２０，２１，２２が検出する原料液体Ａ，Ｂ，Ｃの流量が全て所定の流量に達した後に、排出弁２３，２４，２５を閉弁し、供給弁１７，２９，３１を開弁して、供給弁１７，２９，３１を通して原料液体Ａ，Ｂ，Ｃを第２の混合槽３に供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送経路を複数有する処理部であっても、当該処理部から本装置とは別体の露光機へ基板を搬送する順番を好適に管理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部３は、基板Ｗを略水平方向に搬送しつつ基板Ｗに処理を行う基板処理列Ｌｕ、Ｌｄを上下方向に設けて構成される。ＩＦ部５は、各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄから払い出された基板Ｗを、本装置１０とは別体の露光機ＥＸＰに搬送する。ここで、露光機ＥＸＰに搬送する基板Ｗの順序（順番ＯＥ）は、処理部３に搬入された基板の順番ＯＡどおりである。このように基板処理列Ｌｕ、Ｌｄを上下方向に設けているので、フットプリントを増大させることなく、本装置１０のスループットを大きく向上できる。また、露光機ＥＸＰに搬送する基板Ｗの順番ＯＥは、処理部３に搬入された基板Ｗの順番ＯＡと一致するので、各基板Ｗを容易に管理することができる。 （もっと読む）

【課題】省スペースで、水平姿勢の基板に対して処理具を移動させて基板に処理を行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】略水平方向に並べて設けられ、基板Ｗを略水平姿勢で保持する複数の処理ユニット１０１ａ、１０１ｂと、基板Ｗに現像液を供給するノズル１１１ａ、１１１ｂと、ノズル１１１ａ、１１１ｂを支持するアーム部材１１３ａ、１１３ｂと、アーム部材１１３ａ、１１３ｂを直線的に移動させる駆動部１２０ａ、１２０ｂと、を備えている。駆動部１２０ａ、１２０ｂは異なる高さ位置に配置され、平面視で一部重複している。アーム部材１１３ａは、駆動部１２０ｂと干渉しない形状を呈して、駆動部１２０ａが駆動部１２０ｂと平面視で一部重複している範囲にも移動可能である。このように、複数の駆動部１２０ａ、１２０ｂを平面視で一部重複させて設けているので、設置面積を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】環境汚染を引き起こすことなく、しかも細部まで確実に洗浄し得る洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】液体と窒素とを混合およびせん断して窒素マイクロバブル含有水を作製する第１気体せん断部２１と、窒素マイクロバブル含有水を更にせん断して窒素ナノバブル含有水を作製する第２気体せん断部２２と、窒素ナノバブル含有水に対して磁場をかける第１活性化手段２８と、磁場がかけられた後の窒素ナノバブル含有水を更にせん断する第３気体せん断部４と、第３気体せん断部によって更にせん断された窒素ナノバブル含有水が吐出される槽１と、を有する洗浄装置によって洗浄対象３を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】水を含む高沸点、高蒸発潜熱の洗浄剤においても、再付着がなく、洗浄後の乾燥効率が高く、洗浄、乾燥時間を短縮でき、複雑な形状の被洗浄物でも乾燥シミを作ることなく乾燥させることができるベーパー洗浄を可能にする。
【解決手段】被洗浄物をベーパー洗浄するためのベーパー洗浄槽６と、ベーパー洗浄槽６内における下方部分に蓄えた洗浄剤１６と、ベーパー洗浄槽６に連通した乾燥槽５と、ベーパー洗浄槽６と乾燥槽５間を遮断又は開放可能とした遮断蓋１３と、被洗浄物を載置可能であるとともにベーパー洗浄槽６と乾燥槽５間を移動可能なキャリアと、を具備した装置本体２と、装置本体２に連結された、装置本体２の内部を加減圧する圧力調整手段３と、被洗浄物に付着した洗浄剤等を排液するための排液弁１７と、洗浄剤１６を加熱するための加熱システム１９と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】基板を略水平に保持した状態で所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法において、遮断板を用いた処理技術と同様の遮断効果を得ながらも、より装置の小型化に適した技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの略中央上方にガス噴射ヘッド２００を設ける。ガス導入口２９１から導入された窒素ガスを、内部のバッファ空間ＢＦを経てスリット状の噴射口２９３から噴射する。これにより基板の上方には、上下方向に噴射方向が制限される一方、水平方向には略等方的な放射状のガス流が形成される。そのため、基板周囲のゴミＤやミストＭ等は外方向へ押し流されて基板Ｗに付着することがない。ガス噴射ヘッド２００は基板Ｗの直径より小さくすることができ、しかも基板表面から退避させたり回転させる必要がないので、装置を小型に構成することができる。 （もっと読む）