【課題】広範囲にわたる基板の処理を行うことができるとともに、設置面積を削減することができる基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した２流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理室内に、ノズルの内部で２流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に２流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたパターンを破壊することなく、短時間でレジストを剥離することのできる、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】イオン注入処理時のマスクとして基板上に形成され、イオン注入処理により表層部に硬化層が形成されたレジストに、流体を供給する工程と、前記流体を供給する工程の後に、前記レジストに、前記レジストを剥離する剥離液を供給する工程とを具備し、前記流体を供給する工程は、前記流体として、純水を流量比で１／４００以上含む流体を供給する工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 洗浄の高速化に確実に対応でき、しかも洗浄時の装置の振動を抑制でき、均一で効率的な洗浄を可能にする高圧水噴射洗浄装置を提供する。
【解決手段】 ケーシング３３の先端に高圧水噴射ノズルｎを設けたホルダー３０を備え、ケーシング３３の内部に回転自在に支持した支持軸２７を設け、この支持軸２７の先端側に軸心のずれた偏心部を形成し、この偏心部と前記支持軸２７とに軸受面が揺動可能な軸受２６を設け、この軸受２６に前記ホルダー３０の基部側を回転自在に支持し、ホルダー３０に高圧水チューブ３１を連結した高圧水噴射洗浄装置であって、高圧水噴射ノズルｎに３つの高圧水噴射孔ｎｋを設けている。 （もっと読む）

【課題】アンモニア過水処理以降に、硫酸過酸化水素水のミストが基板に付着することを防止できる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部ＰＣは、４つの硫酸過水処理チャンバ１と、４つのアンモニア過水処理チャンバ２とを備えている。硫酸過水処理チャンバ１内において、ウエハＷに対して、ＳＰＭを用いた硫酸過水処理が行われる。硫酸過水処理後のウエハＷは、硫酸過水処理チャンバ１からアンモニア過水処理チャンバ２へ移送され、アンモニア過水処理チャンバ２内において、ＳＣ１を用いたアンモニア過水処理を受ける。アンモニア過水処理チャンバ２は、硫酸過水処理チャンバ１から隔離されているので、アンモニア過水処理チャンバ２内には、ＳＰＭのミストが存在しない。 （もっと読む）

【課題】過硫酸の自己分解を抑制するとともに、電極で生成する気体による電解効率の低下を抑制することができる過硫酸製造装置を提供する。
【解決手段】陽極１２および陰極１４が隔膜１０側の面と集電体１６，１８側の面に通ずる少なくとも１つの流路を有し、集電体１６，１８が電極１２，１４側の面に電解液の流れる方向と略平行な少なくとも１つの溝を有することにより、あるいは、陽極１２および陰極１４が隔膜１０側の面に電解液の流れる方向と略平行な少なくとも１つの溝を有することにより、過硫酸の自己分解を抑制するとともに、電極で生成する気体による電解効率の低下を抑制することができる過硫酸製造装置１。 （もっと読む）

【課題】本発明は、環境負荷が低く、洗浄対象物の層間絶縁膜、金属、窒化金属、および、合金を腐食することなく、短時間、低温度で、フォトレジスト、反射防止膜、エッチング残渣、および、アッシング残渣などの洗浄対象物表面上にある付着物の除去を行うことができる洗浄液と、その洗浄方法を提供することを課題とする。
【解決手段】還元剤および界面活性剤を含み、ｐＨが１０〜１４である半導体デバイス用洗浄液。 （もっと読む）

【課題】機能性溶液として硫酸電解液を効率よく生成し、かつ電解によって生成された過硫酸を自己分解を抑制して効率よく使用側に供給する。
【解決手段】硫酸溶液を電解することにより機能性溶液を製造して使用側に供給する機能性溶液供給システムにおいて、該システムが硫酸溶液を貯留する貯留槽２と、硫酸溶液を電解する電解装置（電解セル３）と、硫酸溶液を加温する加温手段（加熱器５）と、硫酸溶液を冷却する冷却手段（冷却器４）と、貯留槽２から排出された硫酸溶液を、加温手段を介することなく電解装置を介して前記貯留槽２に戻す第１の循環ライン１１と、使用側（洗浄機１）から導入された硫酸溶液を、加温手段を介することなく冷却手段及び前記貯留槽２をこの順に介して使用側に戻す第２の循環ライン１２と、前記使用側から導入された硫酸溶液を、冷却手段及び前記貯留槽２を介することなく加温手段（加熱器５）を介して前記使用側に戻す第３の循環ライン１３を備える。 （もっと読む）

【課題】 III-V族化合物半導体の結晶成長方法において、半導体下地層と半導体層の界面に高濃度なｎ型領域が形成されることを抑制する技術を提供すること。
【解決手段】 シリコンをエッチング可能なエッチング材を利用して半導体下地層の表面を洗浄する工程と、洗浄後の半導体下地層をアルコールに浸漬する工程と、浸漬された状態で半導体下地層をガス置換室に搬入する工程と、ガス置換室内を大気から置換ガスに置換する工程と、ガス置換室に連結する反応室に液体から取り出した半導体下地層を搬入する工程と、反応室内で半導体下地層の表面に前記半導体層を結晶成長させる工程を備えている。置換ガスは、シリコン濃度が０．２ppm以下である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の酸化を抑制または防止しつつ、シリコン基板に対し処理液を用いた処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック３は、ウエハＷをほぼ水平な姿勢でその裏面（下面）を吸着して保持する保持電極板５を備えている。保持電極板５には、直流回路２２の電源の負極が接続されている。保持電極板５の上方には、対向電極板１０が設けられている。対向電極板１０には、直流回路２２の電源の正極が接続されている。対向電極板１０と、ウエハＷの表面とを隙間ｄを隔てて対向させ、対向電極板１０と保持電極板５との間に電位差が与えられる。この状態で、処理液ノズルからＳＰＭが供給される。 （もっと読む）

【課題】基板の上面に処理液を供給し基板を鉛直軸回りに回転させて基板を処理する際に、基板を加熱することなく基板上の処理液を加熱して、処理液の温度を基板面内で均一に保ち、基板面内における処理品質の均一性を向上させることができる方法を提供する。
【解決手段】基板保持部１２に水平姿勢に保持されて鉛直軸回りに回転するシリコン基板Ｗの上面へ給液ノズル１６から水溶液の処理液を供給して基板を処理する際に、ハロゲンランプ１８からシリコン基板Ｗの下面側へ波長が１．２μｍ〜５．０μｍの範囲である赤外線を照射する。シリコン基板Ｗを透過した赤外線は、基板上面の処理液に吸収されて、処理液の温度が上昇する。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製のスポンジブラシ１６を備えている。スポンジブラシ１６の外表面を含む範囲には、多数の砥粒が保持されている。基板処理装置１は、スピンチャック３により回転されるウエハＷの周縁部にスポンジブラシ１６を当接させることにより当該周縁部を洗浄することができる。スポンジブラシ１６は、ウエハＷの周縁部に強固に付着した汚染物資を砥粒によって剥離させることにより、ウエハＷの周縁部から当該汚染物質を良好に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができ、処理時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、互いに硬さの異なる第１ブラシ１７および第２ブラシ１８を備えている。基板処理装置１は、スピンチャック３により回転されるウエハＷの周縁部に第１および第２ブラシ１７，１８を当接させることにより当該周縁部を洗浄することができる。硬質の第１ブラシ１７は、ウエハＷの周縁部に強固に付着した汚染物資を比較的短時間で良好に剥離させて除去することができる。また、軟質の第２ブラシ１８は、弾性変形することによりウエハＷの周縁部に密着され、第１ブラシ１７によって除去できない細かな汚染物質を良好に除去することできる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の稼働率の低下を防止することができるクリーニング基板及びクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プロセスモジュール１１のチャンバ１７内に、円板状のシリコン基材４３と、該シリコン基材４３上に設けられた不織布４４とを有するクリーニング基板４５を搬入し、チャンバ１７内を排気する排気システムによりチャンバ１７内を真空引きすると共に、チャンバ１７の壁面や構成部品の表面に付着しているパーティクルを剥離させて、チャンバ１７内のパーティクルをクリーニング基板４５の不織布４４に入射させ、その後、不織布４４内にパーティクルを捕捉したクリーニング基板４５をチャンバ１７内から搬出する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を基板保持手段により保持し処理槽内の処理液中に浸漬させて処理する装置において、基板表面からパーティクルや残留薬液を除去して効率良く処理槽外へ排出することができ、処理時間の短縮と処理液の使用量の低減を図ることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液を貯留する処理槽１０と、鉛直姿勢で水平方向に配列された複数の基板Ｗを保持し処理槽１０の内方位置と上方位置との間で上下方向へ移動する基板保持具１２と、処理槽１０の底部近傍に設けられた吐出口から処理液を吐出する一対の吐出管１８と、各吐出管１８に対向するように吐出管１８の長手方向に沿って基板保持具１２に固着され吐出管１８の吐出口から吐出される処理液の流れを遮る一対の邪魔板部材３８ａ、３８ｂと、基板保持具１２を処理槽１０内において、邪魔板部材３８ａ、３８ｂが吐出管１８の吐出口からの処理液に当たる位置と当たらない位置とに移動させる移動制御手段とを備えて装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄をさらに効率的に実行できる二流体ノズル、およびこの二流体ノズルによって洗浄処理を実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 流路形成部材３１および蓋部材３９は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。流路形成部材４１および蓋部材４９は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。また、各流路形成部材３１、４１の背面同士が合わせられると、洗浄液供給源７１から供給される液体の導入路が形成されるとともに、Ｙ軸方向を長手方向とし、Ｘ軸方向を幅方向とする略長方形状の液体吐出口が形成される。導出部材５１は、流路形成部材３１側から供給される気体の吐出口と、流路形成部材４１側から供給される気体の吐出口と、を形成する部材である。 （もっと読む）

【課題】基板保持手段の保持部の保持溝にパーティクルが蓄積することを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理液を貯留する処理槽と、鉛直姿勢で水平方向に配列された複数の基板の最下端部および両側の各下端部をそれぞれ保持する第１保持部２０および第２、第３保持部を有し複数の基板を処理槽の内部に保持する基板保持具と、処理槽の底部近傍に設けられた吐出口から処理液を吐出する一対の吐出管とを備え、基板保持具の第１保持部２０および第２、第３保持部に、保持溝２０ａの溝底から保持部の側面に貫通する複数の貫通細孔２０ｂを、処理槽内に生じる処理液の流れに沿った方向に穿設する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を基板保持手段により保持し処理槽内の処理液中に浸漬させて処理する装置において、基板表面からパーティクルや残留薬液を除去して効率良く処理槽外へ排出することができ、処理時間の短縮と処理液の使用量の低減を図ることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液を貯留する処理槽１０と、鉛直姿勢で水平方向に配列された複数の基板Ｗの最下端部および両側の各下端部をそれぞれ保持する第１保持部３４および第２保持部３６ａ、第３保持部３６ｂを有し処理槽１０の内方位置と上方位置との間で上下方向へ移動する基板保持具１２と、処理槽１０の底部近傍に設けられた吐出口から処理液を吐出する一対の吐出管１８と、基板保持具１２を処理槽１０内において、第２保持部３６ａ、第３保持部３６ｂが吐出管１８の吐出口からの処理液に当たる位置と当たらない位置とに移動させる移動制御手段とを備えて装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】基板を略水平に保持した状態で所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法において、遮断板を用いた処理技術と同様の遮断効果を得ながらも、より装置の小型化に適した技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの略中央上方にガス吐出ヘッド２００を設ける。ガス吐出ヘッド２００の下部に基板表面Ｗfに向けて開口したガス吐出口２８３から、アルゴンガスを基板表面Ｗfに向けて吐出する。また、ガス吐出口２８３を取り囲むように設けたガス吐出口２９３からは、アルゴンガスよりも比重の小さい窒素ガスを吐出する。これにより、基板表面Ｗfに沿って流れるアルゴンガス層Ｌ1の上に窒素ガス層Ｌ2が形成され、周囲に浮遊するゴミＤやミストＭ等がアルゴンガス層Ｌ1に取り込まれ基板表面Ｗf近傍に運ばれるのを防止する。 （もっと読む）

【課題】小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理空間１６２の湿度が規定湿度を超えている間、つまり処理空間１６２が十分に低湿度雰囲気となっていない間においては乾燥処理は実行されない。そして、当該湿度が規定湿度以下となって低湿度雰囲気となったことが確認されると、その低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。したがって、基板表面でのウォーターマーク等の発生を抑制しながら基板乾燥を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、速やかにエキシマランプの周囲に不活性ガスを満たすことのできる紫外線照射ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の紫外線照射ユニットは、放電容器内に形成された密閉空間に放電ガスが封入されると共に、当該密閉空間を挟んで一対の電極が前記放電容器の外表面に形成された複数のエキシマランプと、当該複数のエキシマランプを取り囲み鉛直方向における一方向が開口したランプハウスと、当該ランプハウスの内部に不活性ガスを供給するためのガス供給機構とを備える紫外線照射ユニットであって、前記ランプハウス内には、前記エキシマランプによって占有されている空間以外の空間に空間閉塞体が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）